JP6553400B2 - 荷電粒子ビーム治療装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本実施例の粒子線治療システムは、基本的な構成機器として、荷電粒子ビームを加速し、出射させる荷電粒子ビーム発生装置1と、荷電粒子ビームに磁場を作用させ偏向する電磁石(走査電磁石20a)を有し、その偏向の角度を制御することによって荷電粒子ビームを標的上で二次元的に走査する照射装置20と、荷電粒子ビーム発生装置から出射させた前記荷電粒子ビームを前記照射装置まで運ぶビーム輸送系13とを有する。そして照射装置20は、荷電粒子ビーム発生装置1が荷電粒子ビームを出射させる制御を実行している間のみならず、その制御を停止した後も、荷電粒子ビームが自然に出射されている間は、荷電粒子ビームを偏向する角度を変更し、荷電粒子ビームの走査を継続する。
よって、この制御によりビーム電流低下による照射時間の増加量を減らすことが可能であり、かつ正確な線量の照射を可能とする。
第2の実施例のおける制御のフローチャートを図7に示す。
ステップ40において、照射制御装置3cが監視している線量が、統括制御装置3aに設定された第2スポットにまで到達後、照射制御装置3cからビーム停止信号を加速器制御装置3bに送信する。この第2スポットの設定はあらかじめ印加高周波の停止、つまり出射制御を停止し以降に、自然と出射される荷電粒子ビームも停止するまでに進行するスポット(第1スポット)を測定しまたは算出し設定しておく。
2…シンクロトロン
3…制御装置
3a…統括制御装置
3b…加速器制御装置
3c…回転照射装置制御装置
4…インターロック装置
5…前段加速器
6…偏向電磁石
7…四極電磁石
8…六極電磁石
9…高周波加速装置
10…高周波キック装置
11a、11b…偏向電磁石
12a、12b…四極電磁石
13…ビーム輸送系
17a、17b…ステアリング電磁石
20…スキャニング装置
20a…走査電磁石
20c…位置モニタ
20d…線量モニタ
20e…ビーム位置計測装置
20f…ビーム線量測定装置
22a、22b…ビーム位置モニタ
30…信号処理装置
Claims (8)
- 荷電粒子ビームを加速し、出射させる荷電粒子ビーム発生装置と、
前記荷電粒子ビームに磁場を作用させ偏向する電磁石を有し、前記偏向の角度を制御することによって前記荷電粒子ビームを標的上に割り当てられたスポットごとに順番に走査する照射装置と、
前記荷電粒子ビーム発生装置から出射させた前記荷電粒子ビームを前記照射装置まで運ぶビーム輸送系と、
を備え、
前記照射装置は、一回の走査制御によって走査すべき複数のスポットを含む第1の領域に対して、
前記荷電粒子ビーム発生装置が荷電粒子ビームを出射させる制御を実行する間、および前記荷電粒子ビーム発生装置が前記荷電粒子ビームを出射させる制御を停止してから前記荷電粒子ビームの出射が停止するまでの間、に出射される荷電粒子ビームを走査する
粒子線治療システム。 - 請求項1に記載の粒子線治療システムであって、
前記照射装置が、前記荷電粒子ビーム発生装置が前記荷電粒子ビームを出射させる制御を停止してから前記荷電粒子ビームの出射が停止するまでの間に前記荷電粒子ビームを走査する第2の領域は、前記第1の領域に含まれる複数のスポットの一部を含み、かつ前記荷電粒子ビーム発生装置が前記荷電粒子ビームを出射させる制御を停止してから前記荷電粒子ビームの出射が停止するまでの間に出射される荷電粒子ビームの線量に基づき決定される
粒子線治療システム。 - 請求項1または2いずれか1項に記載の粒子線治療システムであって、
前記荷電粒子ビーム発生装置が前記荷電粒子ビームを出射させる制御を停止してから前記荷電粒子ビームの出射が停止するまでの間に出射される荷電粒子ビームの線量は、前記第1の領域に対する走査制御が開始される前に、計算もしくは計測によって取得される
粒子線治療システム。 - 請求項2に記載の粒子線治療システムであって、
前記照射装置は、
前記計算もしくは計測によって取得される線量と、前記荷電粒子ビーム発生装置が前記荷電粒子ビームを出射させる制御を停止してから前記荷電粒子ビームの出射が停止するまでの間に実際に出射された荷電粒子ビームの線量との差分が閾値未満にある場合は、前記第1の領域および前記第2の領域に対する走査制御を終了し、
前記荷電粒子ビーム発生装置が前記荷電粒子ビームを出射させる制御を停止してから前記荷電粒子ビームの出射が停止するまでの間に実際に出射された荷電粒子ビームの線量との差分が閾値以上にある場合は、前記荷電粒子ビーム発生装置から再度荷電粒子ビームを出射させ、前記第2の領域に含まれる第3の領域に対して2回目の走査制御を実行する
粒子線治療システム。 - 請求項4に記載の粒子線治療システムであって、
前記荷電粒子ビーム発生装置が前記第3の領域を走査するために実行する荷電粒子ビームの出射制御は、前記第1の領域を走査するために実行する荷電粒子ビームの出射制御と比較して、荷電粒子ビームの強度が低くなるような出射制御である
粒子線治療システム。 - 請求項4に記載の粒子線治療システムであって、
前記荷電粒子ビーム発生装置が、前記第3の領域を走査するために実行する荷電粒子ビームの出射制御は、間欠的に荷電粒子ビームを出射させる制御である
粒子線治療システム。 - 請求項6に記載の粒子線治療システムであって、
前記荷電粒子ビーム発生装置は、前記間欠的に荷電粒子ビームを出射させる制御を、
前記第1の領域を走査するために実行する荷電粒子ビームの出射制御と比較して、荷電粒子ビームの強度が低くなるような出射制御として実行する
粒子線治療システム。 - 請求項1に記載の粒子線治療システムであって、
前記複数のスポットのうち出射制御を停止すべきスポットであって、前記荷電粒子ビームの前記出射制御を停止した後に照射が実行されるスポットの個数の予測に基づき算出された前記スポットにおいて、前記出射制御を停止する
粒子線治療システム。
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JP5071849B2 (ja) * | 2007-08-20 | 2012-11-14 | 独立行政法人放射線医学総合研究所 | スキャニング照射装置 |
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