JP6592948B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
最初に、異なる材料からなる基板を用いた複数のチップにより形成されるMMICについて説明する。このMMICは、図1に示されるように、例えば、3つのチップ、即ち、SiC基板11を用いた第1の半導体チップ10、Si基板21を用いた第2の半導体チップ20、Si基板31を用いた第3の半導体チップ30により形成されている。第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20及び第3の半導体チップ30の表面側には、層間絶縁膜51と金属により形成された配線52により再配線層50が形成されており、再配線層50により、各々の半導体チップ間が電気的に接続されている。第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20及び第3の半導体チップ30の裏面側には、放熱のため、及び、グランド接地のため、共通電極となる金属膜60が形成されている。尚、第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20、第3の半導体チップ30の厚さは、約100μmであり、第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20、第3の半導体チップ30は、モールド樹脂40により接合されている。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態のける半導体装置の製造方法は、図1に示される構造のMMICを高い信頼性で製造することのできる半導体装置の製造方法である。
(半導体装置の製造方法)
次に、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態のける半導体装置の製造方法は、図1に示される構造のMMICを高い信頼性で製造することのできる半導体装置の製造方法である。
次に、第3の実施の形態における高周波増幅器について、図29に基づき説明する。本実施の形態における高周波増幅器は、第1または第2の実施の形態における半導体装置を用いた高周波増幅器である。本実施の形態における高周波増幅器470は、例えば、携帯電話の基地局用パワーアンプに適用してもよい。この高周波増幅器470は、ディジタル・プレディストーション回路471、ミキサー472a、472b、パワーアンプ473及び方向性結合器474を備えている。ディジタル・プレディストーション回路471は、入力信号の非線形歪みを補償する。ミキサー472a、472bは、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号とをミキシングする。パワーアンプ473は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅する。本実施の形態においては、パワーアンプ473は、第1または第2の実施の形態における半導体装置を有している。方向性結合器474は、入力信号や出力信号のモニタリング等を行なう。また、本実施の形態における高周波増幅器は、例えば、スイッチの切り替えにより、ミキサー472により出力信号を交流信号とミキシングしてディジタル・プレディストーション回路471に送出することが可能である。
(付記1)
表面側に形成された電極と表面側から裏面側に貫通する貫通電極とを有する第1の半導体チップと、表面側に形成された電極と表面側から裏面側に貫通する貫通電極とを有する第2の半導体チップとを、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側において、樹脂により固定する工程と、
前記樹脂をエッチングにより除去することにより、前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程と、
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側に、共通電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記樹脂により固定する工程後、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの表面側に配線を形成することにより、前記第1の半導体チップの表面側の電極と前記第2の半導体チップの表面側の電極とを接続する再配線を形成する工程を含むことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程は、
前記樹脂の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの形成されていない領域の樹脂をエッチングにより除去し、前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程と、
を含むものであることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程は、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側より、前記樹脂を所定の厚さになるまで研削する工程と、
前記研削された面の上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンの形成されていない領域の樹脂をエッチングにより除去することにより、前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程と、
を有することを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記共通電極を形成する工程は、
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側に第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜の上に、メッキにより第2の金属膜を形成する工程と、
を含むものであることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
表面側及び裏面側に形成された電極と表面側の電極と裏面側の電極とを接続する貫通電極とを有する第1の半導体チップと、表面側及び裏面側に形成された電極と表面側の電極と裏面側の電極とを接続する貫通電極とを有する第2の半導体チップとを、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側において、樹脂により固定する工程と、
前記樹脂を研削により除去することにより、前記第1の半導体チップの裏面側の電極及び第2の半導体チップの裏面側の電極を露出させる工程と、
前記第1の半導体チップの裏面側の電極と第2の半導体チップの裏面側の電極とを接続する共通電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記7)
前記樹脂により固定する工程の後、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの表面側に配線を形成することにより、前記第1の半導体チップの表面側の電極と前記第2の半導体チップの表面側の電極とを接続する再配線を形成する工程を含むことを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)
前記研削の前における前記第1の半導体チップの裏面側の電極及び前記第2の半導体チップの裏面側の電極の厚さは、10μm以上であることを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを前記樹脂により固定する工程は、
支持基板の上の粘着層に、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの表面側を貼り付ける工程と、
前記支持基板の前記粘着層に貼り付けられた、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側に樹脂を供給した後、硬化させる工程と、
前記樹脂により前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが固定されたものより、前記粘着層及び前記支持基板を剥離する工程と、
を含むものであることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)
前記第1の半導体チップは、SiC基板の表面側に窒化物半導体層により半導体素子が形成されており、
前記第2の半導体チップは、Si基板の表面側に、抵抗、キャパシタ、インダクタンスのうちの1または2以上が形成されていることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記11)
前記第2の半導体チップは、複数設けられていることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記12)
表面側に形成された電極と表面側から裏面側に貫通する貫通電極とを有する第1の半導体チップと、
表面側に形成された電極と表面側から裏面側に貫通する貫通電極とを有する第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップを固定する樹脂と、
前記第1の半導体チップの裏面と前記第2の半導体チップの裏面とを接続する共通電極と、
を有し、
前記第1の半導体チップは、SiC基板に形成されたものであって、
前記第2の半導体チップを形成している半導体基板は、前記第1の半導体チップを形成している半導体基板とは異なる材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記13)
前記第1の半導体チップは、SiC基板にGaNを含む半導体層により半導体素子が形成されたものであって、
前記第2の半導体チップは、Si基板に電子素子が形成されたものであることを特徴とする付記12に記載の半導体装置。
(付記14)
前記第2の半導体チップは、複数設けられていることを特徴とする付記12または13に記載の半導体装置。
(付記15)
付記12から14のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
11 SiC基板
12 窒化物半導体層
13 表面側電極
16 裏面側電極
17 TSV配線
20 第2の半導体チップ
21 Si基板
22a、22b 酸化シリコン膜
23 表面側電極
24 キャパシタ
25 抵抗
26 裏面側電極
27 TSV配線
30 第3の半導体チップ
31 Si基板
32a、32b 酸化シリコン膜
33 表面側電極
34 キャパシタ
35 インダクタンス
36 裏面側電極
37 TSV配線
40 モールド樹脂
50 再配線層
51 層間絶縁膜
52 配線
60 金属膜
70 支持基板
71 粘着層
72 レジストパターン
73 サポート基板
74 熱可塑性接着剤
81 SiCウェハ
82 Siウェハ
83 疑似ウェハ
Claims (5)
- 表面側に形成された電極と表面側から裏面側に貫通する貫通電極とを有する第1の半導体チップと、表面側に形成された電極と表面側から裏面側に貫通する貫通電極とを有する第2の半導体チップとを、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側において、樹脂により固定する工程と、
前記樹脂をエッチングにより除去することにより、前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程と、
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側に、共通電極を形成する工程と、
を有し、
前記第1の半導体チップは、SiC基板の表面側に窒化物半導体層により半導体素子が形成されており、
前記第2の半導体チップは、Si基板の表面側に、抵抗、キャパシタ、インダクタンスのうちの1または2以上が形成されており、
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程は、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側より、前記樹脂を所定の厚さになるまで研削する工程と、
前記研削された面の上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンの形成されていない領域の樹脂をエッチングにより除去することにより、前記第1の半導体チップの裏面側及び前記第2の半導体チップの裏面側を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定の厚さは、10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂により固定する工程後、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの表面側に配線を形成することにより、前記第1の半導体チップの表面側の電極と前記第2の半導体チップの表面側の電極とを接続する再配線を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記共通電極を形成する工程は、
前記第1の半導体チップの裏面側及び第2の半導体チップの裏面側に第1の金属膜を形成する工程と、
前記第1の金属膜の上に、メッキにより第2の金属膜を形成する工程と、
を含むものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを前記樹脂により固定する工程は、
支持基板の上の粘着層に、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの表面側を貼り付ける工程と、
前記支持基板の前記粘着層に貼り付けられた、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップの裏面側に樹脂を供給した後、硬化させる工程と、
前記樹脂により前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが固定されたものより、前記粘着層及び前記支持基板を剥離する工程と、
を含むものであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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