JP6523700B2 - 複合部品 - Google Patents
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Description
特許文献1の触媒保持体(ハニカム体)は、円筒形状のハニカム体の側面ほぼ全体に無機繊維(結晶質アルミナ繊維)からなるマットを巻き付け、さらに外側に有機シートを巻き付けて、金属製パイプ(容器)の内部に圧入することにより触媒保持体を収納する。このとき、無機繊維マットの圧入前の嵩密度および圧入後の嵩密度を所定の範囲に限定している。
この技術は、触媒保持体の他、ディーゼルエンジンの排ガスを浄化するフィルタ(DPF)を金属製パイプ内部に固定する技術として、広く知られている。
また、係止部を押し付けるようにして接合することにより、しっかりと接合することができるので、係止部と鍔部との間に接合不良による隙間等が発生しにくい。その結果、上記鍔部と上記係止部の接合力を充分に高く保つことができ、ケーシング内を流通する流体が接合部から漏れるのを防止することができる。さらに、上記ハニカム体の開口面へ流体が流入出する際、流体が上記係止部や上記鍔部に衝突するが、直接ロウ材層に衝突しないため、ロウ材層の信頼性が向上する。また、流体の衝突の際、ロウ材層はクッション材の役割を果たし、鍔部や係止部の破損を軽減することができる。
なお、一対の開口面とは、所定の長さを有する四角柱形状等の柱形状のハニカム体の長さ方向(長手方向)の両端部に形成された端面をいう。
上記複合部品において、上記スキン層の厚さが0.01〜0.3mmであると、ロウ材と接合してもロウ材側にステンレスがすべて溶出することなく、接合力の低下を防止することができ、鍔部に与える熱応力を小さくすることができる。
上記スキン層の厚さが0.01mm未満であると、ロウ材と接合した際、ロウ材側にステンレスがすべて溶出してしまうおそれがあり、ロウ材を介した鍔部と係止部との接合力が低下する。
一方、スキン層の厚さが0.3mmを超えると、鍔部に与える熱応力が大きくなり、鍔部近傍のハニカム体にクラックが発生するおそれがある。
上記複合部品において、上記下地層の厚さが0.5〜2.0mmであると、スキン層による熱応力の影響を小さくすることができ、係止部が、しなやかさを有することができるので、係止部と接続されるケーシングにクラックが発生しにくくなる。
上記下地層の厚さが0.5mm未満であると、下地層がスキン層による熱応力の影響を小さくすることが難しくなり、係止部と接続されるケーシングにクラックが発生し易くなる。一方、上記下地層の厚さが2.0mmを超えると、下地層の自重により各層に負荷を与えるため、接合信頼性の低下が発生し易くなる。
上記複合部品において、上記基材がステンレスからなると、溶接等により、ケーシングに容易に接合することができる。
上記複合部品では、SiC繊維の成形体又は気孔を有するセラミック焼成体は、耐熱性を有しているので、接合部の形成(ロウ付)時や複合部品の使用時に、熱等に起因して損傷するおそれがなく、安定して使用することができる。
上記セラミック多孔体の構成材料としてSiC繊維を用いると、目的の形状を容易に得ることができるので、所望の形状の鍔部を得ることが可能となる。具体的には、SiC繊維の長繊維を上記ハニカム体に巻き付けることも可能であり、長繊維を巻き付けながら形状を調節することで、容易に鍔部を形成することが可能となる。一方、気孔を有するセラミック焼成体を用いると、次のような利点がある。気孔を有するセラミック焼成体は、プレス成形、後加工など目的の形状を得ることが容易である上に、ハニカム体への接合と、気孔の封止を、含浸体の含浸によって同時に行うことができる。含浸は、金属、シリコンなどを気孔を有するセラミック焼成体に接触させ、加熱溶融することで行うことができる。
上記複合部品では、上記含浸体は、上記ロウ材層を構成するロウ材よりも融点の高い金属又はシリコンであるので、ロウ付けの際に鍔部が動くことはなく、圧力を加えながら容易に接合部を形成することができる。
上記複合部品では、上記段差を利用した係止部と上記鍔部の側面とを対向させ、その間にロウ材を介在させ、上記段差をロウ材に押し付けることにより、上記ケーシングに係止部を溶接等により設けることなく、容易に本発明の複合体を作製することができる。また、上記ハニカム体の開口面へ流体が流入出する際、接合部の付近に到達する流体は、ケーシングが屈曲して流路が絞られるので流体の速度が緩和し、接合部に加わる流体からの衝撃を軽減することが可能となる。
上記段差は機械的な力でロウ付け直前に形成することも可能であり、ロウ付けの予備加熱時に上記段差を形成することでケーシングが室温よりも軟化するので加工精度が向上する。
上記複合部品では、上記リブ状構造体の上記ケーシング内面と隣接する側面と上記鍔部と側面とを対向させ、その間にロウ材を介在させ、上記突起をロウ材に押し付けることにより、容易に本発明の複合体を作製することができる。また、リブ状構造体にすることで、係止部はロウ材層と平面でしっかりと接合することでき、ケーシングとハニカム体の間に生じる熱膨張差による応力を、ロウ材層が平面でしっかり緩和することができる。
なお、溶接とロウ付けの順序は、どちらから行ってもよく、ケーシングの取り付け性や寸法ばらつきを考慮すると、ロウ付けを行った後に溶接を行うことが好ましい。
上記複合部品では、上記ケーシングの端部の一部が内側に曲げられることにより形成された係止部と上記鍔部の側面とを対向させ、その間にロウ材を介在させ、上記突起をロウ材に押し付けることにより、上記ケーシングに係止部を溶接等により設けることなく、容易に本発明の複合体を作製することができる。また、端部に係止部を利用することで、係止部はロウ材層と平面でしっかりと接合することでき、ケーシングとハニカム体の間に生じる熱膨張差による応力を、ロウ材層が平面でしっかり緩和することができる。
上記複合部品では、上記開口面に面する開口面側空間と隔離された側壁側空間を有するので、この空間を利用し、熱交換、物質交換(フィルター)を行う複合部品とすることができる。
上記複合部品では、上記開口面に面する開口面側空間と隔離された側壁側空間を有し、かつ、ハニカム体の側壁に開口を有するので、この空間及び開口を利用し、熱交換、物質交換(フィルター)を行う複合部品とすることができる。
上記複合部品では、上記第1のセルおよび上記第2のセルは、セル間を隔てるセル隔壁により隔離されているので、上記複合部品の上記側壁側空間と上記開口面側空間との間で、熱交換、物質交換(フィルター)を行うことができる。
本発明の複合部品は、一対の開口面と側壁とを有するハニカム体と、上記ハニカム体を包囲するケーシングと、上記ハニカム体と上記ケーシングとを接合するための接合部とを備えた複合部品であって、上記接合部は、上記ハニカム体の上記側壁の周回に備えられた鍔部と、上記ケーシングの内面に上記鍔部の上記開口面側の端面に対向するように備えられた係止部と、上記鍔部と上記係止部に挟まれたロウ材層とからなり、上記係止部は、鍔部側から、ステンレスからなるスキン層と、上記スキン層と固相拡散接合されたタングステン(W)、チタンカーバイド(TiC)、ジルコニアカーバイド(ZrC)、バナジウムカーバイド(VC)、ニオブカーバイド(NbC)、タンタルカーバイド(TaC)、モリブデンカーバイド(Mo2C)、タングステンカーバイド(WC)から選ばれる少なくとも1種の金属からなる下地層と、上記下地層と固相拡散接合された基材とからなることを特徴とする。
本発明の複合部品を構成するハニカム体は、一対の開口面と側壁とを有する。
図1は、本発明のハニカム体を模式的に示す斜視図である。
図1に示すように、本発明のハニカム体10は、四角柱状のセラミック焼成体であり、ハニカム体10の長手方向Xに併設された流体の流路となる多数のセル11と、セル11を区画形成するセル隔壁12とを備えている。ハニカム体10は、セル11が開口している開口面15a、15bを備えるとともに、開口面以外の側面である側壁16とを備えている。なお、ここでは、ハニカム体10は、四角柱形状であるが、円柱形状や四角柱以外の多角柱形状であってもよい。
ハニカム体に形成されているセルの態様は、図1に示す態様に限定されるものではなく、図6に示すような長手方向に貫通するセルと上下方向に貫通するセルの両方のセルを備えるものであってもよい。
鍔部18の幅d1は、例えば、1〜10mm程度であり、鍔部18の高さh1は、例えば3〜15mm程度である。幅d1が1〜10mm程度であると、ロウ付けの際に加える荷重で鍔部18が破断、欠損が生じず、鍔部18からの流体の漏れを防ぐことができる。そして、ロウ付けの際の予備加熱も短くすむため、加工時間を短くできる。また、高さh1が3〜15mm程度であれば、係止部24の寸法誤差によってハニカム体10を傷付ける可能性が小さくなり、さらにロウ付けの際に加える力で発生するモーメント力による破断を抑制することができる。
セラミック多孔質体を構成するセラミックとしては、上述したハニカム体10の材料と同じ材料が挙げられる。同じ材料にすることで、材料による熱膨張差を小さくすることができるので、熱ひずみを抑制し、破断や欠損を防ぐことができる。これらの材料の中では、耐熱性、熱伝導性に優れるSiCが好ましい。
セラミック多孔質体の具体例としては、例えば、SiCの繊維状集合体を成形したものや、気孔率が35〜65%の多孔質のSiC焼成体等が挙げられる。
上記したセラミック多孔質体にSiを溶融含浸させて鍔部18とする。その際、上記したセラミック多孔質体にSiを溶融含浸させた後、ハニカム体の側壁の周回に、含浸体であるSiを溶融含浸させたセラミック多孔質体を設け、鍔部18としてもよいが、ハニカム体の側壁の周回にセラミック多孔質体を設け、その後、含浸体であるSiを溶融含浸させてもよい。
ハニカム体10の側壁16の周回に、鍔部18として、含浸体であるSiを溶融含浸させたセラミック多孔質体を設けた場合には、Siからなる含浸体を含むセラミック多孔質体(鍔部18)を加熱し、溶融Siをハニカム体10の側壁16に到達させ、鍔部18とハニカム体10の側壁16とを接合する。
接合をしっかりと行うため、鍔部18を設ける領域に該当するハニカム体10の側壁16に、予めSiを溶融含浸させておいてもよい。
図2(a)は、本発明の複合部品を模式的に示す断面図であり、図2(b)は、図2(a)に示す複合部品の接合部付近を拡大した拡大断面図である。
図2(a)に示すように、ケーシング21は、ハニカム体10を収容する金属製容器の一部であり、ハニカム体10の長手方向に垂直な断面は、ハニカム体10より一回り大きい略四角形の筒形状である。ケーシング21の形状は、略四角形の筒形状に限られるものではなく、ハニカム体10の形状に合わせ、ハニカム体10の長手方向に垂直な断面が円筒形状や多角形からなる筒形状であってもよい。ケーシング21を構成する金属製の材料としては、ステンレスが好ましい。
ステンレスは、金属の中でも耐蝕性、耐熱性を備えた素材であるので、ハニカム体10と組み合わせることにより、様々な用途で利用することができる。また、ステンレスは、金属の中でも、融点が高く、硫化水素や硝酸などの耐薬品性が高いため、ロウ付けの際に受ける金属体へのダメージが小さくすみ、信頼性が高い。
図2に示した複合部品20では、係止部24は、鍔部18側から、ステンレスからなるスキン層27と、スキン層27と固相拡散接合された下地層26と、下地層26と固相拡散接合された基材25とからなる。基材25は、リブ状構造体でケーシング21の内周に溶接されており、基材25のハニカム体10の長手方向に平行な断面は矩形となっている。基材25の材料は、金属であり、ケーシング21の場合と同様、ステンレスが好ましい。
下地層26は、タングステン(W)、チタンカーバイド(TiC)、ジルコニアカーバイド(ZrC)、バナジウムカーバイド(VC)、ニオブカーバイド(NbC)、タンタルカーバイド(TaC)、モリブデンカーバイド(Mo2C)、タングステンカーバイド(WC)から選ばれる少なくとも1種の金属からなり、熱膨張係数が、セラミック並みに低いので、接合部にかかる熱応力を小さくすることができる。
上記金属のなかでは、タングステン(W)、タングステンカーバイド(WC)が好ましく、特にタングステンカーバイド(WC)が好ましい。
スキン層27は、ロウ材層28と接触するが、金属であるステンレスからなるので、例えば、市販されている一般的なロウ材を使用して、金属同士の接合によって強固に接合することができる。
スキン層27の厚さが0.01〜0.3mmであると、ロウ材と接合してもロウ材側にステンレスがすべて溶出することなく、接合力の低下を防止することができ、鍔部18に与える熱応力を小さくすることができる。
スキン層27の厚さが0.01mm未満であると、ロウ材と接合した際、ロウ材側にステンレスがすべて溶出してしまうおそれがあり、ロウ材を介した鍔部18と係止部24との接合力が低下する。一方、スキン層27の厚さが0.3mmを超えると、鍔部に与える熱応力が大きくなり、鍔部近傍のハニカム体にクラックが発生するおそれがある。
下地層26の厚さが0.5〜2.0mmであると、スキン層27による熱応力の影響を小さくすることができ、係止部24が、しなやかさを有することができるので、係止部24と接続されるケーシング21にクラックを発生しにくくすることができる。
下地層26の厚さが0.5mm未満であると、下地層26がスキン層27による熱応力の影響を小さくすることが難しくなり、係止部24と接続されるケーシングにクラックが発生し易くなる。一方、下地層26の厚さが2.0mmを超えると、下地層の自重により各層に負荷を与えるため、接合信頼性の低下が発生し易くなる。
係止部24は、ケーシング21の内面に鍔部18の開口面側の端面18aに対向するように設けられ、ロウ材層28は、鍔部18と係止部24とに挟まれている。
接合部19を構成するロウ材層28の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、一般的に市販されている金属ロウ材や、Ag−Cu−Sn−Ti系等のTi系ロウ材、Ag−Cu−In−Ag系のロウ材等の活性金属ロウ材等が挙げられる。上記金属ロウ材のなかでは、特にTi系ロウ材等が好ましい。
Ti系ロウ材は、セラミック多孔質体からなる鍔部18の表面を活性化させ、鍔部18との接合界面に鍔部18の材料特有の反応物が生成されるため、鍔部18に対する接合能力を有する。例えば、鍔部18を構成するセラミック多孔質体が窒化物ではTiN、セラミック多孔質体が酸化物ではTiO2、セラミック多孔質体が炭化物ではTiCがセラミック多孔質体との接合界面に生成される。このため、セラミック多孔質体からなる鍔部18と係止部24とを接合する部分に適用することにより、接合部19の接合強度を高めることができる。
この後、ロウ材を溶融させ、係止部24で半溶融状態のロウ材層を押えるように圧力を加え、冷却することにより鍔部18、ロウ材層28及び係止部24より構成される接合部19を形成することができる。このように係止部24でロウ材層を押える圧力を加えて接合するため、ロウ材の流出を防止することができ、ロウ材の流出による隙間の発生を防止することができる。また、係止部24を押し付けるようにして接合することにより、しっかりと鍔部18と係止部24とをロウ材層28により接合することができるので、鍔部18と係止部24との間に接合不良による隙間等が発生しにくい。その結果、鍔部18と係止部24の接合力を充分に高く保つことができ、ケーシング21内を流通する流体が接合部19から漏れるのを防止することができる。
また、本発明では、下地層26を構成する金属の熱膨張係数が、セラミック並みに低いので、接合部19にかかる熱応力を小さくすることができ、使用時に鍔部18近傍のハニカム体10にクラックが発生しにくい。
また、係止部24を構成する金属の熱膨張率が大きいと、使用時に鍔部近傍のハニカム体にクラックが発生し易いが、本発明では、下地層26を構成する金属の熱膨張係数が、セラミック並みに低いので、接合部19にかかる熱応力を小さくすることができ、使用時に鍔部近傍のハニカム体にクラックが発生しにくい。
図7に示す複合部品では、ケーシング121の内面にハニカム体100の長手方向に平行な断面が横長矩形の突起部124を形成し、ハニカム体100の側壁106の周回に、突起部124と同様の形状の鍔部108を形成する。そして、突起部124の下面124bと鍔部108の上面108bとをロウ材層126を介して接合させ、接合部129を形成する。この場合、突起部124の下面124bと鍔部108の上面108bとの距離は、ケーシング121、突起部124、ハニカム体100及び鍔部108の寸法により決まってしまう。従って、突起部124の下面124bと鍔部108の上面108bとの距離を一定にするためには、ケーシング121、突起部124、ハニカム体100及び鍔部108の寸法を厳密に設定する必要があり、その寸法が少しでも狂い、間が開きすぎると、突起部124と鍔部108との接合がうまくいかないという問題がある。また、このような構成では、筒状に形成されているケーシングにおいて、突起部124をロウ材層に押し付けることができない個所が生じ、ロウ材を溶融させた際、ロウ材がハニカム体100の側壁106に流れ、開口面に到達すると、セルを塞いでしまうという問題が発生するが、本発明の複合部品の場合には、上記したような問題点は発生しない。
図3(a)及び(b)に示す複合部品では、係止部の構成は異なっているが、ハニカム体、ケーシング及び鍔部の構成は、図2に示した複合部品と同様である。
この後、ロウ材を溶融させ、係止部34で半溶融状態のロウ材層を押えるように圧力を加え、冷却することにより鍔部18、ロウ材層28及び係止部34より構成される接合部19を形成することができる。このように係止部34でロウ材層を押える圧力を加えて接合するため、ロウ材の流出を防止することができ、ロウ材の流出による隙間の発生を防止することができる。また、係止部34を押し付けるようにして接合することにより、しっかりと鍔部18と係止部34とをロウ材層28により接合することができるので、鍔部18と係止部34との間に接合不良による隙間等が発生しにくい。その結果、鍔部18と係止部34の接合力を充分に高く保つことができ、ケーシング内を流通する流体が接合部29から漏れるのを防止することができる。
また、本発明では、下地層36を構成する金属の熱膨張係数が、セラミック並みに低いので、接合部29にかかる熱応力を小さくすることができ、使用時に鍔部18近傍のハニカム体10にクラックが発生しにくい。
図4(a)及び(b)に示す複合部品では、係止部の構成は異なっているが、ハニカム体、ケーシング及び鍔部の構成は、図2に示した複合部品と同様である。
図5(a)及び(b)に示す複合部品では、係止部が2個所及び鍔部が2個所設けられている点が、図2〜4に示す複合部品とは異なるが、ハニカム体及びケーシングの構成は、図2に示した複合部品と同様である。
すなわち、ロウ材層28は、係止部64と鍔部18とに挟まれているが、係止部64とロウ材層28と鍔部18との位置関係は、2個所とも同じであり、係止部64は流体が流れ込む接続部62に近く、鍔部18は流体が流れ出る接続部63に近く、その間にロウ材層28が挟まれている位置関係となっている。
ここで、各係止部64は複数の部品で構成され、ハニカム体10を包囲するように係止部64を形成してある。その際、係止部64の鍔部18との対向する側面64a、及び、鍔部18の係止部64と対向する端面18aのうちの少なくとも一方の面にロウ材を付着させておく。
この後、ロウ材を溶融させ、2つの係止部64を一方向(流体が流れ出る接続部63の方向)に移動させて、半溶融状態のロウ材層を押えるように圧力を加え、冷却することにより同時に2つの鍔部18、ロウ材層28及び係止部64より構成される接合部59を形成することができる。このように2つ係止部64でロウ材層を押える圧力を加えることにより、2個所の接合部59を同時に形成することができ、ロウ材の流出を防止することができ、ロウ材の流出による隙間の発生を防止することができる。また、しっかりと鍔部18と係止部64とをロウ材層28により接合することができるので、鍔部18と係止部64との間に接合不良による隙間等が発生しにくい。
また、本発明では、下地層66を構成する金属の熱膨張係数が、セラミック並みに低いので、接合部19にかかる熱応力を小さくすることができ、使用時に鍔部18近傍のハニカム体10にクラックが発生しにくい。
この複合部品80では、図5に示した複合部品60と同様に、係止部79が2個所及び鍔部78が2個所設けられており、係止部79と鍔部78との接合態様は図5に示した複合部品60の場合と同じである。
また、ケーシング81の2つの係止部84の間の空間には、流体導入通路88a及び流体排出通路88bが設けられている。流体導入通路88aは、ケーシング81を貫通し、その端部は、ハニカム体70の第1のセル73bが形成されている部分の周囲の側壁76に密着している。また、流体排出通路88bも同様に、ケーシング81を貫通し、その端部は、ハニカム体70の第1のセル73aが形成されている部分の周囲の側壁76に密着している。
このため、流体導入通路88aから空気等の流体を流入させると、流体は、第1のセル73bを通過し、側壁側空間89に流れ出た後、第1のセル73aを通過して、流体排出通路88bから流出するようになっている。
従って、例えば、ハニカム体70の第2のセル71を通過する流体が温度の高い流体であれば、流体導入通路88aから導入した常温の空気等の温度を上昇させることができ、熱交換器として機能する。
ここで、図6に記載のハニカム体および複合部品は一例であり、例えば第1のセル73aと73bがハニカム体の内部につながっていてもよい。さらに第1のセル73aと73bが繋がっている際は、第1のセルは貫通していなくも良く、流体導入通路から導入した空気等の流体を流体排出通路へと排出できればよい。
また、2個所に係止部と鍔部とを設け、接合することにより、二つの接合部分で仕切られた孤立空間を形成することができるため、図6に示した複合部品80のように、セルの形成方法や流体の流通方法を工夫することにより、熱交換器として使用が可能な装置となる。
11 セル
12、72 セル隔壁
15a、15b 開口面
16 側壁
18、78 鍔部
18a 端面
19、29、39、59、79 接合部
20、30、40、60、80 複合部品
24、34、44、64、84 係止部
25、35、45、65、85 基材
26、36、46、66、86 下地層
27、37、47、67、87 スキン層
28 ロウ材層
21、31a、31b、41、61、81 ケーシング
22、23、32、42、62、63、82、83 接続部
24a、34a、64a 側面
69、89 側壁側空間
71 第2のセル
73a、73b 第1のセル
Claims (15)
- 一対の開口面と側壁とを有するハニカム体と、前記ハニカム体を包囲するケーシングと、前記ハニカム体と前記ケーシングとを接合するための接合部とを備えた複合部品であって、
前記接合部は、前記ハニカム体の前記側壁の周回に備えられた鍔部と、前記ケーシングの内面に前記鍔部の前記開口面側の端面に対向するように備えられた係止部と、前記鍔部と前記係止部に挟まれたロウ材層とからなり、
前記係止部は、鍔部側から、
ステンレスからなるスキン層と、
前記スキン層と固相拡散接合されたタングステン(W)、チタンカーバイド(TiC)、ジルコニアカーバイド(ZrC)、バナジウムカーバイド(VC)、ニオブカーバイド(NbC)、タンタルカーバイド(TaC)、モリブデンカーバイド(Mo2C)、タングステンカーバイド(WC)から選ばれる少なくとも1種の金属からなる下地層と、
前記下地層と固相拡散接合された基材とからなることを特徴とする複合部品。 - 前記スキン層は、その厚さが0.01〜0.3mmである請求項1に記載の複合部品。
- 前記下地層は、その厚さが0.5〜2.0mmである請求項1又は2に記載の複合部品。
- 前記基材は、ステンレスからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の複合部品。
- 前記鍔部は、セラミック多孔質体と前記セラミック多孔質体の気孔に含浸させる含浸体とからなり、前記含浸体はさらに前記ハニカム体の前記側壁に到達し、前記鍔部と前記ハニカム体とを接合している請求項1〜4のいずれかに記載の複合部品。
- 前記セラミック多孔質体は、SiC繊維の成形体又は気孔を有するセラミック焼成体である請求項5に記載の複合部品。
- 前記含浸体は、前記ロウ材層を構成するロウ材よりも融点の高い金属又はシリコンである請求項5又は6に記載の複合部品。
- 前記係止部は、前記ケーシングを屈曲させることにより形成された段差を利用して形成している請求項1〜7のいずれかに記載の複合部品。
- 前記係止部は、前記ケーシングに溶接されたリブ状構造体からなる請求項1〜7のいずれかに記載の複合部品。
- 前記係止部は、前記ケーシングの端部の一部が内側に曲げられることにより形成されている請求項1〜7のいずれかに記載の複合部品。
- 前記接合部を複数有し、前記ケーシングと前記接合部と前記ハニカム体の側壁とに囲まれ、前記開口面に面する開口面側空間と隔離された側壁側空間を有する請求項1〜10のいずれかに記載の複合部品。
- 前記側壁側空間に面するハニカム体の側壁には開口を有する請求項11に記載の複合部品。
- 前記ハニカム体を構成するセルは、側壁に形成された開口により前記側壁側空間とつながる第1のセルと、前記開口面側空間とつながる第2のセルと、により構成され、
前記第1のセルおよび前記第2のセルは、セル間を隔てるセル隔壁により隔離されている請求項11又は12に記載の複合部品。 - 前記側壁側空間に面するハニカム体における複数の側壁のうち、互いに対向する2つの側壁にはそれぞれ開口が設けられ、
前記ケーシングには、前記2つの側壁に設けられた開口に流体を導入するための流体導入通路と、前記流体を排出するための流体排出通路と、が設けられている請求項11〜13のいずれかに記載の複合部品。 - 前記流体導入通路と前記流体排出通路との間にさらに前記接合部を有することを特徴とする請求項14に記載の複合部品。
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