JP6545607B2 - エッチング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 25
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 20
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 20
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 132
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- -1 hexavalent chromium Chemical compound 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
図1は、第1実施形態のエッチング液の成分を説明するための模式図である。
図1(a)は、第1実施形態の比較例のエッチング液の成分を模式的に示している。このエッチング液は、フッ化水素(HF)、硝酸(HNO3)、酢酸(CH3COOH)、および水(H2O)を含有しているが、六価クロムなどのクロムは原則含有していない。このエッチング液の例は、JIS H 0609として標準化されたクロムレスエッチング液である。このエッチング液中では、HF分子、HNO3分子、およびCH3COOH分子の少なくとも一部が電離している。
図2(a)は、濃度50.0%のHF水溶液(フッ化水素酸)と、濃度69.5%のHNO3水溶液と、濃度35.5%のHCl水溶液(塩酸)と、純水とを混合して作製された8種類のエッチング液を示している。これらのエッチング液は、図1(b)に示すエッチング液の具体例に相当する。
図3(a)は、検査対象の基板1を示している。基板1の例は、シリコンウェハなどの半導体ウェハである。図3(a)に示す基板1は、結晶欠陥2を有している。結晶欠陥2の例は、転位やスリップである。
図4の横軸は、エッチピット5のサイズ(ピットサイズ)を示す。図4の縦軸は、基板1をSEM6により観察して得られたSEM画像のΔ値を示す。Δ値は、SEM画像の各画素を白黒の0〜255階調のグレースケール値で表し、各画素についてグレースケール値と基準値との差分値を算出し、全画素の差分値を平均することで算出される。
図5は、第1実施形態のエッチング液、Wright液、JIS-B液、JIS-C液、JIS-D液、およびJIS-G液を用いた場合のピットサイズとΔ値の測定結果を示している。これらのJIS液は、JIS H 0609として標準化されたクロムレスエッチング液であり、図1(a)に示す比較例のエッチング液に相当する。JIS液の成分の詳細については、図7を参照されたい。図7は、第1実施形態の比較例のエッチング液の成分を示した表である。図7では、JIS液の成分が容量組成比で示されている。
一般に、ピットサイズは、選択エッチング液3による基板1の処理時間(エッチング時間)が長くなるほど大きくなる。しかしながら、ピットサイズが大きすぎると、結晶欠陥2のサイズに対するエッチピット5のサイズが大きすぎて、結晶欠陥2の発生位置を特定することが困難となる。一方、ピットサイズが小さすぎると、エッチピット5をSEM6により検出することが困難となる。そのため、本実施形態のピットサイズは、0.1μm〜0.3μmとすることが望ましい。
図6は、条件1〜8のエッチング液を使用した場合のピットサイズ、Δ値、パターン長を示している。パターン長は、エッチング後に測定された基板1上の所定のデバイスパターンの長さを示す。一般に、パターン長は、基板1のエッチング時間が長くなるほど短くなる。パターン長の変動が大きいと結晶欠陥2の発生位置を特定することが困難となるため、パターン長の変動は小さいことが望ましい。
条件1を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長は0.31μmで良好であった。また、Δ値は25で良好であった。しかしながら、ピットサイズは0.03μmで、好適な値(0.1〜0.3μm)よりも小さかった。
条件2を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長は0.33μmで良好であった。また、Δ値は25で良好であった。しかしながら、ピットサイズは0.04μmで、好適な値(0.1〜0.3μm)よりも小さかった。
条件3を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長は0.21μmで良好であった。また、Δ値は33で良好であった。また、ピットサイズは0.17μmで良好であった。
条件4を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長は0.21μmで良好であった。また、Δ値は35で良好であった。また、ピットサイズは0.20μmで良好であった。
条件5を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長、Δ値、ピットサイズはそれぞれ0.15μm、50、0.42μmでいずれも良好ではなかった。
条件6を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長、Δ値、ピットサイズはそれぞれ0.15μm、54、0.44μmでいずれも良好ではなかった。
条件7を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長、Δ値、ピットサイズはそれぞれ0.11μm、67、0.83μmでいずれも良好ではなかった。
条件8を満たす選択エッチング液3を用意し、前処理後の基板1をこの選択エッチング液3に浸漬した後、基板1をSEM6により観察した。その結果、パターン長、Δ値、ピットサイズはそれぞれ0.16μm、68、0.88μmでいずれも良好ではなかった。
図8は、第2実施形態の結晶欠陥評価方法を説明するための表である。
図8は、図5と同様に、第2実施形態のエッチング液、Wright液、JIS-B液、JIS-C液、JIS-D液、およびJIS-G液を用いた場合のピットサイズとΔ値の測定結果を示している。図8に示す番号「1〜6」は、図5に示す番号「1〜6」と対応している。第2実施形態のエッチング液は、条件3のエッチング液である。
4:酸化膜、5:エッチピット、6:走査型電子顕微鏡
Claims (6)
- フッ化水素、硝酸、塩化水素、および水を含有しており、クロムおよび酢酸を原則含有していないエッチング液を基板に供給し、
前記エッチング液により前記基板の結晶欠陥の箇所に凹部を形成し、
前記凹部を検査する、
ことを含み、
前記エッチング液中の前記フッ化水素、前記硝酸、前記塩化水素、および前記水の重量組成比は、1.7〜2.4:30.3〜49.6:1.4〜9.2:46.5〜60.1である、エッチング方法。 - 前記凹部のサイズは、0.1μm〜0.3μmである、請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液により前記基板の結晶欠陥の箇所に膜を形成し、
前記エッチング液により前記膜を除去して前記基板に前記凹部を形成する、
ことをさらに含む請求項1または2に記載のエッチング方法。 - 前記膜は、前記基板の酸化により形成される、請求項3に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液による前記基板の処理時間は、10秒〜10分である、請求項1から4のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液は、有機酸を原則含有していない、請求項1から5のいずれか1項に記載のエッチング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015232057A JP6545607B2 (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | エッチング方法 |
US15/254,310 US10008426B2 (en) | 2015-11-27 | 2016-09-01 | Etching method and etchant |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015232057A JP6545607B2 (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017098502A JP2017098502A (ja) | 2017-06-01 |
JP6545607B2 true JP6545607B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=58777306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015232057A Active JP6545607B2 (ja) | 2015-11-27 | 2015-11-27 | エッチング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10008426B2 (ja) |
JP (1) | JP6545607B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110333251A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-10-15 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种边缘损伤纵深的计算方法及装置 |
KR102255421B1 (ko) * | 2020-08-11 | 2021-05-24 | 충남대학교산학협력단 | 단결정 산화갈륨의 결함 평가방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63215041A (ja) | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Toshiba Corp | 結晶欠陥評価用エツチング液 |
JPH01133331A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Hironobu Nishikawa | 半導体用エッチング液 |
JPH07263429A (ja) | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Matsushita Electron Corp | 選択エッチング液 |
US5681398A (en) * | 1995-03-17 | 1997-10-28 | Purex Co., Ltd. | Silicone wafer cleaning method |
US6066571A (en) * | 1997-01-10 | 2000-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of preparing semiconductor surface |
JP3450683B2 (ja) * | 1997-01-10 | 2003-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体被処理面の調製方法 |
JP3651440B2 (ja) | 2002-01-16 | 2005-05-25 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液 |
JP4382438B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2009-12-16 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハの検査方法、半導体装置の開発方法、半導体装置の製造方法、および半導体ウェーハ処理装置 |
JP4442446B2 (ja) | 2005-01-27 | 2010-03-31 | 信越半導体株式会社 | 選択エッチング方法 |
US8716145B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-05-06 | Intermolecular, Inc. | Critical concentration in etching doped poly silicon with HF/HNO3 |
-
2015
- 2015-11-27 JP JP2015232057A patent/JP6545607B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-01 US US15/254,310 patent/US10008426B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10008426B2 (en) | 2018-06-26 |
JP2017098502A (ja) | 2017-06-01 |
US20170154829A1 (en) | 2017-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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