JP4473156B2 - 電圧変換装置および車両 - Google Patents
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Description
T(GA)=K×(VB−VINV)+T(GD)… (1)
一方、ステップS6では温度T(GD)を判定温度としてそのまま使用する。これはVB<VINVの場合にはIGBT素子GAの温度よりもIGBT素子GDの温度の方が高くなるからである。
T(GC)=−K×(VB−VINV)+T(GB)… (2)
ステップS8,S9が終了するとステップS10の処理が実行される。
Claims (6)
- 第1の電圧が印加される第1のノードと第2の電圧が印加される第2のノードとの間に接続され、前記第1、第2の電圧の相互電圧変換を行ない、少なくとも第1のアームおよび第2のアームを含む電圧変換部と、
前記第1の電圧を検出する第1の電圧センサと、
前記第2の電圧を検出する第2の電圧センサと、
前記電圧変換部を通過する電流を検出する電流センサと、
前記第1、第2のアームのいずれか一方の温度を検出する第1の温度センサと、
前記第1、第2の電圧センサの出力、前記電流センサの出力および前記第1の温度センサの出力に応じて前記電圧変換部の過熱保護を行なう制御回路とを備え、
前記第1のアームは、
前記第1のノードと前記第1、第2の電圧の基準電位を与える第3のノードとの間に直列に接続される第1、第2のスイッチング素子を含み、
前記第2のアームは、
前記第2のノードと前記第3のノードとの間に直列に接続される第3、第4のスイッチング素子を含み、
前記電圧変換部は、
前記第1、第2のスイッチング素子の接続ノードと前記第3、第4のスイッチング素子の接続ノードとの間に接続されるリアクトルをさらに含み、
前記第1のスイッチング素子と前記第4のスイッチング素子には等量の電流が流れ、
前記第1の温度センサは、前記第1、第4のスイッチング素子のいずれか一方の温度を検出し、
前記制御回路は、前記第1、第4のスイッチング素子のいずれか他方の温度を前記第1、第2の電圧センサの出力および前記電流センサの出力に応じて推定する、電圧変換装置。 - 前記第1の温度センサは、前記第1、第4のスイッチング素子のいずれか一方と同一基板に設けられる第1の温度検出用ダイオード素子と、
前記第1の温度検出用ダイオード素子に電流を流して順方向電圧を測定する第1の電圧測定回路とを含み、
前記第1、第4のスイッチング素子のいずれか他方が形成される基板には、未使用の第2の温度検出用ダイオード素子が形成されている、請求項1に記載の電圧変換装置。 - 前記第2のスイッチング素子と前記第3のスイッチング素子には等量の電流が流れ、
前記電圧変換装置は、
前記第2、第3のスイッチング素子のいずれか一方の温度を検出する、第2の温度センサをさらに備え、
前記制御回路は、前記第2、第3のスイッチング素子のいずれか他方の温度を前記第1、第2の電圧センサの出力および前記電流センサの出力に応じて推定する、請求項1または2に記載の電圧変換装置。 - 前記第2の温度センサは、前記第2、第3のスイッチング素子のいずれか一方と同一基板に設けられる第3の温度検出用ダイオード素子と、
前記第3の温度検出用ダイオード素子に電流を流して順方向電圧を測定する第2の電圧測定回路とを含み、
前記第2、第3のスイッチング素子のいずれか他方が形成される基板には、未使用の第4の温度検出用ダイオード素子が形成されている、請求項3に記載の電圧変換装置。 - 前記第1の電圧の取り得る範囲と前記第2の電圧の取り得る範囲とは一部が重なる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電圧変換装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の電圧変換装置と、
前記第1のノードに接続されるバッテリと、
整流素子を介して前記第2のノードに接続される燃料電池と、
前記第2のノードに接続されるインバータと、
前記インバータによって駆動される回転電機とを備える、車両。
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