JP6547916B2 - 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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Description

本発明は、ピストンモードを利用した弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
従来、不要波を抑制するために、ピストンモードを利用した弾性波装置が提案されている。
例えば、下記の特許文献１には、ピストンモードを利用した弾性波装置の一例が示されている。この弾性波装置は、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極を有する。ＩＤＴ電極は、電極指が延びる方向において中央に位置する中央励振領域と、中央励振領域の電極指が延びる方向両側に隣接する内縁領域とを有する。さらに、ＩＤＴ電極は、内縁領域の外側に隣接する外縁領域を有する。
内縁領域においては、電極指上に誘電体または金属からなる質量付加膜を積層したり、内縁領域における電極指の幅を大きくしたりしている。これにより、内縁領域における音速が、中央励振領域及び外縁領域における音速よりも低速になっている。このように、内縁領域は低音速領域である。外縁領域は、中央励振領域より音速が高速である、高音速領域である。中央励振領域、低音速領域及び高音速領域をこの順序で配置することにより、弾性波のエネルギーを閉じ込め、かつ不要波を抑制している。
上記の質量付加膜を積層する方法は、積層厚みに設計上の上限がないため、大きな質量を付加することができる。よって、デバイスの設計自由度が高いという利点を持っている。このため、内縁領域において質量付加膜を積層する技術は注目されている。
特表２０１３−５１８４５５号公報
ピストンモードにおいて、中央励振領域で励起される横モード波は打ち消されるものの、低音速領域で励起される横モード波が打ち消されずに残り、不要波となってしまう。このため、一般的に低音速領域の幅は狭い方が望ましい。しかし、低音速領域と、低音速領域に隣接する音速領域との間の境界における音速勾配が緩やかである場合、同等の質量を付加するためには幅は広がってしまい、新たに不要波が生じてしまう。このため、隣接する音速領域との間の境界では、音速勾配が急峻であることが望ましい。
具体的には、平面視したとき、電極指の低音速領域における形状が矩形である場合には、質量付加膜の平面形状は、理想的には矩形であることが望ましい。
また、第１の電極指及び第２の電極指が延びる方向に沿う断面形状は、理想的には、矩形であることが望ましい。
しかしながら、実際には第１の電極指及び第２の電極指をこのような形状とすることは困難である。例えば、フォトリソグラフィ法を用いても、回折光や反射光などの影響により、パターン端の形状忠実性が劣化し、質量付加膜の平面形状のコーナー部は曲線状となり易い。
さらに、質量付加膜の断面形状は、リフトオフ法やエッチングなどの加工方法では、上底に対して下底が長い略台形となり易い。そのため、両端面は厚み方向に対して傾斜し易い。よって、低音速領域と高音速領域との間における音速勾配や低音速領域と中央励振領域との間における音速勾配が緩やかになる傾向があり、不要波を十分に抑制し得ないことがあった。
本発明の目的は、音速が異なる領域間の境界の音速勾配を急峻にすることができ、不要波を効果的に抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、圧電体と、前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極は、対向し合っている第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続された複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、かつ前記第１の電極指と前記第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている交叉領域と、第１の高音速領域及び第２の高音速領域とを有し、前記交叉領域は、弾性波伝搬方向に直交する方向の中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の弾性波伝搬方向に直交する方向の両側に配置されており、かつ前記中央領域よりも音速が低速である第１の低音速領域及び第２の低音速領域とを有し、前記第１の高音速領域は、前記第１のバスバーと前記第１の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、前記第２の高音速領域は、前記第２のバスバーと前記第２の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指における前記第１の低音速領域及び前記第２の低音速領域に位置する部分に、質量付加膜がそれぞれ積層されており、各前記第１の電極指が延びる方向を各第１の長さ方向とし、各前記第２の電極指が延びる方向を各第２の長さ方向としたときに、各前記質量付加膜は、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における中央に位置する中央部と、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における両端に位置する第１の端部及び第２の端部とを有し、前記質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、少なくとも１つの前記質量付加膜において、前記中央部の幅よりも前記第１の端部の幅及び前記第２の端部の幅が狭く、かつ前記少なくとも１つの質量付加膜が、前記第１の端部及び前記第２の端部のうち少なくとも一方から、前記圧電体側とは反対側に突出している突出部を有する。
本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、圧電体と、前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極は、対向し合っている第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続された複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指とを有し、かつ前記第１の電極指と前記第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている交叉領域と、第１の高音速領域と、第２の高音速領域とを有し、前記交叉領域は、弾性波伝搬方向に直交する方向の中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の弾性波伝搬方向に直交する方向の両側に配置されており、かつ前記中央領域よりも音速が低速である第１の低音速領域及び第２の低音速領域とを有し、前記第１の高音速領域は、前記第１のバスバーと前記第１の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、前記第２の高音速領域は、前記第２のバスバーと前記第２の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指における前記第１の低音速領域及び前記第２の低音速領域に位置する部分に、質量付加膜がそれぞれ積層されており、各前記第１の電極指が延びる方向を各第１の長さ方向とし、各前記第２の電極指が延びる方向を各第２の長さ方向としたときに、各前記質量付加膜は、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における中央に位置する中央部と、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における両端に位置する第１の端部及び第２の端部と、前記第１の端部に位置する端面である第１の端面及び前記第２の端部に位置する端面である第２の端面とを有し、少なくとも１つの前記質量付加膜の前記第１の端面と前記第２の端面とが、前記質量付加膜の厚み方向に対して傾斜して延びており、かつ前記少なくとも１つの質量付加膜が、前記第１の端部及び前記第２の端部のうち少なくとも一方から、前記圧電体側とは反対側に突出している突出部を有する。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記質量付加膜の厚み方向に対して傾斜している角度を傾斜角度としたときに、前記第１の端部及び前記第２の端部のうち前記突出部が突出している端部に位置する端面の傾斜角度より、前記突出部の傾斜角度が小さい。この場合には、音速が異なる領域間の境界の音速勾配をより一層急峻にすることができ、不要波をより一層抑制することができる。
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、全ての前記質量付加膜が、前記突出部を有する。これにより、音速が異なる領域間の境界の音速勾配がより一層急峻になるため、不要波をより一層抑制することができる。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記突出部は、前記質量付加膜における前記第１の端部及び前記第２の端部の両方に設けられている。これにより、両方の境界の音速勾配が急峻になるため、不要波をより一層抑制することができる。
本発明の高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
本発明の通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
本発明によれば、音速が異なる領域間の境界の音速勾配を急峻にすることができ、不要波を効果的に抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の第２の電極指の先端部付近の拡大図である。 図３は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態及び比較例の弾性波装置の、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する部分の第２の長さ方向における位置と、音速との関係を説明するための図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図７（ａ）〜図７（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための平面図である。 図８（ａ）〜図８（ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図７（ａ）中のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する断面図である。 図９（ａ）〜図９（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図７（ａ）中のＹ−Ｙ線に沿う部分に相当する断面図である。 図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図７（ａ）中のＹ−Ｙ線に沿う部分に相当する断面図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態における質量付加膜付近の、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する断面図である。 図１２は、第１の実施形態の変形例におけるＩＤＴ電極の第２の電極指の先端部付近の部分拡大平面図である。 図１３は、図１２のＶ−Ｖ線に沿う部分に相当する断面図である。 図１４は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図２は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の第２の電極指の先端部付近の拡大図である。図３は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。なお、ＩＤＴ電極の第２の電極指については後述する。
弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなる。
圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側には、反射器４及び反射器５が配置されている。
ＩＤＴ電極３は、対向し合っている第１のバスバー３ａ１及び第２のバスバー３ｂ１を有する。ＩＤＴ電極３は、第１のバスバー３ａ１に一端が接続されている、複数の第１の電極指３ａ２を有する。さらに、ＩＤＴ電極３は、第２のバスバー３ｂ１に一端が接続されている、複数の第２の電極指３ｂ２を有する。
複数の第１の電極指３ａ２と複数の第２の電極指３ｂ２とは、互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極３は、第１の電極指３ａ２と第２の電極指３ｂ２とが弾性波伝搬方向において重なり合っている部分である交叉領域Ａを有する。ここで、第１の電極指３ａ２及び第２の電極指３ｂ２が延びる方向を第１の電極指３ａ２及び第２の電極指３ｂ２の弾性波伝搬方向に直交する方向とする。このとき、交叉領域Ａは、弾性波伝搬方向に直交する方向中央側に位置している中央領域Ａ１と、弾性波伝搬方向に直交する方向において、中央領域Ａ１の両側に配置された第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂを有する。第１のエッジ領域Ａ２ａは第１のバスバー３ａ１側に位置し、第２のエッジ領域Ａ２ｂは第２のバスバー３ｂ１側に位置している。
ＩＤＴ電極３は、第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂの中央領域Ａ１側とは反対側の領域である、第１の外側領域Ｂａ及び第２の外側領域Ｂｂを有する。第１の外側領域Ｂａは、第１のエッジ領域Ａ２ａと第１のバスバー３ａ１との間に位置している。第２の外側領域Ｂｂは、第２のエッジ領域Ａ２ｂと第２のバスバー３ｂ１との間に位置している。
本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、複数の金属層が積層された積層金属膜からなる。より具体的には、ＩＤＴ電極３においては、圧電基板２側からＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ａｌ層及びＴｉ層がこの順序で積層されている。各金属層の膜厚としては、ＮｉＣｒ層が１０ｎｍであり、Ｐｔ層が２００ｎｍであり、Ｔｉ層が１０ｎｍであり、Ａｌ層が３００ｎｍであり、Ｔｉ層が１０ｎｍである。なお、ＩＤＴ電極３に用いられる金属や金属層の膜厚は、上記に限定されない。ＩＤＴ電極３は単層の金属膜からなっていてもよい。
ＩＤＴ電極３の各第１の電極指３ａ２及び各第２の電極指３ｂ２における第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂに位置する部分には、質量付加膜６がそれぞれ設けられている。
ここで、各第１の電極指３ａ２が延びる方向を各第１の長さ方向とし、各第２の電極指３ｂ２が延びる方向を各第２の長さ方向とする。このとき、図２に示すように、各質量付加膜６は、各第１の長さ方向または各第２の長さ方向における中央に位置する中央部６ａを有する。各質量付加膜６は、各第１の長さ方向または各第２の長さ方向における両端に位置する第１の端部６ｂ及び第２の端部６ｃを有する。なお、本実施形態においては、各第１の長さ方向、各第２の長さ方向及び弾性波伝搬方向に直交する方向は全て同じ方向である。
ここで、質量付加膜６の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅とする。このとき、本実施形態では、質量付加膜６において、中央部６ａの幅よりも第１の端部６ｂの幅及び第２の端部６ｃの幅は狭い。質量付加膜６の平面形状は略楕円形である。なお、質量付加膜６の平面形状は上記に限定されない。
質量付加膜６の平面形状は、理想的には、第１の電極指３ａ２及び第２の電極指３ｂ２の、第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂにおける部分の形状に沿う形状であることが望ましい。例えば、図２に示す場合は、質量付加膜６の平面形状は矩形であることが望ましい。しかしながら、実際には、本実施形態のように、質量付加膜６の平面形状は、コーナー部が曲線状になる傾向がある。
図３に示すように、質量付加膜６は、第１の端部に位置する端面である第１の端面６ｄと、第２の端部に位置する端面である第２の端面６ｅとを有する。第１の端面６ｄ及び第２の端面６ｅは、質量付加膜６の厚み方向に対して傾斜して延びている。なお、ＩＤＴ電極３の第１の電極指３ａ２及び第２の電極指３ｂ２の先端部に位置する端面も、ＩＤＴ電極３の厚み方向に対して傾斜して延びている。
質量付加膜６の第１の端面６ｄ及び第２の端面６ｅは、理想的には、質量付加膜６の厚み方向に平行に延びていることが望ましい。しかしながら、実際には、本実施形態のように、質量付加膜６の第１の端面６ｄ及び第２の端面６ｅは、上記のように傾斜して延びる傾向がある。
図２に示すように、質量付加膜６は、第１の端部６ｂから、圧電基板２側とは反対側に突出している突出部７を有する。同様に、質量付加膜６は、第２の端部６ｃから、圧電基板２側とは反対側に突出している突出部８を有する。なお、突出部は、第１の端部６ｂ及び第２の端部６ｃのうち少なくとも一方に設けられていればよい。
質量付加膜６は、本実施形態では、複数の金属層が積層された積層金属膜からなる。より具体的には、ＩＤＴ電極３側から、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＴｉ層がこの順序で積層されている。各金属層の膜厚としては、Ｔｉ層が１０ｎｍであり、Ｐｔ層が６０ｎｍであり、Ｔｉ層が１０ｎｍである。突出部７及び突出部８は、上記Ｐｔ層上に設けられた、膜厚が４０ｎｍのＴｉ層からなる。なお、質量付加膜６及び突出部７，８に用いられる金属や金属層の膜厚は上記に限定されない。質量付加膜６は単層の金属膜からなっていてもよい。
ここで、質量付加膜６の厚み方向に対して傾斜している角度を傾斜角度とする。このとき、本実施形態では、第１の端面６ｄの傾斜角度と、突出部７の傾斜角度とは同じである。同様に、第２の端面６ｅの傾斜角度と、突出部８の傾斜角度とは同じである。なお、第１の端面６ｄと突出部７との傾斜角度は異なっていてもよい。同様に、第２の端面６ｅと突出部８との傾斜角度は異なっていてもよい。
図１に戻り、質量付加膜６が設けられていることにより、中央領域Ａ１における弾性波の音速より第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂにおける弾性波の音速が低速になっている。ここで、中央領域Ａ１における弾性波の音速をＶ１、第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂにおける弾性波の音速をＶ２とする。このとき、Ｖ１＞Ｖ２とされている。このように、第１のエッジ領域Ａ２ａ及び第２のエッジ領域Ａ２ｂは、中央領域Ａ１よりも音速が低速である、第１の低音速領域及び第２の低音速領域である。
第１の外側領域Ｂａに位置している部分は、第１の電極指３ａ２のみである。第２の外側領域Ｂｂに位置している部分は、第２の電極指３ｂ２のみである。それによって、中央領域Ａ１における弾性波の音速より第１の外側領域Ｂａ及び第２の外側領域Ｂｂにおける弾性波の音速が高速になっている。ここで、第１の外側領域Ｂａ及び第２の外側領域Ｂｂにおける音速をＶ３とする。このとき、Ｖ３＞Ｖ１とされている。このように、第１の外側領域Ｂａ及び第２の外側領域Ｂｂは、中央領域Ａ１よりも音速が高速である、第１の高音速領域及び第２の高音速領域である。
中央領域Ａ１の外側に第１，第２の低音速領域が配置され、第１，第２の低音速領域の外側に第１，第２の高音速領域が配置されていることにより、不要波を抑制することができる。このように、弾性波装置１はピストンモードを利用した弾性波装置である。
理想的には、低音速領域と高音速領域との境界における低音速領域側の音速は音速Ｖ２であり、高音速領域側の音速は音速Ｖ３であることが望ましい。しかしながら、上述したように、実際には、質量付加膜６は、平面形状におけるコーナー部が曲線状になる傾向や、第１，第２の端面が厚み方向に対して傾斜して延びる傾向がある。そのため、低音速領域と高音速領域との間において、音速に勾配が生じる傾向がある。
ここで、本実施形態の特徴は、図２に示すように、質量付加膜６が、第１の端部６ｂ及び第２の端部６ｃから、圧電基板２側とは反対側に突出している突出部７及び突出部８を有することにある。それによって、音速が異なる領域間の境界の音速勾配を急峻にすることができ、不要波を効果的に抑制することができる。これを、以下において、本実施形態と比較例とを比較することにより説明する。
なお、比較例は、質量付加膜が突出部を有しない点で、本実施形態と異なる。
図４は、第１の実施形態及び比較例の弾性波装置の、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する部分の第２の長さ方向における位置と、音速との関係を説明するための図である。図４において、実線は第１の実施形態の結果を示し、破線は比較例の結果を示す。
なお、図４においては、第１の高音速領域Ｈの第１の低音速領域Ｌ側の端部を第２の電極指の先端部側の端面が圧電基板に接する位置としている。第１の低音速領域Ｌの第１の高音速領域Ｈ側の端部を、質量付加膜の第１の端面において質量付加膜の中央部の膜厚となる位置としている。第１の低音速領域Ｌの中央領域Ａ１側の端部を、質量付加膜の第２の端面において質量付加膜の中央部の膜厚となる位置としている。中央領域Ａ１の第１の低音速領域Ｌ側の端部を、質量付加膜の第２の端面と第２の電極指とが接する位置としている。
図４に示すように、比較例よりも第１の実施形態における第１の低音速領域Ｌと第１の高音速領域Ｈとの間の境界の音速勾配が急峻であることがわかる。第１の実施形態では、質量付加膜が、第１の端部から突出している突出部を有する。そのため、第１の端部において、質量付加膜の膜厚が厚くなっている。よって、突出部において、音速をより一層低速にすることができる。これにより、第１の低音速領域Ｌと第１の高音速領域Ｈとの間の領域を含む、突出部周囲の音速の平均速度が低速になり、第１の低音速領域Ｌと第１の高音速領域Ｈとの間の境界の音速勾配を急峻にすることができるものと考えられる。
図４に示すように、比較例よりも第１の実施形態における第１の低音速領域Ｌと中央領域Ａ１との間の境界の音速勾配が急峻であることがわかる。第１の実施形態では、質量付加膜は第２の端部から突出している突出部を有する。これにより、第１の低音速領域Ｌと中央領域Ａ１との間の領域を含む、突出部周囲の音速の平均速度が低速になり、第１の低音速領域Ｌと中央領域Ａ１との間の境界の音速勾配を急峻にすることができるものと考えられる。
図５は、第１の実施形態に係る弾性波装置の図２中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分は、質量付加膜６の弾性波伝搬方向中心を通っている。これに対して、ＩＩ−ＩＩ線に沿う部分は、質量付加膜６の弾性波伝搬方向中心から弾性波伝搬方向にずれている。図５に示すように、質量付加膜６は、ＩＩ−ＩＩ線に沿う部分においては、第２の電極指３ｂ２の先端部には至っていない。図２に示したように、質量付加膜６の平面形状は略楕円形であるため、質量付加膜６はＩ−Ｉ線に沿う部分では第２の電極指３ｂ２の先端部に至っているが、ＩＩ−ＩＩ線に沿う部分では上記先端部に至っていない。このように、弾性波伝搬方向において、質量が欠損している。比較例においても同様である。
比較例では、上記のように質量が欠損しているため、図４に示すように、第１の低音速領域Ｌと第１の高音速領域Ｈとの間の境界において、音速勾配がさらに緩やかになっている。
これに対して、第１の実施形態では、質量付加膜が突出部を有する。よって、弾性波伝搬方向において一部欠損した質量の分の質量を、厚み方向に付加することができる。それによって、第１の低音速領域Ｌと第１の高音速領域Ｈとの間及び第１の低音速領域Ｌと中央領域Ａ１との間の境界における音速勾配を急峻にすることができる。従って、第１の実施形態では、質量付加膜の平面形状が略楕円形であり、中央部の幅より第１，第２の端部の幅が狭い場合であっても、不要波を効果的に抑制することができる。
図４においては、音速が異なる領域として、第１のバスバー側の、中央領域Ａ１、第１の低音速領域Ｌ及び第１の高音速領域Ｈについて示した。第１の実施形態では、第２のバスバー側の、第２の低音速領域と第２の高音速領域との間及び第２の低音速領域と中央領域Ａ１との間においても、上記と同様に音速勾配を急峻にすることができ、不要波を効果的に抑制することができる。
このように、実際には質量付加膜の第１の端面及び第２の端面は質量付加膜の厚み方向に対して傾斜する傾向があるが、本実施形態においては、不要波を効果的に抑制することができる。
図２に示す突出部７は、第１の端部６ｂの全幅に設けられていることが好ましい。それによって、第１の低音速領域と第１の高音速領域との間の境界の音速勾配を効果的に急峻にすることができる。同様に、突出部８は、第２の端部６ｃの全幅に設けられていることが好ましい。それによって、第１の低音速領域と中央領域との間の境界の音速勾配を効果的に急峻にすることができる。
なお、上述したように、突出部は、第１の端部６ｂ及び第２の端部６ｃのうち少なくとも一方に設けられていればよい。突出部７が第１の端部６ｂに設けられている場合には、第１の低音速領域と第１の高音速領域との間の境界の音速勾配を急峻にすることができるため、不要波を抑制することができる。突出部８が第２の端部６ｃに設けられている場合には、第１の低音速領域と中央領域との間の境界の音速勾配を急峻にすることができるため、不要波を抑制することができる。
突出部７及び突出部８のうち少なくとも一方が、少なくとも１つの質量付加膜６に設けられていればよい。もっとも、突出部７及び突出部８のうち少なくとも一方が全ての質量付加膜６に設けられていることが好ましい。それによって、音速が異なる領域間の境界の音速勾配がより一層急峻になるため、不要波をより一層抑制することができる。
突出部７及び突出部８が全ての質量付加膜６に設けられていることがより好ましい。それによって、低音速領域及び中央領域と、低音速領域及び高音速領域との両方の境界の音速勾配がより一層急峻になるため不要波をより一層抑制することができる。
上記において、質量付加膜６の平面形状を矩形などの形状とすることは、実際には困難であるとした。なお、弾性波装置１において、質量付加膜６の平面形状は、第１の電極指３ａ２及び第２の電極指３ｂ２の、第１のエッジ領域及び第２のエッジ領域における部分の形状に沿う形状であってもよい。例えば、質量付加膜６の平面形状は矩形などであってもよい。この場合においても、質量付加膜６が突出部７及び突出部８のうち少なくとも一方を有することにより、音速が異なる領域間の境界における音速勾配をより一層急峻にすることができ、不要波をより一層効果的に抑制することができる。
図１２は、第１の実施形態の変形例に係る弾性波装置において、第２の電極指先端部付近を示す部分拡大平面図であり、図１３は、図１２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図１２及び図１３に示すように、質量付加膜６が積層されている第１，第２の低音速領域において、質量付加膜６の下方に位置している第１の電極指３ａ２及び第２の電極指３ｂ２の側壁に、凹部Ｚが存在していてもよい。ここで側壁とは、第１，第２の電極指３ａ２，３ｂ２の延びる方向に延ばされており、弾性波伝搬方向において対向している一対の側壁をいうものとする。上記凹部Ｚが、上記第１，第２の低音速領域において、側壁の一部に存在していてもよい。この場合、凹部Ｚは一対の側壁の一方にのみ存在していてもよく、対向し合う一対の側壁の双方に存在していてもよい。
ところで、第１の実施形態では、圧電体は圧電基板２であるが、図６に示す第１の実施形態の変形例のように、圧電体は圧電薄膜２２であってもよい。例えば、圧電薄膜２２のＩＤＴ電極３が設けられている面とは反対側の面には、低音速膜２３が設けられていてもよい。低音速膜２３の圧電薄膜２２側とは反対側の面には、高音速部材２４が設けられていてもよい。
ここで、低音速膜２３とは、圧電薄膜２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速な膜である。低音速膜２３は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタルまたは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料などからなる。なお、低音速膜２３の材料は、相対的に低音速な材料であればよい。
高音速部材２４とは、圧電薄膜２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速な部材である。高音速部材２４は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドを主成分とする材料などからなる。なお、高音速部材２４の材料は、相対的に高音速な材料であればよい。
高音速部材２４は、高音速膜であってもよく、あるいは、高音速基板であってもよい。このように、低音速膜２３及び高音速部材２４を有する場合、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。
第１の実施形態の弾性波装置１は、例えば、リフトオフ法により製造することができる。以下において、第１の実施形態の弾性波装置１の製造方法の一例を説明する。
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための平面図である。図８（ａ）〜図８（ｅ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図７（ａ）中のＸ−Ｘ線に沿う部分に相当する断面図である。図９（ａ）〜図９（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図７（ａ）中のＹ−Ｙ線に沿う部分に相当する断面図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図７（ａ）中のＹ−Ｙ線に沿う部分に相当する断面図である。
なお、図７（ａ）においては、後述する第１のレジストパターンから露出している圧電基板の部分を破線状の斜線のハッチングで示す。図７（ｂ）においては、第１のレジストパターン上に積層されたＩＤＴ電極用の金属膜を斜線のハッチングで示す。図７（ｃ）においては、第１のレジストパターンの上方に積層された質量付加膜用の金属膜を斜線のハッチングで示す。
図７（ａ）、図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２上に、フォトリソグラフィ法により、第１のレジストパターン９Ａを形成する。ここで、レジストパターンとは、パターニングされたレジスト層である。
第１のレジストパターン９Ａは、後述する工程において、ＩＤＴ電極及び反射器が形成される開口部を有する。図８（ａ）には、該開口部において、ＩＤＴ電極の各第１，第２の電極指が形成される部分が示されている。本実施形態では、第１のレジストパターン９Ａには、ネガ型レジストまたはイメージリバーサルレジストを用いている。なお、第１のレジストパターン９Ａには、ポジ型レジストなどを用いてもよい。
次に、図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、圧電基板２上及び第１のレジストパターン９Ａ上に、ＩＤＴ電極用及び反射器用の金属膜３Ａを積層する。この金属膜３Ａは、本実施形態においては、複数の金属層を積層することにより形成される積層金属膜である。より具体的には、ＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ａｌ層及びＴｉ層を、圧電基板２側からこの順序で積層する。上記複数の金属層は、例えば、真空蒸着法により積層することができる。このとき、金属膜３Ａは、圧電基板２上に位置するＩＤＴ電極に相当する部分である、ＩＤＴ電極部３Ａ１を有する。ＩＤＴ電極部３Ａ１は、第１のレジストパターン９Ａに沿い形成されている。
次に、図７（ｂ）及び図９（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、金属膜３Ａ上に、複数の開口部１０Ｂを有する第２のレジストパターン９Ｂを形成する。より具体的には、本実施形態では、第２のレジストパターン９Ｂは、図１に示した第１，第２のエッジ領域Ａ２ａ，Ａ２ｂに配置された第１，第２の低音速領域に相当する部分に、開口部１０Ｂを１つずつ有する。なお、開口部１０Ｂの個数及び位置は上記に限定されず、質量付加膜を設ける位置により、開口部１０Ｂの個数や位置を決定すればよい。
図７（ｂ）では、金属膜３Ａにおける、第１のレジストパターン上に積層された部分を強調して斜線のハッチングで示している。図７（ｂ）中の斜線のハッチングで示すように、平面視において、第１のレジストパターン上に積層された金属膜３Ａが、各開口部１０Ｂの内側に位置するように、第２のレジストパターン９Ｂを設ける。
第２のレジストパターン９Ｂは、ＩＤＴ電極用の金属膜３Ａ上に積層されている。なお、第２のレジストパターン９Ｂは、圧電基板２上に直接積層された部分を有していてもよい。
次に、図８（ｃ）及び図９（ｄ）に示すように、金属膜３Ａ上及び第２のレジストパターン９Ｂ上に、質量付加膜用の金属膜６Ａを積層する。本実施形態では、金属膜６Ａは、複数の金属層が積層された積層金属膜である。Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＴｉ層を、この順序で積層する。上記複数の金属層は、例えば、真空蒸着法により積層することができる。
このとき、金属膜６Ａは、ＩＤＴ電極部３Ａ１上に積層された質量付加膜に相当する部分である、質量付加膜部６Ａ１を有する。質量付加膜部６Ａ１は、質量付加膜と同様に、第１，第２の高音速領域側の第１の端部及び中央領域側の第２の端部を有する。
上述したように、ＩＤＴ電極部３Ａ１は、第１のレジストパターン９Ａに沿い形成される。この第１のレジストパターン９Ａに沿い、質量付加膜部６Ａ１の第１の端部が形成される。それによって、質量付加膜を、ＩＤＴ電極の第１の電極指及び第２の電極指の先端部に至るように、高精度に形成することができる。これにより、弾性波装置１において、不要波を効果的に抑制することができる。
次に、図７（ｃ）及び図１０（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、複数の開口部１０Ｃを有する第３のレジストパターン９Ｃを質量付加膜用の金属膜６Ａ上に形成する。平面視において、開口部１０Ｃが第２のレジストパターンの開口部１０Ｂ内に位置するように、第３のレジストパターン９Ｃを形成する。より具体的には、第３のレジストパターン９Ｃにおける、質量付加膜部６Ａ１上に位置する部分が、第１の端部及び第２の端部のみとなるように、開口部１０Ｃを設ける。
次に、図８（ｄ）及び図１０（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより、金属膜６Ａの第１の端部及び第２の端部以外の部分の膜厚を薄くする。これにより、図１０（ｂ）に示す突出部７及び突出部８を形成する。このとき、圧電基板２は第１〜第３のレジストパターン９Ａ〜９Ｃにより覆われているため、ドライエッチングを行っても、周波数特性などが劣化し難い。
次に、第１〜第３のレジストパターン９Ａ〜９Ｃを、図８（ｅ）及び図１０（ｃ）に示すように、圧電基板２から剥離する。なお、本実施形態の場合、質量付加膜６の平面形状は、理想的には矩形となるが、実際には、コーナー部が曲線状になる傾向がある。
上記の製造方法の一例では、質量付加膜６の突出部７及び突出部８をドライエッチングにより形成していた。なお、突出部７及び突出部８を形成する方法は上記に限定されない。例えば、図８（ｂ）に示した工程において、第２のレジストパターンの各開口部を、平面視において、上記ＩＤＴ電極部の第１の電極指及び第２の電極指の先端部と面一になるように形成する。なお、第２のレジストパターンを形成する前に、第１のレジストパターンを剥離していてもよい。次に、質量付加膜用の金属膜を形成する。このとき、質量付加膜部の第１の端部及び第２の端部が、第２のレジストパターンに接するように上記金属膜を形成する。次に、第１，第２のレジストパターンを剥離する。これにより、突出部が形成される。この場合には、第３のレジストパターンを形成する工程を要しないため、生産性を高めることができる。
図１１は、第２の実施形態における質量付加膜付近の、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する断面図である。
本実施形態の弾性波装置は、第１の端面６ｄの傾斜角度より突出部１７の傾斜角度が小さく、第２の端面６ｅの傾斜角度より突出部１８の傾斜角度が小さい点で、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
本実施形態では、突出部１７の傾斜角度が小さいため、第１の低音速領域における第１の高音速領域側において、質量付加膜６の膜厚をより一層厚くすることができる。よって、第１の低音速領域と第１の高音速領域との間の境界の音速勾配をより一層急峻にすることができる。突出部１８の傾斜角度も小さいため、第１の低音速領域における中央領域側においても、質量付加膜６の膜厚をより一層厚くすることができる。よって、第１の低音速領域と中央領域との間の境界の音速勾配をより一層急峻にすることができる。従って、不要波をより一層抑制することができる。
なお、第２のバスバー側においても、同様に、音速が異なる領域間の境界における音速勾配をより一層急峻にすることができ、不要波をより一層抑制することができる。
上記弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
図１２は、高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図１２の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をローノイズアンプ回路２２４へ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサ等を備えることにより、音速が異なる領域間の境界の音速勾配を急峻にすることができ、不要波を効果的に抑制することができる。
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ１，３ｂ１…第１，第２のバスバー
３ａ２，３ｂ２…第１，第２の電極指
３Ａ…金属膜
３Ａ１…ＩＤＴ電極部
４，５…反射器
６…質量付加膜
６ａ…中央部
６ｂ，６ｃ…第１，第２の端部
６ｄ，６ｅ…第１，第２の端面
６Ａ…金属膜
６Ａ１…質量付加膜部
７，８…突出部
９Ａ〜９Ｃ…第１〜第３のレジストパターン
１０Ｂ，１０Ｃ…開口部
１７，１８…突出部
２２…圧電薄膜
２３…低音速膜
２４…高音速部材
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路

Claims (7)

  1. 圧電体と、
    前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極と、
    を備え、
    前記ＩＤＴ電極は、対向し合っている第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続された複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、かつ前記第１の電極指と前記第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている交叉領域と、第１の高音速領域及び第２の高音速領域と、を有し、
    前記交叉領域は、弾性波伝搬方向に直交する方向の中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の弾性波伝搬方向に直交する方向の両側に配置されており、かつ前記中央領域よりも音速が低速である第１の低音速領域及び第２の低音速領域と、を有し、
    前記第１の高音速領域は、前記第１のバスバーと前記第１の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、
    前記第２の高音速領域は、前記第２のバスバーと前記第２の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、
    前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指における前記第１の低音速領域及び前記第２の低音速領域に位置する部分に、質量付加膜がそれぞれ積層されており、
    各前記第１の電極指が延びる方向を各第１の長さ方向とし、各前記第２の電極指が延びる方向を各第２の長さ方向としたときに、各前記質量付加膜は、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における中央に位置する中央部と、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における両端に位置する第１の端部及び第２の端部と、を有し、
    前記質量付加膜の弾性波伝搬方向に沿う寸法を幅としたときに、少なくとも１つの前記質量付加膜において、前記中央部の幅よりも前記第１の端部の幅及び前記第２の端部の幅が狭く、かつ前記少なくとも１つの質量付加膜が、前記第１の端部及び前記第２の端部のうち少なくとも一方から、前記圧電体側とは反対側に突出している突出部を有する、弾性波装置。
  2. 圧電体と、
    前記圧電体上に設けられているＩＤＴ電極と、
    を備え、
    前記ＩＤＴ電極は、対向し合っている第１のバスバー及び第２のバスバーと、前記第１のバスバーに一端が接続された複数の第１の電極指と、前記第２のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第１の電極指と間挿し合っている複数の第２の電極指と、を有し、かつ前記第１の電極指と前記第２の電極指とが弾性波伝搬方向において重なり合っている交叉領域と、第１の高音速領域と、第２の高音速領域と、を有し、
    前記交叉領域は、弾性波伝搬方向に直交する方向の中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の弾性波伝搬方向に直交する方向の両側に配置されており、かつ前記中央領域よりも音速が低速である第１の低音速領域及び第２の低音速領域と、を有し、
    前記第１の高音速領域は、前記第１のバスバーと前記第１の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、
    前記第２の高音速領域は、前記第２のバスバーと前記第２の低音速領域との間に位置しており、かつ前記中央領域よりも音速が高速である領域であり、
    前記複数の第１の電極指及び前記複数の第２の電極指における前記第１の低音速領域及び前記第２の低音速領域に位置する部分に、質量付加膜がそれぞれ積層されており、
    各前記第１の電極指が延びる方向を各第１の長さ方向とし、各前記第２の電極指が延びる方向を各第２の長さ方向としたときに、各前記質量付加膜は、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における中央に位置する中央部と、各前記第１の長さ方向または各前記第２の長さ方向における両端に位置する第１の端部及び第２の端部と、前記第１の端部に位置する端面である第１の端面及び前記第２の端部に位置する端面である第２の端面と、を有し、
    少なくとも１つの前記質量付加膜の前記第１の端面と前記第２の端面とが、前記質量付加膜の厚み方向に対して傾斜して延びており、かつ前記少なくとも１つの質量付加膜が、前記第１の端部及び前記第２の端部のうち少なくとも一方から、前記圧電体側とは反対側に突出している突出部を有する、弾性波装置。
  3. 前記質量付加膜の厚み方向に対して傾斜している角度を傾斜角度としたときに、前記第１の端部及び前記第２の端部のうち前記突出部が突出している端部に位置する端面の傾斜角度より、前記突出部の傾斜角度が小さい、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 全ての前記質量付加膜が、前記突出部を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 前記突出部は、前記質量付加膜における前記第１の端部及び前記第２の端部の両方に設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
    パワーアンプと、
    を備える、高周波フロントエンド回路。
  7. 請求項６に記載の高周波フロントエンド回路と、
    ＲＦ信号処理回路と、
    を備える、通信装置。
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