JP6547664B2 - 電力変換装置 - Google Patents

Description

本発明は、複数のスイッチング素子の動作により電力を変換する電力変換回路を備えた電力変換装置に関する。

従来、昇圧コンバータやインバータ等の電力変換回路を備えた電力変換装置において、複数のスイッチング素子の温度のうちの最高温度が所定温度以上となったとき、電力変換回路の出力制限を行う技術が知られている。以下、特にことわらない限り、「素子」とは、スイッチング素子を意味する。また、「複数の素子の中の温度が最高となっている素子の温度」を略して「最高素子温度」という。
例えば特許文献１に第３実施形態として開示されたモータ駆動装置では、インバータ回路を構成する六つの素子の一つに温度検出用ダイオード及び「温度モニタ回路」が設けられている。また、温度モニタ回路が設けられていない残り五つの素子に対して、温度検出用ダイオード、及び、素子温度が所定の温度に到達したことを検出する「温度検知回路」が設けられている。

温度推定手段としてのコントローラは、温度モニタ回路により検出されたモニタ温度Ｔmonに、「複数のスイッチング素子間の熱伝達モデルにより作成したマップデータの読み出し値」を加算することにより、最高素子温度推定値Ｔｊを推定する。
また、温度検知回路が設けられたいずれかの素子の温度が所定の温度Ｔcaに到達したことが検出されたとき、最高素子温度推定値Ｔｊと所定の温度Ｔcaとの差を補正値ｈ１とする。そして、最高素子温度推定値Ｔｊに補正値ｈ１を加算し、補正後の最高素子温度推定値とする。

特開２００７−１９５３４３号公報

特許文献１の装置で用いられる熱伝達モデルは、基板上の素子配置により隣接して配置される素子同士の熱干渉等を考慮して規定されている。しかし、素子間の熱伝達特性の劣化等により熱伝達マップデータの信頼性が低下するおそれがあり、最高素子温度を正確に推定することができないおそれがある。

また、温度推定手段に取得される素子温度には、現実的に、温度検出用ダイオードの出力誤差、温度モニタ回路及び各温度検知回路の検出誤差、複数の素子間の特性ばらつき、外乱等のばらつき要因が存在する。しかし、特許文献１の従来技術では、これらのばらつきを考慮することなく、最高素子温度にのみ注目している。そのため、素子を過熱から確実に保護する観点から、各種ばらつき要因を総合して見積もった余裕のある安全マージンを加味して出力制限温度を設定せざるを得ない。その結果、過剰な出力制限を実施する傾向となり、素子性能を有効に発揮させることができない。したがって、スイッチング素子の高スペック化や回路規模の増加による装置全体の大型化につながる。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、取得される素子温度のばらつきを考慮して出力制限温度を可及的に高く設定可能とし、素子性能を有効に発揮させる電力変換装置を提供することにある。

本発明の電力変換装置は、電力変換回路（２０１、２０４、２０５）、素子温度出力器（３１−３６）、一つ以上のモニタ回路（４０）、一つ以上の到達判定回路（５０）、最小猶予温度推定部（７２）、及び出力制限部（７３）を備える。
電力変換回路は、複数のスイッチング素子（２１−２６）の動作により入力電力を変換して出力する。
複数の素子温度出力器は、複数のスイッチング素子の個別の素子温度に応じたアナログ温度信号を出力する。

モニタ回路は、複数のスイッチング素子のうちから選択された一つ以上の「モニタ素子（ＳＷ−Ｍ）」に対応して設けられ、素子温度出力器から入力されたアナログ温度信号に基づき、モニタ素子の素子温度であるモニタ温度（Ｔ_M）を経時的に検出する。
到達判定回路は、少なくともモニタ素子以外の全てのスイッチング素子である「一般素子（ＳＷ−Ｇ＊）」に対応して設けられ、素子温度出力器から入力されたアナログ温度信号に基づき、対応する素子の温度が上昇して所定の通過温度（Ｔ_OG）に到達したことを判定する。

最小猶予温度推定部は、前記モニタ温度、及び前記到達判定回路からの到達判定信号に基づき、複数のスイッチング素子のうち、素子毎に設定された「出力制限温度（Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_G*）」から素子の現在温度を差し引いた「猶予温度（ＥＸ_M、ＥＸ_G*）」が最小である素子の温度を「制限対象温度」として推定する。
出力制限部は、制限対象温度がその素子の出力制限温度に到達したとき、電力変換回路の出力制限を開始する。

最小猶予温度推定部は、モニタ温度が通過温度に到達する以前に、到達判定回路により、いずれかの一般素子の素子温度が通過温度に到達したことが判定されたとき、当該一般素子を「特定素子」として認定する。
そして、最小猶予温度推定部は、当該到達判定時（Ｔｊ）における特定素子の猶予温度（ＥＸ_G*）がモニタ素子の猶予温度（ＥＸ_M）よりも小さい場合、「通過温度と当該到達判定時におけるモニタ温度（Ｔ_OM）との差分（ΔＴ＊）をモニタ温度に加えた温度」を「特定素子の学習温度（Ｔ_G*）」として推定する。
出力制限部は、到達判定時まではモニタ温度を制限対象温度とし、到達判定時以後、特定素子の学習温度を制限対象温度として出力制限の実施を判断する。

本発明では、素子毎の温度ばらつきを考慮して出力制限温度を設定し、且つ、素子の現在温度と出力制限温度との差分である猶予温度が最小である素子の温度に注目して出力制限の実施を判断する。
これにより、ばらつきを吸収するための安全マージンを減らし、出力制限温度を可及的に高く設定することが可能となる。その結果、過剰な出力制限の実施を抑制し、素子性能を有効に発揮させることができる。したがって、スイッチング素子の高スペック化を回避し、装置全体の小型化に貢献する。

第１、第２実施形態の電力変換装置の全体構成図。 モニタ回路及び絶縁伝送回路の概略構成図。 到達判定回路及び絶縁伝送回路の概略構成図。 第１実施形態の制御ＥＣＵの制御ブロック図。 第１実施形態による出力制限処理の例（１）を示すタイムチャート。 第１実施形態による出力制限処理の例（２）を示すタイムチャート。 第１実施形態による出力制限温度の設定を説明する図。 素子温度アナログ出力誤差を示す特性図。 第２実施形態の制御ＥＣＵの制御ブロック図。 第２実施形態による素子温度アナログ出力誤差の補正を示す特性図。 第２実施形態による出力制限処理の例を示すタイムチャート。 第２実施形態による出力制限温度の設定を説明する図。 第３実施形態の電力変換装置の全体構成図。 第３実施形態の制御ＥＣＵの制御ブロック図。 第３実施形態による出力制限処理の例を示すタイムチャート。 第３実施形態による出力制限温度の設定を説明する図。 第４実施形態の電力変換装置の概略構成図。 第５実施形態の電力変換装置の概略構成図。

以下、電力変換装置の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。複数の実施形態において実質的に同一の構成には、同一の符号を付して説明を省略する。また、以下の第１〜第５実施形態を包括して「本実施形態」という。
（第１実施形態）
第１実施形態の電力変換装置について、図１〜図８を参照して説明する。ここで、図１〜図３については、第１及び第２実施形態において共通に参照する。

図１に示すように、第１、第２実施形態の電力変換装置１０１は、「電力変換回路」としての昇圧コンバータ２０１、「素子温度出力器」としての感温ダイオード３４、３５、３６、モニタ回路４０、到達判定回路５０、及び、制御ＥＣＵ７０等を備える。
昇圧コンバータ２０１は、バッテリ１１と負荷１６との間に接続され、バッテリ１１の直流電圧を昇圧して負荷１６に出力する。負荷１６は、例えば第５実施形態の電力変換回路であるインバータであってもよい。

昇圧コンバータ２０１のバッテリ１１側には、電源ノイズを除去するフィルタコンデンサ１２、及び、バッテリ１１の正極に接続されエネルギーを蓄積するリアクトル１３が設けられている。昇圧コンバータ２０１の負荷１６側には、昇圧された電圧が充電される平滑コンデンサ１４が設けられている。フィルタコンデンサ１２及び平滑コンデンサ１４の低電位側電極は、バッテリ１１の負極に接続されている。

リアクトル１３の出力端と平滑コンデンサ１４の低電位側との間には、複数のスイッチング素子２４、２５、２６が並列に接続されている。以下の実施形態を通じ、スイッチング素子は、例えばＩＧＢＴ等である。スイッチング素子２４、２５、２６には、低電位側から高電位側へ向かう電流を許容する還流ダイオードが設けられている。リアクトル１３の出力端と平滑コンデンサ１４の高電位側との間には、負荷１６側からの電流の逆流を防止する複数の逆流防止ダイオード２７、２８、２９が並列に接続されている。
昇圧コンバータ２０１の動作自体は周知技術であるため、詳しい説明を省略する。

複数のスイッチング素子２４、２５、２６、及び、複数の逆流防止ダイオード２７、２８、２９は、それぞれ仕様及び特性が基本的に同等のものが用いられる。なお、逆流防止ダイオード２７、２８、２９については、これ以上言及しない。
また、複数のスイッチング素子２４、２５、２６は、典型的には同一基板上のように、通電時の放熱条件が極端には変わらない環境下に設置されるものと考える。この前提は、以下の実施形態を通じて同様とする。
ただし、そのような前提においても、各スイッチング素子の素子温度に関し、現実には様々なばらつき要因が存在する。その点について詳しくは後述する。以下、本明細書において「素子温度」とは、電力変換回路を構成するスイッチング素子の温度を意味する。

特に大電流が通電される昇圧コンバータ２０１では、スイッチング素子を一つで構成しようとすると、定格の大きな特殊部品が必要となる。そこで、複数のスイッチング素子を並列に接続することで標準部品を使用することができる。また、複数のスイッチング素子を冗長的に設けることにより、仮に通電中に一部のスイッチング素子にオープン故障等が発生したとき、他のスイッチング素子を用いて動作の継続が可能となる場合がある。
このように、各実施形態の電力変換装置が備える電力変換回路は、同等レベルの動作をする複数のスイッチング素子により構成される。なお、スイッチング素子の数は、三つに限らず、二つでもよく、四つ以上でもよい。ただし、後述の出力制限処理を説明する上での都合上、スイッチング素子の数が三つの形態を具体例として取り上げる。

ここで、図１に示す三つのスイッチング素子２４、２５、２６の配置は、基板上の搭載配置に対応するものと仮定する。すると、外側に配置されたスイッチング素子２４、２６は、放熱に比較的有利であると考えられる。一方、他のスイッチング素子２４、２６の間に配置されたスイッチング素子２５は、放熱に比較的不利であり、蓄熱しやすいと考えられる。そのため、三つの素子の通電による発熱が同等であると仮定すると、スイッチング素子２５の温度が最も高くなると推定される。

従来技術である特許文献１（特開２００７−１９５３４３号公報）には、第３実施形態として、このような構成の電力変換回路において最高素子温度を推定する技術が開示されている。この技術では、温度が最高である可能性が高いスイッチング素子２５のみの温度をモニタし、他のスイッチング素子２４、２６については、所定の温度に到達したことを検出する。これにより、全てのスイッチング素子の温度をモニタする構成に比べて装置を小型化することができると記載されている。

本実施形態では、温度検出の基本構成において特許文献１の従来技術と同様の構成を採用する。三つの感温ダイオード３４、３５、３６は、それぞれ、三つのスイッチング素子２４、２５、２６に対応して設けられており、個別の素子温度に応じてアノード−カソード間電圧が変化する。感温ダイオード３４、３５、３６は、アノード−カソード間電圧の信号を、モニタ回路４０又は到達判定回路５０にアナログ温度信号として出力する。

ここで、真ん中のスイッチング素子２５を「モニタ素子ＳＷ−Ｍ」として選択し、残る外側のスイッチング素子２４、２６を「一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂ」とする。以下の説明では、各スイッチング素子の識別について、「２４、２５、２６」の符号よりもこの名称を優先して使用する。
この例ではモニタ素子ＳＷ−Ｍが一つ、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂが二つである。一般化して言うと、モニタ素子ＳＷ−Ｍは、電力変換回路を構成する複数のスイッチング素子のうちから一つ以上選択される。また、少なくとも、モニタ素子以外の全てのスイッチング素子が一般素子ＳＷ−Ｇ＊に該当する。以下、Ｇａ、Ｇｂ・・・を包括して「Ｇ＊」というように記す。なお、特許請求の範囲の括弧内の参照符号にも「Ｇ＊」を用いる。

図１では、モニタ回路４０を「Ｍ」、到達判定回路５０を「Ｒ」の記号で記す。
モニタ回路４０は、モニタ素子ＳＷ−Ｍであるスイッチング素子２５に対応して設けられる。モニタ回路４０は、感温ダイオード３５から入力されたアナログ温度信号に基づき、モニタ素子ＳＷ−Ｍの素子温度であるモニタ温度Ｔ_Mを経時的に検出する。
到達判定回路５０は、一般素子ＳＷ−Ｇａであるスイッチング素子２４、及び、一般素子ＳＷ−Ｇｂであるスイッチング素子２６に対応して設けられる。到達判定回路５０は、感温ダイオード３４、３６から入力されたアナログ温度信号に基づき、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの素子温度が上昇して所定の「通過温度Ｔ_OG」に到達したことを判定する。

モニタ回路４０からが出力したモニタ温度Ｔ_Mの情報、及び、到達判定回路５０が出力した到達判定信号ｒｊは、制御ＥＣＵ７０に通知される。
制御ＥＣＵ７０は、周知のマイコンやカスタムＩＣ等により構成される。マイコンは、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ、Ｉ／Ｏ、及び、これらを接続するバスライン等を内部に備え、予め記憶されたプログラムをＣＰＵで実行することによるソフトウェア処理や、専用の電子回路によるハードウェア処理による制御を実行する。
本来、制御ＥＣＵ７０は、外部からの指令信号やフィードバック信号に基づき、所望の電力を負荷１６に出力するようにスイッチング素子に対する駆動信号を演算する。ただし本実施形態では、制御ＥＣＵ７０による通常の駆動制御に関する説明や信号入出力の図示を省略し、特徴的な温度検出に関する処理について詳しく説明する。

次に、モニタ回路４０及び到達判定回路５０の構成について、図２、図３を参照する。図２、図３における感温ダイオードの符号は、図１の昇圧コンバータ２０１の構成に対応し、モニタ回路４０が接続される感温ダイオードの符号を「３５」、到達判定回路５０が接続される感温ダイオードの符号を「３４、３６」とする。ただし、モニタ回路４０及び到達判定回路５０は、どの感温ダイオードに接続されてもよい。また、図中の記号「Ａ」はアノード、「Ｋ」はカソードを示す。なお、図２、図３の回路構成は、特許文献１の図３、図１３に記載されたものと本質的に同じである。

図２に示すように、モニタ回路４０は、定電流供給部４１、コンパレータ４２、及び三角波生成回路４３を有する。
定電流供給部４１は、感温ダイオード３５のアノードに定電流を供給する。また、感温ダイオード３５のカソードは基準電位に接続されている。そして、温度検出対象であるモニタ素子ＳＷ−Ｍの温度、すなわちモニタ温度Ｔ_Mに応じたアノード−カソード間電圧がアナログ温度信号としてコンパレータ４２の＋端子に入力される。
一方、コンパレータ４２の−端子には、三角波生成回路４３で生成された三角波が入力される。モニタ温度Ｔ_Mに応じたアナログ温度信号としての電圧値が三角波と比較されることにより、逐次Ｄｕｔｙ信号に変換されてコンパレータ４２から出力される。こうしてモニタ回路４０は、モニタ温度Ｔ_Mを経時的に検出する。

絶縁伝送回路６０は、フォトカプラ６５、高圧側抵抗回路６３及び低圧側抵抗回路６７を含み、高圧系と低圧系との間で信号を絶縁伝送する。この絶縁伝送回路６０を経由し、コンパレータ４２の出力信号は制御ＥＣＵ７０１に伝送される。
制御ＥＣＵ７０は、モニタ温度Ｔ_MのＤｕｔｙ信号を電圧信号に変換する。それ以後の制御ＥＣＵ７０における処理については後述する。

図３に示すように、到達判定回路５０は、定電流供給部５１、コンパレータ５２、及び閾値用電源５３を有する。定電流供給部５１及びコンパレータ５２の構成は、モニタ回路４０のものと同様である。コンパレータ５２の＋端子には、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの素子温度に応じたアノード−カソード間電圧がアナログ温度信号として入力される。コンパレータ５２の−端子に接続される閾値用電源５３は、後述の通過温度Ｔ_0Gに相当する閾値電圧を規定する。

一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの素子温度が通過温度Ｔ_0Gより低いとき、コンパレータ５２の出力はＯＦＦであり、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達すると、コンパレータ５２の出力がＯＮとなる。この出力信号は、「到達判定信号ｒｊ」として、絶縁伝送回路６０を経由し、制御ＥＣＵ７０に伝送される。

続いて、制御ＥＣＵ７０の２通りの構成を、第１実施形態及び第２実施形態として説明する。以下、第１実施形態の制御ＥＣＵの符号を「７０１」、第２実施形態の制御ＥＣＵの符号を「７０２」として区別する。
図４に示すように、第１実施形態の制御ＥＣＵ７０１は、Ｄｕｔｙ−Ｖ変換部７１、最小猶予温度推定部７２、及び、出力制限部７３を有している。
Ｄｕｔｙ−Ｖ変換部７１は、モニタ回路４０から絶縁伝送回路６０を経由して入力されたモニタ温度Ｔ_MのＤｕｔｙ信号を電圧信号に変換する。
最小猶予温度推定部７２は、Ｄｕｔｙ−Ｖ変換部７１からモニタ温度Ｔ_Mの電圧信号を取得する。また、到達判定回路５０から、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂが通過温度Ｔ_0Gに到達したことを示す到達判定信号ｒｊを取得する。

ここで、本実施形態特有の概念である「出力制限温度」及び「猶予温度」を定義する。
出力制限温度は、昇圧コンバータ２０１を構成する三つのスイッチング素子について、それ以上の温度では、素子を過熱から保護するために電力変換回路の出力制限が求められる温度である。三つのスイッチング素子の仕様及び特性は基本的に同等であるとはいえ、現実には、素子特性のばらつきや温度検出に関するばらつきが存在する。
そこで本実施形態では、素子毎に適切な出力制限温度が設定されることを特徴とする。以下、各素子の出力制限温度を次の記号で記す。
Ｔｌｉｍ_M：モニタ素子ＳＷ−Ｍの出力制限温度
Ｔｌｉｍ_Ga、Ｔｌｉｍ_Gb：一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの出力制限温度
また、これらを包括して「出力制限温度Ｔｌｉｍ」と記す。

猶予温度は、各素子について出力制限温度から現在温度を差し引いた温度である。つまり、現在の素子が出力制限を要する温度になるまで上昇の猶予がある温度差を意味する。猶予温度が小さい素子ほど早い段階で出力制限が必要となるため、全ての素子を過熱から保護する観点から、猶予温度が最小である素子の温度を基準として出力制限の開始時期を決定することが望ましい。

ところで、特許文献１の従来技術では、複数のスイッチング素子の温度のうち最高温度に注目している。仮に全ての素子の出力制限温度が同一であるとすれば、最高素子温度に基づいて出力制限を開始するという考え方は正しいと考えられる。しかし、現実には、制御ＥＣＵ７０１に取得される素子温度には、各種ばらつき要因が存在する。したがって、単純に全ての素子の出力制限温度を同一に設定することは適当でない。
したがって、従来技術のように全ての素子の出力制限温度を一定に設定する思想では、素子を過熱から保護するために余裕を持った安全マージンを加味して出力制限温度を設定する必要があると考えられる。

それに対し本実施形態では、各素子についての猶予温度に注目する。具体的には、最小猶予温度推定部７２は、取得したモニタ温度Ｔ_M及び到達判定信号ｒｊの情報に基づき、猶予温度が最小である素子の温度を「制限対象温度」として推定する。このように「最小猶予温度推定部７２」という名称は、「猶予温度が最小である素子の温度を推定する機能部」を意味し、猶予温度そのものを推定するものではない。
ここで、制限対象温度となり得る温度は、モニタ温度Ｔ_M、又は、後述する「特定素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの学習温度Ｔ_Ga、Ｔ_Gb」のいずれかである。各素子の出力制限温度Ｔｌｉｍの設定により、最高素子温度が必ずしも制限対象温度になるとは限らない。
出力制限部７３は、制限対象温度がその素子の出力制限温度Ｔｌｉｍに到達したとき、昇圧コンバータ２０１の出力制限を開始する。したがって、素子温度が耐熱温度を超えて上昇し、素子破壊に至ることを防止することができる。

次に、昇圧コンバータ２０１の通電中に実施される出力制限処理の例について、図５、図６を参照して説明する。図５、図６の上段には各素子温度の経時変化を示し、下段には到達判定回路５０及び出力制限部７３による判定信号を示す。到達判定回路５０では、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達したとき、コンパレータ５２の信号がＯＦＦからＯＮになる。出力制限部７３では、制限対象温度が素子毎に設定された出力制限温度Ｔｌｉｍに到達したとき、出力制限信号がＯＦＦからＯＮになる。

図５、図６に新たに記載された素子温度に関する各記号の意味は以下の通りである。
下記の記号のうち「ｔｊ＃」は、ｔｊ１、ｔｊ２・・・を包括した表記であり、時間軸での順序を表す。なお、特許請求の範囲の括弧内の参照符号にも「ｔｊ＃」を用いる。
Ｔ_0M#：到達判定時ｔｊ＃におけるモニタ温度Ｔ_M
ΔＴａ：第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの到達判定時ｔｊ１における通過温度Ｔ_0Gとモニタ温度Ｔ_0M1との差分（ΔＴａ＝Ｔ_0G−Ｔ_0M1）
Ｔ_Ga: 第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度（Ｔ_Ga＝Ｔ_M＋ΔＴａ）
ΔＴｂ：第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの到達判定時ｔｊ２における通過温度Ｔ_0Gとモニタ温度Ｔ_0M2との差分（ΔＴｂ＝Ｔ_0G−Ｔ_0M2）
Ｔ_Gb：第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度（Ｔ_Gb＝Ｔ_M＋ΔＴｂ）

ＥＸ_M1：第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの到達判定時ｔｊ１におけるモニタ素子ＳＷ−Ｍの猶予温度（ＥＸ_M1＝Ｔｌｉｍ_M−Ｔ_0M1）
ＥＸ_Ga1：第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの到達判定時ｔｊ１における特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度（ＥＸ_Ga1＝Ｔｌｉｍ_Ga−Ｔ_0G）
ＥＸ_Ga2：第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの到達判定時ｔｊ２における特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度（ＥＸ_Ga2＝Ｔｌｉｍ_Ga−Ｔ_Ga（ｔｊ２））
ＥＸ_Gb2：第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの到達判定時ｔｊ２における特定素子ＳＷ−Ｇｂの猶予温度（ＥＸ_Gb2＝Ｔｌｉｍ_Gb−Ｔ_0G）

上述の通り、最小猶予温度推定部７２は、昇圧コンバータ２０１を構成する三つのスイッチング素子のうち、素子毎に設定される出力制限温度Ｔｌｉｍから素子の現在温度を差し引いた猶予温度が最小である素子の温度を「制限対象温度」として推定する。
出力制限部７３は、出力制限処理の初期には、モニタ温度Ｔ_Mを制限対象温度とする。そして、モニタ温度Ｔ_Mが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Mに到達するまで、猶予温度が最小の素子が常にモニタ素子ＳＷ−Ｍであれば、制限対象温度は更新されない。この場合、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂは、結果的に出力制限処理に関与しない。

一方、図５、図６には、各素子の温度上昇に伴って制限対象温度が更新される場合を示す。図５、図６共通に、時刻ｔｊ１以前での制限対象温度はモニタ温度Ｔ_Mである。
時刻ｔｊ１に一般素子ＳＷ−Ｇａの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達すると、最小猶予温度推定部７２は、一般素子ＳＷ−Ｇａを「第１の特定素子」として認定する。そして、到達判定時ｔｊ１におけるモニタ素子ＳＷ−Ｍの猶予温度ＥＸ_M1と第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度ＥＸ_Ga1とを比較する。

すると、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度ＥＸ_Ga1の方が小さいため、最小猶予温度推定部７２は、「到達判定時ｔｊ１における通過温度Ｔ_0Gとモニタ温度Ｔ_0M1との差分ΔＴａをモニタ温度Ｔ_Mに加えた温度」を第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaとして推定する。そして、時刻ｔｊ１以後、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが制限対象温度となる。

時刻ｔｊ２に一般素子ＳＷ−Ｇｂの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達すると、最小猶予温度推定部７２は、一般素子ＳＷ−Ｇｂを「第２の特定素子」として認定する。そして、到達判定時ｔｊ２における第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度ＥＸ_Ga2と第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの猶予温度ＥＸ_Gb2とを比較する。この段階での判断が図５の例と図６の例とで異なる。

図５に示す例では、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度ＥＸ_Ga2の方が小さいため、時刻ｔｊ２以後も引き続き第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが制限対象温度となる。その後、時刻ｔｘａに第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaに到達すると、出力制限部７３は、昇圧コンバータ２０１の出力制限を開始する。この場合、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが通過温度Ｔ_0Gから出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaまで上昇する期間が「猶予期間Ｐｅｘ」となる。

一方、図６に示す例では、第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの猶予温度ＥＸ_Gb2の方が小さいため、最小猶予温度推定部７２は、「到達判定時ｔｊ２における通過温度Ｔ_0Gとモニタ温度Ｔ_0M2との差分ΔＴｂをモニタ温度Ｔ_Mに加えた温度」を第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbとして推定する。そして、時刻ｔｊ２以後、第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbが制限対象温度となる。
その後、時刻ｔｘｂに第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gbに到達すると、出力制限部７３は昇圧コンバータ２０１の出力制限を開始する。この場合、第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbが通過温度Ｔ_0Gから出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gbまで上昇する期間が「猶予期間Ｐｅｘ」となる。

ここで、時刻ｔｘｂは、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaに到達する時刻ｔｘａよりも早い。すなわち、制限対象温度を第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaから第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbに更新することにより、複数の一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂについての猶予温度を考慮して、より適確に出力制限を開始することができる。

次に、モニタ素子ＳＷ−Ｍの出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、及び、一般素子の代表として、ＳＷ−Ｇａの出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaの設定について、図７を参照して説明する。
図７に記載された温度誤差に関する各記号の意味は以下の通りである。
Ｔｒｅｓ：素子耐熱温度（全ての素子に共通とする）
ΔＴａｎａ_M：モニタ素子温度Ｔ_Mについての感温ダイオードのアナログ出力誤差
ΔＴａｎａ_Ga：一般素子温度Ｔ_Gaについての感温ダイオードのアナログ出力誤差
ΔＴ_M：モニタ回路４０の検出誤差
ΔＴ_RGa：到達判定回路５０の検出誤差
ΔＴ_Ga-M：到達判定時からの猶予期間における特定素子とモニタ素子との発熱差
ΔＴｗｉｄ：温度変動幅

上記の各温度誤差は、制限対象温度の実際温度が推定温度より高くなる方向に影響する誤差を正として定義する。図７は、正方向の各誤差を積み上げたイメージを示している。このように正方向の誤差を積み上げることで、いかなる状況でも全ての素子が確実に耐熱温度以下の領域で出力制限が開始されるように、出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_Gaを適切に設定することを目的とする。なお、負の誤差が生じる場合、誤差の合計からその分を差し引いてもよいし、或いは、誤差を０として扱ってもよい。

上記のうち、アナログ出力誤差ΔＴａｎａ_M、ΔＴａｎａ_Ga、発熱差ΔＴ_Ga-M、及び温度変動幅ΔＴｗｉｄについて詳しく説明する。
感温ダイオードのアナログ出力特性に関し、図８に示すように、実出力特性と理想出力特性との間には出力誤差が存在する。なお、図８には、高温ほど出力が減少する負特性の例を示しているが、正特性か負特性かは適宜設定してよい。

図８（ａ）に、実出力と理想出力との傾きが等しく切片が異なるオフセット誤差の例を示す。実出力ａは理想出力よりも低い側にずれた例を示し、実出力ｂは理想出力よりも高い側にずれた例を示す。モニタ回路４０及び到達判定回路５０が理想出力に基づいて検出すると考えると、検出出力Ｖｓに対応する真の素子温度は、理想出力特性に基づく理想温度Ｔｉｄに対し、温度領域に依らず、一定のアナログ出力誤差ΔＴａｎａだけずれる。
図８（ｂ）に、実出力と理想出力との傾きが異なるゲイン誤差を含む例を示す。この場合、温度領域に応じてアナログ出力誤差ΔＴａｎａの値が変化する。実出力と理想出力とが一致する一致温度Ｔｃｏが実使用領域に存在する場合、一致温度Ｔｃｏの高温側と低温側とでアナログ出力誤差ΔＴａｎａの符号が反転することとなる。

続いて発熱差ΔＴ_Ga-Mの説明にあたり、一般素子ＳＷ−Ｇａが通過温度Ｔ_0Gに到達し、特定素子として認定された場合を想定する。特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaは、特定素子ＳＷ−Ｇａとモニタ素子ＳＷ−Ｍとの損失が同等であることを前提として推定される。そのため、図５、図６では、学習温度Ｔ_Gaとモニタ温度Ｔ_Mとの上昇傾きは等しく記されている。しかし実際には、特定素子ＳＷ−Ｇａの到達判定時から学習温度Ｔ_Gaが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaに到達するまでの猶予期間Ｐｅｘに、特定素子ＳＷ−Ｇａとモニタ素子ＳＷ−Ｍとの損失ばらつきに基づく発熱差ΔＴ_Ga-Mが生じる可能性がある。この発熱差ΔＴ_Ga-Mが正の場合、制限対象温度である特定素子ＳＷ−Ｇａの素子温度は、モニタ温度Ｔ_Mの上昇傾きよりも大きい傾きで上昇する。なお、モニタ温度Ｔ_Mが制限対象温度である場合には、発熱差ΔＴ_Ga-Mを考慮しなくてもよい。

温度変動幅ΔＴｗｉｄは、電力変換装置１０１が用いられるシステムにおいて発生する可能性がある最大の温度変動範囲を意味する。温度変動の要因として典型的には、「出力制御が追従不能な外乱」による電力変換回路の過渡動作による温度変化ΔＴｔｒｄが考えられる。例えばハイブリッド自動車のモータジェネレータを駆動するシステムでは、車両走行中のタイヤのスリップやロック等の瞬時的な状態変化により、モータジェネレータの動作の変化にフィードバック制御が追い付かない場合が想定される。このとき、電力変換回路での電流の急増に伴う素子温度の上昇が過渡温度変化ΔＴｔｒｄに該当する。本実施形態では、温度変動幅ΔＴｗｉｄを過渡温度変化ΔＴｔｒｄ以上の値に設定することにより、上記のような外乱を考慮しつつ出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_Gaを設定する。

以上の各温度誤差を用い、モニタ素子ＳＷ−Ｍに係る「第１群マージンΣΔＴ＿１」、及び、一般素子ＳＷ−Ｇａに係る「第２群マージンΣΔＴ＿２」を、式（１．１）、（１．２）により定義する。
ΣΔＴ＿１＝ΔＴａｎａ_M＋ΔＴ_M＋ΔＴｗｉｄ ・・・（１．１）
ΣΔＴ＿２＝ΔＴａｎａ_Ga＋ΔＴ_RGa＋ΔＴ_Ga-M＋ΔＴｗｉｄ ・・・（１．２）
仮に、モニタ素子温度Ｔ_M及び一般素子温度Ｔ_Gaについての感温ダイオードのアナログ出力誤差が「ΔＴａｎａ_M≒ΔＴａｎａ_Ga」であり、また、モニタ回路４０及び到達判定回路５０の検出誤差が「ΔＴ_M≒ΔＴ_RGa」であるとする。すると、温度誤差の要因として発熱差ΔＴ_Ga-Mを余分に含む第２群マージンΣΔＴ＿２が、第１群マージンΣΔＴ＿１より大きくなる傾向にある。

すると、モニタ素子ＳＷ−Ｍの出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、及び、一般素子ＳＷ−Ｇａの出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaは、式（２．１）、（２．２）により設定される。
Ｔｌｉｍ_M≦Ｔｒｅｓ−ΣΔＴ＿１ ・・・（２．１）
Ｔｌｉｍ_Ga≦Ｔｒｅｓ−ΣΔＴ＿２ ・・・（２．２）
なお、図７では、誤差の積み上げ値と素子耐熱温度Ｔｒｅｓとの微小余裕δ（≧０）により、「≦」の意味合いを表している。微小余裕δは各素子について共通と考えてよい。
第２群マージンΣΔＴ＿２が第１群マージンΣΔＴ＿１より大きいとすると、一般素子ＳＷ−Ｇａの出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaは、モニタ素子ＳＷ−Ｍの出力制限温度Ｔｌｉｍ_Mよりも低い値に設定される。

また、一般素子ＳＷ−Ｇｂについても、一般素子ＳＷ−Ｇａと同様の固有の誤差に基づき、出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gbが設定される。このように第１実施形態では、感温ダイオード３４−３６、モニタ回路４０又は到達判定回路５０、スイッチング素子２４−２６の損失ばらつき等に基づいて、素子毎に出力制限温度Ｔｌｉｍが設定される。
そして、出力制限部７３は、素子毎に設定された出力制限温度Ｔｌｉｍに制限対象温度が到達したとき出力制限を開始する。

（効果）
（１）上述の通り、複数のスイッチング素子のうちの最高素子温度を推定する特許文献１の従来技術では、素子毎の感温ダイオードによるアナログ出力誤差や回路の検出誤差等の温度ばらつきを考慮していない。そのため、素子を過熱から確実に保護する観点から、各種ばらつき要因を総合して見積もった余裕のある安全マージンを加味して出力制限温度を設定せざるを得ない。その結果、過剰な出力制限を実施する傾向となり、素子性能を有効に発揮させることができない。したがって、スイッチング素子の高スペック化や回路規模の増加による装置全体の大型化につながる。

それに対し本実施形態では、制御ＥＣＵ７０１の最小猶予温度推定部７２は、素子毎に設定された出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_G*から素子の現在温度を差し引いた猶予温度ＥＸ_M、ＥＸ_G*が最小である素子の温度を「制限対象温度」として推定する。また、出力制限部７３は、制限対象温度がその素子の出力制限温度Ｔｌｉｍに到達したとき、電力変換回路の出力制限を開始する。
最小猶予温度推定部７２は、到達判定時Ｔｊにおける特定素子ＳＷ−Ｇ＊の猶予温度ＥＸ_G*がモニタ素子の猶予温度ＥＸ_Mよりも小さい場合、通過温度Ｔ_0Gと到達判定時におけるモニタ温度Ｔ_OMとの差分ΔＴ＊をモニタ温度Ｔ_Mに加えた温度を特定素子ＳＷ−Ｇ＊の学習温度Ｔ_G*として推定する。出力制限部７３は、到達判定時まではモニタ温度ＴＭを制限対象温度とし、到達判定時以後、特定素子ＳＷ−Ｇ＊の学習温度Ｔ_G*を制限対象温度として出力制限の実施を判断する。

本実施形態では、素子毎の温度ばらつきを考慮して出力制限温度Ｔｌｉｍを設定し、且つ、素子の現在温度と出力制限温度Ｔｌｉｍとの差分である猶予温度が最小である素子の温度に注目して出力制限の実施を判断する。
これにより、ばらつきを吸収するための安全マージンを減らし、出力制限温度Ｔｌｉｍを可及的に高く設定することが可能となる。その結果、過剰な出力制限の実施を抑制し、素子性能を有効に発揮させることができる。したがって、スイッチング素子の高スペック化を回避し、装置全体の小型化に貢献する。或いは、出力制限温度Ｔｌｉｍを高く設定しない場合には、品質を向上させることができる。

（２）二つの一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂが用いられる構成で、次の状況を想定する。
＜第１の一般素子ＳＷ−Ｇａが第１の到達判定時Ｔｊ１に通過温度Ｔ_0Gに到達し第１の特定素子として認定された。その後、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaに到達する以前の第２の到達判定時Ｔｊ２に、第２の一般素子ＳＷ−Ｇｂが通過温度Ｔ_0Gに到達し第２の特定素子として認定された。＞
このとき、出力制限部７３は、第２の到達判定時における猶予温度が小さい方の特定素子の学習温度を制限対象温度として出力制限の実施を判断する。
これにより、複数の一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの猶予温度の比較に基づいて、より適確に出力制限を開始することができる。その結果、出力制限温度Ｔｌｉｍの設定において、ばらつきを吸収するための安全マージンをさらに減らし、出力制限温度Ｔｌｉｍを高く設定することができる。

なお、特許請求の範囲における「第１の一般素子」、「第２の一般素子」という概念は、一般素子ＳＷ−Ｇ＊が二つの場合に限らず、一般素子ＳＷ−Ｇ＊が三つ以上である場合にも通用する。すなわち、一般化した解釈では、時間的に前後して通過温度Ｔ_0Gに到達した二つの一般素子ＳＷ−Ｇ＊のうち、先行の素子を「第１の一般素子」といい、後続の素子を「第２の一般素子」という。その後、更に三番目の素子が通過温度Ｔ_0Gに到達した場合には、最初に「第２の一般素子」とされた二番目の素子が今度は「第１の一般素子」となり、三番目の素子が新たに「第２の一般素子」となる。こうして、いずれかの素子が出力制限温度Ｔｌｉｍに到達するまでに通過温度Ｔ_0Gに到達した全ての一般素子ＳＷ−Ｇ＊について、一つ前に通過温度Ｔ_0Gに到達した素子との間で猶予温度が比較され、いずれの素子の学習温度を制限対象温度とするか判定される。

（３）モニタ素子ＳＷ−Ｍの出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、及び、一般素子ＳＷ−Ｇ＊の出力制限温度Ｔｌｉｍ_G*は、スイッチング素子の耐熱温度Ｔｒｅｓから、それぞれ第１群マージンΣΔＴ＿１及び第２群マージンΣΔＴ＿２を差し引いた温度以下に設定される。
第１群マージンΣΔＴ＿１は、感温ダイオード３５のアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_M、モニタ回路４０の検出誤差ΔＴ_M、及び、温度変動幅ΔＴｗｉｄの合計である。第２群マージンΣΔＴ＿２は、感温ダイオード３４、３６のアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_G*、到達判定回路５０の検出誤差ΔＴ_RG*、猶予期間において特定素子ＳＷ−Ｇ＊とモニタ素子ＳＷ−Ｍとの損失ばらつきに基づいて生じる発熱差ΔＴ_G*-M、及び、温度変動幅ΔＴｗｉｄの合計である。温度変動幅ΔＴｗｉｄは、出力制御が追従不能な外乱による前記電力変換回路の過渡動作による温度変化ΔＴｔｒｄ以上の値に設定されている。
このように、電力変換装置１０１が用いられるシステムで現実に発生する温度ばらつき要因を詳しく特定することにより、実状に適応した処理を実行することができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の制御ＥＣＵ７０２の構成、及び、第１実施形態の出力制限処理との違いについて、図９〜図１２を参照して説明する。図９、図１０、図１２は、それぞれ第１実施形態の図４、図８、図７に対応する。また、図１１は、第１実施形態の図５及び図６と同様の形式のタイムチャートである。
図９に示すように、第２実施形態の制御ＥＣＵ７０２は、第１実施形態の制御ＥＣＵ７０１に対し、感温ダイオード３４、３５、３６のアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Ga、ΔＴａｎａ_M、ΔＴａｎａ_Gbを補正するアナログ出力補正部７４をさらに備えている。

アナログ出力補正部７４は、感温ダイオード３４、３５、３６の個体毎に予め設定されたアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Ga、ΔＴａｎａ_M、ΔＴａｎａ_Gbの校正値を、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発メモリに記憶している。
実際の製品の製造時には、例えばスイッチング素子と感温ダイオードとがモジュール化された半導体モジュールのＱＲコード（登録商標）に校正値を書き込む。そして、半導体モジュールを電力変換回路基板に組み付ける時、基板上の不揮発メモリに校正値を書き込むという方法が考えられる。これにより、アナログ出力補正部７４は、簡易な構成でアナログ出力誤差を補正することができる。

アナログ出力誤差の補正イメージを図１０に示す。
図１０（ａ）に示すオフセット誤差の例において、アナログ出力補正部７４は、実出力Ｇａが理想出力よりも低い側にずれている場合、実出力Ｇａを理想出力に一致させるように上げる。その結果、検出温度からアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Gaが差し引かれる。
また、アナログ出力補正部７４は、実出力Ｇｂが理想出力よりも高い側にずれている場合、実出力Ｇｂを理想出力に一致させるように下げる。その結果、検出温度にアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Gbが加えられる。
図１０（ｂ）には、実出力の傾きの絶対値が理想出力の傾きよりも大きいゲイン誤差を含む例を示す。この場合、アナログ出力補正部７４は、温度に応じて、一致温度Ｔｃｏの低温側では実出力を下げ、一致温度Ｔｃｏの高温側では実出力を上げるように補正する。

上記の要領で、アナログ出力補正部７４は、モニタ素子ＳＷ−Ｍについて、入力されたモニタ温度Ｔ_Mに対しアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Mを補正する。また、通過温度Ｔ_0Gに到達したと判定された特定素子ＳＷ−Ｇ＊について、アナログ出力誤差ΔＴａｎａ_G*の分、学習温度Ｔ_G*をオフセットさせる。
最小猶予温度推定部７２は、アナログ出力補正部７４が補正したモニタ温度Ｔ_M、及び特定素子ＳＷ−Ｇ＊の学習温度Ｔ_G*に基づいて、猶予温度が最小である素子の温度を制限対象温度として推定する。

図１１を参照し、第２実施形態による出力制限処理の具体例を説明する。図１１には、第１実施形態の図６と同様に、制限対象温度がモニタ温度Ｔ_Mから第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaに更新され、更に第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbに更新される場合を示す。ここで、特定素子ＳＷ−Ｇａ及びＳＷ−Ｇｂの実出力特性は、図１０（ａ）に示す「実出力Ｇａ」及び「実出力Ｇｂ」の特性であるものとする。
図１１において学習温度Ｔ_Ga、Ｔ_Gbの基準となるモニタ素子ＳＷ−Ｍの温度は、モニタ回路４０により検出されたモニタ温度Ｔ_Mに対しアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Mが補正された温度（すなわち、「Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M」）として表す。なお、アナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Mについても、理想出力特性と傾きが等しいオフセット誤差であると仮定する。

時刻ｔｊ１に一般素子ＳＷ−Ｇａの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達し、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａとして認定される。このとき、到達判定回路５０において到達したと判定された通過温度Ｔ_0Gからアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Gaを差し引く補正がされる。そして、補正された通過温度Ｔ_0Gに基づいて算出された第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度ＥＸ_Ga1がモニタ素子ＳＷ−Ｍの猶予温度ＥＸ_M1よりも小さいと判断される。すると、最小猶予温度推定部７２は、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaを式（３．１）により推定する。
Ｔ_Ga＝（Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M）−ΔＴａｎａ_Ga＋ΔＴａ ・・・（３．１）
時刻ｔｊ１以後、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが制限対象温度となる。

次に、時刻ｔｊ２に一般素子ＳＷ−Ｇｂの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達し、第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂとして認定される。このとき、到達判定回路５０において到達したと判定された通過温度Ｔ_0Gにアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Gbを加える補正がされる。そして、補正された通過温度Ｔ_0Gに基づいて算出された第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの猶予温度ＥＸ_Gb2が、到達判定時ｔｊ２における第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの猶予温度ＥＸ_Ga2よりも小さいと判断される。すると、最小猶予温度推定部７２は、第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbを式（３．２）により推定する。
Ｔ_Gb＝（Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M）＋ΔＴａｎａ_Gb＋ΔＴｂ ・・・（３．２）
時刻ｔｊ２以後、第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbが制限対象温度となる。

その後、時刻ｔｘｂに第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gbに到達すると、出力制限部７３は昇圧コンバータ２０１の出力制限を開始する。
図６と同様に図１１でも、時刻ｔｘｂは、第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaが出力制限温度Ｔｌｉｍ_Gaに到達する時刻ｔｘａよりも早い。すなわち、制限対象温度を第１の特定素子ＳＷ−Ｇａの学習温度Ｔ_Gaから第２の特定素子ＳＷ−Ｇｂの学習温度Ｔ_Gbに更新することにより、複数の一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂについての猶予温度を考慮して、より適確に出力制限を開始することができる。

このように、第２実施形態では、感温ダイオード３５、３４、３６のアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_M、ΔＴａｎａ_Ga、ΔＴａｎａ_Gbがアナログ出力補正部７４で補正される。
これにより、図１２に示すように、第１群マージンΣΔＴ＿１のアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_M、及び、第２群マージンΣΔＴ＿２のアナログ出力誤差ΔＴａｎａ_G*を０とみなすことができる。したがって、第１実施形態の図７に比べ、出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_Gaを高く設定し、素子性能をさらに有効に発揮させることができる。

また、アナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Ga、ΔＴａｎａ_Gbのばらつきが第２群マージンΣΔＴ＿２から除外されるため、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの出力制限温度Ｔｌｉｍ_Ga、Ｔｌｉｍ_Gbのばらつき要因が少なくなる。そのため図１１では、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂの出力制限温度Ｔｌｉｍ_Ga、Ｔｌｉｍ_Gbを同一の温度として図示している。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の電力変換装置１０３及び制御ＥＣＵ７０３の構成等について、図１３〜図１６を参照して説明する。図１３は、第１、第２実施形態の図１に対応し、「電力変換回路」として昇圧コンバータ２０１を備える電力変換装置１０３の構成を示す。図１４は、図４及び図９に対応する。図１５は、図５、図６及び図１１と同様の形式のタイムチャートである。図１６は、図７及び図１２に対応する。

図１３に示すように、第３実施形態の電力変換装置１０３では、モニタ素子ＳＷ−Ｍであるスイッチング素子２５に対応して、モニタ回路４０と到達判定回路５０との両方が設けられる。すなわち、三つのスイッチング素子２４、２５、２６に対して三つの到達判定回路５０が設けられることとなる。
モニタ素子ＳＷ−Ｍ用の到達判定回路５０は、モニタ素子ＳＷ−Ｍが通過温度Ｔ_0Gに到達したとき到達判定信号ｒｊを出力する。図１３では、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用の到達判定回路５０が出力する到達判定信号をｒｊ（Ｍ）と記し、一般素子ＳＷ−Ｇａ、ＳＷ−Ｇｂ用の到達判定回路５０が出力する到達判定信号をｒｊ（Ｇ）と記す。

図１４に示すように、第３実施形態の制御ＥＣＵ７０３は、アナログ出力補正部７４に加え、各到達判定回路５０の初期検出誤差ΔＴ_{RM_ini}、ΔＴ_{RGa_ini}、ΔＴ_{RGb_ini}を補正する到達判定回路補正部７５をさらに備えている。
到達判定回路補正部７５は、到達判定回路５０の個体毎に予め設定された初期検出誤差ΔＴ_{RM_ini}、ΔＴ_{RGa_ini}、ΔＴ_{RGb_ini}の校正値を、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発メモリに記憶している。

初期検出誤差ΔＴ_{RM_ini}、ΔＴ_{RGa_ini}、ΔＴ_{RGb_ini}の校正値は、例えば製造時の基準温度における出力特性と理想出力特性との差に基づいて設定される。また、不揮発メモリへの校正値の書き込みは、例えばアナログ出力補正部７４と同様の方法により実施可能である。これにより、到達判定回路補正部７５は、簡易な構成で初期検出誤差を補正することができる。

最小猶予温度推定部７２は、各到達判定回路５０からの到達判定信号ｒｊ（Ｍ）、ｒｊ（Ｇ）を取得したとき、到達判定回路補正部７５によって初期検出誤差ΔＴ_{RM_ini}、ΔＴ_{RGa_ini}、ΔＴ_{RGb_ini}が補正された温度に基づいて、制御対象温度を推定する。
例えば、一般素子ＳＷ−Ｇａが通過温度Ｔ_0Gに到達したと判定されたとき、到達判定時における一般素子ＳＷ−Ｇａの温度は、「Ｔ_0G＋ΔＴ_{RGa_ini}」に補正される。
また、モニタ素子ＳＷ−Ｍが通過温度Ｔ_0Gに到達したと判定されたとき、到達判定時におけるモニタ素子ＳＷ−Ｍの温度は、「Ｔ_0G＋ΔＴ_{RM_ini}」に補正される。この補正後の温度に基づいて、到達判定時以後、モニタ回路４０により検出されたモニタ温度Ｔ_Mが補正される。

図１５に、第３実施形態において猶予温度が最小の素子が常にモニタ素子ＳＷ−Ｍである場合の出力制限処理の例を示す。図１１と同様に、時刻ｔｊ１以前、アナログ出力誤差ΔＴａｎａ_Mが補正されたモニタ温度Ｔ_M（すなわち、「Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M」）が制限対象温度となっている。
時刻ｔｊ１にモニタ温度「Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M」が通過温度Ｔ_0Gに到達すると、到達判定回路補正部７５により、時刻ｔｊ１におけるモニタ温度「Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M」に対し、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用到達判定回路５０の初期検出誤差ΔＴ_{RM_ini}が補正される。その結果、時刻ｔｊ１以後、「Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M＋ΔＴ_{RM_ini}」が制限対象温度となる。

その後、時刻ｔｘｍに補正後のモニタ温度「Ｔ_M＋ΔＴａｎａ_M＋ΔＴ_{RM_ini}」が出力制限温度Ｔｌｉｍ_Mに到達すると、出力制限部７３は昇圧コンバータ２０１の出力制限を開始する。なお、時刻ｔｊ１から時刻ｔｘｍの間の時刻ｔｊ２、ｔｊ３に一般素子ＳＷ−Ｇａ、ＳＷ−Ｇｂの素子温度が通過温度Ｔ_0Gに到達する。しかし、図示を省略するが、到達判定時ｔｊ２、ｔｊ３における一般素子ＳＷ−Ｇａ、ＳＷ−Ｇｂの猶予温度がいずれもモニタ素子ＳＷ−Ｍの猶予温度よりも大きいため、制限対象温度の更新はされない。
これにより、特に、モニタ温度Ｔ_Mが制限対象温度となる場合の出力制限の開始タイミングを適切に決定することができる。

このように、制御ＥＣＵ７０３では、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用、及び、一般素子ＳＷ−Ｇａ、ＳＷ−Ｇｂ用の各到達判定回路５０の初期検出誤差ΔＴ_{RM_ini}、ΔＴ_{RGa_ini}、ΔＴ_{RGb_ini}が到達判定回路補正部７５で補正される。
ただし、初期検出誤差が設定された基準温度との温度差による温度特性の影響、又は、初期以後の到達判定回路５０の劣化に基づく誤差である「温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}」が発生する可能性がある。つまり、到達判定回路補正部７５による補正後においても、温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}のみは残る可能性があると考えられる。
そこで、制御ＥＣＵ７０３は、各到達判定回路５０の検出誤差ΔＴ_RM、ΔＴ_RGa、ΔＴ_RGbを温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}のみにより規定する。なお、基準温度との温度差による温度特性の影響や劣化の程度が小さい場合、温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}を無視し、各到達判定回路５０の検出誤差ΔＴ_RM、ΔＴ_RGa、ΔＴ_RGbを０とみなしてもよい。

図１６にて、各到達判定回路５０の温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}は同等であるものとする。
図１６に示すように、モニタ素子ＳＷ−Ｍの第１群マージンΣΔＴ＿１について、モニタ回路４０の検出誤差ΔＴ_RMは、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用の到達判定回路５０の温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}のみにより規定される。また、一般素子ＳＷ−Ｇａの第２群マージンΣΔＴ＿２について、到達判定回路５０の検出誤差ΔＴ_RGaは、温特劣化誤差ΔＴ_{R_TC}のみにより規定される。したがって、第１実施形態の図７、及び、第２実施形態の図１２に比べ、出力制限温度Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_Gaを高く設定し、素子性能をさらに有効に発揮させることができる。

上述した形態では、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用、及び、一般素子ＳＷ−Ｇａ、ＳＷ−Ｇｂ用の各到達判定回路５０をいずれも到達判定回路補正部７５の補正対象としている。その他第３実施形態の変形例として、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用の到達判定回路５０、又は、いずれか一つ以上の一般素子ＳＷ−Ｇａ、ＳＷ−Ｇｂ用の到達判定回路５０のみを到達判定回路補正部７５の補正対象としてもよい。また、制御ＥＣＵは、アナログ出力補正部７４を備えず、到達判定回路補正部７５のみを備えるようにしてもよい。

（第４、第５実施形態）
次に、第１〜第３実施形態とは電力変換回路の構成、及び、モニタ素子ＳＷ−Ｍ及び一般素子ＳＷ−Ｇ＊の数が異なる第４、第５実施形態の電力変換装置について、図１７、図１８を参照して説明する。
図１７、図１８では、スイッチング素子及び制御ＥＣＵの符号として、第１実施形態の図１と同じ符号を用いる。ただし、複数のスイッチング素子２１〜２６については、単に「電力変換回路を構成するスイッチング素子のうち１番目〜６番目のもの」という意味で付番しているに過ぎず、電力変換回路における機能的な観点から「実質的に同一の構成」として扱うわけではない。なお、図１では、図１７の回路との配置の共通点から、三つの素子について「２４、２５、２６」の符号を用いている。また、図１、図１７、図１８の制御ＥＣＵ７０は、それぞれ入力されるモニタ温度Ｔ_M及び到達判定信号ｒｊの数は異なるが、実行する処理については実質的に同一であると解釈して同一の符号を付す。

図１７に示す第４実施形態の電力変換装置１０４は、「電力変換回路」として昇降圧コンバータ２０４を備える。
例えばモータジェネレータを負荷として駆動するシステムでは、バッテリ１１が放電した電力を消費してモータジェネレータを駆動する力行動作、及び、モータジェネレータが発電した電力をバッテリ１１へ充電する回生動作の両方が行われる。このようなシステムにおいて、昇降圧コンバータ２０４は、モータジェネレータの力行動作時にバッテリ１１の電圧を昇圧して負荷１６に供給し、回生動作時に負荷１６側の電圧を降圧してバッテリ１１に回生する。

図１７の昇降圧コンバータ２０４は、図１の昇圧コンバータ２０１に対し、リアクトル１３の出力端と平滑コンデンサ１４の高電位側との間に、複数のスイッチング素子２１、２２、２３が並列に接続されている。すなわち、昇降圧コンバータ２０４は、上アームの複数のスイッチング素子２１、２２、２３、及び、下アームの複数のスイッチング素子２４、２５、２６から構成されている。図１７の例では、上アーム及び下アームにそれぞれ三つ、計六つのスイッチング素子が用いられている。周知の通り、上アーム及び下アームのスイッチング素子は相補的にＯＮ／ＯＦＦするようにスイッチング動作する。

モータジェネレータの力行動作時、下アームの複数のスイッチング素子２４、２５、２６の動作により、リアクトル１３に蓄積されたエネルギーを用いてバッテリ１１の電圧を昇圧し、負荷１６側の平滑コンデンサ１４を充電する。また、モータジェネレータの回生動作時、上アームの複数のスイッチング素子２１、２２、２３の動作により、負荷１６側の電圧を降圧してバッテリ１１に回生する。
昇降圧コンバータ２０４では、モータジェネレータが回生動作状態であるか力行動作状態であるかにより、上アームの複数のスイッチング素子２１、２２、２３のグループと、下アームの複数のスイッチング素子２４、２５、２６のグループとの発熱程度が異なる。

そこで、上アームの真ん中のスイッチング素子２２と、下アームの真ん中のスイッチング素子２５との二つが、それぞれモニタ素子ＳＷ−ＭＵ、ＳＷ−ＭＬとして選択され、対応する感温ダイオード３２、３５にモニタ回路４０が接続される。残り四つのスイッチング素子２１、２３、２４、２６は、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄとされ、対応する感温ダイオード３１、３３、３４、３６に到達判定回路５０が設けられる。また、第３実施形態のように、モニタ素子ＳＷ−ＭＵ、ＳＷ−ＭＬ用の到達判定回路５０をさらに設けてもよい。
制御ＥＣＵ７０による出力制限処理の構成は、第１又は第２実施形態と同様である。また、第３実施形態のように、到達判定回路補正部７５を設けてもよい。

図１８に示す第５実施形態の電力変換装置１０５は、「電力変換回路」としてインバータ２０５を備える。インバータ２０５は、バッテリ１１から入力された直流電力を三相交流電力に変換し、三相交流電動機であるモータジェネレータ（図中「ＭＧ」）１８に供給する。なお、バッテリ１１とインバータ２０５との間に第４実施形態の昇降圧コンバータ２０４が設けられてもよい。

インバータ２０５は、上下アームの六つのスイッチング素子２１〜２６がブリッジ接続されている。例えばスイッチング素子２１、２２、２３は、それぞれＵ相、Ｖ相、Ｗ相の上アームのスイッチング素子であり、スイッチング素子２４、２５、２６は、それぞれＵ相、Ｖ相、Ｗ相の下アームのスイッチング素子である。
インバータ２０５は、ゲートに入力されるＰＷＭ信号等の駆動信号に従って複数のスイッチング素子２１〜２６が動作することで、電圧指令に応じた三相電圧をモータジェネレータ１８の各相巻線に印加することで、モータジェネレータ１８の出力を制御する。

ここで、モータジェネレータ１８の回転が停止したロック状態を除いては、各相のスイッチング素子に流れる電流は同等になる。また、ＰＷＭ制御のＤｕｔｙが平均５０％であるとすると、上アームの各相スイッチング素子２１、２２、２３と下アームの各相スイッチング素子２４、２５、２６に流れる電流は同等になる。したがって、全てのスイッチング素子２１〜２６の発熱は極端には変わらないと想定される。

そこで、六つのスイッチング素子のうち、下アームの真ん中のスイッチング素子２５がモニタ素子ＳＷ−Ｍとして選択され、対応する感温ダイオード３５にモニタ回路４０が接続される。残り五つのスイッチング素子２１、２２、２３、２４、２６は、一般素子ＳＷ−Ｇａ、Ｇｂ、Ｇｃ、Ｇｄ、Ｇｅとされ、対応する感温ダイオード３１、３２、３３、３４、３６に到達判定回路５０が設けられる。また、第３実施形態のように、モニタ素子ＳＷ−Ｍ用の到達判定回路５０をさらに設けてもよい。
制御ＥＣＵ７０による出力制限処理の構成は、第１又は第２実施形態と同様である。また、第３実施形態のように、到達判定回路補正部７５を設けてもよい。

第４、第５実施形態のように、ほぼ同等レベルの動作をし、熱的条件が比較的近いと考えられる複数のスイッチング素子を含む電力変換回路において、第１又は第２実施形態による出力制限処理の効果は同様に得られる。
また、第５実施形態の変形例として、インバータの上下アームの各相スイッチング素子を二つずつ並列に接続する構成では、十二個のスイッチング素子のうち一つのモニタ素子ＳＷ−Ｍを選択する例が考えられる。このように、一つのモニタ素子ＳＷ−Ｍに対応する一般素子ＳＷ−Ｇ＊の数が多くなるほど、全ての素子にモニタ回路４０を設けて全ての素子温度を検出する構成に比べ、モニタ回路４０の数を低減し装置を小型化する効果が顕著となる。

（その他の実施形態）
（１）上記実施形態では、スイッチング素子の温度に応じたアナログ温度信号を出力する「素子温度出力器」として、感温ダイオードが用いられている。これ以外にも、例えばバイメタル式サーモスタット等の温度検出器を「素子温度出力器」として用いてもよい。

（２）上記実施形態では通過温度Ｔ_0Gは素子に依らず一律に設定されているが、通過温度を素子毎に設定してもよい。
（３）本発明の電力変換装置は、ハイブリッド自動車等のモータジェネレータを駆動するシステムに限らず、複数のスイッチング素子の動作により電力を変換するどのようなシステムに用いられてもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。

１０１、１０３、１０４、１０５・・・電力変換装置、
２０１・・・昇圧コンバータ（電力変換回路）、
２０４・・・昇降圧コンバータ（電力変換回路）、
２０５・・・インバータ（電力変換回路）、
２１〜２６・・・スイッチング素子、
３１〜３６・・・感温ダイオード（素子温度出力器）、
４０・・・モニタ回路、
５０・・・到達判定回路、
７０（７０１、７０２）・・・制御ＥＣＵ、
７２・・・最小猶予温度推定部、
７３・・・出力制限部。

Claims (10)

1. 複数のスイッチング素子（２１−２６）の動作により入力電力を変換して出力する電力変換回路（２０１、２０４、２０５）と、
   前記複数のスイッチング素子の個別の素子温度に応じたアナログ温度信号を出力する複数の素子温度出力器（３１−３６）と、
   前記複数のスイッチング素子のうちから選択された一つ以上のモニタ素子（ＳＷ−Ｍ）に対応して設けられ、前記素子温度出力器から入力されたアナログ温度信号に基づき、前記モニタ素子の素子温度であるモニタ温度（Ｔ_M）を経時的に検出する一つ以上のモニタ回路（４０）と、
   少なくとも前記モニタ素子以外の全ての前記スイッチング素子である一般素子（ＳＷ−Ｇ＊）に対応して設けられ、前記素子温度出力器から入力されたアナログ温度信号に基づき、対応する素子の温度が上昇して所定の通過温度（Ｔ_OG）に到達したことを判定する一つ以上の到達判定回路（５０）と、
   前記モニタ温度、及び前記到達判定回路からの到達判定信号に基づき、前記複数のスイッチング素子のうち、素子毎に設定された出力制限温度（Ｔｌｉｍ_M、Ｔｌｉｍ_G*）から素子の現在温度を差し引いた猶予温度（ＥＸ_M、ＥＸ_G*）が最小である素子の温度を制限対象温度として推定する最小猶予温度推定部（７２）と、
   前記制限対象温度がその素子の前記出力制限温度に到達したとき、前記電力変換回路の出力制限を開始する出力制限部（７３）と、
   を備え、
   前記最小猶予温度推定部は、
   前記モニタ温度が前記通過温度に到達する以前に、前記到達判定回路により、いずれかの前記一般素子の素子温度が前記通過温度に到達したことが判定されたとき、当該一般素子を特定素子として認定し、
   当該到達判定時（ｔｊ＃）における前記特定素子の猶予温度（ＥＸ_G*）が前記モニタ素子の猶予温度（ＥＸ_M）よりも小さい場合、前記通過温度と当該到達判定時における前記モニタ温度（Ｔ_OM）との差分（ΔＴ＊）を前記モニタ温度に加えた温度を前記特定素子の学習温度（Ｔ_G*）として推定し、
   前記出力制限部は、
   前記到達判定時までは前記モニタ温度を前記制限対象温度とし、
   前記到達判定時以後、前記特定素子の学習温度を前記制限対象温度として前記出力制限の実施を判断する電力変換装置。
2. 前記一般素子は複数であり、
   第１の前記一般素子（ＳＷ−Ｇａ）が第１の到達判定時（ｔｊ１）に前記通過温度に到達し第１の前記特定素子として認定された後、第１の前記特定素子の前記学習温度が前記出力制限温度に到達する以前の第２の到達判定時（ｔｊ２）に、第２の前記一般素子（ＳＷ−Ｇｂ）が前記通過温度に到達し第２の前記特定素子として認定されたとき、
   前記出力制限部は、
   前記第２の到達判定時における前記猶予温度が小さい方の前記特定素子の前記学習温度を前記制限対象温度として前記出力制限の実施を判断する請求項１に記載の電力変換装置。
3. 前記モニタ素子の素子温度についての前記素子温度出力器のアナログ出力誤差（ΔＴａｎａ_M）、前記モニタ回路の検出誤差（ΔＴ_M）、及び、温度変動幅（ΔＴｗｉｄ）の合計を第１群マージン（ΣΔＴ＿１）と定義し、
   前記一般素子の素子温度についての前記素子温度出力器のアナログ出力誤差（ΔＴａｎａ_G*）、前記到達判定回路の検出誤差（ΔＴ_RG*）、前記一般素子が前記特定素子として認定された場合に到達判定時から出力制御を開始するまでの猶予期間において前記特定素子と前記モニタ素子との損失ばらつきに基づいて生じる発熱差（ΔＴ_G*-M）、及び、温度変動幅（ΔＴｗｉｄ）の合計を第２群マージン（ΣΔＴ＿２）と定義すると、
   前記モニタ素子の前記出力制限温度（Ｔｌｉｍ_M）は、前記スイッチング素子の耐熱温度（Ｔｒｅｓ）から前記第１群マージンを差し引いた温度以下に設定され、
   前記一般素子の前記出力制限温度（Ｔｌｉｍ_G*）は、前記スイッチング素子の耐熱温度から前記第２群マージンを差し引いた温度以下に設定される請求項１または２に記載の電力変換装置。
4. 前記温度変動幅は、出力制御が追従不能な外乱による前記電力変換回路の過渡動作による温度変化（ΔＴｔｒｄ）以上の値に設定されている請求項３に記載の電力変換装置。
5. 前記素子温度出力器のアナログ出力誤差を補正するアナログ出力補正部（７４）をさらに備え、
   前記出力制限温度の設定において、前記第１群マージン及び前記第２群マージンの前記アナログ出力誤差を０とみなす請求項３または４に記載の電力変換装置。
6. 前記アナログ出力補正部は、前記素子温度出力器の個体毎に予め設定されたアナログ出力誤差の校正値を不揮発メモリに記憶している請求項５に記載の電力変換装置。
7. 少なくとも一つ以上の前記到達判定回路の初期検出誤差（ΔＴ_{RM_ini}、ΔＴ_{RGa_ini}、ΔＴ_{RGb_ini}）を補正する到達判定回路補正部（７５）をさらに備え、
   前記到達判定回路補正部の補正対象である前記到達判定回路の検出誤差を、前記初期検出誤差が設定された基準温度との温度差による温度特性の影響、又は、初期以後の前記到達判定回路の劣化に基づく誤差である温特劣化誤差（Ｔ_{R_TC}）のみにより規定する請求項３〜６のいずれか一項に記載の電力変換装置。
8. 前記到達判定回路補正部の補正対象として、前記モニタ素子に対応して設けられるモニタ素子用到達判定回路が含まれており、且つ、前記モニタ素子用到達判定回路により前記モニタ素子が前記通過温度に到達したと判定されたとき、前記到達判定回路補正部により補正された温度に基づいて、当該到達判定時以後の前記モニタ温度が補正される構成であり、
   前記モニタ素子の前記出力制限温度の設定において、前記第１群マージンの前記モニタ回路の検出誤差を、前記モニタ素子用到達判定回路の前記温特劣化誤差のみにより規定する請求項７に記載の電力変換装置。
   
9. 前記到達判定回路補正部の補正対象として、前記一般素子に対応する前記到達判定回路が含まれており、
   前記一般素子の前記出力制限温度の設定において、前記第２群マージンの前記到達判定回路の検出誤差を、前記一般素子に対応する前記到達判定回路の前記温特劣化誤差のみにより規定する請求項７または８に記載の電力変換装置。
10. 前記到達判定回路補正部は、前記到達判定回路の個体毎に予め設定された初期検出誤差の校正値を不揮発性メモリに記憶している請求項７〜９のいずれか一項に記載の電力変換装置。

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