JP6554533B2 - 環境センサ - Google Patents
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本発明の一態様は、第1のセンサと、第2のセンサと、制御回路と、送信アンプと、変調回路と、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、第1のアンテナと、電池と、電源回路と、を有し、記憶装置は、第1のトランジスタと、第1の保持ノードと、を有し、アナログデジタル変換回路は、第2のトランジスタと、第2の保持ノードと、を有し、第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第2のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第1のトランジスタは、第1の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、第2のトランジスタは、第2の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、電池は、電源回路を介して、第1のセンサと、第2のセンサと、制御回路と、送信アンプと、変調回路と、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、に電力を供給する機能を有し、第2のセンサは、光を受光すると、トリガ信号を前記制御回路に出力する機能を有し、制御回路は、電気信号を受けることにより、第1のセンサと、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、変調回路と、送信アンプと、に制御信号を送る機能を有し、第1のセンサは、外界の物理量、又は化学量を第1のセンシングデータとして取得する機能を有し、アナログデジタル変換回路は、第1のセンシングデータをデジタル変換して、第2のセンシングデータを生成する機能を有し、記憶装置は、第2のセンシングデータを記憶する機能を有し、変調回路は、第2のセンシングデータを変調する機能を有し、送信アンプは、変調回路で変調された第2のセンシングデータを増幅する機能を有し、第1のアンテナは、送信アンプで増幅された第2のセンシングデータを第1の電磁波信号として送信する機能を有することを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様は、受信回路と、第1のセンサと、制御回路と、送信アンプと、変調回路と、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、第1のアンテナと、電池と、電源回路と、を有し、記憶装置は、第1のトランジスタと、第1の保持ノードと、を有し、アナログデジタル変換回路は、第2のトランジスタと、第2の保持ノードと、を有し、第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第2のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、第1のトランジスタは、第1の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、第2のトランジスタは、第2の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、電池は、電源回路を介して、第1のセンサと、受信回路と、制御回路と、送信アンプと、変調回路と、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、に電力を供給する機能を有し、受信回路は、外部からの信号を受信すると、トリガ信号を制御回路に出力する機能を有し、制御回路は、トリガ信号を受けることにより、第1のセンサと、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、変調回路と、送信アンプと、に制御信号を送る機能を有し、第1のセンサは、外界の物理量、又は化学量を第1のセンシングデータとして取得する機能を有し、アナログデジタル変換回路は、第1のセンシングデータをデジタル変換して、第2のセンシングデータを生成する機能を有し、記憶装置は、第2のセンシングデータを記憶する機能を有し、変調回路は、第2のセンシングデータを変調する機能を有し、送信アンプは、変調回路で変調された第2のセンシングデータを増幅する機能を有し、第1のアンテナは、送信アンプで増幅された第2のセンシングデータを第1の電磁波信号として送信する機能を有することを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様は、前記(2)において、受信回路は、検波回路を有し、電池は、電源回路を介して、検波回路に電力を供給する機能を有し、第1のアンテナは、外部から第2の電磁波信号を受信する機能を有し、検波回路は、第2の電磁波信号を復調して、トリガ信号として制御回路に出力する機能を有する環境センサである。
本発明の一態様は、前記(2)において、受信回路は、第2のアンテナと、検波回路と、を有し、電池は、電源回路を介して、検波回路に電力を供給する機能を有し、第2のアンテナは、外部からの第2の電磁波信号を受信する機能を有し、検波回路は、第2の電磁波信号を復調して、トリガ信号として制御回路に出力する機能を有し、第1の電磁波信号の周波数と、第2の電磁波信号の周波数は、互いに異なることを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様は、前記(1)乃至(4)のいずれか一において、センサは、物理量として、応力、歪み、温度、湿度、光量、電流、電圧、粒子の数、粒子の濃度の少なくともいずれか一を計測する機能を有することを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様は、前記(1)乃至(4)のいずれか一において、第1のセンサは、化学量として、酸化物イオン、硫化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、水素イオン、カルシウムイオンの少なくともいずれか一の量を計測する機能を有することを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様は、前記(1)乃至(6)のいずれか一において、記憶装置は、更に、第1の容量素子を有し、第1の容量素子は、第1の保持ノードの電圧を保持する機能を有することを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様は、前記(1)乃至(7)のいずれか一において、アナログデジタル変換回路は、更に、第2の容量素子を有し、第2の容量素子は、第2の保持ノードの電圧を保持する機能を有することを特徴とする環境センサである。
本発明の一態様である環境センサの説明をする。
図1に、開示する発明の環境センサの一例を示す。環境センサ100aは、アクティブ型の環境センサである。環境センサ100aは、アンテナ101と、センサ回路110aと、を有している。センサ回路110aは、受信回路111と、電源回路112と、電池113と、制御回路120と、送信回路130と、記憶装置114と、アナログデジタル変換回路115と、センサ116と、を有している。制御回路120は、論理回路121と、メモリコントローラ122と、センサコントローラ123と、を有している。送信回路130は、変調回路131と、送信アンプ132と、を有している。
次に、環境センサ100aの動作について説明する。
図2に、開示する発明の環境センサの一例を示す。環境センサ100bは、アクティブ型の環境センサである。環境センサ100bは外部より入力される信号を光信号とし、受信回路を光センサ117とした例である。環境センサ100bは、アンテナ101と、センサ回路110bと、を有している。センサ回路110bは、光センサ117と、電源回路112と、電池113と、制御回路120と、送信回路130と、OSメモリ141と、OSアナログデジタル変換回路142と、センサ116と、を有している。制御回路120は、論理回路121と、メモリコントローラ122と、センサコントローラ123と、を有している。送信回路130は、送信アンプ132と、変調回路131と、を有している。図2においては、環境センサ100aの有する記憶装置114を消費電力の低いOSメモリ141とし、環境センサ100aの有するアナログデジタル変換回路115を消費電力の低いOSアナログデジタル変換回路142としている。このような構成にすることによって、更なる低消費電力化を図ることができる。
次に、環境センサ100bの動作について説明する。
環境センサ100bの利用方法の一例について、説明する。
本発明の一態様である環境センサの説明をする。
図6に、開示する発明の半導体装置の一例を示す。環境センサ100cは、アクティブ型の環境センサである。環境センサ100cは外部より入力される信号を電磁波信号とし、環境センサ100aの受信回路111を検波回路118とした例である。環境センサ100cは、アンテナ102と、センサ回路110cと、を有している。センサ回路110cは、電源回路112と、電池113と、検波回路118と、制御回路120と、送信回路130と、OSメモリ141と、OSアナログデジタル変換回路142と、センサ116と、を有している。制御回路120は、論理回路121と、メモリコントローラ122と、センサコントローラ123と、を有している。送信回路130は、変調回路131と、送信アンプ132と、を有している。図6においては、環境センサ100aの有する記憶装置114を消費電力の低いOSメモリ141としている。また、環境センサ100aの有するアナログデジタル変換回路115を消費電力の低いOSアナログデジタル変換回路142としている。このような回路構成にすることによって、更なる低消費電力化を図ることができる。
次に、環境センサ100cの動作について説明する。
環境センサ100cの利用方法の一例について、説明する。
本発明の一態様に係る記憶装置の構成の一例について、図9を用いて、説明する。
本発明の一態様に係るメモリセルの構成の一例について、図10(A)乃至図10(E)、図11(A)、図11(B)を用いて説明する。
本発明の一態様に係るアナログデジタル変換回路の構成の一例について、説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係るトランジスタについて説明する。
図20(A)及び図20(B)は、本発明の一態様のトランジスタの上面図及び断面図である。図20(A)は上面図であり、図20(B)は、図20(A)に示す一点鎖線A1−A2、及び一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図20(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図24(A)及び図24(B)は、本発明の一態様のトランジスタの上面図及び断面図である。図24(A)は上面図であり、図24(B)は、図24(A)に示す一点鎖線J1−J2、及び一点鎖線J3−J4に対応する断面図である。なお、図24(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
<酸化物半導体の構造>
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置(トランジスタ、メモリセルなど)を電子部品(RFIC、記憶装置など)に適用する例、及び該電子部品を具備する電子機器に適用する例について、図32を用いて説明する。
以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。
本明細書において、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネル形成領域を有しており、ドレインとチャネル形成領域とソースとを介して電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体(又はトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域、又はチャネルが形成される領域における、ソース(ソース領域又はソース電極)とドレイン(ドレイン領域又はドレイン電極)との間の距離をいう。
本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、上面図において半導体(又はトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域、又はチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。
なお、本明細書等において、XとYとが接続されている、と記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−10°以上かつ10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−5°以上かつ5°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−30°以上かつ30°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上かつ100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上かつ95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が60°以上かつ120°以下の角度で配置されている状態をいう。
本明細書において、結晶が三方晶又は菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
BLB 配線
WL 配線
WLC 配線
SL 配線
BGL 配線
RBL 配線
RWL 配線
WBL 配線
WWL 配線
BRL 配線
C101 容量素子
C102 容量素子
C103 容量素子
C104 容量素子
C105 容量素子
M101 トランジスタ
M102 トランジスタ
M104 トランジスタ
M105 トランジスタ
M106 トランジスタ
M107 トランジスタ
M108 トランジスタ
Mos1 トランジスタ
Mos2 トランジスタ
Mos3 トランジスタ
Mos4 トランジスタ
Mos5 トランジスタ
Mos6 トランジスタ
10 回路
20 回路
100a 環境センサ
100b 環境センサ
100b−1 環境センサ
100b−2 環境センサ
100b−3 環境センサ
100b−4 環境センサ
100c 環境センサ
100d 環境センサ
101 アンテナ
102 アンテナ
103 アンテナ
110a センサ回路
110b センサ回路
110c センサ回路
111 受信回路
112 電源回路
113 電池
114 記憶装置
115 アナログデジタル変換回路
116 センサ
117 光センサ
118 検波回路
120 制御回路
121 論理回路
122 メモリコントローラ
123 センサコントローラ
130 送信回路
131 変調回路
132 送信アンプ
141 OSメモリ
142 OSアナログデジタル変換回路
401 自動車
402 RF送受信機
403 RF受信機
404 レーザ光送信機
405 電波
406 天井
800 アナログデジタル変換回路
801 サンプルホールド回路
801A サンプルホールド回路
801B サンプルホールド回路
802 コンパレータ
803 逐次比較レジスタ
804 デジタルアナログ変換回路
805 タイミングコントローラ
806 発振回路
811 バッファ回路
812 トランジスタ
813 容量素子
821 センサ回路
821A センサ回路
821B センサ回路
822 セレクタ
831A サンプルホールド回路
831B サンプルホールド回路
831C サンプルホールド回路
835 トランジスタ
836 トランジスタ
837 トランジスタ
838 トランジスタ
893 容量素子
894 セレクタ
895 セレクタ
896 セレクタ
897 トランジスタ
898 インバータ回路
900 アナログデジタル変換回路
911 トランジスタ
912 容量素子
1000 橋
1001 橋脚
1002 情報処理端末
1100 電柱
1101 配線
1102 配線
1103 信号機
1104 情報処理端末
1200 メモリセル
1203 メモリセル
1204 メモリセル
1205 メモリセル
1206 メモリセル
1207 メモリセル
1208 メモリセル
1400a トランジスタ
1400b トランジスタ
1400c トランジスタ
1400d トランジスタ
1400e トランジスタ
1401 基板
1402 絶縁体
1404 導電体
1406a 金属酸化物
1406b 金属酸化物
1406c 金属酸化物
1408 絶縁体
1412 絶縁体
1413 導電体
1416a 導電体
1416b 導電体
1418 絶縁体
1423a 低抵抗領域
1423b 低抵抗領域
1424a 導電体
1424b 導電体
1426a 導電体
1426b 導電体
1428 絶縁体
1600a トランジスタ
1600b トランジスタ
1600c トランジスタ
1600d トランジスタ
1601 基板
1604 導電体
1606a 金属酸化物
1606b 金属酸化物
1606c 金属酸化物
1612 絶縁体
1613 導電体
1616a 導電体
1616b 導電体
1618 絶縁体
1620 絶縁体
1630 絶縁体
1900 電子部品
1901 リード
1902 プリント基板
1903 回路部
1904 回路基板
2600 記憶装置
2601 周辺回路
2610 メモリセルアレイ
2621 ローデコーダ
2622 ワード線ドライバ回路
2630 ビット線ドライバ回路
2631 カラムデコーダ
2632 プリチャージ回路
2633 センスアンプ
2634 書き込み回路
2640 出力回路
2660 コントロールロジック回路
5100 ペレット
5120 基板
5161 領域
Claims (8)
- 第1のセンサと、第2のセンサと、制御回路と、送信アンプと、変調回路と、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、第1のアンテナと、電池と、電源回路と、を有し、
前記記憶装置は、第1のトランジスタと、第1の保持ノードと、を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、第2のトランジスタと、第2の保持ノードと、を有し、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、
前記電池は、前記電源回路を介して、前記第1のセンサと、前記第2のセンサと、前記制御回路と、前記送信アンプと、前記変調回路と、前記記憶装置と、前記アナログデジタル変換回路と、に電力を供給する機能を有し、
前記第2のセンサは、光を受光すると、トリガ信号を前記制御回路に出力する機能を有し、
前記制御回路は、前記トリガ信号を受けることにより、前記第1のセンサと、前記記憶装置と、前記アナログデジタル変換回路と、前記変調回路と、前記送信アンプと、に制御信号を送る機能を有し、
前記第1のセンサは、外界の物理量、又は化学量を第1のセンシングデータとして取得する機能を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、前記第1のセンシングデータをデジタル変換して、第2のセンシングデータを生成する機能を有し、
前記記憶装置は、前記第2のセンシングデータを記憶する機能を有し、
前記変調回路は、前記第2のセンシングデータを変調する機能を有し、
前記送信アンプは、前記変調回路で変調された前記第2のセンシングデータを増幅する機能を有し、
前記第1のアンテナは、前記送信アンプで増幅された前記第2のセンシングデータを第1の電磁波信号として送信する機能を有する環境センサ。 - 受信回路と、第1のセンサと、制御回路と、送信アンプと、変調回路と、記憶装置と、アナログデジタル変換回路と、第1のアンテナと、電池と、電源回路と、を有し、
前記記憶装置は、第1のトランジスタと、第1の保持ノードと、を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、第2のトランジスタと、第2の保持ノードと、を有し、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第2のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の保持ノードの充電及び放電を制御する機能を有し、
前記電池は、前記電源回路を介して、前記第1のセンサと、前記受信回路と、前記制御回路と、前記送信アンプと、前記変調回路と、前記記憶装置と、前記アナログデジタル変換回路と、に電力を供給する機能を有し、
前記受信回路は、外部からの信号を受信すると、トリガ信号を前記制御回路に出力する機能を有し、
前記制御回路は、前記トリガ信号を受けることにより、前記第1のセンサと、前記記憶装置と、前記アナログデジタル変換回路と、前記変調回路と、前記送信アンプと、に制御信号を送る機能を有し、
前記第1のセンサは、外界の物理量、又は化学量を第1のセンシングデータとして取得する機能を有し、
前記アナログデジタル変換回路は、前記第1のセンシングデータをデジタル変換して、第2のセンシングデータを生成する機能を有し、
前記記憶装置は、前記第2のセンシングデータを記憶する機能を有し、
前記変調回路は、前記第2のセンシングデータを変調する機能を有し、
前記送信アンプは、前記変調回路で変調された前記第2のセンシングデータを増幅する機能を有し、
前記第1のアンテナは、前記送信アンプで増幅された前記第2のセンシングデータを第1の電磁波信号として送信する機能を有する環境センサ。 - 請求項2において、
前記受信回路は、検波回路を有し、
前記電池は、前記電源回路を介して、前記検波回路に電力を供給する機能を有し、
前記第1のアンテナは、外部から第2の電磁波信号を受信する機能を有し、
前記検波回路は、前記第2の電磁波信号を復調して、前記トリガ信号として前記制御回路に出力する機能を有する環境センサ。 - 請求項2において、
前記受信回路は、第2のアンテナと、検波回路と、を有し、
前記電池は、前記電源回路を介して、前記検波回路に電力を供給する機能を有し、
前記第2のアンテナは、外部からの第2の電磁波信号を受信する機能を有し、
前記検波回路は、前記第2の電磁波信号を復調して、前記トリガ信号として前記制御回路に出力する機能を有し、
前記第1の電磁波信号の周波数と、前記第2の電磁波信号の周波数は、互いに異なる環境センサ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のセンサは、前記物理量として、応力、歪み、温度、湿度、光量、電流、電圧、粒子の数、前記粒子の濃度の少なくともいずれか一を計測する機能を有する環境センサ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1のセンサは、前記化学量として、酸化物イオン、硫化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、水素イオン、カルシウムイオンの少なくともいずれか一の量を計測する機能を有する環境センサ。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記記憶装置は、更に、第1の容量素子を有し、
前記第1の容量素子は、前記第1の保持ノードの電圧を保持する機能を有する環境センサ。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記アナログデジタル変換回路は、更に、第2の容量素子を有し、
前記第2の容量素子は、前記第2の保持ノードの電圧を保持する機能を有する環境センサ。
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