JP6536461B2 - Wafer end face polishing pad, wafer end face polishing apparatus, and wafer end face polishing method - Google Patents

Wafer end face polishing pad, wafer end face polishing apparatus, and wafer end face polishing method Download PDF

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Description

本発明は、ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法に関する。   The present invention relates to a wafer end face polishing pad, a wafer end face polishing apparatus, and a wafer end face polishing method.

シリコンウェーハ等の半導体等、種々の材質からなるポリッシュト・ウェーハの製造工程の一つに、ウェーハのおもて面と裏面とに挟まれるウェーハ端面を研磨する工程がある。このウェーハ端面研磨工程は、例えば特許文献１に記載されるような研磨装置を用いて、本願図９に模式的に示すようにして行う。   One of the manufacturing processes of polished wafers made of various materials, such as semiconductors such as silicon wafers, is a process of polishing the wafer end surface sandwiched between the front and back surfaces of the wafer. This wafer end face polishing process is performed as schematically shown in FIG. 9 of the present application, using a polishing apparatus as described in, for example, Patent Document 1.

図９を参照して、ウェーハＷは、回転可能なステージ７０に真空吸着して保持される。ステージの主面にはウェーハ保持パッド７２が設けられる。ウェーハ端面と接触可能な位置には、三種類のウェーハ端面研磨パッド（研磨布）８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃが配置される。研磨パッド８０Ａは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する。研磨パッド８０Ｂは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する。研磨パッド８０Ｃは、ウェーハの端面のうち、下ベベル領域と上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する。図９では模式的にこれら研磨パッドを重ねて描いているが、実際にはウェーハ外周方向に沿った異なる位置に配置されている。ノズル７８からウェーハ表面にスラリーを供給する。この状態で、ウェーハＷを所定方向に回転しつつ、研磨パッド８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃをウェーハ端面に接触させて、その反対方向に回転させることによって、ウェーハ端面が研磨される。スラリーは、ウェーハＷの回転によりウェーハ端面に供給される。   Referring to FIG. 9, wafer W is held by vacuum suction on rotatable stage 70. A wafer holding pad 72 is provided on the main surface of the stage. Three types of wafer end surface polishing pads (abrasive cloths) 80A, 80B and 80C are disposed at positions where they can be in contact with the wafer end surface. The polishing pad 80A polishes the lower bevel region adjacent to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer. The polishing pad 80B polishes an upper bevel region adjacent to the surface of the wafer opposite to the suction surface of the wafer. The polishing pad 80C polishes the outermost peripheral region between the lower bevel region and the upper bevel region of the end surface of the wafer. In FIG. 9, these polishing pads are schematically drawn in an overlapping manner, but in actuality, they are disposed at different positions along the wafer outer peripheral direction. Slurry is supplied from the nozzle 78 to the wafer surface. In this state, while rotating the wafer W in a predetermined direction, the polishing pads 80A, 80B, and 80C are brought into contact with the end face of the wafer, and the end face of the wafer is polished by rotating in the opposite direction. The slurry is supplied to the wafer end face by the rotation of the wafer W.

特開２００９−２９７８４２号公報JP, 2009-297842, A

本発明者らは、端面研磨の状況を注意深く観察したところ、図９に模式的に示すように、ウェーハ端面に供給されたスラリーが研磨パッド８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ（特に下ベベル領域を研磨する研磨パッド８０Ａ）からステージ７０の外周端の方向へと飛散していることを発見した。このように飛散したスラリーは、ウェーハＷとウェーハ保持パッド７２との間に入り込み、その一部はその間から排出されることなく固形化し、蓄積する。ウェーハ保持パッド７２で固形化して蓄積したスラリーは、新しく保持されたウェーハＷと擦れて、その裏面に傷を生じさせることが判明した。この傷は、ウェーハ検査工程でＬＰＤ（輝点欠陥：Light point defect）として検出され、ウェーハ品質を劣化させる。特に近年は、ウェーハ裏面のＬＰＤを低減することも重要なウェーハ品質の一つとして求められつつある。   When the present inventors carefully observed the state of the end face polishing, as schematically shown in FIG. 9, the slurry supplied to the end face of the wafer was used to polish the polishing pads 80A, 80B and 80C (especially the lower bevel region). It was found that the particles were scattered from the pad 80A) in the direction of the outer peripheral end of the stage 70. The thus scattered slurry gets in between the wafer W and the wafer holding pad 72, and a part thereof solidifies and accumulates without being discharged therefrom. It was found that the slurry solidified and accumulated by the wafer holding pad 72 was rubbed with the newly held wafer W to cause a scratch on its back surface. The flaw is detected as a light point defect (LPD) in a wafer inspection process and degrades the wafer quality. Particularly in recent years, reduction of the LPD on the back side of the wafer is also being sought as one of the important wafer qualities.

そこで本発明は、上記課題に鑑み、スラリーの飛散を抑制して、端面研磨後のウェーハの裏面におけるＬＰＤを低減可能なウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention provides a wafer end surface polishing pad, a wafer end surface polishing apparatus, and a wafer end surface polishing method capable of reducing LPD on the back surface of a wafer after end surface polishing in view of suppressing the scattering of slurry. With the goal.

本発明者らは、端面研磨パッドの形状を工夫するという観点から上記課題を解決することに着目し、鋭意検討を行った。その結果、端面研磨パッドに溝、切り欠き、段差面、又はスロープ面を設けることによって、スラリーの大半が溝、切り欠き、段差面、又はスロープ面にガイドされて、当該パッドの下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなることを見出した。ウェーハのおもて面や裏面を研磨する研磨パッドに溝を設けてスラリー供給効率を上げる技術はよく知られているが、ウェーハ端面研磨の場合、スラリーは加工点に容易に供給されることから、従来、ウェーハ端面研磨パッドに溝、切り欠き、段差面、又はスロープ面を設ける必要性は認識されていなかった。本発明者らは、スラリーの飛散抑制という新たな課題認識に基づいて、端面研磨パッドに溝、切り欠き、段差面、又はスロープ面を設けるとの着想を得て、本発明を完成させた。   The inventors of the present invention have intensively studied focusing on solving the above-mentioned problems from the viewpoint of devising the shape of the end face polishing pad. As a result, by providing grooves, notches, stepped surfaces or sloped surfaces in the end face polishing pad, most of the slurry is guided to the grooves, notches, stepped surfaces or inclined surfaces, and falls below the pads. It turned out that it became easy and, as a result, the slurry became difficult to disperse in the direction of the outer peripheral end of the stage. There is a well-known technique for increasing the slurry supply efficiency by providing grooves in the polishing pad for polishing the front and back surfaces of the wafer, but in the case of wafer end face polishing, the slurry is easily supplied to the processing point Conventionally, it has not been recognized that it is necessary to provide a groove, a notch, a step surface, or a slope surface on a wafer end surface polishing pad. The present inventors completed the present invention on the idea of providing a groove, a notch, a step surface, or a slope surface on the end face polishing pad based on the new problem recognition of slurry scattering suppression.

本発明は、上記知見に基づくものであり、その要旨構成は以下のとおりである。
（１）おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、
前記パッドの短手方向片端のみに開口した、複数本の溝若しくは複数本の切り欠きが、前記パッドの長手方向に間隔をあけて、前記パッドの短手方向に沿って配置されるか、
前記パッドの厚みが減少した段差面が、前記パッドの短手方向片端のみに到達するように、前記パッドの長手方向にわたって配置されるか、又は
前記おもて面と隣接し、前記パッドの厚みが前記パッドの短手方向に沿って前記短手方向片端に向けて漸減するスロープ面が、前記パッドの短手方向片端のみに到達するように、前記パッドの長手方向にわたって配置されていることを特徴とする、ウェーハ端面研磨パッド。 The present invention is based on the above findings, and the gist configuration is as follows.
(1) A pad for polishing the end face of a wafer, wherein the shape of the main face consisting of the front face and the back face is substantially rectangular,
A plurality of grooves or a plurality of notches opened only at one lateral direction end of the pad are disposed along the lateral direction of the pad at intervals in the longitudinal direction of the pad,
The step surface with the reduced thickness of the pad may be disposed over the longitudinal direction of the pad or may be adjacent to the front surface so as to reach only the short side end of the pad, or the thickness of the pad The sloped surface, which gradually decreases toward the short side end along the short side direction of the pad, is disposed along the longitudinal direction of the pad so as to reach only the short side one end of the pad. Wafer edge polishing pad characterized by

（２）前記溝又は前記切り欠きがストレートに延在する、上記（１）に記載のウェーハ端面研磨パッド。   (2) The wafer end face polishing pad according to (1), wherein the groove or the notch extends straight.

（３）前記溝又は前記切り欠きが、前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜５０％の位置まで配置されている、上記（１）又は（２）に記載のウェーハ端面研磨パッド。   (3) The wafer end face polishing according to the above (1) or (2), wherein the groove or the notch is disposed from the one end to a position of 3 to 50% of the widthwise length of the pad. pad.

（４）前記段差面又は前記スロープ面が、前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜２０％の位置まで配置されている、上記（１）に記載のウェーハ端面研磨パッド。   (4) The wafer end face polishing pad according to (1), wherein the stepped surface or the sloped surface is disposed from the one end to a position of 3 to 20% of the widthwise length of the pad.

（５）前記パッドの短手方向長さが２３〜２７ｍｍであり、前記パッドの長手方向長さが６２〜６６ｍｍである、上記（１）〜（４）のいずれか一つに記載のウェーハ端面研磨パッド。   (5) The wafer end face according to any one of the above (1) to (4), wherein the short side length of the pad is 23 to 27 mm and the longitudinal length of the pad is 62 to 66 mm. Polishing pad.

（６）前記主面の形状が矩形である、上記（１）〜（５）のいずれか一つに記載のウェーハ端面研磨パッド。   (6) The wafer end face polishing pad according to any one of the above (1) to (5), wherein the shape of the main surface is rectangular.

（７）前記主面の形状が、一組の長辺が互いに平行であり、２つの短辺と前記長辺のうち長い辺とのなす角がそれぞれ８５〜９５度である形状である、上記（１）〜（５）のいずれか一つに記載のウェーハ端面研磨パッド。   (7) The shape of the main surface is a shape in which a pair of long sides are parallel to each other, and an angle between each of the two short sides and the long side among the long sides is 85 to 95 degrees. The wafer end face polishing pad according to any one of (1) to (5).

（８）前記主面の形状が、外側長辺および内側長辺が、２つの短辺の延長線の交点を中心とする円の一部となる形状である、上記（１）〜（５）のいずれか一つに記載のウェーハ端面研磨パッド。   (8) The above-mentioned (1) to (5), wherein the shape of the main surface is a shape in which the outer long side and the inner long side are a part of a circle centered on the intersection of the extension lines of the two short sides. The wafer end face polishing pad according to any one of the above.

（９）ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、
前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、
前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、
を有し、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨装置であって、
前記パッドが、上記（１）〜（８）のいずれか一つに記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致し、前記ウェーハ端面研磨パッドの短手方向片端が鉛直方向下側に、他端が鉛直方向上側になるように、前記ウェーハ端面研磨パッドが配置されることを特徴とするウェーハ端面研磨装置。 (9) A stage that can be rotated while holding the wafer by vacuum suction
A pad disposed at a position capable of contacting the end face of the wafer;
A slurry supply mechanism for supplying a slurry to the end face of the wafer;
An edge polishing apparatus for polishing the end surface of the wafer rotated by the stage with the pad;
The pad is the wafer end face polishing pad according to any one of the above (1) to (8), the rotation direction of the wafer and the longitudinal direction of the wafer end face polishing pad coincide, and the wafer end face polishing The wafer end face polishing apparatus is characterized in that the wafer end face polishing pad is disposed such that one short end of the pad is on the lower side in the vertical direction and the other end is on the upper side in the vertical direction.

（１０）前記パッドは、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と隣接する下べベル領域を研磨する第一のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上べベル領域を研磨する第二のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記下べベル領域と前記上べベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する第三のパッドと、を有し、
少なくとも前記第一のパッドが、上記（１）〜（８）のいずれか一つに記載のウェーハ端面研削パッドである、上記（９）に記載のウェーハ端面研磨装置。 (10) The pad is a first pad for polishing the lower bevel region adjacent to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer, and the opposite surface to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer A second pad for polishing the upper bevel region adjacent to the surface of the wafer, and a third pad for polishing the outermost peripheral region of the end face of the wafer between the lower bevel region and the upper bevel region. And a pad,
The wafer end face polishing apparatus according to (9), wherein at least the first pad is the wafer end face grinding pad according to any one of (1) to (8).

（１１）ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有するウェーハ端面研磨装置を用いて、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨方法であって、
前記パッドが、上記（１）〜（８）のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致し、前記ウェーハ端面研磨パッドの短手方向片端が鉛直方向下側に、他端が鉛直方向上側になるように、前記ウェーハ端面研磨パッドが配置されることを特徴とするウェーハ端面研磨方法。 (11) It has a stage capable of rotating while holding the wafer by vacuum suction and holding it, a pad disposed at a position where it can contact with the end face of the wafer, and a slurry supply mechanism for supplying slurry to the end face of the wafer A method of polishing an end face of a wafer, wherein the end face of the wafer rotated by the stage is polished by the pad using a wafer end face polishing apparatus,
The pad is the wafer end face polishing pad according to any one of the above (1) to (8), the rotation direction of the wafer and the longitudinal direction of the wafer end face polishing pad coincide, and the wafer end face polishing A wafer end face polishing method, wherein the wafer end face polishing pad is disposed such that one short end of the pad is on the lower side in the vertical direction and the other end is on the upper side in the vertical direction.

本発明のウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法によれば、スラリーの飛散が抑制されるため、端面研磨後のウェーハの裏面におけるＬＰＤが低減される。   According to the wafer end face polishing pad, the wafer end face polishing apparatus, and the wafer end face polishing method of the present invention, since the scattering of the slurry is suppressed, the LPD on the back surface of the wafer after the end face polishing is reduced.

（Ａ）は、本発明の第一の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド１０の模式斜視図であり、（Ｂ）は当該パッド１０の模式上面図である。(A) is a model perspective view of the wafer end surface polishing pad 10 by 1st embodiment of this invention, (B) is a model top view of the said pad 10. FIG. 本発明の第二の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド２０の模式斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view of a wafer end face polishing pad 20 according to a second embodiment of the present invention. （Ａ）は、本発明の第三の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド３０の模式斜視図であり、（Ｂ）は当該パッド３０の模式上面図である。(A) is a model perspective view of wafer end face grinding pad 30 by a third embodiment of the present invention, and (B) is a model top view of the pad 30 concerned. （Ａ）は、本発明の第四の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド５０の模式斜視図であり、（Ｂ）は当該パッド４０の短手方向の模式断面図である。(A) is a model perspective view of the wafer end surface polishing pad 50 by 4th embodiment of this invention, (B) is a schematic cross section of the transversal direction of the said pad 40. FIG. 本発明のさらに他の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド５０の模式上面図である。FIG. 6 is a schematic top view of a wafer end-face polishing pad 50 according to yet another embodiment of the present invention. 本発明のさらに他の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド６０の模式上面図である。FIG. 10 is a schematic top view of a wafer end face polishing pad 60 according to yet another embodiment of the present invention. （Ａ）は、本発明の一実施形態によるウェーハ端面研磨装置１００の模式上面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＩ−Ｉ断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）におけるＩＩ−ＩＩ断面図であり、（Ｄ）は（Ａ）におけるＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。(A) is a schematic top view of a wafer end face polishing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, (B) is a cross-sectional view taken along the line I-I in (A), and (C) is a II-I in (A). It is II sectional drawing, (D) is an III-III sectional view in (A). （Ａ）は、本発明の他の実施形態によるウェーハ端面研磨装置２００の模式上面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＩ−Ｏ−Ｉ断面図である。(A) is a model top view of the wafer end surface grinding | polishing apparatus 200 by other embodiment of this invention, (B) is an I-O-I cross-sectional view in (A). 従来のウェーハ端面研磨装置３００の模式図である。It is a schematic diagram of the conventional wafer end surface grinding | polishing apparatus 300. FIG.

（ウェーハ端面研磨装置及びウェーハ端面研磨方法）
まず、図７及び図８を参照して、本発明の実施形態によるウェーハ端面研磨装置及びウェーハ端面研磨方法を説明する。 (Wafer end face polishing apparatus and wafer end face polishing method)
First, a wafer end face polishing apparatus and a wafer end face polishing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

図７（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、本発明の一実施形態によるウェーハ端面研磨装置１００は、ウェーハＷを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージ７０と、ウェーハＷの端面と接触可能な位置に配置されたパッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ（端面研磨パッド）と、ウェーハＷの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有する。ノズル７８は、スラリー供給機構の一部を構成し、ウェーハ表面にスラリーを落下する。   Referring to FIGS. 7A to 7D, wafer edge polishing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a stage 70 capable of rotating while holding wafer W in vacuum and holding the wafer W, and an edge of wafer W. It has pads 76A, 76B, 76C (end surface polishing pads) arranged at contactable positions, and a slurry supply mechanism for supplying a slurry to the end surface of the wafer W. The nozzle 78 constitutes a part of the slurry supply mechanism and drops the slurry onto the wafer surface.

ステージ７０は、その主表面にウェーハ保持パッド７２が貼り付けられており、ウェーハＷを真空吸着して保持する。ウェーハ端面と接触可能な位置には、三種類のウェーハ端面研磨パッド（研磨布）７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃが配置される。第一の研磨パッド７６Ａは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する。第二の研磨パッド７６Ｂは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する。第三の研磨パッド７６Ｃは、ウェーハの端面のうち、下ベベル領域と上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する。研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃは、それぞれ第一パッド保持体７４Ａ、第二パッド保持体７４Ｂ、及び第三パッド保持体７４Ｃに貼り付けられ、固定される。   The wafer holding pad 72 is attached to the main surface of the stage 70, and holds the wafer W by vacuum suction. Three types of wafer end surface polishing pads (abrasive cloths) 76A, 76B, 76C are disposed at positions where they can be in contact with the wafer end surface. The first polishing pad 76A polishes the lower bevel region adjacent to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer. The second polishing pad 76B polishes an upper bevel region adjacent to the surface of the wafer opposite to the suction surface of the wafer. The third polishing pad 76C polishes the outermost peripheral region between the lower bevel region and the upper bevel region in the end surface of the wafer. The polishing pads 76A, 76B, and 76C are attached and fixed to the first pad holder 74A, the second pad holder 74B, and the third pad holder 74C, respectively.

図７（Ａ）に示すように、研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃは、ウェーハ外周方向に沿った異なる位置に配置されている。本実施形態では、合計１２個の研磨パッドがウェーハ外周を取り囲むように配置され、下ベベル領域用の第一の研磨パッド７６Ａ、上ベベル領域用の第二の研磨パッド７６Ｂ、最外周領域用の第三の研磨パッド７６Ｃが、それぞれ４つずつ等間隔に配置される。これは、ウェーハＷの直径が３００ｍｍの場合に好適である。研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃは、ウェーハ端面との接触面積を最大とするために、ウェーハ外周に沿って湾曲して配置される。研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃの配置の順番は図７のものに限定されない。   As shown in FIG. 7A, the polishing pads 76A, 76B, and 76C are disposed at different positions along the outer peripheral direction of the wafer. In the present embodiment, a total of 12 polishing pads are arranged to surround the wafer periphery, and the first polishing pad 76A for the lower bevel region, the second polishing pad 76B for the upper bevel region, and the outermost periphery region The third polishing pads 76C are arranged at equal intervals of four each. This is suitable when the diameter of the wafer W is 300 mm. The polishing pads 76A, 76B, 76C are arranged curved along the outer periphery of the wafer in order to maximize the contact area with the wafer end face. The order of arrangement of the polishing pads 76A, 76B, 76C is not limited to that of FIG.

研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃの鉛直方向に対する傾斜角度は特に限定されないが、時計回りを正として、図７（Ｂ）における第二の研磨パッド７６Ｂの場合、−６５〜−４５度程度とし、図７（Ｃ）における第一の研磨パッド７６Ａの場合、４５〜６５度程度とし、図７（Ｄ）における第三の研磨パッド７６Ｃの場合、−５〜５度程度、好ましくは０度とする。   The inclination angle of the polishing pads 76A, 76B and 76C with respect to the vertical direction is not particularly limited, but in the case of the second polishing pad 76B in FIG. In the case of the first polishing pad 76A in 7 (C), it is about 45 to 65 degrees, and in the case of the third polishing pad 76C in FIG. 7 (D), it is about -5 to 5 degrees, preferably 0 degrees.

ステージ７０の直径は特に限定されないが、直径３００ｍｍのウェーハの端面を研磨する場合には２８０±５ｍｍ程度、直径４５０ｍｍのウェーハの端面を研磨する場合には、４３０±５ｍｍ程度とすることができる。   The diameter of the stage 70 is not particularly limited, but can be about 280 ± 5 mm when polishing the end face of a wafer of 300 mm in diameter, and about 430 ± 5 mm when polishing the end face of a wafer of 450 mm in diameter.

この状態で、ステージ７０を回転させてウェーハＷを所定方向に回転しつつ、研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃをウェーハ端面に接触させて、その反対方向に回転させることによって、研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃによりウェーハ端面が研磨される。スラリーは、ウェーハＷの回転によりウェーハ端面に供給される。研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃをウェーハ端面に接触させる機構は特に限定されず、例えば特開２００９−２９７８４２号公報に記載されたような公知のものを用いることができる。   In this state, while the stage 70 is rotated to rotate the wafer W in a predetermined direction, the polishing pads 76A, 76B, 76C are brought into contact with the end face of the wafer and rotated in the opposite direction. The wafer end face is polished by 76C. The slurry is supplied to the wafer end face by the rotation of the wafer W. The mechanism for bringing the polishing pads 76A, 76B and 76C into contact with the wafer end face is not particularly limited, and for example, known ones as described in JP-A-2009-297842 can be used.

端面研磨パッドの配置は本実施形態に限定されず、変形例として、例えば図８に示すものも挙げられる。図８に示すウェーハ端面研磨装置２００では、合計６個の研磨パッドがウェーハ外周を取り囲むように配置され、下ベベル領域用の第一の研磨パッド７６Ａ、上ベベル領域用の第二の研磨パッド７６Ｂ、最外周領域用の第三の研磨パッド７６Ｃが、それぞれ２つずつ等間隔に配置される。これも、ウェーハＷの直径が３００ｍｍの場合に好適である。   The arrangement of the end face polishing pad is not limited to the present embodiment, and as a modification, for example, one shown in FIG. 8 can also be mentioned. In the wafer end face polishing apparatus 200 shown in FIG. 8, a total of six polishing pads are arranged to surround the wafer periphery, and a first polishing pad 76A for the lower bevel region and a second polishing pad 76B for the upper bevel region. The third polishing pads 76C for the outermost circumferential region are arranged at equal intervals, two each. This is also suitable when the diameter of the wafer W is 300 mm.

その他にも、ウェーハＷの直径が４５０ｍｍの場合には、合計１８個の研磨パッドがウェーハ外周を取り囲むように配置され、第一の研磨パッド、第二の研磨パッド、第三の研磨パッドが、それぞれ６つずつ等間隔に配置されるものとすることもできる。   In addition, when the diameter of the wafer W is 450 mm, a total of 18 polishing pads are disposed to surround the wafer periphery, and the first polishing pad, the second polishing pad, and the third polishing pad are It is also possible to arrange six each at equal intervals.

本実施形態では、上記説明した研磨パッド７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃの少なくとも一つを、以下に説明する本発明の実施形態によるウェーハ端面研磨パッドとすることを特徴とする。   The present embodiment is characterized in that at least one of the polishing pads 76A, 76B, and 76C described above is a wafer end face polishing pad according to an embodiment of the present invention described below.

（第一の実施形態であるウェーハ端面研磨パッド）
図１（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第一の実施形態による、ウェーハの端面を研磨するためのパッド１０は、おもて面１１Ａ及び裏面１１Ｂからなる主面の形状が矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、パッドの短手方向Ｘ片端２Ｂのみに開口した、複数本の溝１２が、パッドの長手方向Ｙに間隔をあけて、パッドの短手方向Ｘに沿って配置されていることを特徴とする。この端面研磨パッドは、上記端面研磨装置１００，２００において、第一の研磨パッド７６Ａ、第二の研磨パッド７６Ｂ、及び第三の研磨パッド７６Ｃの少なくとも一つとして用いられる。特に、下べベル部領域用の第一の研磨パッド７６Ａとして用いることが好ましい。このとき、第一の研磨パッド７６Ａは、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端２Ｂが鉛直方向下側に、他端２Ａが鉛直方向上側になるように配置される。また、端面研磨パッド１０の両主面のうち、溝１２を設けた面をおもて面１１Ａとし、その反対面を裏面１１Ｂとしたとき、おもて面１１Ａがウェーハ端面と対向して、接触する。この状態でウェーハＷの端面研磨を行うことによって、スラリーの大半が溝１２にガイドされて、当該端面研磨パッド１０の下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなる。そのため、端面研磨後のウェーハＷの裏面におけるＬＰＤが低減される。さらに、ウェーハ保持パッド７２の使用寿命が長くなることによって、資材コストが低減でき、パッド交換に伴う生産性の低下を防ぐことができる。第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、従来の端面研磨パッドを用いてもよいが、本実施形態の端面研磨パッド１０を用いれば、スラリーの飛散をさらに抑制できるため好ましい。このとき、第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端２Ｂが鉛直方向下側に、他端２Ａが鉛直方向上側になるように配置される。 (Wafer end face polishing pad according to the first embodiment)
Referring to FIGS. 1A and 1B, a pad 10 for polishing an end surface of a wafer according to a first embodiment of the present invention has a shape of a main surface including a front surface 11A and a back surface 11B. Is a pad for polishing the end face of the wafer, and a plurality of grooves 12 opened only in the short direction X one end 2B of the pad are spaced apart in the longitudinal direction Y of the pad, It is characterized in that it is disposed along the short side direction X of The end face polishing pad is used as at least one of the first polishing pad 76A, the second polishing pad 76B, and the third polishing pad 76C in the end face polishing apparatus 100, 200. In particular, it is preferable to use it as the first polishing pad 76A for the lower bevel region. At this time, in the first polishing pad 76A, the rotation direction of the wafer W coincides with the longitudinal direction Y of the pad, the short direction X end 2B of the pad is vertically downward, and the other end 2A is vertically upward. Are arranged to be Further, of the two main surfaces of the end face polishing pad 10, when the surface provided with the groove 12 is the front surface 11A and the opposite surface is the back surface 11B, the front surface 11A faces the wafer end surface, Contact. By performing the end face polishing of the wafer W in this state, most of the slurry is guided by the groove 12 and easily falls below the end face polishing pad 10, so that the slurry is scattered in the direction of the outer peripheral end of the stage. It becomes difficult to do. Therefore, the LPD on the back surface of the wafer W after the end face polishing is reduced. Furthermore, by prolonging the service life of the wafer holding pad 72, the material cost can be reduced, and the decrease in productivity associated with pad replacement can be prevented. Although a conventional end face polishing pad may be used for the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, it is preferable to use the end face polishing pad 10 of the present embodiment because the scattering of the slurry can be further suppressed. At this time, with regard to the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, the rotational direction of the wafer W coincides with the longitudinal direction Y of the pad, and the short direction X one end 2B of the pad is vertically downward. The other end 2A is arranged vertically upward.

図１（Ｂ）を参照して、端面研磨領域Ｓ（すなわち、パッドのおもて面１１Ａ内のウェーハ端面との接触領域）は、パッドの短手方向Ｘ両端から等距離にある中心線を基準として、パッドの短手方向長さＤの３〜６０％の長さの領域に延在する。溝１２の一部はこの端面研磨領域Ｓと重複するように配置されるものの、溝による研磨レートの変化はほぼ生じないことを本発明者らは確認した。   Referring to FIG. 1 (B), the end surface polishing region S (that is, the contact region with the wafer end surface in the front surface 11A of the pad) has a center line equidistant from both ends in the lateral direction X of the pad. As a reference, it extends in a region of 3 to 60% of the short side length D of the pad. The inventors confirmed that although a part of the groove 12 is disposed so as to overlap with the end face polishing area S, the change in the polishing rate due to the groove hardly occurs.

溝の形状、溝の延在方向に垂直な断面形状、溝幅、隣接する溝間の間隔、及び溝の本数等については、スラリーを排出する効率を考慮して適宜設定すればよい。   The shape of the groove, the sectional shape perpendicular to the extending direction of the groove, the groove width, the distance between adjacent grooves, the number of grooves, and the like may be appropriately set in consideration of the efficiency of discharging the slurry.

溝の形状に関しては、図１に示すように、溝はストレートに延在すること、すなわち、直線状に短手方向Ｘ片端２Ｂのみに到達するようにすることが、スラリー排出効率の観点および溝形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、溝が湾曲していてもよい。また、溝は、図１に示すように、短手方向Ｘ片端２Ｂから、パッドの短手方向長さＤの３〜５０％の位置まで配置することが好ましい。３％以上とすると、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。なお、上限については特に限定されないが、５０％以下とすると、ウェーハの裏面においてＬＰＤ低減の効果を得ることができ、かつ、端面研磨領域Ｓと溝との重複領域が広くなりすぎないため、溝の側面にスラリーが固着し蓄積することがなく、ウェーハ端部に傷が生じない。また、図１（Ｂ）を参照して、端面研磨領域Ｓが、パッドの短手方向Ｘ両端から等距離にある中心線を基準として、パッドの短手方向長さＤの６０％の長さの領域に延在する場合、溝は、端面研磨領域Ｓと重複しないように、短手方向Ｘ片端２Ｂからパッドの短手方向長さＤの３〜２０％の位置まで配置することがより好ましい。   With respect to the shape of the groove, as shown in FIG. 1, the groove extends straight, that is, it is possible to reach only the short direction X one end 2B linearly, in terms of slurry discharge efficiency and the groove It is preferable from the viewpoint of the ease of formation processing. However, the present invention is not limited to this, and the groove may be curved. Moreover, as shown in FIG. 1, it is preferable to arrange the groove from the one end 2B in the width direction X to 3 to 50% of the length D in the width direction D of the pad. If it is 3% or more, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained. The upper limit is not particularly limited, but if it is 50% or less, the effect of LPD reduction can be obtained on the back surface of the wafer, and the overlapping area between the end face polishing area S and the groove does not become too wide. The slurry does not stick and accumulate on the side of the wafer, and the edge of the wafer is not scratched. Further, referring to FIG. 1 (B), the end face polishing area S has a length of 60% of the pad widthwise direction length D with reference to the center line which is equidistant from both ends of pad widthwise direction X. It is more preferable to arrange the groove from the short direction X one end 2B to a position 3% to 20% of the short direction length D of the pad so as not to overlap with the end face polishing region S .

溝の延在方向に垂直な断面形状は、本実施形態のように、パッドの主面に平行な溝底と、パッドの主面に対して垂直な２つの溝壁とから構成される形状とすることが、スラリー排出効率の観点および溝形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、断面形状が半円や半楕円のように湾曲していてもよい。   The cross-sectional shape perpendicular to the extending direction of the groove is a shape comprising a groove bottom parallel to the main surface of the pad and two groove walls perpendicular to the main surface of the pad as in this embodiment. It is preferable from the viewpoint of slurry discharge efficiency and the ease of groove formation processing. However, the present invention is not limited to this, and the cross-sectional shape may be curved like a semicircle or a semiellipse.

溝幅は、０．５〜２．０ｍｍとすることが好ましい。０．５ｍｍ以上とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができ、２．０ｍｍ以下とすることにより、溝の有無による転写（研磨ムラ）が発生することがない。   The groove width is preferably 0.5 to 2.0 mm. By setting the thickness to 0.5 mm or more, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained, and by setting the width to 2.0 mm or less, transfer (polishing unevenness) due to the presence or absence of the groove does not occur.

隣接する溝間の間隔（溝底中心線同士の間隔）は、５〜２０ｍｍとすることが好ましい。５ｍｍ以上とすることにより、パッドの強度が保たれ、２０ｍｍ以下とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。複数本の溝は等間隔に配置することが好ましい。   The distance between adjacent grooves (the distance between groove bottom center lines) is preferably 5 to 20 mm. By setting the thickness to 5 mm or more, the strength of the pad is maintained, and by setting the thickness to 20 mm or less, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained. The plurality of grooves are preferably arranged at equal intervals.

（第二の実施形態であるウェーハ端面研磨パッド）
図２を参照して、本発明の第二の実施形態による、ウェーハの端面を研磨するためのパッド２０は、おもて面１３Ａ及び裏面１３Ｂからなる主面の形状が矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、パッドの短手方向Ｘ片端４Ｂのみに開口した、複数本の縦長の切り欠き１４が、パッドの長手方向Ｙに間隔をあけて、パッドの短手方向Ｘに沿って配置されていることを特徴とする。この端面研磨パッドは、上記端面研磨装置１００，２００において、第一の研磨パッド７６Ａ、第二の研磨パッド７６Ｂ、及び第三の研磨パッド７６Ｃの少なくとも一つとして用いられる。特に、下べベル部領域用の第一の研磨パッド７６Ａとして用いることが好ましい。このとき、第一の研磨パッド７６Ａは、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端４Ｂが鉛直方向下側に、他端４Ａが鉛直方向上側になるように配置される。この状態でウェーハＷの端面研磨を行うことによって、スラリーの大半が切り欠き１４にガイドされて、当該端面研磨パッド２０の下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなる。そのため、端面研磨後のウェーハＷの裏面におけるＬＰＤが低減される。さらに、ウェーハ保持パッド７２の使用寿命が長くなることによって、資材コストが低減でき、パッド交換に伴う生産性の低下を防ぐことができる。第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、従来の端面研磨パッドを用いてもよいが、本実施形態の端面研磨パッド２０を用いれば、スラリーの飛散をさらに抑制できるため好ましい。このとき、第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端４Ｂが鉛直方向下側に、他端４Ａが鉛直方向上側になるように配置される。 (Wafer end face polishing pad according to the second embodiment)
Referring to FIG. 2, according to a second embodiment of the present invention, a pad 20 for polishing an end face of a wafer has a rectangular main surface formed of a front surface 13A and a back surface 13B. A plurality of vertically long notches 14 which are pads for polishing the end faces and which are opened only at the short side X one end 4B of the pad are spaced apart from each other in the longitudinal direction Y of the pad, It is characterized by being disposed along X. The end face polishing pad is used as at least one of the first polishing pad 76A, the second polishing pad 76B, and the third polishing pad 76C in the end face polishing apparatus 100, 200. In particular, it is preferable to use it as the first polishing pad 76A for the lower bevel region. At this time, in the first polishing pad 76A, the rotation direction of the wafer W coincides with the longitudinal direction Y of the pad, the short direction X one end 4B of the pad is vertically downward, and the other end 4A is vertically upward. Are arranged to be By performing the end face polishing of the wafer W in this state, most of the slurry is guided by the notches 14 and is likely to fall below the end face polishing pad 20, so that the slurry moves in the direction of the outer peripheral end of the stage. It becomes difficult to scatter. Therefore, the LPD on the back surface of the wafer W after the end face polishing is reduced. Furthermore, by prolonging the service life of the wafer holding pad 72, the material cost can be reduced, and the decrease in productivity associated with pad replacement can be prevented. Although a conventional end face polishing pad may be used for the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, it is preferable to use the end face polishing pad 20 of the present embodiment because the scattering of the slurry can be further suppressed. At this time, with regard to the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, the rotation direction of the wafer W matches the longitudinal direction Y of the pad, and the short side X end 4B of the pad is vertically downward. The other end 4A is arranged vertically upward.

第一の実施形態と同様に、第二の実施形態においては、切り欠き１４の一部は端面研磨領域と重複するように配置されるものの、切り欠きによる研磨レートの変化はほぼ生じないことを本発明者らは確認した。   As in the first embodiment, in the second embodiment, although a part of the notch 14 is disposed so as to overlap with the end face polishing area, substantially no change in the polishing rate due to the notch occurs. The present inventors confirmed.

切り欠きの形状、切り欠きの延在方向に垂直な断面形状、切り欠き幅、隣接する切り欠き間の間隔、及び切り欠きの本数等については、スラリーを排出する効率を考慮して適宜設定すればよい。   The shape of the notch, the cross-sectional shape perpendicular to the extending direction of the notch, the notch width, the distance between adjacent notches, the number of notches, etc. can be set appropriately in consideration of the efficiency of discharging the slurry. Just do it.

切り欠きの主面上での形状に関しては、図２に示すように、切り欠きはストレートに延在すること、すなわち、直線状に短手方向Ｘ片端４Ｂのみに到達するようにすることが、スラリー排出効率の観点および切り欠きの形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、切り欠きが湾曲していてもよい。また、切り欠きは、第一の実施形態と同様に、短手方向Ｘ片端４Ｂから、パッドの短手方向長さＤの３〜５０％の位置まで配置することが好ましい。３％以上とすると、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。なお、上限については特に限定されないが、５０％以下とすると、ウェーハの裏面においてＬＰＤ低減の効果を得ることができ、かつ、端面研磨領域Ｓと切り欠きとの重複領域が広くなりすぎないため、切り欠きの側面にスラリーが固着し蓄積することがなく、ウェーハ端部に傷が生じない。また、第一の実施形態と同様に、端面研磨領域Ｓが、パッドの短手方向Ｘ両端から等距離にある中心線を基準として、パッドの短手方向長さＤの６０％の長さの領域に延在する場合、切り欠きは、端面研磨領域Ｓと重複しないように、短手方向Ｘ片端４Ｂからパッドの短手方向長さＤの３〜２０％の位置まで配置することがより好ましい。   With respect to the shape of the notch on the main surface, as shown in FIG. 2, the notch extends straight, that is, it can reach only the short direction X one end 4 B in a straight line, It is preferable from the viewpoint of slurry discharge efficiency and the viewpoint of the ease of formation processing of a notch. However, the present invention is not limited to this, and the notch may be curved. Further, as in the first embodiment, the notch is preferably arranged from the one end 4B in the width direction X to 3 to 50% of the length D in the width direction D of the pad. If it is 3% or more, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained. The upper limit is not particularly limited, but if it is 50% or less, the effect of LPD reduction can be obtained on the back surface of the wafer, and the overlapping area of the end face polishing area S and the notch does not become too wide. The slurry does not stick and accumulate on the side surfaces of the notch, and the edge of the wafer is not scratched. Further, as in the first embodiment, the end face polishing area S has a length of 60% of the pad lateral length D with reference to the center line which is equidistant from both ends in the pad lateral direction X of the pad. When extending to the area, it is more preferable to arrange the notch to a position of 3 to 20% of the width direction length D of the pad from the one end 4B of the width direction so as not to overlap with the end surface polishing area S. .

切り欠きの延在方向に垂直な断面形状は、本実施形態のように、パッドの主面に対して垂直な２つの切り欠き壁から構成される形状とすることが、スラリー排出効率の観点および切り欠きの形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、断面形状が半円や半楕円のように湾曲していてもよい。   The cross-sectional shape perpendicular to the extending direction of the notches is a shape composed of two notched walls perpendicular to the main surface of the pad as in the present embodiment, and in terms of slurry discharging efficiency and It is preferable from the viewpoint of the ease of formation processing of a notch. However, the present invention is not limited to this, and the cross-sectional shape may be curved like a semicircle or a semiellipse.

切り欠き幅（パッドの長手方向幅）は、０．５〜２．０ｍｍとすることが好ましい。０．５ｍｍ以上とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができ、２．０ｍｍ以下とすることにより、切り欠きの有無による転写（研磨ムラ）が発生することがない。なお、切り欠き幅が広すぎると切り欠きにウェーハが落ち込み、スムーズな回転が得られないので、ウェーハに安定した研磨圧力をかけることができないという問題が生じる。   The notch width (width in the longitudinal direction of the pad) is preferably 0.5 to 2.0 mm. By setting it as 0.5 mm or more, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained, and by setting it as 2.0 mm or less, transfer (abrasion unevenness) due to the presence or absence of the notch does not occur. If the width of the notch is too wide, the wafer drops into the notch and a smooth rotation can not be obtained, which causes a problem that a stable polishing pressure can not be applied to the wafer.

隣接する切り欠き間の間隔（切り欠き中心線同士の間隔）は、５〜２０ｍｍとすることが好ましい。５ｍｍ以上とすることにより、パッドの強度が保たれ、２０ｍｍ以下とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。複数本の切り欠きは等間隔に配置することが好ましい。なお、切り欠き間の間隔が５ｍｍよりも小さい場合、結果として切り欠き幅が広くなりすぎて、切り欠きにウェーハが落ち込み、スムーズな回転が得られないので、ウェーハに安定した研磨圧力をかけることができないという問題が生じる。   The distance between the adjacent notches (the distance between the notch center lines) is preferably 5 to 20 mm. By setting the thickness to 5 mm or more, the strength of the pad is maintained, and by setting the thickness to 20 mm or less, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained. It is preferable to arrange a plurality of notches at equal intervals. When the gap between the notches is smaller than 5 mm, the notch width becomes too wide as a result, and the wafer drops into the notches, and a smooth rotation can not be obtained, so a stable polishing pressure is applied to the wafer. The problem arises that you can not

（第三の実施形態であるウェーハ端面研磨パッド）
図３（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第三の実施形態による、ウェーハの端面を研磨するためのパッド３０は、おもて面１５Ａ及び裏面１５Ｂからなる主面の形状が矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、パッドの厚みが減少した段差面１６が、パッドの短手方向Ｘ片端６Ｂのみに到達するように、パッドの長手方向Ｙにわたって配置されていることを特徴とする。この端面研磨パッドは、上記端面研磨装置１００，２００において、第一の研磨パッド７６Ａ、第二の研磨パッド７６Ｂ、及び第三の研磨パッド７６Ｃの少なくとも一つとして用いられる。特に、下べベル部領域用の第一の研磨パッド７６Ａとして用いることが好ましい。このとき、第一の研磨パッド７６Ａは、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端６Ｂが鉛直方向下側に、他端６Ａが鉛直方向上側になるように配置される。また、端面研磨パッド３０の両主面のうち、段差面１６を設けた面をおもて面１５Ａとし、その反対面を裏面１５Ｂとしたとき、おもて面１５Ａがウェーハ端面と対向して、接触する。この状態でウェーハＷの端面研磨を行うことによって、スラリーの大半が段差面１６にガイドされて、当該端面研磨パッド３０の下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなる。そのため、端面研磨後のウェーハＷの裏面におけるＬＰＤが低減される。さらに、ウェーハ保持パッド７２の使用寿命が長くなることによって、資材コストが低減でき、パッド交換に伴う生産性の低下を防ぐことができる。第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、従来の端面研磨パッドを用いてもよいが、本実施形態の端面研磨パッド３０を用いれば、スラリーの飛散をさらに抑制できるため好ましい。このとき、第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端６Ｂが鉛直方向下側に、他端６Ａが鉛直方向上側になるように配置される。 (Wafer end face polishing pad according to the third embodiment)
Referring to FIGS. 3A and 3B, a pad 30 for polishing an end face of a wafer according to a third embodiment of the present invention has a shape of a main surface including a front surface 15A and a back surface 15B. Is a pad for polishing the end face of the wafer, and the step surface 16 with the reduced thickness of the pad extends over the longitudinal direction Y of the pad so that it reaches only the short direction X one end 6B of the pad. It is characterized by being arranged. The end face polishing pad is used as at least one of the first polishing pad 76A, the second polishing pad 76B, and the third polishing pad 76C in the end face polishing apparatus 100, 200. In particular, it is preferable to use it as the first polishing pad 76A for the lower bevel region. At this time, in the first polishing pad 76A, the rotation direction of the wafer W coincides with the longitudinal direction Y of the pad, the short direction X end 6B of the pad is vertically downward, and the other end 6A is vertically upward. Are arranged to be In addition, when the surface provided with the step surface 16 is taken as the front surface 15A and the opposite surface is taken as the back surface 15B, of the both main surfaces of the end surface polishing pad 30, the front surface 15A faces the wafer end surface. ,Contact. By performing the end face polishing of the wafer W in this state, most of the slurry is guided by the step surface 16 and easily falls below the end face polishing pad 30, and as a result, the slurry moves in the direction of the outer peripheral end of the stage. It becomes difficult to scatter. Therefore, the LPD on the back surface of the wafer W after the end face polishing is reduced. Furthermore, by prolonging the service life of the wafer holding pad 72, the material cost can be reduced, and the decrease in productivity associated with pad replacement can be prevented. Although a conventional end face polishing pad may be used for the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, it is preferable to use the end face polishing pad 30 according to the present embodiment because the scattering of the slurry can be further suppressed. At this time, with regard to the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, the rotational direction of the wafer W matches the longitudinal direction Y of the pad, and the short side X end 6B of the pad is vertically downward. The other end 6A is arranged vertically upward.

図３（Ｂ）を参照して、端面研磨領域Ｓ（すなわち、パッドのおもて面１５Ａ内のウェーハ端面との接触領域）は、パッドの短手方向Ｘ両端から等距離にある中心線を基準として、パッドの短手方向長さＤの３〜６０％の長さの領域に延在する。段差面１６は、この端面研磨領域Ｓと重複しないように配置される。段差面１６が端面研磨領域Ｓと重複すると、ウェーハＷが段差面に落ちてしまい、端面研磨が困難になるからである。また、段差面１６は、パッドの短手方向Ｘ片端６Ｂから、パッドの短手方向長さＤの３〜２０％の位置まで配置されることが好ましい。２０％以下とすると、ウェーハＷが段差面に落ちることがないので、端面研磨が容易になり、３％以上とすると、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。   Referring to FIG. 3 (B), the end surface polishing region S (that is, the contact region with the wafer end surface in the front surface 15A of the pad) has a center line equidistant from both ends in the lateral direction X of the pad. As a reference, it extends in a region of 3 to 60% of the short side length D of the pad. The step surface 16 is disposed so as not to overlap with the end surface polishing region S. When the step surface 16 overlaps with the end surface polishing region S, the wafer W falls onto the step surface, which makes it difficult to perform the end surface polishing. Further, it is preferable that the step surface 16 be disposed from the short direction X one end 6B of the pad to a position of 3 to 20% of the short direction length D of the pad. When it is 20% or less, the wafer W does not fall on the step surface, so the end face polishing becomes easy, and when it is 3% or more, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained.

段差面の形状に関しては、図３に示すように、段差面は矩形とすることが、スラリー排出効率の観点および段差面の形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されない。   With regard to the shape of the step surface, as shown in FIG. 3, it is preferable to make the step surface rectangular, from the viewpoint of the slurry discharge efficiency and the ease of forming and processing the step surface. However, the present invention is not limited to this.

段差面１６の段差は、１〜２ｍｍとすることが好ましい。１ｍｍ以上とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができ、２ｍｍ以下とすることにより、研磨レートに悪影響を及ぼすことがない。また、パッドの短手方向片端６Ｂにおけるパッドの厚みを１ｍｍ以上とすることが好ましい。パッドの短手方向片端６Ｂにおけるパッドの厚みが１ｍｍ以上とすると、例えばパッド３０を図７（Ｃ）の第一の研磨パッド７６Ａとして使用する場合、パッド３０は段差面１６において十分な強度を得ることができ、端面研磨パッド３０を第一パッド保持体７４Ａに装着することが容易になるからである。   It is preferable that the level | step difference of the level | step difference surface 16 be 1-2 mm. By setting the diameter to 1 mm or more, the discharge efficiency of the slurry can be sufficiently obtained, and by setting the diameter to 2 mm or less, the polishing rate is not adversely affected. Moreover, it is preferable to make thickness of the pad in the transversal direction one end 6B of a pad into 1 mm or more. When the thickness of the pad at one lateral end 6B of the pad is 1 mm or more, for example, when the pad 30 is used as the first polishing pad 76A of FIG. 7C, the pad 30 obtains sufficient strength on the step surface 16 This is because the end face polishing pad 30 can be easily attached to the first pad holder 74A.

（第四の実施形態であるウェーハ端面研磨パッド）
図４（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第四の実施形態による、ウェーハの端面を研磨するためのパッド４０は、おもて面１７Ａ及び裏面１７Ｂからなる主面の形状が矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、おもて面１７Ａと隣接し、パッド４０の厚みがパッドの短手方向Ｘに沿って短手方向Ｘ片端８Ｂに向けて漸減するスロープ面１８が、パッドの短手方向Ｘ片端８Ｂのみに到達するように、パッドの長手方向Ｙにわたって配置されていることを特徴とする。この端面研磨パッドは、上記端面研磨装置１００，２００において、第一の研磨パッド７６Ａ、第二の研磨パッド７６Ｂ、及び第三の研磨パッド７６Ｃの少なくとも一つとして用いられる。特に、下べベル部領域用の第一の研磨パッド７６Ａとして用いることが好ましい。このとき、第一の研磨パッド７６Ａは、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端８Ｂが鉛直方向下側に、他端８Ａが鉛直方向上側になるように配置される。また、端面研磨パッド４０の両主面のうち、スロープ面１８を設けた面をおもて面１７Ａとし、その反対面を裏面１７Ｂとしたとき、おもて面１７Ａがウェーハ端面と対向して、接触する。この状態でウェーハＷの端面研磨を行うことによって、スラリーの大半がスロープ面１８にガイドされて、当該端面研磨パッド４０の下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなる。そのため、端面研磨後のウェーハＷの裏面におけるＬＰＤが低減される。さらに、ウェーハ保持パッド７２の使用寿命が長くなることによって、資材コストが低減でき、パッド交換に伴う生産性の低下を防ぐことができる。第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、従来の端面研磨パッドを用いてもよいが、本実施形態の端面研磨パッド４０を用いれば、スラリーの飛散をさらに抑制できるため好ましい。このとき、第二の研磨パッド７６Ｂ及び第三の研磨パッド７６Ｃに関しては、ウェーハＷの回転方向とパッドの長手方向Ｙとが一致し、パッドの短手方向Ｘ片端８Ｂが鉛直方向下側に、他端８Ａが鉛直方向上側になるように配置される。 (Wafer end face polishing pad according to the fourth embodiment)
Referring to FIGS. 4A and 4B, a pad 40 for polishing an end face of a wafer according to a fourth embodiment of the present invention has a shape of a main surface including a front surface 17A and a back surface 17B. Is a pad for polishing the end face of the wafer, and is adjacent to the front surface 17A, and the thickness of the pad 40 is along the pad's short direction X toward the short direction X one end 8B It is characterized in that the sloped slope surface 18 is arranged in the longitudinal direction Y of the pad so as to reach only the short side X end 8B of the pad. The end face polishing pad is used as at least one of the first polishing pad 76A, the second polishing pad 76B, and the third polishing pad 76C in the end face polishing apparatus 100, 200. In particular, it is preferable to use it as the first polishing pad 76A for the lower bevel region. At this time, in the first polishing pad 76A, the rotational direction of the wafer W matches the longitudinal direction Y of the pad, the short direction X end 8B of the pad is vertically downward, and the other end 8A is vertically upward. Are arranged to be Further, when the surface on which the slope surface 18 is provided is taken as the front surface 17A and the opposite surface is taken as the back surface 17B, of the both main surfaces of the end surface polishing pad 40, the front surface 17A faces the wafer end surface. ,Contact. By performing the end face polishing of the wafer W in this state, most of the slurry is guided by the slope surface 18 and easily falls below the end face polishing pad 40, and as a result, the slurry moves in the direction of the outer peripheral end of the stage. It becomes difficult to scatter. Therefore, the LPD on the back surface of the wafer W after the end face polishing is reduced. Furthermore, by prolonging the service life of the wafer holding pad 72, the material cost can be reduced, and the decrease in productivity associated with pad replacement can be prevented. Although a conventional end face polishing pad may be used for the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, it is preferable to use the end face polishing pad 40 of the present embodiment because the scattering of the slurry can be further suppressed. At this time, with regard to the second polishing pad 76B and the third polishing pad 76C, the rotational direction of the wafer W coincides with the longitudinal direction Y of the pad, and the short side X end 8B of the pad is vertically downward. The other end 8A is arranged to be vertically upward.

第三の実施形態と同様に、第四の実施形態においては、スロープ面１８は、端面研磨領域Ｓと重複しないように配置される。スロープ面１８が端面研磨領域Ｓと重複すると、ウェーハＷがスロープ面に落ちてしまい、端面研磨が困難になるからである。また、スロープ面１８は、パッドの短手方向Ｘ片端８Ｂから、パッドの短手方向長さＤの３〜２０％の位置まで配置されることが好ましい。２０％以下とすると、ウェーハＷがスロープ面に落ちることがないので、端面研磨が容易になり、３％以上とすると、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。   As in the third embodiment, in the fourth embodiment, the sloped surface 18 is disposed so as not to overlap the end face polishing area S. If the sloped surface 18 overlaps the end surface polishing area S, the wafer W falls on the sloped surface, which makes end surface polishing difficult. Further, it is preferable that the sloped surface 18 be disposed from the short side X end 8B of the pad to a position of 3 to 20% of the short side length D of the pad. When it is 20% or less, the wafer W does not fall on the slope surface, so the end face polishing becomes easy, and when it is 3% or more, the slurry discharge efficiency can be sufficiently obtained.

スロープ面の傾斜角に関しては、図４（Ｂ）のように、パッドの主面とスロープ面とのなす角θ１を１１〜５３度とすることが、スラリー排出効率の観点から好ましく、４０〜５３度とすることがより好ましい。ここで、θ１の上限値５３度は、スロープ面をパッドの短手方向長さＤの３％の位置まで配置し、かつ、パッドの短手方向片端８Ｂにおけるパッドの厚みとパッドの短手方向他端８Ａにおけるパッドの厚みとの差を２ｍｍとして導出した値であり、θ１の下限値１１度は、スロープ面をパッドの短手方向長さＤの２０％の位置まで配置し、かつ、パッドの短手方向片端８Ｂにおけるパッドの厚みとパッドの短手方向他端８Ａにおけるパッドの厚みとの差を１ｍｍとして導出した値である。また、パッドの長手方向Ｙにわたってスロープ面の先端を尖らすように傾斜角を設定しても良い。 With respect to the inclination angle of the slope surface, as shown in FIG. 4B, it is preferable from the viewpoint of the slurry discharge efficiency that the angle θ1 formed between the main surface of the pad and the slope surface is 11 to 53 degrees. It is more preferable to make it 53 degrees. Here, the upper limit value 53 of θ 1 is such that the slope surface is disposed to a position of 3% of the short side length D of the pad, and the pad thickness at the short side end 8B of the pad and the short side of the pad The lower limit value of 11 degrees of θ 1 is a value obtained by setting the slope surface to a position at 20% of the lateral length D of the pad, and the lower limit value of 11 degrees of θ 1 It is a value derived by setting the difference between the thickness of the pad at one lateral end 8B of the pad and the thickness of the pad at the other lateral end 8A of the pad as 1 mm. Further, the inclination angle may be set to sharpen the tip of the slope surface in the longitudinal direction Y of the pad.

端面研磨パッド１０，２０，３０，及び４０の材質は不織布等の一般的なものとすればよく、例えば、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるものとすることができ、硬度（Asker−Ｃ）は７０〜９０程度とすることが好ましい。   The material of the end face polishing pads 10, 20, 30, and 40 may be a general non-woven fabric, for example, polyester fibers may be impregnated with a polyurethane resin, and the hardness (Asker-C) may be used. Is preferably about 70-90.

端面研磨パッド１０，２０，３０，及び４０の寸法としては、ウェーハのおもて面や裏面よりも小さいものであれば特に限定されないが、パッドの短手方向長さＤは、２３〜２７ｍｍとすることが好ましく、端面研磨装置は、ステージ７０を鉛直方向に揺動させて端面研磨パッド１０，２０，３０及び４０の角度をスイングさせる機構を有しており、揺動幅に合わせて、パッドの短手方向Ｘの所定幅の領域内をウェーハが走行する（前述の端面研磨領域Ｓ）。そのため、パッドの短手方向長さＤが短すぎると、パッド１０，２０，３０及び４０内を占める端面研磨領域Ｓの比率が高くなり、安定した研磨が行えない可能性がある。また、パッドの短手方向長さＤが長すぎると、パッド１０，２０，３０及び４０がステージ７０などと干渉したり、ステージ７０へのスラリーの飛散が多くなる可能性がある。また、パッドの長手方向長さＬは、端面研磨装置のタイプにも依るが、図７の場合、６２〜６６ｍｍとすることが好ましく、図８の場合、１２４〜１３２ｍｍとすることが好ましい。また、４５０ｍｍウェーハ用の端面研磨装置において、合計１８個の研磨パッドを用いる場合には、６２〜６６ｍｍとすることが好ましい。端面研磨パッド１０，２０，３０，及び４０の厚みは２．８〜３．２ｍｍ程度とすることができる。   The dimensions of the end face polishing pads 10, 20, 30, and 40 are not particularly limited as long as they are smaller than the front surface and the back surface of the wafer, but the short side length D of the pad is 23 to 27 mm. Preferably, the end face polishing apparatus has a mechanism for swinging the stage 70 in the vertical direction to swing the angles of the end face polishing pads 10, 20, 30 and 40, in accordance with the swing width. The wafer travels in a region of a predetermined width in the short direction X (the above-mentioned end surface polishing region S). Therefore, if the short side length D of the pad is too short, the ratio of the end face polishing area S occupying the inside of the pads 10, 20, 30 and 40 becomes high, and stable polishing may not be possible. In addition, when the short side length D of the pad is too long, the pads 10, 20, 30, and 40 may interfere with the stage 70 or the like, or the slurry may be frequently scattered to the stage 70. Further, although the length L in the longitudinal direction of the pad depends on the type of the end face polishing apparatus, it is preferably 62 to 66 mm in the case of FIG. 7 and preferably 124 to 132 mm in the case of FIG. Further, in the case of using a total of 18 polishing pads in the end face polishing apparatus for a 450 mm wafer, the width is preferably 62 to 66 mm. The thickness of the end face polishing pads 10, 20, 30, and 40 can be about 2.8 to 3.2 mm.

端面研磨パッド１０，２０，３０，及び４０の形状としては、主面の形状が略矩形である限り特に限定されない。例えば、図５に示すように、主面の形状が、一組の長辺３Ａ，３Ｂが互いに平行であり、２つの短辺３Ｃ，３Ｄと長辺のうち長い辺３Ｂとのなす角θ２及びθ３がそれぞれ８５〜９５度である形状（長方形を基準として短辺を±５度の範囲で傾けた形状）としてもよい。 The shape of the end face polishing pads 10, 20, 30, and 40 is not particularly limited as long as the shape of the main surface is substantially rectangular. For example, as shown in FIG. 5, the shape of the main surface is such that the pair of long sides 3A and 3B are parallel to each other, and the angle θ 2 between the two short sides 3C and 3D and the long side 3B of the long sides. And θ 3 may be 85 to 95 degrees (the short side may be inclined within a range of ± 5 degrees with reference to a rectangle).

また、図６に示すように、主面の形状がバームクーヘン形状であってもよい。この場合、外側長辺３Ａおよび内側長辺３Ｂは、２つの短辺３Ｃ，３Ｄの延長線の交点Ｏを中心とする円の一部となっており、長径Ｒ１（中心Ｏと外側長辺３Ａとの距離）は１８２〜１９２ｍｍ、短径Ｒ２（中心Ｏと内側長辺３Ｂとの距離）は１４９〜１５１ｍｍ、中心角θ４は３７．５〜３９．５度とすることが好ましい。 Further, as shown in FIG. 6, the shape of the main surface may be a Baum-Kuchen shape. In this case, the outer long side 3A and the inner long side 3B are part of a circle centered at the intersection O of the extension lines of the two short sides 3C and 3D, and the major axis R 1 (center O and outer long side Preferably, the distance to 3A is 182 to 192 mm, the minor axis R 2 (the distance between the center O and the inner long side 3B) is 149 to 151 mm, and the central angle θ 4 is 37.5 to 39.5 degrees.

なお、第一の実施形態における溝１２、及び第二の実施形態における切り欠き１４の延在方向とパッドの短手方向Ｘとのなす角は０度であり、これは、スラリー排出効率の観点および溝形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし、本発明はこれに限定されず、ストレートに延在した溝又は切り欠きが、パッドの短手方向Ｘに対して傾斜していてもよい。このとき、溝の延在方向とパッドの短手方向とのなす角は、０〜６０度とすることが好ましく、３０度以下とすることがより好ましい。６０度以下とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができ、かつ、溝にウェーハＷの端面が嵌ってしまうことがない。   The angle between the extension direction of the groove 12 in the first embodiment and the notch 14 in the second embodiment and the short direction X of the pad is 0 degrees, which is the viewpoint of the slurry discharge efficiency. And it is preferable from the viewpoint of the ease of groove formation processing. However, the present invention is not limited to this, and the grooves or notches extending straight may be inclined with respect to the short direction X of the pad. At this time, an angle between the extension direction of the groove and the short direction of the pad is preferably 0 to 60 degrees, and more preferably 30 degrees or less. By setting the temperature to 60 degrees or less, the slurry discharge efficiency can be sufficiently obtained, and the end face of the wafer W does not fit in the groove.

また、第一の実施形態における溝１２、及び第二の実施形態における切り欠き１４を、端面研磨領域Ｓと重複しないように配置してもよい。   Further, the groove 12 in the first embodiment and the notch 14 in the second embodiment may be disposed so as not to overlap with the end surface polishing region S.

（発明例１）
図１に示す主面が矩形の端面研磨パッド１０を、その短手方向片端２Ｂが鉛直方向下側、他端２Ａが鉛直方向上側に位置するように、図７に示す端面研磨装置の全てのパッド保持体７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃに貼り付けて、直径３００ｍｍのシリコンウェーハの端面を研磨する試験を行った。端面研磨パッドは、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるものとし、厚さは３．０ｍｍ、短手方向長さＤは２５ｍｍ、長手方向長さＬは６４ｍｍとした。溝１２は、短手方向Ｘ片端２Ｂから、パッドの短手方向長さＤの５０％の位置まで配置することとし、溝幅は１ｍｍ、隣接する溝間の間隔は７ｍｍ、溝の本数は７本とした。このような条件で、コロイダルシリカ（SiO2）５％を水酸化カリウム（KOH）１５００ｐｐｍで調整した水溶液（ｐＨ：１０〜１１．２）をスラリーとしてウェーハ端面に供給して、ウェーハ回転数１０ｒｐｍ、端面研磨パッドの回転数３５０ｒｐｍとして、端面研磨を順次行い、合計３００枚のシリコンウェーハの端面研磨を行った。 (Invention Example 1)
All of the end face polishing apparatus shown in FIG. 7 such that the main surface shown in FIG. 1 has a rectangular end face polishing pad 10 with its short side direction end 2B located on the lower side in the vertical direction and the other end 2A located on the upper side. A test was conducted to affix the pad holders 74A, 74B and 74C and to polish the end face of a silicon wafer having a diameter of 300 mm. The end face polishing pad was formed by impregnating a polyester fiber with a polyurethane resin, and the thickness was 3.0 mm, the short direction length D was 25 mm, and the longitudinal direction length L was 64 mm. The grooves 12 are arranged from the short side X one end 2B to a position at 50% of the short side length D of the pad, the groove width is 1 mm, the distance between adjacent grooves is 7 mm, and the number of grooves is seven. It was a book. Under such conditions, an aqueous solution (pH: 10 to 11.2) prepared by adjusting 5% of colloidal silica (SiO 2 ) with 1500 ppm of potassium hydroxide (KOH) is supplied as a slurry to the wafer end surface, and the wafer rotation speed is 10 rpm. The end face polishing was sequentially performed at a rotation speed of 350 rpm of the end face polishing pad, and the end face polishing of a total of 300 silicon wafers was performed.

（発明例２）
図２に示す矩形の端面研磨パッド２０を用いたこと以外は、発明例１と同様にして試験を行った。なお、切り欠き１４は、短手方向Ｘ片端４Ｂから、パッドの短手方向長さＤの５０％の位置まで配置することとし、切り欠き幅は１ｍｍ、隣接する切り欠き間の間隔は７ｍｍ、切り欠きの本数は７本とした。 (Invention Example 2)
A test was conducted in the same manner as in the invention example 1 except that the rectangular end face polishing pad 20 shown in FIG. 2 was used. The notch 14 is disposed from the one end 4B in the width direction X to 50% of the length D in the width direction of the pad, the width of the notch is 1 mm, and the distance between adjacent notches is 7 mm. The number of notches was seven.

（発明例３）
図３に示す矩形の端面研磨パッド３０を用いたこと以外は、発明例１と同様にして試験を行った。なお、段差面１６は、パッドの短手方向Ｘ片端６Ｂから、パッドの短手方向長さＤの１５％の位置まで配置することとし、パッド３０の段差は２ｍｍとした。 (Invention Example 3)
A test was conducted in the same manner as in the invention example 1 except that the rectangular end face polishing pad 30 shown in FIG. 3 was used. The step surface 16 is disposed from the one end 6B in the short direction X of the pad to 15% of the short direction length D of the pad, and the step on the pad 30 is 2 mm.

（発明例４）
図４に示す矩形の端面研磨パッド４０を用いたこと以外は、発明例１と同様にして試験を行った。なお、スロープ面１８は、パッドの短手方向Ｘ片端８Ｂから、パッドの短手方向長さＤの１５％の位置まで配置することとし、パッド４０の主面とスロープ面１８との角度θ１は２０度とした。 (Invention Example 4)
The test was conducted in the same manner as in the invention example 1 except that the rectangular end face polishing pad 40 shown in FIG. 4 was used. The sloped surface 18 is disposed from the short side X end 8B of the pad to a position 15% of the short side length D of the pad, and the angle θ 1 between the main surface of the pad 40 and the sloped surface 18 Was 20 degrees.

（比較例）
溝、切り欠き、段差面、又はスロープ面のいずれも有しない矩形の端面研磨パッドを用いたこと以外は、発明例１と同様にして試験を行った。 (Comparative example)
The test was conducted in the same manner as in the invention example 1 except that a rectangular end face polishing pad not having any grooves, notches, stepped surfaces or sloped surfaces was used.

（裏面ＬＰＤの評価）
研磨後のシリコンウェーハの裏面のＬＰＤ個数を以下の方法で評価した。表面欠陥検査装置（KLA-Tencor社製：Surfscan SP-2）を用いてＤＷＯモード（Dark Field Wide Obliqueモード：暗視野・ワイド・斜め入射モード）でシリコンウェーハの裏面を観察評価し、サイズ（直径）が１２０ｎｍ以上のＬＰＤの発生状況を調べた。結果を表１に示す。 (Evaluation of back side LPD)
The number of LPDs on the back surface of the silicon wafer after polishing was evaluated by the following method. The back surface of the silicon wafer is observed and evaluated in DWO mode (Dark Field Wide Oblique mode: dark field · wide · oblique incidence mode) using a surface defect inspection system (manufactured by KLA-Tencor: Surfscan SP-2), size (diameter ) Examined the occurrence of LPD of 120 nm or more. The results are shown in Table 1.

表１から明らかなように、比較例では研磨枚数が増えるにつれてＬＰＤ個数が増加したのに対して、発明例１〜４では、研磨枚数が増えてもＬＰＤ個数は低いまま抑えられた。   As apparent from Table 1, in the comparative example, the number of LPDs increased as the number of polished wafers increased, whereas in the invention examples 1 to 4, the number of LPDs was kept low even if the number of polished wafers increased.

本発明のウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法によれば、スラリーの飛散が抑制されるため、端面研磨後のウェーハの裏面におけるＬＰＤが低減される。   According to the wafer end face polishing pad, the wafer end face polishing apparatus, and the wafer end face polishing method of the present invention, since the scattering of the slurry is suppressed, the LPD on the back surface of the wafer after the end face polishing is reduced.

１０，２０，３０，４０，５０，６０ ウェーハ端面研磨パッド
２Ａ，４Ａ，６Ａ，８Ａ 短手方向他端
２Ｂ，４Ｂ，６Ｂ，８Ｂ 短手方向片端
１１Ａ，１３Ａ，１５Ａ，１７Ａ おもて面
１１Ｂ，１３Ｂ，１５Ｂ，１７Ｂ 裏面
１２ 溝
１４ 切り欠き
１６ 段差面
１８ スロープ面
Ｘ パッドの短手方向
Ｙ パッドの長手方向
θ１ パッドの主面とスロープ面とのなす角
Ｌ パッドの長手方向長さ
Ｄ パッドの短手方向長さ
Ｓ 端面研磨領域（端面との接触領域）
３Ａ，３Ｂ パッドの長辺
３Ｃ，３Ｄ パッドの短辺
θ２，θ３ ３Ｃ，３Ｄと３Ｂとのなす角
Ｒ１ 長径
Ｒ２ 短径
θ４ 中心角
１００，２００ ウェーハ端面研磨装置
７０ ステージ
７２ ウェーハ保持パッド
７４Ａ 第一パッド保持体（下ベベル領域用）
７４Ｂ 第二パッド保持体（上ベベル領域用）
７４Ｃ 第三パッド保持体（最外周領域用）
７６Ａ 第一の研磨パッド（下ベベル領域用）
７６Ｂ 第二の研磨パッド（上ベベル領域用）
７６Ｃ 第三の研磨パッド（最外周領域用）
７８ ノズル（スラリー供給機構）
Ｗ ウェーハ 10, 20, 30, 40, 50, 60 Wafer end face polishing pads 2A, 4A, 6A, 8A Other ends in the lateral direction 2B, 4B, 6B, 8B One ends in the lateral direction 11A, 13A, 15A, 17A Top surface 11B , 13B, 15B, 17B back surface 12 groove 14 notch 16 step surface 18 slope surface X lateral direction of the pad Y longitudinal direction of the pad θ 1 angle between main surface of the pad and the slope surface L longitudinal length of the pad D Pad length in the lateral direction S Edge polishing area (contact area with edge)
3A, 3B pad long side 3C, 3D pad short side θ 2 , θ 3 3C, 3D and angle formed by R and 3B R 1 major axis R 2 minor axis θ 4 central angle 100, 200 wafer edge polishing apparatus 70 stage 72 wafer Holding pad 74A 1st pad holder (for lower bevel area)
74B Second pad holder (for upper bevel area)
74C Third Pad Holder (For Outermost Area)
76A 1st polishing pad (for lower bevel area)
76B Second polishing pad (for upper bevel area)
76C Third polishing pad (for outermost area)
78 nozzle (slurry supply mechanism)
W wafer

Claims (14)

おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、
前記パッドの短手方向片端のみに開口した、複数本の溝若しくは複数本の切り欠きが、前記パッドの長手方向に間隔をあけて、前記パッドの短手方向に沿って配置されるか、又は
前記おもて面と隣接し、前記パッドの厚みが前記パッドの短手方向に沿って前記短手方向片端に向けて漸減するスロープ面が、前記パッドの短手方向片端のみに到達するように、前記パッドの長手方向にわたって配置されていることを特徴とする、ウェーハ端面研磨パッド。 It is a pad for polishing the end face of a wafer, the shape of the main surface consisting of the front surface and the back surface being substantially rectangular,
A plurality of grooves or a plurality of notches opened only at one lateral direction end of the pad are disposed along the lateral direction of the pad at intervals in the longitudinal direction of the pad , or The sloped surface adjacent to the front surface and in which the thickness of the pad gradually decreases toward the one widthwise end along the widthwise direction of the pad is only the widthwise one end of the pad. A wafer edge polishing pad, which is disposed across the longitudinal direction of the pad so as to reach. 前記溝又は前記切り欠きがストレートに延在する、請求項１に記載のウェーハ端面研磨パッド。   The wafer edge polishing pad according to claim 1, wherein the groove or the notch extends straight. 前記溝又は前記切り欠きが、前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜５０％の位置まで配置されている、請求項１又は２に記載のウェーハ端面研磨パッド。   The wafer end face polishing pad according to claim 1 or 2, wherein the groove or the notch is disposed from the one end to a position of 3 to 50% of the short side length of the pad. 前記スロープ面が、前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜２０％の位置まで配置されている、請求項１に記載のウェーハ端面研磨パッド。 Before Symbol slope surface, from said one end, up to 3-20% of the positions in the lateral direction length of the pad is placed, the wafer end face polishing pad of claim 1. 前記パッドの短手方向長さが２３〜２７ｍｍであり、前記パッドの長手方向長さが６２〜６６ｍｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。   The wafer end face polishing pad according to any one of claims 1 to 4, wherein a lateral length of the pad is 23 to 27 mm, and a longitudinal length of the pad is 62 to 66 mm. 前記主面の形状が矩形である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。   The wafer end face polishing pad according to any one of claims 1 to 5, wherein the shape of the main surface is rectangular. 前記主面の形状が、一組の長辺が互いに平行であり、２つの短辺と前記長辺のうち長い辺とのなす角がそれぞれ８５〜９５度である形状である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。   The shape of the main surface is a shape in which a pair of long sides are parallel to each other, and an angle formed by two short sides and a long side of the long sides is 85 to 95 degrees, respectively. 5. The wafer end face polishing pad according to any one of 5. 前記主面の形状が、外側長辺および内側長辺が、２つの短辺の延長線の交点を中心とする円の一部となる形状である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。   The shape of the said main surface is a shape from which an outer long side and an inner long side become a part of circle centering on the intersection of the extension of two short sides in any one of Claims 1-5. The wafer end face polishing pad described above. ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、
前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、
前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、
を有し、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨装置であって、
前記パッドが、請求項１〜８のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致し、前記ウェーハ端面研磨パッドが前記ウェーハ端面研磨パッドの短手方向片端が鉛直方向下側に、他端が鉛直方向上側になるように配置されることを特徴とするウェーハ端面研磨装置。 A rotatable stage while holding the wafer by vacuum suction and holding;
A pad disposed at a position capable of contacting the end face of the wafer;
A slurry supply mechanism for supplying a slurry to the end face of the wafer;
An edge polishing apparatus for polishing the end surface of the wafer rotated by the stage with the pad;
The said pad is a wafer end surface polishing pad as described in any one of Claims 1-8, The rotation direction of the said wafer and the longitudinal direction of the said wafer end surface polishing pad correspond, The said wafer end surface polishing pad is the said A wafer end face polishing apparatus characterized in that one end in the width direction of the wafer end face polishing pad is located on the lower side in the vertical direction and the other end is located on the upper side in the vertical direction. 前記パッドは、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する第一のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する第二のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記下ベベル領域と前記上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する第三のパッドと、を有し、
少なくとも前記第一のパッドが、請求項１〜８のいずれか一項に記載のウェーハ端面研削パッドである、請求項９に記載のウェーハ端面研磨装置。 The pad is adjacent to a first pad for polishing a lower bevel region adjacent to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer, and a surface on the opposite side to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer A second pad for polishing the upper bevel region, and a third pad for polishing the outermost peripheral region of the end face of the wafer between the lower bevel region and the upper bevel region;
The wafer end face polishing apparatus according to claim 9, wherein at least the first pad is the wafer end face grinding pad according to any one of claims 1 to 8. ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有するウェーハ端面研磨装置を用いて、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨方法であって、
前記パッドが、請求項１〜８のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致し、前記ウェーハ端面研磨パッドの短手方向片端が鉛直方向下側に、他端が鉛直方向上側になるように、前記ウェーハ端面研磨パッドが配置されることを特徴とするウェーハ端面研磨方法。 Wafer end face polishing having a stage capable of rotating while holding a wafer by vacuum suction, a pad disposed at a position where it can contact with the end face of the wafer, and a slurry supply mechanism for supplying slurry to the end face of the wafer A method of polishing an edge of a wafer, wherein the edge of the wafer rotated by the stage is polished by the pad using an apparatus.
The said pad is a wafer end surface polishing pad as described in any one of Claims 1-8, The rotation direction of the said wafer and the longitudinal direction of the said wafer end surface polishing pad correspond, The short of the said wafer end surface polishing pad A wafer end face polishing method, wherein the wafer end face polishing pad is disposed such that one end in the hand direction is on the lower side in the vertical direction and the other end is on the upper side in the vertical direction. ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、  A rotatable stage while holding the wafer by vacuum suction and holding;
前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、  A pad disposed at a position capable of contacting the end face of the wafer;
前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、  A slurry supply mechanism for supplying a slurry to the end face of the wafer;
を有し、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨装置であって、An edge polishing apparatus for polishing the end surface of the wafer rotated by the stage with the pad;
前記パッドは、おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、前記パッドの厚みが減少した段差面が、前記パッドの短手方向片端のみに到達するように前記パッドの長手方向にわたって配置され、かつ前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜２０％の位置まで配置されているウェーハ端面研磨パッドを有し、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致し、前記ウェーハ端面研磨パッドが前記ウェーハ端面研磨パッドの短手方向片端が鉛直方向下側に、他端が鉛直方向上側になるように配置されることを特徴とするウェーハ端面研磨装置。  The pad is a pad for polishing the end face of the wafer, wherein the shape of the main surface including the front surface and the back surface is substantially rectangular, and the stepped surface with the reduced thickness of the pad is the short side of the pad The wafer edge polishing pad is disposed across the longitudinal direction of the pad so as to reach only one end in the lateral direction, and is disposed from the one end to a position of 3 to 20% of the lateral length of the pad. The rotation direction of the wafer coincides with the longitudinal direction of the wafer end face polishing pad, and the wafer end face polishing pad is such that one short end of the wafer end face polishing pad is vertically downward and the other end is vertically upward. A wafer end face polishing apparatus characterized in that the apparatus is arranged as follows. 前記パッドは、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する第一のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する第二のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記下ベベル領域と前記上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する第三のパッドと、を有し、  The pad is adjacent to a first pad for polishing a lower bevel region adjacent to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer, and a surface on the opposite side to the suction surface of the wafer among the end surfaces of the wafer A second pad for polishing the upper bevel region, and a third pad for polishing the outermost peripheral region of the end face of the wafer between the lower bevel region and the upper bevel region;
少なくとも前記第一のパッドは、おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、前記パッドの厚みが減少した段差面が、前記パッドの短手方向片端のみに到達するように前記パッドの長手方向にわたって配置され、かつ前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜２０％の位置まで配置されているウェーハ端面研磨パッドである、請求項１２に記載のウェーハ端面研磨装置。  At least the first pad is a pad for polishing the end face of the wafer, wherein the shape of the main surface consisting of the front surface and the back surface is substantially rectangular, and the step surface with the reduced thickness of the pad is Wafer edge polishing which is disposed along the longitudinal direction of the pad so as to reach only one lateral side end of the pad, and is disposed from the one end to a position 3% to 20% of the lateral length of the pad The wafer end face polishing apparatus according to claim 12, which is a pad. ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有するウェーハ端面研磨装置を用いて、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨方法であって、  Wafer end face polishing having a stage capable of rotating while holding a wafer by vacuum suction, a pad disposed at a position where it can contact with the end face of the wafer, and a slurry supply mechanism for supplying slurry to the end face of the wafer A method of polishing an edge of a wafer, wherein the edge of the wafer rotated by the stage is polished by the pad using an apparatus.
前記パッドは、おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、前記パッドの厚みが減少した段差面が、前記パッドの短手方向片端のみに到達するように前記パッドの長手方向にわたって配置され、かつ前記片端から、前記パッドの短手方向長さの３〜２０％の位置まで配置されているウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致し、前記ウェーハ端面研磨パッドの短手方向片端が鉛直方向下側に、他端が鉛直方向上側になるように、前記ウェーハ端面研磨パッドが配置されることを特徴とするウェーハ端面研磨方法。  The pad is a pad for polishing the end face of the wafer, wherein the shape of the main surface including the front surface and the back surface is substantially rectangular, and the stepped surface with the reduced thickness of the pad is the short side of the pad A wafer end surface polishing pad which is disposed along the longitudinal direction of the pad so as to reach only one end in the hand direction, and is disposed from the one end to a position of 3 to 20% of the short side length of the pad; The wafer end face is aligned such that the rotational direction of the wafer coincides with the longitudinal direction of the wafer end face polishing pad, and one short end of the wafer end face polishing pad is on the lower side in the vertical direction and the other end is on the upper side in the vertical direction. A wafer end face polishing method characterized in that a polishing pad is disposed.
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