JP6537866B2 - 半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ - Google Patents
半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6537866B2 JP6537866B2 JP2015067840A JP2015067840A JP6537866B2 JP 6537866 B2 JP6537866 B2 JP 6537866B2 JP 2015067840 A JP2015067840 A JP 2015067840A JP 2015067840 A JP2015067840 A JP 2015067840A JP 6537866 B2 JP6537866 B2 JP 6537866B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- lead frame
- circuit chip
- semiconductor circuit
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
なお、上記半導体パッケージにおいて、前記第1の面には、平面視において前記第1の保護層が配置される第1の保護層領域と、平面視において前記第2の保護層が配置され前記第1の保護層領域を包含する第2の保護層領域と、が設けられ、前記第1の面には、前記第1の保護層領域の外縁において硬化前の前記第1の保護層の濡れ広がりを抑制するエッジ部と、前記第2の保護層領域の外縁において硬化前の前記第2の保護層の濡れ広がりを抑制するエッジ部と、が設けられ、前記エッジ部は、前記第1の面に設けられた凹溝のエッジ部又は前記第1の面の外縁のエッジ部であってもよい。
また、上述の上記半導体パッケージにおいて、前記第2の保護層領域の外縁のエッジ部の少なくとも一部は、前記第1の保護層領域の外縁のエッジ部より外側に位置する、構成であってもよい。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴部分を強調する目的で、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、同様の目的で、特徴とならない部分を省略して図示している場合がある。
図1は、一実施形態の圧力センサパッケージ100の平面図である。図2は、図1の圧力センサパッケージ100におけるII−II線に沿う断面図である。図3は、図2に示す領域IIIの部分拡大図である。
なお、各図にはX−Y−Z座標系を示した。以下の説明において、必要に応じて各座標系に基づいて各方向の説明を行う。
リードフレーム40は、−Z側を向く第1の面41と+Z側を向く第2の面42とを有する板材である。リードフレーム40の第2の面42には、圧力センサチップ20が配置されている。リードフレーム40の第1の面41には、保護樹脂部70に覆われた半導体回路チップ30が配置されている。保護樹脂部70は、第1の保護層73と第2の保護層74とを含む。また、第1の保護層73は、ベース部72と介在部71とを含む。
以下、圧力センサパッケージ100を構成する各部について詳細に説明する。
モールド樹脂部10は、リードフレーム40、半導体回路チップ30、ボンディングワイヤ51および保護樹脂部70を埋め込んで一体とする。モールド樹脂部10は、リードフレーム40、半導体回路チップ30、ボンディングワイヤ51および保護樹脂部70を外気や水分から遮断し保護する。
モールド樹脂部10は、例えば、エポキシ、PPS(ポリフェニレンサルファイド樹脂)、PBT(ポリブチレンテレフタレート)等のエンジニアリングプラスチックなどの樹脂からなる。モールド樹脂部10の構成樹脂のヤング率は、例えば1GPa〜50GPa(好ましくは10GPa〜30GPa)である。
図1に示すように、本実施形態のモールド樹脂部10の本体部16、環状壁部12および鍔部13は、平面視円形である。しかしながら、これらの平面視形状は円形に限らず、矩形その他の多角形など、任意の形状とすることができる。
収容部19の底面であって、載置部17が形成されない部分は、リードフレーム40の一部(センサリード部44)が露出している。圧力センサチップ20は、ボンディングワイヤ50によって、露出したリードフレーム40と電気的に接続される。
圧力センサチップ20は、例えば、シリコン等からなる半導体基板の一面側に、ダイアフラム部と、基準圧力室としての密閉空間と、圧力によるダイアフラム部の歪抵抗の変化を測定するための複数の歪ゲージとを備えたものである。複数の歪ゲージは、それぞれボンディングワイヤ50を介しリードフレーム40に電気的に接続されている。
この圧力センサチップ20は、MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems)技術を利用した圧力センサチップである。
圧力センサチップ20は、リードフレーム40の第2の面42側に設けられている。また、圧力センサチップ20は、平面視において、一部領域または全部領域がリードフレーム40から外れた位置に配置されていてもよい。
保護剤60は、収容部19内に充填されて圧力センサチップ20を覆っている。保護剤60は、水や外気の浸入を防ぎ、圧力センサチップ20をこれらから保護する。
保護剤60としては、例えば、硬度約0(ショアA硬度、JIS K 6253に準拠)の柔らかいゲル剤を用いることが望ましい。これによって、測定対象から加えられる圧力をそのまま圧力センサチップ20に伝達できるため、圧力センサチップ20による圧力検出の精度を低下させることはない。
半導体回路チップ30は、例えば集積回路(integrated circuit、IC)である。半導体回路チップ30は、リードフレーム40の第1の面41側に配置される。
半導体回路チップ30は、平面視で矩形状を有し、矩形状の底面33と、その4つ周縁部にそれぞれ形成された側面34と、底面33と反対側の下面31とを有する直方体形状を有する。
前記演算処理部では、前記温度信号に基づいて、圧力センサチップ20からのセンサ信号に補正処理を行うことができる。
温度センサ32としては、抵抗式(ブリッジ抵抗式)、ダイオード式、熱電対式、赤外線式等を採用できる。温度センサ32を内蔵することで、半導体回路チップ30は、系内の温度に応じて圧力検出信号を補正することができる。このため、精度の高い圧力測定が可能となる。
温度センサ32は、半導体回路チップ30内部において下面31に近接した位置に設けて、温度測定の精度を高めることが望ましい。
リードフレーム40は、導電体からなる板状体である。リードフレーム40の第1の面41側には、半導体回路チップ30が配置されている。また、リードフレーム40の第2の面42側には、載置部17を介し圧力センサチップ20が配置されている。
リードフレーム40は半導体回路チップ30が実装される台座部46と、2つのターミナル端子45と、4つのセンサリード部44とから構成されている。なお、ターミナル端子45およびセンサリード部44の数は、本実施形態に限定されるものではなく、圧力センサパッケージ100の機能に応じて適宜決定される。
溝部45cは、第1の面41側にエッチングなどにより形成された溝である。図2に示すように、ターミナル端子45は、溝部45cを谷として、接続部45bに対し折曲部45aを−Z側に立ち上げて折り曲げられる。ターミナル端子45は、折曲部45aが立ち上がるように成形されることで、折曲部45aの一面がモールド樹脂部10の下面(−Z側の面)において十分な面積で露出し、外部との接点を確保する。
台座部46は、1辺が楕円形状であり3辺が直線状である縁部46aで囲まれている。台座部46には、第1の面41側に複数の凹溝43が形成されている。複数の凹溝43は、2つの境界凹溝43Aと、3つの包囲凹溝43Bと、2つの外形凹溝43Cとに分類される。
境界凹溝43Aは、4つの領域A1〜A4同士の間に位置する。本実施形態において、一方の境界凹溝43Aは、第1の領域A1と第2の領域A2の間および第3の領域A3と第4の領域A4の間に延びており、これらを区画する。また、他方の境界凹溝43Aは、第1の領域A1と第4の領域A4の間および第2の領域A2と第3の領域A3の間に延びており、これらを区画する。
包囲凹溝43Bは、4つの領域A1〜A4全体を囲む。すなわち、包囲凹溝43Bと台座部46の縁部46aで囲まれた範囲の内側には、第1〜第4の領域A1〜A4全てが含まれる。
第1〜第4の領域A1〜A4には、それぞれ第1の保護層73のベース部72が設けられる。
図3に示すように、本実施形態の凹溝43は、断面U字状に形成されており、深さ方向に延びる二つの斜面43bを有する。この斜面43bと領域A1〜A4の境界には、エッジ部43aが形成されている。即ち、領域A1〜A4は、凹溝43の特にエッジ部43aによって区画されている。また、凹溝43は、領域A1〜A4の反対側にエッジ部43cを形成する。
さらに、介在部71および第2の保護層74は、必ずしも凹溝43のエッジ部43a、43cで濡れ広がりが止まる必要は無い。介在部71および第2の保護層74は、リードフレーム40の平坦な面で濡れ広がりが止まっていてもよく、また凹溝43の内部で濡れ広がりが止まっていてもよい。
また、凹溝43の深さDは、リードフレーム40の厚さに対して1/2以下とすることが好ましく、2/3以下とすることがより好ましい。これにより、リードフレーム40の強度を確保し、組み立て工程における破損を防ぐことができる。なお、リードフレーム40の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば150μm程度である。
保護樹脂部70は、半導体回路チップ30の底面33、4つ側面34、並びに下面31と覆っている。保護樹脂部70は、未硬化の状態で供給し硬化させることで形成される。
保護樹脂部70は、モールド樹脂部10を構成する材料、およびリードフレーム40を構成する材料よりも低いヤング率を有し、モールド樹脂部10およびリードフレーム40と半導体回路チップ30との間に加わる応力を緩和する機能を果たす。
第1の保護層73は、半導体回路チップ30の底面33の全域を覆っている。また、介在部71は、底面33とリードフレーム40の第1の面41との間に介在して形成されている。したがって、半導体回路チップ30の底面33は、リードフレーム40から離隔され、リードフレーム40と接触しない。
ベース部72および介在部71を構成する材料として、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂などが使用できる。具体的にベース部72および介在部71は、例えばシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂等からなる。また、これらの材料のうち、2つ以上を併用して用いてもよい。特にシリコーン樹脂は、吸湿しにくいため、高温・高湿環境でも物性が変化しにくく、第1の保護層73を構成する樹脂材料として最も好ましい。
第1の保護層73のヤング率を1.4MPa未満とすることで、リードフレーム40の変形および半導体回路チップ30との熱膨張率の差等に起因する応力が半導体回路チップ30に伝達されることを十分に抑制できる。
また、第1の保護層73を0.6MPa以上とすることで、リードフレーム40に対し半導体回路チップ30を安定的に保持できる。半導体回路チップ30は、第1の保護層73によりリードフレーム40に接着固定した後に、ワイヤボンディング工程によりリードフレーム40と電気的に接続される。第1の保護層73を0.6MPa以上とすることで、リードフレーム40に対する半導体回路チップ30の安定性を高め、ワイヤボンディング工程の確実性を高めることができる。
まず、図5に示すリードフレーム40を用意し、リードフレーム40の第1の面41を上に向けた状態(図2において、上下逆転させた状態)で、保持する。上述したように、リードフレーム40の第1の面41には、複数の凹溝43(43A、43B、43C)が設けられている。凹溝43は、第1の面41を4つの領域A1〜A4に区画している。
図7に示すように、4つのベース部72は、それぞれ表面張力により略中央が盛り上がったドーム形状を有する。ベース部72は、頂点Tを有し、ベース部72の表面72aは、頂点Tからなだらかに傾斜する曲面形状を有する。
本実施形態によれば、第1〜第4の領域A1〜A4に供給された硬化前の樹脂材料72Aは、図6に示す隙間Wを介し互いに流入し、4つ領域A1〜A4の樹脂材料72Aの表面張力が均一になる。さらに、第1〜第4の領域A1〜A4は、互いに同形状であるため、4つのベース部72の表面72aは、同形状となる。これにより、4つのベース部72の頂点Tは、それぞれ同じ高さとなる。
次に、図9に示すように、硬化前の樹脂材料71Aの上から半導体回路チップ30を搭載する。このとき、半導体回路チップ30を4つのベース部72の頂点Tと平面視で重ねて配置する。硬化前の樹脂材料71Aは、半導体回路チップ30に押し広げられて、ベース部72の表面72a(図2参照)を覆う。また、硬化前の樹脂材料71Aは、包囲凹溝43Bの内部に流れ込み、エッジ部43c(図3参照)で濡れ広がりが制限される。なお、硬化前の樹脂材料71Aは、境界凹溝43Aの内部に流れ込み、境界凹溝43Aを埋め込む。
以上の工程を経て、ベース部72および介在部71を含む第1の保護層73を形成することができる。これにより、半導体回路チップ30をリードフレーム40に固定することができる。
図2に示すように、第2の保護層74は、半導体回路チップ30の全体を覆うようにドーム状に形成されている。
第2の保護層74は、半導体回路チップ30の4つの側面34と下面31の全域を覆って固着している。したがって、半導体回路チップ30は、第2の保護層74を介しモールド樹脂部10に囲まれている。また、第2の保護層74は、リードフレーム40の台座部46において、半導体回路チップ30が実装される周縁の領域(第2の保護層領域C)を覆って固着している。
また、第2の保護層74は、モールド樹脂部10、リードフレーム40および半導体回路チップ30の熱膨張率の差、並びにモールド樹脂部10の吸湿に起因する応力が、半導体回路チップ30に加わることを抑制する機能を果たす。
第2の保護層74は、モールド樹脂部10に囲まれている。モールド樹脂部10は、半導体回路チップ30をリードフレーム40に実装した後に半導体回路チップ30を埋め込んで射出成型される。第2の保護層74を備えていない場合には、モールド樹脂部の射出成型時の射出圧力により、半導体回路チップに負荷が加わる虞がある。また、第2の保護層74を備えていない場合には、モールド樹脂部を構成する樹脂材料が硬化した際に応力が残留し、半導体回路チップに負荷が加わる虞がある。第2の保護層74は、モールド樹脂部10の射出成型時の射出圧力および射出成型後の残留応力を緩和して、半導体回路チップ30に加わる負荷を軽減する機能を果たす。
また、第2の保護層74の表面74aを湾曲凸面とすることによって、インサート成形でモールド樹脂部10を形成する場合に、モールド樹脂部10を構成する樹脂材料が金型内でスムーズに流れ、モールド樹脂部10中にボイド等の欠陥が形成されることを抑制できる。
以下に、第2の保護層74の形成方法の一例を説明する。
第2の保護層74および第1の保護層73は、半導体回路チップ30に加わる応力を緩和する機能を有する点で共通している。一方で、第2の保護層74の周囲には、モールド樹脂部10が射出成型により形成される。たがって、モールド樹脂部10の射出成型時の射出圧力により、第2の保護層74が変形する虞がある。第2の保護層74が変形した場合に、第2の保護層74が局所的に薄くなり、薄くなった部分で半導体回路チップ30を十分に保護できない虞がある。このため、第2の保護層74は、モールド樹脂部10の射出成型時の圧力に対して変形を抑制するために十分なヤング率を有することが求められる。
また、第2の保護層74は、半導体回路チップ30とモールド樹脂部10との間に介在し、第1の保護層73は、半導体回路チップ30とリードフレーム40との間に介在する。リードフレーム40から半導体回路チップ30に加わる応力と比較して、モールド樹脂部10から半導体回路チップ30に加わる応力は小さい。したがって、第2の保護層74は、第1の保護層73と比較してヤング率が高い場合であっても、半導体回路チップ30に加わる負荷を十分に軽減できる。
第2の保護層74のヤング率を1GPa以下とすることで、モールド樹脂部10、リードフレーム40および半導体回路チップ30の熱膨張率の差、並びにモールド樹脂部10の吸湿に起因する応力が、半導体回路チップ30に伝わることを十分に抑制できる。
また、第2の保護層74のヤング率を1.4MPa以上とすることで、第2の保護層74は、モールド樹脂部10の射出成型時の圧力に対する自身の変形を十分に抑制できる。したがって、射出成型により第2の保護層74に局所的に薄い部分が形成されることがなく、確実に半導体回路チップ30を保護できる。
圧力センサパッケージ100の製造方法の一例を説明する。
まず、プレス加工またはエッチング加工等の従来公知の方法により、リードフレーム40の外形を形成する。さらに、リードフレーム40の第1の面41に、機械加工又はエッチング加工等の従来公知の方法により凹溝43を形成する。
次いで、リードフレーム40の第1面に、上述したように第1の保護層73を形成するとともに、半導体回路チップ30を実装する。
次いで、ボンディングワイヤ51によって、半導体回路チップ30とリードフレーム40とを接続する。
次いで、半導体回路チップ30を覆うように第2の保護層74を構成する未硬化の樹脂材料を供給、硬化させ、第2の保護層74を形成する。
次いで、これまでの工程で形成された半組品を金型内に設置し、樹脂成型によりモールド樹脂部10を形成する。
次いで、モールド樹脂部10の載置部17上に圧力センサチップ20を設置し、ボンディングワイヤ50によって圧力センサチップ20とセンサリード部44とを接続する。
次いで、収容部19内に保護剤60を充填して、圧力センサチップ20を覆う。
以上の工程を経て、圧力センサパッケージ100を形成できる。
次に、上述した実施形態に採用可能な、リードフレーム変形例を、変形例1〜変形例7として説明する。変形例1〜変形例4の凹溝は、上述した凹溝43と比較して、外形凹溝43Cの構成は共通しており境界凹溝43Aおよび包囲凹溝43Bうち何れか一方又は両方の構成が異なる。
なお、上述実施形態と同一態様の構成要素については、同一符号を付し、その説明を省略する。
図10は、変形例1のリードフレーム140の平面図である。リードフレーム140には、複数の凹溝143が形成されている。複数の凹溝143には、2つの境界凹溝143Aと3つの包囲凹溝143Bと、が含まれる。
図11は、変形例2のリードフレーム240の平面図である。リードフレーム240には、複数の凹溝243が形成されている。複数の凹溝143には、2つの境界凹溝243Aと3つの包囲凹溝243Bと、が含まれる。
同様に、変形例2において、互いに交差する2本の境界凹溝243Aのうち一方は、包囲凹溝243Bに達している。また、2本の境界凹溝243Aのうち他方は、リードフレーム240の台座部246の縁部246aに達している。
変形例1および変形例2のリードフレーム140、240においては、4つの領域A1〜A4のうち、2つの領域同士が隙間Wを介し繋がっている。
このような構成であっても、ベース部72の頂点Tの高さを均一化する上で、一定の効果を奏することができる。
図12は、変形例3のリードフレーム340の平面図である。リードフレーム340には、複数の凹溝343が形成されている。複数の凹溝343には、2つの境界凹溝243Aと4つの包囲凹溝343Bとが含まれる。2つの境界凹溝343Aの構成は、上述の実施形態における境界凹溝43Aと同様である。4つの包囲凹溝343Bの構成は、上述の実施形態における包囲凹溝43Bと比較して、分断されて同一の直線上に位置する2つの包囲凹溝343Bに分かれた凹溝を含む点が異なる。
変形例3に示すような凹溝343であっても、領域A1〜A4を囲み、領域A1〜A4を同じ面積とするものであれば、上述の実施形態における凹溝43と同様の効果を得ることができる。
図13は、変形例4のリードフレーム440の平面図である。リードフレーム440には、複数の凹溝443が形成されている。複数の凹溝443には、2つの境界凹溝443Aと1つの包囲凹溝443Bとが含まれる。2つの境界凹溝443Aの構成は、上述の実施形態における境界凹溝43Aと同様である。包囲凹溝443Bの構成は、上述の実施形態における3つの包囲凹溝43Bのうちリードフレーム40の台座部46の縁部46b、46c(図5参照)に近接する2つの包囲凹溝43Bを省略したものである。このような構成とした場合に領域A1〜A4は、1つの包囲凹溝443Bと、リードフレーム440の台座部446の縁部446a、446b、446cにより囲まれる。これにより、ベース部72を構成する硬化前の樹脂材料72A(図6参照)の濡れ広がりを抑制する。変形例4に示すような凹溝443であっても、上述の実施形態における凹溝43と同様の効果を得ることができる。
図14は、変形例5のリードフレーム540の平面図である。リードフレーム540には、複数の凹溝543が形成されている。複数の凹溝543には、4つの境界凹溝543Aと3つの包囲凹溝543Bとが含まれる。3つの包囲凹溝543Bの構成は、上述の実施形態における包囲凹溝43Bと同様である。4つの境界凹溝543Aは、上述の実施形態における2つの境界凹溝43A(図5参照)が交差する部分を分断した構成を有する。すなわち、4つの境界凹溝543Aは、交差せずに中央に隙間WCを形成する。したがって、境界凹溝543Aにより区画された領域A1〜A4は、中央の隙間WCで互いに繋がっている。各領域A1〜A4に供給される樹脂材料72A(図6参照)は、中央の隙間WCにおいても繋がり相互の流入がより顕著に起こる。これにより、ベース部72の頂点Tの高さの均一性を高めることができる。
図15は、変形例6のリードフレーム640の平面図である。リードフレーム640には、複数の凹溝643が形成されている。複数の凹溝643には、2つの境界凹溝643Aと4つの包囲凹溝643Bとが含まれる。2つの境界凹溝643Aは、互いに交差し端部が包囲凹溝643Bと繋がっている。4つの包囲凹溝643Bは、端部同士が繋がり矩形状を描く。変形例6の凹溝643によれば、4つの領域A1〜A4は、完全に分離される。このような構成を有する場合は、4つの領域A1〜A4に形成されたベース部72は互いに繋がることがない。本変形例においては、領域A1〜A4が互いに同形状とすることで、領域A1〜A4に供給する樹脂量の均一性を一定の水準に保つことができる場合において、4つのベース部72の高さを均一にできる。
図16は、変形例7のリードフレーム740の平面図である。リードフレーム740には、複数の凹溝743が形成されている。複数の凹溝743には、3つの境界凹溝743Aと円を描く1つの包囲凹溝743Bとが含まれる。3つの境界凹溝743Aは、包囲凹溝743Bが描く円の内側に配置されている。3つの境界凹溝743Aは、互いに120°間隔で中心から放射状に延びて包囲凹溝743Bに繋がっている。3つの境界凹溝743A同士の中央には、隙間WCが設けられている。変形例7の凹溝743は、互いに同形状に3つの領域A1〜A3を区画する。また、ベース部72は、各領域A1〜A3に対応して3つ設けられる。半導体回路チップ30は、ベース部72の3つの頂点Tと平面視で重なる位置に配置される。
変形例7に示すような凹溝743であっても、上述の実施形態における凹溝43と同様の効果を得ることができる。
また、凹溝は、長さ方向に沿って破線状に形成されていてもよい。すなわち、複数の凹溝が隙間を空けて並んだ構成としてもよい。
Claims (8)
- リードフレームと、
前記リードフレームの第1の面側に配置された半導体回路チップと、
前記半導体回路チップを覆い保護する保護樹脂部と、
前記保護樹脂部を囲むモールド樹脂部と、を備え、
前記保護樹脂部は、前記半導体回路チップと前記リードフレームとの間に位置する第1の保護層および前記半導体回路チップの前記リードフレームと反対側の面および側面を覆う第2の保護層を有し、前記第2の保護層のヤング率は、前記第1の保護層のヤング率より大きく、
前記第1の保護層は、前記リードフレームの前記第1の面上に設けられる3つ以上のベース部と、前記ベース部の表面を覆い前記ベース部と前記半導体回路チップとを接着させる介在部と、を有し、
前記リードフレームの前記第1の面には、前記第1の面を3つ以上の領域に区画する凹溝が設けられ、前記ベース部は、区画された前記領域にそれぞれ設けられ、
前記ベース部は、それぞれに頂点を有し、前記半導体回路チップは、前記ベース部の頂点のうち少なくとも3つと平面視で重なって配置される、半導体パッケージ。 - 前記第1の保護層のヤング率は、0.6MPa以上1.4MPa未満である、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第2の保護層のヤング率は、1.4MPa以上1GPa以下である、請求項1又は2に記載の半導体パッケージ。
- 前記凹溝により区画された前記領域は、平面視で互いに同形状である、請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
- 3つ以上の前記ベース部は、少なくとも一部で互いに繋がっている、請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の保護層の厚みが、20μm以上である、請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の保護層および前記第2の保護層を構成する樹脂材料が、シリコーン樹脂である、請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体パッケージ。
- 請求項1〜7の何れか一項に記載の半導体パッケージから構成される圧力センサパッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015067840A JP6537866B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | 半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015067840A JP6537866B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | 半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016189360A JP2016189360A (ja) | 2016-11-04 |
JP6537866B2 true JP6537866B2 (ja) | 2019-07-03 |
Family
ID=57239845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015067840A Active JP6537866B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-03-30 | 半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6537866B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6780675B2 (ja) | 2017-07-24 | 2020-11-04 | 株式会社デンソー | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2019021766A1 (ja) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7251510B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-04-04 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5332535Y2 (ja) * | 1975-03-20 | 1978-08-11 | ||
JPS62210651A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0745960Y2 (ja) * | 1989-03-15 | 1995-10-18 | 沖電気工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP4093818B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2008-06-04 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-03-30 JP JP2015067840A patent/JP6537866B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016189360A (ja) | 2016-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6214433B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
US10720534B2 (en) | Pressure sensor and pressure sensor module | |
JP5318737B2 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP6357535B2 (ja) | センサおよびその製造方法 | |
JP6537866B2 (ja) | 半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ | |
JPWO2007020701A1 (ja) | 加速度センサ装置 | |
JP6427451B2 (ja) | 半導体パッケージおよび圧力センサパッケージ | |
JP6523034B2 (ja) | 半導体実装構造体 | |
US10732057B2 (en) | Low cost overmolded leadframe force sensor with multiple mounting positions | |
JP6373104B2 (ja) | 半導体圧力センサ及び半導体圧力センサ取付構造体 | |
US9165794B1 (en) | Partial glob-top encapsulation technique | |
JP6476036B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2008051658A (ja) | Ic一体型加速度センサ及びその製造方法 | |
JP6317956B2 (ja) | 圧力センサ、及び圧力センサの製造方法 | |
JP2016217793A (ja) | 圧力センサ | |
JP5477301B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017142169A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
JP2008082903A (ja) | センサモジュール | |
JP6249865B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
JP2020008524A (ja) | 流量センサ | |
JP6468951B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012238750A (ja) | モールドパッケージ | |
JP5771916B2 (ja) | Memsデバイス及びその製造方法 | |
JP6373110B2 (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
JP4882682B2 (ja) | 圧力センサ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181012 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190605 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6537866 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |