JP6538496B2 - メモリシステム - Google Patents
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Description
図1乃至図21を参照して、実施形態に係るメモリシステムを、説明する。
(a) 構成
図1乃至図8を用いて、実施形態のメモリシステムの構成例を説明する。
ホストデバイス99は、データの書き込み/消去、データの読み出しを、ストレージデバイス1に要求する。
メモリコントローラ200は、例えば、ワークメモリ(RAM)220及びプロセッサ(CPU)230、バッファメモリ240、メモリインターフェイス回路250、及びECC回路260を含む。
例えば、ワークメモリ220は、DRAMであり、CPU230の作業領域として使用される。ワークメモリ220は、半導体メモリ201の動作を制御するためのソフトウェア/ファームウェア、及び、半導体メモリ201を管理するための1以上の管理テーブルTBLを、一時的に保持する。例えば、バッファメモリ240は、SRAMである。バッファメモリ240は、ホストデバイス99と半導体メモリ201との間で転送されるデータを、一時的に保持する。
第1及び第2の領域101,102は、1以上のブロックBLKを含む。ブロックBLKはデータの消去単位である。ブロックBLKの各々は、複数(例えば、4つ)のストリングユニットSU(SU0,SU1,SU2・・・)を含む。複数のストリングユニットSUは、NANDストリング(メモリストリング)111の集合である。NANDストリング111は、直列接続された複数のメモリセルを含む。メモリセルアレイ10内のブロック数、1ブロックBLK内のストリングユニットの数、NANDストリング111内のメモリセルの数は、任意である。
メモリセルアレイ10の内部構成については、後述する。
ウェルドライバ15は、NANDストリング111が設けられるウェル領域に、電圧を印加する。
チャージポンプ17は、メモリセルアレイ10内の各配線に印加される各種の電圧を、生成する。
図3乃至図5を参照して、本実施形態における、3次元構造のメモリセルアレイの内部構成の一例について、説明する。
1つのソース側セレクトゲート線SGSは、ソース側セレクトトランジスタST2のゲートに共通接続される。尚、複数のソース側セレクトゲート線SGSが、ブロックBLK内のある制御単位に対応するように、1つのブロックBLK内に設けられてもよい。
ソース側セレクトトランジスタST2の他端は、ソース線SLに接続されている。
半導体ピラーSPは、D1方向及びD2方向に沿って、基板100内のn型ウェル領域191上にアレイ状に配列されている。
第1のメモリセルMCAは、1つのメモリトランジスタMTによって、1ビット以上のデータを記憶できる。
第2のメモリセルMCBは、2以上のメモリトランジスタMTによって、1ビット以上のデータを記憶できる。以下では、説明の簡単化のため、第2のメモリセルMCBが2つのメモリトランジスタMTを含む場合について、説明する。この場合、第2のメモリセルMCBは、2つの制御ゲート電極を含み、Z方向に隣り合う2つのワード線(以下では、ワード線WLk,WLk+1と表記される)が、メモリセルMCBに接続されている。ここで、“k”は、0以上の整数である。
その結果として、第2のメモリセルMCBのリテンション特性は、第1のメモリセルMCAのリテンション特性よりも高くなる。
図6乃至図15を参照して、実施形態のメモリシステムの動作例(制御方法)を、説明する。
以下において、フラッシュメモリ201のコールドデータ領域102のメモリセルMCBがSLCである場合について、本実施形態のメモリシステムの動作を、説明する。
図6及び図7を参照して、本実施形態のメモリシステムの書き込み動作を、説明する。ここでは、フラッシュメモリのコールドデータ領域に対するデータの書き込みを、説明する。
本実施形態において、図7のタイミングチャートに示されるように、コールドデータ領域102に対するデータの書き込み時、メモリコントローラ200は、第1の信号(A3h)CZをさらに含む書き込みコマンドCMD−Wを、発行する。以下では、構成要素の区別化のために、第1の信号CZのことを、モード信号CZとよぶ。
メモリコントローラ200は、モード信号CZ及び第1の書き込みコマンドWT1の送信の後、データを書き込むべきページのアドレス(選択アドレス)ADRを、送信する。
ウェルドライバ15は、p型ウェル領域192の電位を制御する。
ソース線ドライバ16は、ソース線SRCに、電圧VSRCを印加する。
センス回路13は、書き込みセルに接続されたビット線BLに、電圧Vssを印加する。センス回路13は、書き込み禁止セルに接続されたビット線BLに、0Vより大きい電圧VHSAを印加する。
これによって、書き込みセルに関して、ビット線BLが、オン状態のドレイン側セレクトトランジスタST1を介して、半導体ピラーSPと導通する。
一方、書き込み禁止セルに関して、ビット線BLの電位VHSAとドレイン側セレクトトランジスタST1のゲート電圧VHSAとによって、トランジスタST1は、カットオフする。
ロウデコーダ12は、選択されたストリングユニットSUのソース側セレクトゲート線SGSに、電圧Vssを印加する。
これによって、図7に示されるように、本実施形態において、ロウデコーダ12は、シーケンサ19の制御によって、選択アドレスADRに対応する2つのワード線WLk,WLk+1を、活性化する。
これによって、コールドデータ領域102における選択ワード線WLk,WLk+1に接続されたメモリセルMCBに関して、書き込みセル(メモリトランジスタMT)のメモリ膜79に、電子が注入される。書き込みセルのしきい値電圧が、正の方向にシフトする。一方、書き込み禁止セルにおいて、ドレイン側セレクトトランジスタST1のカットオフによって、メモリトランジスタMTのチャネルブーストされる。それゆえ、書き込み禁止セルに対する電子の注入は、抑制される。
ロウデコーダ12は、セレクトゲート線SGS,SGDに、電圧VSGD,VSGSを転送し、セレクトトランジスタST1,ST2をオンさせる。
ロウデコーダ12は、非選択ワード線otherWLsに、非選択電圧(読み出しパス電圧)Vreadを、印加する。
ベリファイ電圧Vvfの印加によって、選択セルMCBがオンした場合、オン状態の選択セルに接続されたビット線BLに電流が発生し、ビット線BLに接続されたノードの電位は、低下する。センス回路13が、ビット線BLの電流の発生(ノードの電位の低下)を検知する。この結果として、電流が発生したビット線BLに接続された選択セルMCBは、ベリファイフェイルであると、判定される。
これによって、フラッシュメモリ201(シーケンサ19)は、コールドデータ領域102に対するデータの書き込みの完了を、メモリコントローラ200に通知する(ステップST103)。
図8及び図9を参照して、本実施形態のメモリシステムの読み出し動作について、説明する。ここでは、フラッシュメモリのコールドデータ領域からのデータの読み出しを、説明する。
これによって、メモリコントローラ200は、データがフラッシュメモリ201のコールドデータ領域102内に存在することを、検知する。
シーケンサ19は、コールドデータ領域102に対するデータの読み出しを実行する(ステップST201)。
シーケンサ19は、コールドネス情報に基づいて、読み出し電圧Vcgrを決定する。読み出し電圧Vcgrは、デフォルトの電圧値(初期設定電圧V1)に対して、コールドネス情報に基づいたある電圧値(補正電圧値V2)が加算又は減算された大きさを有する。
ロウデコーダ12は、選択されたソース側セレクトゲート線SGSに、電圧VSGSを印加する。ロウデコーダ12は、非選択ワード線otherWLsに、読み出しパス電圧Vreadを印加する。
ロウデコーダ12は、2つのワード線WLk,WLk+1に、コールドネス情報が反映された読み出し電圧Vcgrを印加する。例えば、SLCに対するデータの読み出しにおいて、読み出し電圧Vcgrは、ある判定電圧値(例えば、V1+V2)を含む。
センス回路13によるビット線BLに関する検知結果(Hレベル又はLレベルの信号)は、ページバッファ131に出力される。ページバッファ131は、その検知結果に基づいた信号を、選択ページから読み出されたデータとして、一時的に保持する。
尚、シフトリード処理は、選択ワード線WLk、WLk+1に印加される電圧の電圧値が図9の動作と異なり、シフトリード処理における他の配線の制御は、図9に示される動作と実質的に同じである。
ホストデバイス99は、メモリコントローラ200からのデータを受信する(ステップST2B)。
図10及び図11を参照して、本実施形態のメモリシステムの消去動作について、説明する。ここでは、フラッシュメモリのコールドデータ領域に対するデータの消去を、主に、説明する。
メモリコントローラ200は、管理テーブルTBLに基づいて、消去すべきデータが格納された領域が、コールドデータ領域102内に存在することを、検知する。
時刻T2Cにおいて、ロウデコーダ12は、コールドデータ領域102内のセレクトゲート線(例えば、ブロック内の全てのセレクトゲート線)SGD−sel,SGSに、電圧VSGを印加する。
ロウデコーダ12は、コールドデータ領域102内の選択ワード線(例えば、ブロック内の全てのワード線)WL−selに、電圧Vssを印加する。
時刻T4Cにおいて、センス回路13は、ビット線BL−selに、電圧VBLを印加する。ロウデコーダ12は、コールドデータ領域102内において、ワード線WL−selに電圧Vssを印加し、セレクトゲート線SGD−sel,SGSに電圧VSGを印加する。ウェルドライバ15は、ウェルコンタクトCPWELLに、ベリファイ電圧Vevfを、印加する。
ベリファイフェイルを示すビット線が検知された場合、消去電圧の印加と消去ベリファイとが、全てのビット線BLがベリファイパスを示すまで、繰り返し実行される。
全てビット線BLがベリファイパスを示す場合、コールドデータ領域102に対するデータの消去が完了する。
これによって、メモリコントローラ200は、コールドデータ領域102に対するデータの消去が完了したことを検知する(ステップST31)。
図12乃至図15を用いて、本実施形態のメモリシステムにおけるフラッシュメモリ内のデータの内部転送処理について、説明する。
メモリコントローラ200は、ノーマルデータ領域101内に、コールドデータとみなされるデータが存在するか否か判定する(ステップST41)。
尚、フラッシュメモリ201内におけるデータの内部転送を実行するコマンドは、上述の書き込みコマンド及び読み出しコマンドの組み合わせによって、生成されてもよい。
メモリコントローラ200は、データの保存先のアドレスを変更するために、管理テーブルTBL,TBL1内の情報を、内部データ転送の実行前又は実行後のタイミングで改定する。
フラッシュメモリ201のノーマルデータ領域101に対する各動作は、以下のように、実行される。
ノーマルデータ領域101に対するデータの書き込み、データの読み出し及びデータの消去は、ノーマルデータ領域101に対する各コマンドが、モード信号CZを含まないことが、コールドデータ領域102に対する各動作と異なる。
ノーマルデータ領域101における非選択ワード線WLk+1,otherWLs、ドレイン側及びソース側セレクトゲート線SGD(SGD−sel,SGD−unsel),SGS、ビット線BL、ソース線SRC及びウェル領域CPWELLに対する制御は、コールドデータ領域102に対するデータの書き込み及びデータの読み出しにおける各種の配線の制御と、実質的に同じである。
本実施形態のフラッシュメモリは、第1の領域101及び第2の領域102を含む。
第2の領域102における第2のメモリセルMCBのメモリトランジスタの個数は、第1の領域101における第1のメモリセルMCAのメモリトランジスタの個数より大きい。
図16乃至図19を参照して、実施形態のメモリシステムの適用例を説明する。
図16乃至図18を用いて、実施形態のメモリシステム(ストレージデバイス)の第1の適用例について、説明する。
スマートフォン40は、タッチパネル402を有する。タッチパネル402は、スマートフォン40のディスプレイデバイス及び入力部として機能する。
SSD9としてのメモリシステム9は、PC41及びサーバ43に、搭載される。
スマートフォン40に搭載される本適用例のメモリカード9は、以下のように、用いられる。
長期保存モード(高リテンションモードともよばれる)は、データを、メモリカード9内のフラッシュメモリ201のコールドデータ領域102内に保存するモードである。
例えば、ノーマルモードによってメモリカード9内に保存された画像データが、保存の開始からある時点までの期間中に、又は、ユーザによる前回のアクセスからある時点までの期間中に、ユーザからアクセスされない場合、図12乃至図15に示される処理によって、CPU401が、ユーザの操作なしに、アクセスされない画像データの保存領域を、ノーマルデータ領域101からコールドデータ領域102に変更してもよい。
ここでは、本実施形態のメモリシステムの第2の適用例を、説明する。
サーバ43は、データの保存時に、CPU431の処理によって、確認画像IMG1をディスプレイデバイス432に表示してもよい。これによって、管理者(サーバ43のユーザ)は、図17の処理に基づいて、サーバ43に提供されたデータを、ノーマルモードによってSSD9内に保存するか、長期保存モードによってSSD9内に保存するか、選択できる。
図19を用いて、本実施形態のメモリシステムの第3の適用例を、説明する。
本実施形態のメモリシステムは、情報記録再生デバイス(レコーダ)51に適用できる。
本実施形態のメモリシステムに用いられるフラッシュメモリは、多値フラッシュメモリでもよい。
Claims (4)
- 第1の領域と、第2の領域と、第3の領域とを有するメモリセルアレイを含むメモリデバイスと、
前記メモリデバイスの動作を制御するコントローラと、
を具備し、
前記第1の領域は、基板上に積層された複数の第1のメモリセルを含み、
前記第2の領域は、前記基板上に積層された複数の第2のメモリセルを含み、
前記第3の領域は、前記基板上に積層された複数の第3のメモリセルを含み、
前記第1のメモリセルは、複数の第1のワード線にそれぞれ接続され、
前記第2のメモリセルは、複数の第2のワード線にそれぞれ接続され、
前記第3のメモリセルは、複数の第3のワード線にそれぞれ接続され、
前記第2のメモリセルのうち、最下層の前記第2のワード線に接続された前記第2のメモリセルは、前記最下層の前記第2のワード線に接続された前記第2のメモリセル以外の他の前記第2のメモリセルに対する動作を制御するための第1の情報を含み、
前記コントローラは、
第1の動作を前記第1の領域に指示する場合、前記第1の動作を示す第1の制御信号を前記メモリデバイスに送信し、
前記第1の動作を前記第2の領域に指示する場合、前記第1の制御信号と、前記第1の制御信号とは異なる第2の制御信号とを、前記メモリデバイスに送信し、
前記コントローラが、第3の制御信号を前記メモリデバイスに送信する場合、
前記メモリデバイスは、
前記複数の第3のメモリセルのうち、最下層の前記第3のワード線に接続された第3のメモリセルに、前記最下層の前記第3のワード線に接続された前記第3のメモリセル以外の他の第3のメモリセルに対する動作を制御するための第3の情報を格納し、
前記他の前記第3のメモリセルに、前記第1のメモリセルに格納されていたデータを転送する、
メモリシステム。 - 前記第1のワード線に、第1のページアドレスが割り付けられ、
前記複数の第2のワード線に、第2のページアドレスが割り付けられている、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記第2の領域内に格納されるデータは、前記第1の領域内に格納されるデータよりアクセス頻度が低い、
請求項1又は2に記載のメモリシステム。 - 前記メモリデバイスは、
前記最下層の前記第2のワード線に接続された前記第2のメモリセルのしきい値電圧を上昇させることで、前記第1の情報を格納し、
前記最下層の前記第2のワード線に接続された前記第2のメモリセルの前記しきい値電圧が変化したことを判定した場合に、前記第2の領域に対して前記第1の動作を実行する際の設定を変更する、
請求項1に記載のメモリシステム。
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