JP6544171B2 - 表面処理状況モニタリング装置 - Google Patents
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Description
a) 所定の波長幅と可干渉性を有する光を発する複数の光源であって、発する光の波長帯域が相互に異なる複数の光源と、
b) 前記複数の光源からそれぞれ発せられた照射光を前記試料表面の測定対象構造を含む範囲に照射する照射光学系と、
c) 前記測定対象構造の大きさを規定する2つの部位でそれぞれ反射した光の干渉により生じた干渉光を含む測定光を波長分散して検出する検出部と、
d) 前記検出部からの出力信号に基づき測定光スペクトルを生成するスペクトル生成部と、
e) 前記測定光スペクトルを周波数解析して前記測定対象構造の大きさを決定する構造決定部と
を備えることを特徴とする。
10…光源部
11…第1SLD光源
12…第2SLD光源
13…光源部第1光ファイバ
14…光源部第2光ファイバ
15…光源部ファイバカプラ
20…測定光学系
21…測定系第1光ファイバ
22…測定系ファイバカプラ
23…測定系第2光ファイバ
24…コリメートレンズ
25…測定系第3光ファイバ
30…分光部
31…回折格子
32…CCDラインセンサ
40…データ処理部
41…記憶部
42…スペクトル生成部
43…周波数解析部
44…フィッティング演算部
45…構造決定部
48…入力部
49…表示部
50…試料
51…溝
Claims (4)
- 表面処理加工によって基板上に形成される孔若しくは溝の深さや段差、又は増加若しくは減少する膜層や基板の厚さといった、試料表面に形成される測定対象構造の大きさを測定する表面処理状況モニタリング装置であって、
a) 所定の波長幅と可干渉性を有する光を発する複数の光源であって、発する光の波長帯域が相互に異なる複数の光源と、
b) 前記複数の光源からそれぞれ発せられた照射光を前記試料表面の測定対象構造を含む範囲に照射する照射光学系と、
c) 前記測定対象構造の大きさを規定する2つの部位でそれぞれ反射した光の干渉により生じた干渉光を含む測定光を波長分散して検出する検出部と、
d) 前記検出部からの出力信号に基づき測定光スペクトルを生成するスペクトル生成部と、
e) 前記測定光スペクトルを周波数解析して前記測定対象構造の大きさを決定する構造決定部と
を備え、
前記複数の光源からそれぞれ発せられる照射光の波長帯域の総和が、前記複数の光源から発せられる照射光の波長のうちの最短波長と最長波長で規定される合成波長帯域の半分以上であることを特徴とする表面処理状況モニタリング装置。 - 前記複数の光源の発光帯域が相互に離間していることを特徴とする請求項1に記載の表面処理状況モニタリング装置。
- 前記構造決定部が、前記測定光スペクトルを表面処理加工前の前記試料表面からの反射光のスペクトルにより正規化した後に周波数解析することを特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理状況モニタリング装置。
- f) 前記表面処理加工前の前記試料表面からの反射光の強度と前記測定光の強度の関係を表す数式であって前記測定対象構造の大きさをパラメータに含む理論式を用い、該理論式により表される演算スペクトルを前記測定光スペクトルにフィッティングすることにより前記測定対象構造の大きさを推定するフィッティング演算部
を備え、
前記構造決定部が前記周波数解析の結果及び前記フィッティング演算部による推定結果に基づいて前記測定対象構造の大きさを決定することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の表面処理状況モニタリング装置。
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