JP6521407B2 - 端末 - Google Patents
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Description
端末が導電層を更に含み、導電層がディスプレイモジュールの下面に取り付けられ、
少なくとも一つの間隙が導電層と金属中間フレームとの間に存在し、導電層、金属中間フレーム、及び少なくとも一つの間隙が少なくとも一つのキャパシタを形成し、少なくとも一つのキャパシタの容量変化が、カバーに作用した少なくとも一つの圧力の大きさを反映する。
第一導電ブロック及び第二導電ブロックがそれぞれディスプレイモジュールの下面に取り付けられ、
第一間隙が第一導電ブロックと金属中間フレームとの間に存在し、第一導電ブロック、金属中間フレーム、及び第一間隙が第一キャパシタを形成し、第二間隙が第二導電ブロックと金属中間フレームとの間に存在し、第二導電ブロック、金属中間フレーム、及び第二間隙が第二キャパシタを形成し、第一キャパシタ及び第二キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第一圧力の大きさを反映する。
第三導電ブロック及び第四導電ブロックがそれぞれディスプレイモジュールの下面に取り付けられ、
第三間隙が第三導電ブロックと金属中間フレームとの間に存在し、第三導電ブロック、金属中間フレーム、及び第三間隙が第三キャパシタを形成し、第三キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第二圧力の大きさを反映し、
第四間隙が第四導電ブロックと金属中間フレームとの間に存在し、第四導電ブロック、金属中間フレーム、及び第四間隙が第四キャパシタを形成し、第四キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第三圧力の大きさを反映する。
端末が導電層を更に含み、導電層が、少なくとも一つの弾性接着剤を用いることによって金属中間フレームの上面に取り付けられ、少なくとも一つの弾性接着剤が非導電性であり、導電層、金属中間フレーム、及び少なくとも一つの弾性接着剤が少なくとも一つのキャパシタを形成し、少なくとも一つのキャパシタの容量変化が、カバーに作用した少なくとも一つの圧力の大きさを反映する。
第一導電ブロックが第一弾性接着剤の上面に取り付けられ、第一導電ブロック、金属中間フレーム、及び第一弾性接着剤が第一キャパシタを形成し、
第二導電ブロックが第二弾性接着剤の上面に取り付けられ、第二導電ブロック、金属中間フレーム、及び第二弾性接着剤が第二キャパシタを形成し、第一キャパシタ及び第二キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第一圧力の大きさを反映する。
第三導電ブロックが第三弾性接着剤の上面に取り付けられ、第三導電ブロック、金属中間フレーム、及び第三弾性接着剤が第三キャパシタを形成し、第三キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第二圧力の大きさを反映し、
第四導電ブロックが第四弾性接着剤の上面に取り付けられ、第四導電ブロック、金属中間フレーム、及び第四弾性接着剤が第四キャパシタを形成し、第四キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第三圧力の大きさを反映する。
端末が導電層を更に含み、導電層がバックライトユニットの下面に取り付けられ、
誘電体が導電層とTFT回路の定電圧層との間の存在し、導電層、TFT回路の定電圧層、及び誘電体が少なくとも一つのキャパシタを形成し、少なくとも一つのキャパシタの容量変化が、カバーに作用した少なくとも一つの圧力の大きさを反映し、誘電体がTFT基板を含む。
第一導電ブロック及び第二導電ブロックがそれぞれバックライトユニットの下面に取り付けられ、
第一誘電体が第一導電ブロックとTFT回路の定電圧層との間に存在し、第一導電ブロック、TFT回路の定電圧層、及び第一誘電体が第一キャパシタを形成し、第二誘電体が第二導電ブロックとTFT回路の定電圧層との間に存在し、第二導電ブロック、TFT回路の定電圧層、及び第二誘電体が第二キャパシタを形成し、第一キャパシタ及び第二キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第一圧力の大きさを反映する。
第三導電ブロック及び第四導電ブロックがそれぞれバックライトユニットの下面に取り付けられ、
第三誘電体が第三導電ブロックとTFT回路の定電圧層との間に存在し、第三導電ブロック、TFT回路の定電圧層、及び第三誘電体が第三キャパシタを形成し、第三キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第二圧力の大きさを反映し、
第四誘電体が第四導電ブロックとTFT回路の定電圧層との間に存在し、第四導電ブロック、TFT回路の定電圧層、及び第四誘電体が第四キャパシタを形成し、第四キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第三圧力の大きさを反映する。
少なくとも一つの弾性接着剤が、導電層の下面又は金属中間フレームの上面に接着される。
端末が導電層を更に含み、導電層が中間フレームの上面に取り付けられ、
少なくとも一つの間隙が導電層とディスプレイモジュールの下面との間に存在し、ディスプレイモジュールの下面が金属材であり、ディスプレイモジュールの下面が接地され、導電層、ディスプレイモジュールの下面、及び少なくとも一つの間隙が少なくとも一つのキャパシタを形成し、少なくとも一つのキャパシタの変化が、カバーに作用した少なくとも一つの圧力の大きさを反映する。
第一導電ブロック及び第二導電ブロックがそれぞれ中間フレームの上面に取り付けられ、
第一間隙が第一導電ブロックとディスプレイモジュールの下面との間に存在し、第一導電ブロック、ディスプレイモジュールの下面、及び第一間隙が第一キャパシタを形成し、第二間隙が第二導電ブロックとディスプレイモジュールの下面との間に存在し、第二導電ブロック、ディスプレイモジュールの下面、及び第二間隙が第二キャパシタを形成し、第一キャパシタ及び第二キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第一圧力の大きさを反映する。
第三導電ブロック及び第四導電ブロックがそれぞれ中間フレームの上面に取り付けられ、
第三間隙が第三導電ブロックとディスプレイモジュールの下面との間に存在し、第三導電ブロック、ディスプレイモジュールの下面、及び第三間隙が第三キャパシタを形成し、第三キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第二圧力の大きさを反映し、
第四間隙が第四導電ブロックとディスプレイモジュールの下面との間に存在し、第四導電ブロック、ディスプレイモジュールの下面、及び第四間隙が第四キャパシタを形成し、第四キャパシタの容量変化が、カバーに作用した第三圧力の大きさを反映する。
201 カバー
202 ディスプレイモジュール
203 金属中間モジュール
204 導電層
205 弾性接着剤
Claims (5)
- カバー及びディスプレイモジュールを備える端末であって、前記カバーが前記ディスプレイモジュールの上に位置し、前記ディスプレイモジュールが、バックライトユニット、薄膜トランジスタ基板、及び薄膜トランジスタ回路を備え、前記薄膜トランジスタ基板が前記バックライトユニットと前記薄膜トランジスタ回路との間に位置し、前記薄膜トランジスタ回路が定電圧層を備え、
端末が導電層を更に備え、前記導電層が前記バックライトユニットの下面に取り付けられ、
誘電体が前記導電層と前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層との間に存在し、前記導電層、前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層、及び前記誘電体が少なくとも一つのキャパシタを形成し、前記少なくとも一つのキャパシタの容量変化が、前記カバーの作用した少なくとも一つの圧力の大きさを反映し、前記誘電体が前記薄膜トランジスタ基板を備える、端末。 - 前記導電層が少なくとも第一導電ブロック及び第二導電ブロックを備え、前記第一導電ブロックが前記第二導電ブロックに接続され、
前記第一導電ブロック及び前記第二導電ブロックがそれぞれ前記バックライトユニットの下面に取り付けられ、
第一誘電体が前記第一導電ブロックと前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層との間に存在し、前記第一導電ブロック、前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層、及び前記第一誘電体が第一キャパシタを形成し、第二誘電体が前記第二導電ブロックと前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層との間に存在し、前記第二導電ブロック、前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層、及び前記第二誘電体が第二キャパシタを形成し、前記第一キャパシタ及び前記第二キャパシタの容量変化が、前記カバーに作用した第一圧力の大きさを反映する、請求項1に記載の端末。 - 前記導電層が少なくとも第三導電ブロック及び第四導電ブロックを備え、前記第三導電ブロックが前記第四導電ブロックに接続されず、
前記第三導電ブロック及び前記第四導電ブロックがそれぞれ前記バックライトユニットの下面に取り付けられ、
第三誘電体が前記第三導電ブロックと前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層との間に存在し、前記第三導電ブロック、前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層、及び前記第三誘電体が第三キャパシタを形成し、前記第三キャパシタの容量変化が、前記カバーに作用した第二圧力の大きさを反映し、
第四誘電体が前記第四導電ブロックと前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層との間に存在し、前記第四導電ブロック、前記薄膜トランジスタ回路の定電圧層、及び前記第四誘電体が第四キャパシタを形成し、前記第四キャパシタの容量変化が、前記カバーに作用した第三圧力の大きさを反映する、請求項1に記載の端末。 - 端末が金属中間フレームを更に備え、前記金属中間フレームが前記導電層の下に位置し、
少なくとも一つの弾性接着剤が前記導電層の下面又は前記金属中間フレームの上面に接着されている、請求項1から3のいずれか一項に記載の端末。 - 前記導電層の材料がインジウム錫酸化物フィルム又は銅箔フレキシブルプリント回路である、請求項1から4のいずれか一項に記載の端末。
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