JP6521362B2 - Power transmission cable - Google Patents
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Description
本発明は、半導電性樹脂組成物を用いた送電ケーブルに関する。 The present invention relates to a power transmission cable using the semiconductive resin composition.
送電ケーブルは、例えば、導体の外周を被覆するように絶縁層、遮蔽層（シールド層）および外被層（シース）をこの順で備えている。一般に、絶縁層は表面に微細な凹凸を有しているため、絶縁層にシールド層が直接設けられる場合、絶縁層とシールド層との界面には絶縁層の凹凸により空隙が形成されることがある。絶縁層とシールド層との界面に空隙が形成されていると、送電ケーブルに高電圧を印加した際に、空隙で部分放電が発生するおそれがある。部分放電は、送電ケーブルの近傍の空気をイオン化させることにより絶縁層の劣化を促進し、絶縁破壊を生じさせる。 The power transmission cable includes, for example, an insulating layer, a shielding layer (shield layer) and a jacket layer (sheath) in this order so as to cover the outer periphery of the conductor. In general, since the insulating layer has fine irregularities on the surface, when the shield layer is directly provided on the insulating layer, voids may be formed at the interface between the insulating layer and the shield layer due to the irregularities of the insulating layer. is there. If a gap is formed at the interface between the insulating layer and the shield layer, there is a risk that a partial discharge may occur in the gap when a high voltage is applied to the power transmission cable. The partial discharge accelerates the deterioration of the insulating layer by ionizing the air in the vicinity of the power transmission cable, causing a dielectric breakdown.
そこで、高電圧が印加される高圧用の送電ケーブル、例えば高速鉄道などの車輌に用いられる特別高圧ケーブルには、部分放電を抑制するため、絶縁層とシールド層との界面に半導電層（外部半導電層）が設けられる。外部半導電層は、絶縁層の表面にある凹凸を埋めて、部分放電を発生させる要因となる空隙の形成を抑制する。また、外部半導電層は、導電性付与剤を含有する半導電性樹脂組成物で形成されており、絶縁層の表面電位を均一化することにより部分放電を抑制する。 Therefore, in a high-voltage power transmission cable to which a high voltage is applied, for example, a special high-voltage cable used for a vehicle such as a high-speed railway, a semiconductive layer (external layer) is formed at the interface between the insulating layer and the shield layer to suppress partial discharge. Semiconductive layer) is provided. The outer semiconductive layer fills the unevenness on the surface of the insulating layer to suppress the formation of voids that cause partial discharge. The outer semiconductive layer is formed of a semiconductive resin composition containing a conductivity imparting agent, and suppresses partial discharge by making the surface potential of the insulating layer uniform.
外部半導電層は、部分放電を抑制する観点から、絶縁層の表面の凹凸を埋めて絶縁層と密着している必要がある。一方、外部半導電層は送電ケーブルの端末加工時に剥ぎ取ることから、外部半導電層には、絶縁層を傷つけることなく、絶縁層から容易に剥離できることが要求されている。したがって、絶縁層と良好に密着し、送電ケーブルの端末加工時には絶縁層から容易に剥離できる外部半導電層が望まれている。 The outer semiconductive layer is required to be in close contact with the insulating layer by filling the irregularities on the surface of the insulating layer from the viewpoint of suppressing partial discharge. On the other hand, since the outer semiconductive layer is peeled off at the end processing of the power transmission cable, the outer semiconductive layer is required to be easily peeled from the insulating layer without damaging the insulating layer. Therefore, an external semiconductive layer which is in close contact with the insulating layer and which can be easily peeled off from the insulating layer at the end processing of the power transmission cable is desired.
このような外部半導電層を形成する半導電性樹脂組成物のベース樹脂には、絶縁層を形成する樹脂（例えば、エチレンプロピレンゴム等）に対して過度に密着することなく、適度な密着性を有する熱可塑性樹脂が用いられている。例えば、外部半導電層を形成する熱可塑性樹脂として、酢酸ビニルを１０質量％以上４０質量％以下含有するエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。 The base resin of the semiconductive resin composition that forms such an outer semiconductive layer has adequate adhesion without excessively adhering to the resin that forms the insulating layer (eg, ethylene propylene rubber etc.) A thermoplastic resin having the following is used. For example, as a thermoplastic resin for forming the outer semiconductive layer, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) containing 10% by mass to 40% by mass of vinyl acetate is proposed (see, for example, Patent Document 1) .
しかしながら、特許文献１の熱可塑性樹脂は絶縁層を形成する樹脂との密着性が高いため、特許文献１に示す半導電性樹脂組成物で形成される外部半導電層は絶縁層から容易に剥離させることが困難である。そのため、特許文献１に示す送電ケーブルでは、外部半導電層を剥離させにくく、端末加工性が低いといった問題がある。 However, since the thermoplastic resin of Patent Document 1 has high adhesion to the resin forming the insulating layer, the outer semiconductive layer formed of the semiconductive resin composition shown in Patent Document 1 is easily peeled off from the insulating layer. It is difficult to Therefore, in the power transmission cable shown to patent document 1, there exists a problem that it is hard to peel an outer semiconductive layer and terminal processability is low.
そこで、本発明は、絶縁層から容易に剥離できる外部半導電層を形成可能な半導電性樹脂組成物を用いた送電ケーブルを提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the power transmission cable using the semiconductive resin composition which can form the external semiconductive layer which can be peeled easily from an insulating layer.
本発明の一態様によれば、
導体と、前記導体の外周を囲うように設けられ、熱可塑性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物からなる絶縁層と、前記絶縁層の外周を囲うように設けられる半導電層と、を備え、前記半導電層は、溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm 3 ) 1/2 以上１０.１(cal/cm 3 ) 1/2 以下である熱可塑性樹脂、導電性付与剤および粘度調整剤を含有し、前記熱可塑性樹脂１００質量部に対して、前記導電性付与剤を４０質量部以上８０質量部以下、前記粘度調整剤を１０質量部以上３０質量部以下含有する半導電性樹脂組成物で形成されている、送電ケーブルであって、前記絶縁層がエチレンプロピレンゴムで形成され、前記半導電層を構成する熱可塑性樹脂は、酢酸ビニルを４４.０質量％以上８３.４質量％以下含有するエチレン酢酸ビニル共重合体であり、前記半導電層を形成する熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値と、前記絶縁層を形成する熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値との差が１．１(cal/cm 3 ) 1/2 以上である送電ケーブルが提供される。
According to one aspect of the invention:
A conductor, an insulating layer provided so as to surround the outer periphery of the conductor and made of an insulating resin composition containing a thermoplastic resin, and a semiconductive layer provided so as to surround the outer periphery of the insulating layer, The semiconductive layer is a thermoplastic resin having a solubility parameter SP value of 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less, a conductivity imparting agent, and viscosity adjustment containing agent, relative to the thermoplastic resin 100 parts by mass, the conductivity imparting agent 40 parts by mass or more 80 parts by weight, semiconductive said you containing viscosity modifier than 30 parts by mass or more 10 parts by weight A power transmission cable formed of a resin composition , wherein the insulating layer is formed of ethylene propylene rubber, and the thermoplastic resin constituting the semiconductive layer is 44.0% by mass or more of vinyl acetate and 83.4%. Ethylene vinyl acetate copolymer containing up to mass%, and A solubility parameter SP value of the thermoplastic resin forming the conductive layer, the difference between the solubility parameter SP value of the thermoplastic resin forming the insulating layer is the 1.1 (cal / cm 3) 1/2 or more transmission cables Is provided.
本発明によれば、絶縁層から容易に剥離できる外部半導電層を形成可能な半導電性樹脂組成物を用いた送電ケーブルが得られる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the power transmission cable using the semiconductive resin composition which can form the outer semiconductive layer which can be peeled easily from an insulating layer is obtained.
上述したように、酢酸ビニル含量が１０質量％４０質量％以下であるＥＶＡを含む半導電性樹脂組成物で形成される外部半導電層を、エチレンプロピレンゴムで形成される絶縁層の外周に設ける場合、外部半導電層と絶縁層との密着性が高い傾向にある。そのため、外部半導電層を絶縁層から容易に剥離させることが困難である。つまり、絶縁層から外部半導電層を剥離させるときの剥離強度が高い。 As described above, the outer semiconductive layer formed of the semiconductive resin composition containing EVA having a vinyl acetate content of 10% by mass or less and 40% by mass is provided on the outer periphery of the insulating layer formed of ethylene propylene rubber In this case, the adhesion between the outer semiconductive layer and the insulating layer tends to be high. Therefore, it is difficult to easily peel the outer semiconductive layer from the insulating layer. That is, the peeling strength is high when peeling the outer semiconductive layer from the insulating layer.
剥離強度が高い要因としては、上述のＥＶＡと、絶縁層を形成する樹脂との溶解度パラメータSP値の差が小さいことが考えられる。溶解度パラメータSP値は、Ｆｅｄｏｒｓ法により分子構造から算出され、物質（樹脂）の蒸発エネルギーおよびモル体積から算出される値であり、樹脂の極性の指標となる。一般に、樹脂と樹脂との極性の差（溶解度パラメータSP値の差）が小さいと、２つの樹脂同士の親和性が高くなり、それらの密着性が大きくなることが知られている。上述のＥＶＡは溶解度パラメータSP値が８.７(cal/cm3)1/2以上９.２(cal/cm3)1/2以下であるため、ＥＶＡとエチレンプロピレンゴム（溶解度パラメータSP値８．２(cal/cm3)1/2）との溶解度パラメータSP値の差が０.５(cal/cm3)1/2以上１.０(cal/cm3)1/2以下となる。 As a factor for the high peel strength, it is conceivable that the difference between the solubility parameter SP value of the above-mentioned EVA and the resin forming the insulating layer is small. The solubility parameter SP value is a value calculated from the molecular structure by the Fedors method, calculated from the evaporation energy and molar volume of the substance (resin), and serves as an index of the polarity of the resin. In general, it is known that when the difference in polarity between resin and resin (difference in solubility parameter SP value) is small, the affinity between the two resins is high, and their adhesion is high. Since the above-mentioned EVA has a solubility parameter SP value of 8.7 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 9.2 (cal / cm 3 ) 1/2 or less, EVA and ethylene propylene rubber (solubility parameter SP value 8) The difference of the solubility parameter SP value with .2 (cal / cm 3 ) 1/2 ) is 0.5 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 1.0 (cal / cm 3 ) 1/2 or less.
溶解度パラメータSP値の差が０.５(cal/cm3)1/2以上１.０(cal/cm3)1/2以下では、外部半導電層を容易に剥離できるような剥離強度が得られないことから、本発明者らは、溶解度パラメータSP値のより高い熱可塑性樹脂を用いて、外部半導電層を形成して検討を行った。ところが、このような熱可塑性樹脂を用いるだけでは、剥離強度を十分に低減できないことが分かった。 When the difference in solubility parameter SP value is 0.5 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 1.0 (cal / cm 3 ) 1/2 or less, peel strength is obtained such that the outer semiconductive layer can be easily peeled off. Since it did not, the present inventors examined by forming the outer semiconductive layer using a thermoplastic resin having a higher solubility parameter SP value. However, it has been found that the peel strength can not be sufficiently reduced only by using such a thermoplastic resin.
そこで、本発明者らは、外部半導電層の剥離強度をさらに低減する方法について検討を行った。その結果、半導電性樹脂組成物に、溶解度パラメータSP値の高い熱可塑性樹脂を用いると共に、粘度調整剤を多量に含有させるとよいとの知見を見出した。粘度調整剤は、熱可塑性樹脂を低粘度化することで導電性付与剤の熱可塑性樹脂への分散を促進させると共に、熱可塑性樹脂を潤滑化させることで半導電性樹脂組成物の押出成形性を向上させるものである。 Therefore, the present inventors examined a method of further reducing the peel strength of the outer semiconductive layer. As a result, it has been found that it is preferable to use a thermoplastic resin having a high solubility parameter SP value in the semiconductive resin composition and to contain a large amount of viscosity modifier. The viscosity modifier promotes the dispersion of the conductivity imparting agent in the thermoplastic resin by lowering the viscosity of the thermoplastic resin, and also makes the thermoplastic resin lubricate, thereby making it possible to extrude the semiconductive resin composition. Improve the
一般に、粘度調整剤の添加量は、粘度調整剤のブリードを抑制する観点から、少量がよいと考えられていた。ブリードとは、樹脂組成物に含有させた粘度調整剤が、樹脂組成物で形成された樹脂成形体の表面に溶出することであり、樹脂成形体をべたつかせて取り扱い性などを低下させてしまう。 In general, it has been considered that a small amount of the viscosity modifier is good from the viewpoint of suppressing bleeding of the viscosity modifier. Bleeding is the dissolution of the viscosity modifier contained in the resin composition on the surface of the resin molded product formed of the resin composition, which makes the resin molded product sticky and reduces the handling property and the like. .
しかしながら、外部半導電層では、粘度調整剤をブリードさせることによって、絶縁層との密着性を抑制することができる。具体的には、外部半導電層からブリードした粘度調整剤は、絶縁層と外部半導電層との界面に侵入して、絶縁層と外部半導電層との過度な密着を抑制する。この結果、絶縁層から外部半導電層を剥離させるときの剥離強度を低減させることができる。しかも、外部半導電層は外被層などで被覆されているので、粘度調整剤が送電ケーブルの表面にブリードして送電ケーブルの取り扱い性が低下してしまうおそれがない。 However, in the outer semiconductive layer, adhesion with the insulating layer can be suppressed by bleeding the viscosity control agent. Specifically, the viscosity control agent bleeding from the outer semiconductive layer intrudes into the interface between the insulating layer and the outer semiconductive layer, and suppresses excessive adhesion between the insulating layer and the outer semiconductive layer. As a result, it is possible to reduce the peel strength when peeling the outer semiconductive layer from the insulating layer. Moreover, since the outer semiconductive layer is covered with the outer cover layer or the like, there is no possibility that the viscosity control agent bleeds on the surface of the power transmission cable and the handleability of the power transmission cable is lowered.
本発明は、上述の知見に基づいて成されたものである。 The present invention has been made based on the above-mentioned findings.
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について説明する。
<One embodiment of the present invention>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
（１）半導電性樹脂組成物
本実施形態の半導電性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂と導電性付与剤と粘度調整剤とが含有されている。以下、各成分について説明する。
(1) Semiconductive Resin Composition The semiconductive resin composition of the present embodiment contains a thermoplastic resin, a conductivity imparting agent, and a viscosity modifier. Each component will be described below.
（熱可塑性樹脂）
熱可塑性樹脂は、半導電性樹脂組成物のベース樹脂である。
(Thermoplastic resin)
The thermoplastic resin is a base resin of the semiconductive resin composition.
本実施形態の熱可塑性樹脂は、溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm3)1/2以上１０.１(cal/cm3)1/2以下である。この熱可塑性樹脂は、溶解度パラメータSP値が大きいため、絶縁層を形成する熱可塑性樹脂との極性の差が大きくなるような樹脂である。例えば、絶縁層がエチレンプロピレンゴム（溶解度パラメータSP値８．２(cal/cm3)1/2）で形成される場合、本実施形態の熱可塑性樹脂とエチレンプロピレンゴムとの溶解度パラメータSP値の差が少なくとも１.１(cal/cm3)1/2となる。熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm3)1/2未満であると、絶縁層を形成する樹脂との溶解度パラメータSP値の差が小さくなるため、外部半導電層が絶縁層に過度に密着して形成され、外部半導電層の剥離強度が高くなってしまう。また、外部半導電層と絶縁層との界面に粘度調整剤をブリードさせにくくなるので、外部半導電層の剥離強度を低減できなくなってしまう。一方、熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値が１０.１(cal/cm3)1/2を超えると、絶縁層を形成する樹脂との溶解度パラメータSP値の差が大きくなりすぎるため、部分放電を抑制できる程度に外部半導電層を絶縁層に密着させることができなくなる。 The thermoplastic resin of the present embodiment has a solubility parameter SP value of 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less. This thermoplastic resin is a resin such that the difference in polarity with the thermoplastic resin forming the insulating layer is large because the solubility parameter SP value is large. For example, when the insulating layer is formed of ethylene propylene rubber (solubility parameter SP value 8.2 (cal / cm 3 ) 1/2 ), the solubility parameter SP value of the thermoplastic resin of the present embodiment and ethylene propylene rubber is The difference is at least 1.1 (cal / cm 3 ) 1/2 . When the solubility parameter SP value of the thermoplastic resin is less than 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 , the difference between the solubility parameter SP value with the resin forming the insulating layer is reduced, so the outer semiconductive layer It is formed in intimate contact with the insulating layer, and the peel strength of the outer semiconductive layer is increased. In addition, since it is difficult to bleed the viscosity control agent to the interface between the outer semiconductive layer and the insulating layer, the peel strength of the outer semiconductive layer can not be reduced. On the other hand, if the solubility parameter SP value of the thermoplastic resin exceeds 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 , the difference between the solubility parameter SP value with the resin forming the insulating layer becomes too large, so partial discharge The outer semiconductive layer can not be brought into intimate contact with the insulating layer to an extent that it can be suppressed.
熱可塑性樹脂としては、外部半導電層が燃焼した際に有毒ガスを発生させない観点から、ハロゲンを含まない熱可塑性樹脂を用いているとよい。例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）（溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm3)1/2以上１０.１(cal/cm3)1/2以下）、あるいはニトリルゴム（ＮＢＲ）（溶解度パラメータSP値９．６(cal/cm3)1/2）等を用いるとよい。これらの熱可塑性樹脂の１種類を用いてもよく、あるいは２種類以上を併用してもよい。この中でもＥＶＡが好ましい。ＥＶＡは、エチレンユニットと酢酸ビニルユニットからなり、酢酸ビニルユニットの比率（いわゆるＶＡ量）により溶解度パラメータSP値を変更できる。具体的には、ＥＶＡのＶＡ量を４４.０質量％以上とすることにより、ＥＶＡの溶解度パラメータSP値を９.３(cal/cm3)1/2以上とすることができる。一方、ＥＶＡのＶＡ量を８３.４質量％以下とすることにより、ＥＶＡの溶解度パラメータSP値を１０.１(cal/cm3)1/2以下とすると共に、ＥＶＡのガラス転移温度が高くなることでＥＶＡの耐寒性が低下してしまうことを抑制することができる。 From the viewpoint of preventing generation of toxic gas when the outer semiconductive layer is burned, it is preferable to use a thermoplastic resin containing no halogen as the thermoplastic resin. For example, ethylene vinyl acetate copolymer (EVA) (solubility parameter SP value is 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less), or nitrile rubber (NBR) ) (Solubility parameter SP value 9.6 (cal / cm 3 ) 1/2 ) or the like may be used. One of these thermoplastic resins may be used, or two or more thereof may be used in combination. Among these, EVA is preferred. EVA consists of an ethylene unit and a vinyl acetate unit, and it can change solubility parameter SP value by the ratio (what is called VA amount) of a vinyl acetate unit. Specifically, by setting the amount of VA of EVA to 44.0% by mass or more, the solubility parameter SP value of EVA can be set to 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more. On the other hand, by setting the amount of VA of EVA to 83.4 mass% or less, the solubility parameter SP value of EVA is set to 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less and the glass transition temperature of EVA becomes high. It can suppress that the cold resistance of EVA falls.
なお、ＳＰ値の高い熱可塑性樹脂は、硬質であり、粘度が高いため、半導電性樹脂組成物を押し出すときの押出成形性を低下させるおそれがある。半導電性樹脂組成物の押出成形性が低くなると、半導電性樹脂組成物を均一な被覆厚で押し出せず、外部半導電層を均一な厚さで形成することが困難となる。また別の問題として、ＳＰ値の高い熱可塑性樹脂は、硬質であるため、導電性付与剤を分散させにくい。導電性付与剤の分散性が低くなると、熱可塑性樹脂に分散させる際に導電性付与剤が凝集する場合があり、半導電性樹脂組成物の導電性を調整することが困難となる。この点、本実施形態では、後述する粘度調整剤を多量に用いることで、半導電性樹脂組成物の押出成形性の低下や導電性付与剤の分散性の低下を抑制することができる。 In addition, since the thermoplastic resin with a high SP value is hard and has a high viscosity, there is a possibility that the extrusion moldability when extruding the semiconductive resin composition may be reduced. When the extrusion moldability of the semiconductive resin composition is lowered, the semiconductive resin composition can not be extruded with a uniform coating thickness, and it becomes difficult to form the outer semiconductive layer with a uniform thickness. As another problem, a thermoplastic resin having a high SP value is hard, so it is difficult to disperse the conductivity imparting agent. When the dispersibility of the conductivity-imparting agent is lowered, the conductivity-imparting agent may be coagulated when being dispersed in the thermoplastic resin, which makes it difficult to adjust the conductivity of the semiconductive resin composition. In this respect, in the present embodiment, it is possible to suppress the decrease in the extrusion moldability of the semiconductive resin composition and the decrease in the dispersibility of the conductivity imparting agent by using a large amount of a viscosity modifier to be described later.
（粘度調整剤）
粘度調整剤は、熱可塑性樹脂を低粘度化させることで導電性付与剤の熱可塑性樹脂への分散を促進させると共に、熱可塑性樹脂を潤滑化させることで半導電性樹脂組成物の押出成形性を向上させる。また、粘度調整剤は、半導電性樹脂組成物が外部半導電層に形成されたときには、外部半導電層の内周面にブリードし、外部半導電層と絶縁層との過度な密着を抑制する。
(Viscosity modifier)
The viscosity modifier promotes the dispersion of the conductivity-imparting agent in the thermoplastic resin by lowering the viscosity of the thermoplastic resin, and also makes the thermoplastic resin lubricate, thereby making it possible to extrude the semiconductive resin composition. Improve. In addition, when the semiconductive resin composition is formed on the outer semiconductive layer, the viscosity modifier bleeds on the inner circumferential surface of the outer semiconductive layer to suppress excessive adhesion between the outer semiconductive layer and the insulating layer. Do.
粘度調整剤としては、例えば半導電性樹脂組成物の成形温度（８０℃以上１１０℃以下）付近に融点を有し、１００℃での粘度が好ましくは２０ｍｍ2／ｓｅｃ以下、より好ましくは５ｍｍ2／ｓｅｃ以上１５ｍｍ2／ｓｅｃ以下であるものを用いることができる。粘度が２０ｍｍ2／ｓｅｃを超えると、半導電性樹脂組成物の粘度を十分に低減できず、押出成形性を向上できないおそれがある。この結果、半導電性樹脂組成物を均一な被覆厚で押し出して均一な厚さの外部半導電層を形成することが困難となる。なお、粘度調整剤の粘度は、ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して測定されたものである。 The viscosity modifier has, for example, a melting point near the molding temperature (80 ° C. or more and 110 ° C. or less) of the semiconductive resin composition, and the viscosity at 100 ° C. is preferably 20 mm 2 / sec or less, more preferably 5 mm 2 The thing which is / sec or more and 15 mm < 2 > / sec or less can be used. When the viscosity exceeds 20 mm 2 / sec, the viscosity of the semiconductive resin composition can not be sufficiently reduced, and there is a possibility that the extrusion moldability can not be improved. As a result, it becomes difficult to extrude the semiconductive resin composition with a uniform coating thickness to form an outer semiconductive layer of uniform thickness. In addition, the viscosity of a viscosity modifier is measured based on JISK2283.
粘度調整剤としては、例えば、分岐状炭化水素、飽和環状炭化水素または直鎖状炭化水素を用いることができる。これらの中から１種類を用いてもよく、または２種類以上を併用してもよい。具体的には、パラフィンワックスやマイクロクリスタリンワックスなどが挙げられる。パラフィンワックスは、炭素数１８以上３０以下の直鎖状炭化水素であり、融点が４０℃以上７０℃以下のものである。マイクロクリスタリンワックスは、炭素数３６以上７０以下の分岐状炭化水素または飽和環状炭化水素であり、融点が６０℃以上９０℃以下のものである。 As the viscosity modifier, for example, a branched hydrocarbon, a saturated cyclic hydrocarbon or a linear hydrocarbon can be used. One of these may be used, or two or more may be used in combination. Specifically, paraffin wax and microcrystalline wax can be mentioned. Paraffin wax is a linear hydrocarbon having 18 to 30 carbon atoms, and having a melting point of 40 to 70 ° C. The microcrystalline wax is a branched hydrocarbon having 36 to 70 carbon atoms or a saturated cyclic hydrocarbon and having a melting point of 60 to 90 ° C.
粘度調整剤の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上３０質量部以下、好ましくは１０質量部以上２５質量部以下、より好ましくは１０質量部以上２０質量部以下である。粘度調整剤の含有量が１０質量部未満であると、粘度調整剤がブリードしにくくなり、外部半導電層の剥離強度を低減させることができない。粘度調整剤が３０質量部を超えると、外部半導電層の剥離強度が低くなりすぎるため、外部半導電層１３が外部応力で剥離してしまう。 The content of the viscosity modifier is 10 parts by mass to 30 parts by mass, preferably 10 parts by mass to 25 parts by mass, and more preferably 10 parts by mass to 20 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin is there. If the content of the viscosity modifier is less than 10 parts by mass, the viscosity modifier does not bleed easily, and the peel strength of the outer semiconductive layer can not be reduced. If the viscosity modifier exceeds 30 parts by mass, the peel strength of the outer semiconductive layer becomes too low, so the outer semiconductive layer 13 is peeled by an external stress.
（導電性付与剤）
導電性付与剤は、熱可塑性樹脂に分散されて導電性を付与するものである。導電性付与剤は、表面にＯＨ基を有しており、導電性付与剤同士で凝集しやすいので、熱可塑性樹脂へ均一に分散しにくい。しかも、ＳＰ値が高く硬質な熱可塑性樹脂では、導電性付与剤が凝集しやすく、その分散性はより低下する。この点、本実施形態では、半導電性樹脂組成物に粘度調整剤を多量に含有させて低粘度化させているので、熱可塑性樹脂への導電性付与剤の分散性を向上させている。
(Conductive agent)
The conductivity imparting agent is dispersed in a thermoplastic resin to impart conductivity. The conductivity imparting agent has an OH group on the surface, and is easily aggregated between the conductivity imparting agents, so it is difficult to uniformly disperse in the thermoplastic resin. In addition, in the case of a hard thermoplastic resin having a high SP value, the conductivity imparting agent is easily aggregated and the dispersibility thereof is further reduced. In this respect, in the present embodiment, since the viscosity adjusting agent is contained in a large amount in the semiconductive resin composition to lower the viscosity, the dispersibility of the conductivity imparting agent in the thermoplastic resin is improved.
導電性付与剤としては、例えば導電性カーボンを用いることができる。この導電性カーボンは、粒子径が小さい、比表面積が大きい、ストラクチャー（粒子の形）が大きい、表面化合物が少ない、といった特徴を有している。導電性カーボンは、少量の添加により導電性を付与できるため、多量に添加する必要がなく、半導電性樹脂組成物の粘度を過度に向上させるおそれがない。導電性カーボンとしては、特に限定されず、公知のものを用いることができる。例えば、ファーネスブラック、アセチレンブラックおよびケッチェンブラック等がある。具体的には、東海カーボン株式会社製のシーストＧ１１６（登録商標）、ケッチェンブラックインターナショナル株式会社製のケッチェンブラックＥＣ（登録商標）、電気化学工業株式会社製のアセチレンブラック（登録商標）等が挙げられる。なお、導電性カーボンは１種を用いてもよく、あるいは２種以上を併用してもよい。 As a conductivity imparting agent, for example, conductive carbon can be used. This conductive carbon has features such as small particle size, large specific surface area, large structure (in the form of particles), and few surface compounds. The conductive carbon can impart conductivity by the addition of a small amount, so there is no need to add a large amount, and there is no possibility of excessively improving the viscosity of the semiconductive resin composition. The conductive carbon is not particularly limited, and any known carbon can be used. For example, furnace black, acetylene black and ketjen black etc. Specifically, SEAST G116 (registered trademark) manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd., KETCHEN BLACK EC (registered trademark) manufactured by KETCHEN BLACK INTERNATIONAL LTD., Acetylene Black (registered trademark) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., etc. It can be mentioned. The conductive carbon may be used alone or in combination of two or more.
導電性付与剤の含有量は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、４０質量部以上８０質量部以下である。導電性付与剤の含有量が４０質量部未満となると、導電性付与剤の含有量が少なく、外部半導電層に要求される導電性（例えば、体積抵抗率で１０2Ω・ｃｍ以上１０5Ω・ｃｍ以下）を満たすことが困難となる。一方、８０質量部を超えると、半導電性樹脂組成物の粘度が過度に高くなるため、押出成形性が低下することになる。 The content of the conductivity imparting agent is 40 parts by mass or more and 80 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. When the content of the conductive agent is less than 40 parts by mass, low content of conductive agent, conductivity required in outer semiconducting layer (e.g., at 10 2 Omega · cm or higher volume resistivity 10 5 It becomes difficult to satisfy Ω · cm or less. On the other hand, when it exceeds 80 parts by mass, the viscosity of the semiconductive resin composition becomes excessively high, and the extrusion moldability is lowered.
（その他の添加剤）
本実施形態の半導電性樹脂組成物には、必要に応じて架橋剤、架橋助剤、老化防止剤、滑剤、操作油、耐オゾン防止剤、紫外線防止剤、難燃剤、充填剤、帯電防止剤、粘着防止剤などのその他の添加剤が含有されていてもよい。外部半導電層の耐変形性を向上させる観点からは、架橋剤が含有されていることが好ましい。耐変形性を向上させることにより、外部半導電層を剥離する際の破壊を抑制することができる。架橋剤としては、例えば、α，α'−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ジイソプロピルベンゼン（日本油脂株式会社製のパーブチルＰ）、ジクミルパーオキシド（日本油脂株式会社製のパークミルＤ）などの有機過酸化物を用いることができる。
(Other additives)
In the semiconductive resin composition of the present embodiment, if necessary, a crosslinking agent, a crosslinking aid, an antiaging agent, a lubricant, a working oil, an antiozonant, an ultraviolet inhibitor, a flame retardant, a filler, an antistatic Other additives such as an agent and an antiblocking agent may be contained. From the viewpoint of improving the deformation resistance of the outer semiconductive layer, it is preferable that a crosslinking agent be contained. By improving the deformation resistance, it is possible to suppress the breakage when peeling the outer semiconductive layer. Examples of the crosslinking agent include organic peroxides such as α, α′-di (t-butylperoxy) diisopropylbenzene (Perbutyl P manufactured by Nippon Oil and Fats Co., Ltd.) and dicumyl peroxide (Parkmill D manufactured by Nippon Oil and Fats Co., Ltd.) An oxide can be used.
（２）半導電性樹脂組成物の製造方法
本実施形態の半導電性樹脂組成物は、上述の熱可塑性樹脂、導電性付与剤、粘度調整剤、必要に応じてその他添加剤を混合し、混練することにより形成される。各成分の添加順序は、特に限定されない。本実施形態では、溶解度パラメータSP値が高く硬い熱可塑性樹脂を用いているが、粘度調整剤を多量に添加しているため、熱可塑性樹脂を低粘度化し、導電性付与剤を良好に分散させることができる。なお、混練は、ミキシングロール、バンバリミキサ、ブラベンダープラストグラフ、加圧型ニーダーなどのバッチ式混練機や単軸または２軸押出機を用いて、同時的あるいは逐次的に行うことができる。混練の際の加熱温度は、熱可塑性樹脂の融点以上（例えば８０℃以上１１０℃以下）とする。
(2) Manufacturing method of semiconductive resin composition The semiconductive resin composition of this embodiment mixes the above-mentioned thermoplastic resin, a conductivity imparting agent, a viscosity modifier, and other additives as needed, It is formed by kneading. The order of addition of each component is not particularly limited. In this embodiment, a thermoplastic resin having a high solubility parameter SP value and a hard thermoplastic resin is used. However, since a large amount of viscosity modifier is added, the viscosity of the thermoplastic resin is reduced and the conductivity imparting agent is favorably dispersed. be able to. In addition, kneading | mixing can be simultaneously or sequentially performed using batch type | formula kneaders, such as a mixing roll, a Banbury mixer, Brabender plastograph, a pressure type kneader, and a single-screw or twin-screw extruder. The heating temperature at the time of kneading is equal to or higher than the melting point of the thermoplastic resin (for example, 80 ° C. or more and 110 ° C. or less).
（３）送電ケーブルの構成
次に、本発明の一実施形態に係る送電ケーブルについて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る送電ケーブルの断面図である。
(3) Configuration of Power Transmission Cable Next, a power transmission cable according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of a power transmission cable according to an embodiment of the present invention.
（導体）
図１に示すように、本実施形態の送電ケーブル１は、導体１０を備えている。導体１０としては、例えば、低酸素銅や無酸素銅等からなる銅線、銅合金線、銀等からなる他の金属線等、又はこれらを撚り合わせた撚り線を用いることができる。導体１０の外径は、送電ケーブル１の用途に応じて適宜変更することができる。
(conductor)
As shown in FIG. 1, the power transmission cable 1 of the present embodiment includes a conductor 10. As the conductor 10, for example, a copper wire made of low-oxygen copper, oxygen-free copper or the like, a copper alloy wire, another metal wire made of silver or the like, or a stranded wire obtained by twisting these can be used. The outer diameter of the conductor 10 can be appropriately changed according to the application of the power transmission cable 1.
（内部半導電層）
導体１０の外周を囲うように、内部半導電層１１が設けられている。例えば、内部半導電層１１は、導体１０の外周を被覆するように設けられている。内部半導電層１１は、後述する絶縁層１２に密着して設けられ、絶縁層１２の表面の凹凸を埋めて部分放電を抑制するためのものである。内部半導電層１１の厚さは、例えば、０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下である。
(Internal semiconductive layer)
An inner semiconductive layer 11 is provided to surround the outer periphery of the conductor 10. For example, the inner semiconductive layer 11 is provided to cover the outer periphery of the conductor 10. The internal semiconductive layer 11 is provided in close contact with the insulating layer 12 described later, and is for burying irregularities on the surface of the insulating layer 12 to suppress partial discharge. The thickness of the inner semiconductive layer 11 is, for example, 0.3 mm or more and 3 mm or less.
内部半導電層１１は、従来公知の半導電性樹脂組成物で形成されている。内部半導電層１１を形成する半導電性樹脂組成物は、例えば、ベース樹脂と導電性付与剤とを含有している。内部半導電層１１を形成するベース樹脂としては、後述する絶縁層１２との密着性を確保する観点から、例えば、エチレンプロピレンゴムやブチルゴムなどの熱可塑性樹脂を用いるとよい。なお、内部半導電層１１を形成する半導電性樹脂組成物には、必要に応じて架橋剤、架橋助剤および老化防止剤などのその他添加剤が含有されていてもよい。また、内部半導電層１１は、半導電性樹脂組成物で形成される以外に、例えばスフ製の基布に導電性ブチルゴムを塗布した半導電性布テープを巻き付けることで形成されてもよい。 The inner semiconductive layer 11 is formed of a conventionally known semiconductive resin composition. The semiconductive resin composition forming the inner semiconductive layer 11 contains, for example, a base resin and a conductivity imparting agent. As a base resin which forms the inner semiconductive layer 11, it is good to use thermoplastic resins, such as ethylene propylene rubber and butyl rubber, from a viewpoint of securing adhesiveness with the insulating layer 12 mentioned later, for example. The semiconductive resin composition for forming the inner semiconductive layer 11 may contain other additives such as a crosslinking agent, a crosslinking aid and an antiaging agent, as necessary. The inner semiconductive layer 11 may be formed, for example, by winding a semiconductive cloth tape in which a conductive butyl rubber is applied to a base cloth made of Suf, in addition to being formed of a semiconductive resin composition.
（絶縁層）
内部半導電層１１を囲うように、絶縁層１２が設けられている。例えば、絶縁層１２は、内部半導電層１１の外周を被覆するように設けられている。絶縁層１２の厚さは、例えば、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
(Insulating layer)
An insulating layer 12 is provided to surround the internal semiconductive layer 11. For example, the insulating layer 12 is provided to cover the outer periphery of the inner semiconductive layer 11. The thickness of the insulating layer 12 is, for example, 3 mm or more and 30 mm or less.
絶縁層１２は、熱可塑性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物で形成されている。絶縁層１２を形成する熱可塑性樹脂としては、外部半導電層１３に用いる熱可塑性樹脂との溶解度パラメータSP値の差が少なくとも１.１(cal/cm3)1/2となるような樹脂を選択し、エチレンプロピレンゴムを用いる。なお、絶縁層１２には、架橋剤、架橋助剤、老化防止剤などのその他の添加剤が含有されていてもよい。 The insulating layer 12 is formed of an insulating resin composition containing a thermoplastic resin. As a thermoplastic resin for forming the insulating layer 12, a resin having a difference in solubility parameter SP value with the thermoplastic resin used for the outer semiconductive layer 13 of at least 1.1 (cal / cm 3 ) 1/2 is used. selected, using the ethylene-propylene rubber. The insulating layer 12 may contain other additives such as a crosslinking agent, a crosslinking assistant, and an antiaging agent.
（外部半導電層）
絶縁層１２を囲うように、外部半導電層１３が設けられている。例えば、外部半導電層１３は、絶縁層１２の外周を被覆するように設けられている。外部半導電層１３は、内部半導電層１１と同様に絶縁層１２の表面の凹凸を埋めて部分放電を抑制するためのものである。外部半導電層１３の厚さは、例えば、０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下である。
(External semiconductive layer)
An outer semiconductive layer 13 is provided to surround the insulating layer 12. For example, the outer semiconductive layer 13 is provided to cover the outer periphery of the insulating layer 12. The outer semiconductive layer 13 is for burying asperities on the surface of the insulating layer 12 to suppress partial discharge as the inner semiconductive layer 11 does. The thickness of the outer semiconductive layer 13 is, for example, 0.3 mm or more and 3 mm or less.
外部半導電層１３は、絶縁層１２を形成する樹脂との溶解度パラメータSP値の差が大きくなるような熱可塑性樹脂を含有する半導電性樹脂組成物で形成されている。そのため、外部半導電層１３は、絶縁層１２と過度に密着することなく絶縁層１２の外周に設けられている。また、外部半導電層１３は多量の粘度調整剤を含有しており、外部半導電層１３と絶縁層１２との界面２０には、外部半導電層１３に含有されていた粘度調整剤がブリードしている。ブリードした粘度調整剤が界面２０の全体または一部に存在するため、外部半導電層１３は、粘度調整剤が絶縁層１２との界面に介在した状態で絶縁層１２の外周に設けられている。これにより、外部半導電層１３は、絶縁層１２と過度に密着することなく、絶縁層１２から剥離するときの剥離強度が低くなるように構成されている。なお、粘度調整剤が界面２０にブリードすることは、外部半導電層１３が絶縁層１２と過度に密着しにくい熱可塑性樹脂で形成されて界面２０での密着性が小さいために促進されるものと考えられる。 The outer semiconductive layer 13 is formed of a semiconductive resin composition containing a thermoplastic resin such that the difference in solubility parameter SP value with the resin forming the insulating layer 12 is large. Therefore, the outer semiconductive layer 13 is provided on the outer periphery of the insulating layer 12 without being in intimate contact with the insulating layer 12. Also, the outer semiconductive layer 13 contains a large amount of viscosity modifier, and at the interface 20 between the outer semiconductive layer 13 and the insulating layer 12, the viscosity modifier contained in the outer semiconductive layer 13 is bled. doing. The outer semiconductive layer 13 is provided on the outer periphery of the insulating layer 12 with the viscosity adjusting agent interposed at the interface with the insulating layer 12 because the viscosity adjusting agent which is bled is present in all or part of the interface 20. . As a result, the outer semiconductive layer 13 is configured so as to have a low peel strength when peeling from the insulating layer 12 without being in intimate contact with the insulating layer 12 excessively. Bleeding of the viscosity modifier to the interface 20 is promoted because the outer semiconductive layer 13 is formed of a thermoplastic resin that does not adhere to the insulating layer 12 excessively and adhesion at the interface 20 is small. it is conceivable that.
外部半導電層１３の剥離強度は、絶縁層１２がエチレンプロピレンゴムで形成される場合、好ましくは１０Ｎ／１２．７ｍｍ以上５０Ｎ／１２．７ｍｍ以下、より好ましくは１５Ｎ／１２．７ｍｍ以上２５Ｎ／１２．７ｍｍ以下である。剥離強度が１０Ｎ／１２．７ｍｍ未満となると、外部半導電層１３が振動や加工時の曲げなどの外部応力で剥離するおそれがある。一方、剥離強度が５０Ｎ／１２．７ｍｍを超えると、外部半導電層１３の密着が強すぎるため、外部半導電層１３を剥離する際に外部半導電層１３自体が破壊されたり、絶縁層１２が破壊されたりするおそれがある。なお、剥離強度は、後述する実施例において具体的に説明する。 The peel strength of the outer semiconductive layer 13 is preferably 10 N / 12.7 mm or more and 50 N / 12.7 mm or less, more preferably 15 N / 12.7 mm or more and 25 N / 12 when the insulating layer 12 is formed of ethylene propylene rubber. .7 mm or less. If the peel strength is less than 10 N / 12.7 mm, the outer semiconductive layer 13 may be peeled due to external stress such as vibration or bending at the time of processing. On the other hand, if the peel strength exceeds 50 N / 12.7 mm, the adhesion of the outer semiconductive layer 13 is too strong, so the outer semiconductive layer 13 itself is broken when the outer semiconductive layer 13 is peeled, or the insulating layer 12 May be destroyed. In addition, peeling strength is concretely demonstrated in the Example mentioned later.
外部半導電層１３は、導電性付与剤の分散性に優れる半導電性樹脂組成物から形成されており、外部半導電層１３の体積抵抗率が１０2Ω・ｃｍ以上１０5Ω・ｃｍ以下となる。 The outer semiconductive layer 13 is formed of a semiconductive resin composition excellent in the dispersibility of the conductivity imparting agent, and the volume resistivity of the outer semiconductive layer 13 is 10 2 Ω · cm or more and 10 5 Ω · cm or less It becomes.
外部半導電層１３は、多量の粘度調整剤を含有し、押出成形性に優れる半導電性樹脂組成物で形成されているため、被覆厚が均一となる。 The outer semiconductive layer 13 contains a large amount of viscosity modifier and is formed of a semiconductive resin composition excellent in extrusion moldability, so the coating thickness becomes uniform.
なお、粘度調整剤は、外部半導電層１３の内側および外側の表面にブリードするものの、外部半導電層１３が後述する遮蔽層１４および外被層１５で被覆されているので、送電ケーブル１の表面まではブリードしにくくなっている。そのため、粘度調整剤のブリードにより送電ケーブル１の取り扱い性が低下することを抑制することができる。 Although the viscosity modifier bleeds on the inner and outer surfaces of the outer semiconductive layer 13, the outer semiconductive layer 13 is covered with a shielding layer 14 and an outer cover layer 15 described later. It is difficult to bleed to the surface. Therefore, it can suppress that the handleability of the power transmission cable 1 falls by the bleed of a viscosity modifier.
（遮蔽層）
遮蔽層１４（以下、シールド層１４ともいう）は、外部半導電層１３の外周に設けられ、電流が導体１０を流れる際に発生するノイズを遮蔽するものである。シールド層１４は、可撓性を得るため、例えば軟銅線などの素線を複数編み込むことにより形成される。
(Shield layer)
The shielding layer 14 (hereinafter also referred to as a shielding layer 14) is provided on the outer periphery of the outer semiconductive layer 13 and shields noise generated when current flows through the conductor 10. The shield layer 14 is formed by weaving a plurality of strands, such as soft copper wires, in order to obtain flexibility.
（外被層）
外被層１５（以下、シース１５ともいう）は、シールド層１４の外周に設けられ、導体１０や絶縁層１２などを被覆保護するものである。シース１５は、従来公知の樹脂組成物から形成され、例えば塩化ビニル樹脂から構成される。
(Jacket layer)
The outer covering layer 15 (hereinafter, also referred to as a sheath 15) is provided on the outer periphery of the shield layer 14, and covers and protects the conductor 10, the insulating layer 12, and the like. The sheath 15 is formed of a conventionally known resin composition, and is made of, for example, a vinyl chloride resin.
（４）送電ケーブルの製造方法
送電ケーブル１は、例えば以下のように製造することができる。まず、導体１０を準備して、導体１０の外周上に内部半導電層１１用の半導電性樹脂組成物を押し出して内部半導電層１１を形成する。そして、内部半導電層１１を架橋させる。例えば有機過酸化物を用いて架橋させる場合、内部半導電層１１を高温（１４０℃以上１９０℃以下）で高圧（１．３ＭＰａ）の水蒸気内に１５分間、曝すことにより行う。続いて、内部半導電層１１の外周に絶縁層１２用の樹脂組成物を押し出して絶縁層１２を形成し、絶縁層１２を架橋させる。続いて、絶縁層１２の外周に外部半導電層１３用の半導電性樹脂組成物を押し出して外部半導電層１３を形成し、外部半導電層１３を架橋させる。その後、外部半導電層１３の外周にシールド層１４およびシース１５を設けることで本実施形態の送電ケーブル１を得る。
(4) Method of Manufacturing Power Transmission Cable The power transmission cable 1 can be manufactured, for example, as follows. First, the conductor 10 is prepared, and the semiconductive resin composition for the inner semiconductive layer 11 is extruded on the outer periphery of the conductor 10 to form the inner semiconductive layer 11. Then, the inner semiconductive layer 11 is crosslinked. For example, in the case of crosslinking using an organic peroxide, the inner semiconductive layer 11 is exposed for 15 minutes in high pressure (1.3 MPa) water vapor at a high temperature (140 ° C. to 190 ° C.). Subsequently, the resin composition for the insulating layer 12 is extruded to the outer periphery of the inner semiconductive layer 11 to form the insulating layer 12, and the insulating layer 12 is crosslinked. Subsequently, the semiconductive resin composition for the outer semiconductive layer 13 is extruded to the outer periphery of the insulating layer 12 to form the outer semiconductive layer 13, and the outer semiconductive layer 13 is crosslinked. Then, the power transmission cable 1 of this embodiment is obtained by providing the shield layer 14 and the sheath 15 on the outer periphery of the outer semiconductive layer 13.
上述したように、内部半導電層１１、絶縁層１２および外部半導電層１３は、順次押出被覆して形成してもよいが、３層を同時に押し出して形成してもよい。 As described above, the inner semiconductive layer 11, the insulating layer 12, and the outer semiconductive layer 13 may be formed by extrusion coating sequentially, but may be formed by simultaneously extruding three layers.
＜本発明の実施形態に係る効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
<Effect According to the Embodiment of the Present Invention>
According to this embodiment, one or more of the following effects can be obtained.
（ａ）本実施形態によれば、半導電性樹脂組成物は、溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm3)1/2以上１０.１(cal/cm3)1/2以下の熱可塑性樹脂と、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０質量部以上３０質量部以下の粘度調整剤とを含有している。半導電性樹脂組成物は、絶縁層１２を形成する樹脂との溶解度パラメータSP値の差が大きくなるような熱可塑性樹脂を含有しているので、外部半導電層１３を絶縁層１２と過度に密着させることなく形成することができる。また、半導電性樹脂組成物は、ブリードするような多量の粘度調整剤を含有しているので、外部半導電層１３を形成したときに絶縁層１２との界面２０に粘度調整剤をブリードさせて、外部半導電層１３と絶縁層１２との過度な密着を抑制することができる。したがって、本実施形態の半導電性樹脂組成物によれば、絶縁層１２から剥離するときの剥離強度が低く、端末加工時に容易に剥離することができる外部半導電層１３を形成することができる。 (A) According to this embodiment, the semiconductive resin composition has a solubility parameter SP value of 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less It contains a thermoplastic resin and a viscosity modifier of 10 parts by mass to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. Since the semiconductive resin composition contains a thermoplastic resin such that the difference in solubility parameter SP value with the resin forming the insulating layer 12 becomes large, the outer semiconductive layer 13 and the insulating layer 12 are excessively formed. It can be formed without adhesion. In addition, since the semiconductive resin composition contains a large amount of viscosity modifier that causes bleeding, when the outer semiconductive layer 13 is formed, the viscosity modifier is allowed to bleed on the interface 20 with the insulating layer 12 Thus, excessive adhesion between the outer semiconductive layer 13 and the insulating layer 12 can be suppressed. Therefore, according to the semiconductive resin composition of this embodiment, the peeling strength at the time of peeling from the insulating layer 12 is low, and the outer semiconductive layer 13 which can be easily peeled at the time of terminal processing can be formed. .
（ｂ）本実施形態によれば、半導電性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、４０質量部以上８０質量部以下の導電性付与剤を含有している。溶解度パラメータSP値が高い熱可塑性樹脂は硬質であり、導電性付与剤を良好に分散させにくいが、本実施形態では多量の粘度調整剤を含有させることで熱可塑性樹脂への導電性付与剤の分散性を向上させている。これにより、外部半導電層１３の体積抵抗率を１０2Ω・ｃｍ以上１０5Ω・ｃｍ以下とすることができる。 (B) According to the present embodiment, the semiconductive resin composition contains 40 parts by mass or more and 80 parts by mass or less of the conductivity imparting agent with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin. A thermoplastic resin having a high solubility parameter SP value is hard, and it is difficult to disperse the conductivity imparting agent well, but in the present embodiment, by containing a large amount of a viscosity modifier, the conductivity imparting agent to the thermoplastic resin I am improving the dispersibility. Thereby, the volume resistivity of the outer semiconductive layer 13 can be 10 2 Ω · cm or more and 10 5 Ω · cm or less.
（ｃ）本実施形態によれば、半導電性樹脂組成物は、多量の粘度調整剤を含有し、低粘度であるため、押し出すときの押出成形性に優れている。そのため、半導電性樹脂組成物を均一な厚さで押し出すことができ、厚さの均一な外部半導電層１３を形成することができる。 (C) According to the present embodiment, the semiconductive resin composition contains a large amount of viscosity modifier and has a low viscosity, so it is excellent in extrusion moldability when extruding. Therefore, the semiconductive resin composition can be extruded with a uniform thickness, and the outer semiconductive layer 13 with a uniform thickness can be formed.
（ｄ）本実施形態によれば、熱可塑性樹脂は、酢酸ビニルを４４.０質量％以上８３.４質量％以下含有するエチレン酢酸ビニル共重合体である。このような熱可塑性樹脂によれば、絶縁層１２を形成する樹脂とのＳＰ値の差を大きくできるため、外部半導電層１３と絶縁層１２との界面２０での密着を抑制することができる。さらに、界面２０での密着を抑制することで、界面２０への粘度調整剤のブリードを促進させることができる。これらの相乗効果により、外部半導電層１３の剥離強度をさらに低減させることができる。 (D) According to this embodiment, the thermoplastic resin, Ru ethylene vinyl acetate copolymer der containing less 83.4 mass% or more 44.0% by weight of vinyl acetic acid. According to such a thermoplastic resin, the difference in SP value with the resin forming the insulating layer 12 can be increased, so adhesion at the interface 20 between the outer semiconductive layer 13 and the insulating layer 12 can be suppressed. . Furthermore, by suppressing adhesion at the interface 20, bleeding of the viscosity modifier to the interface 20 can be promoted. By these synergistic effects, the peel strength of the outer semiconductive layer 13 can be further reduced.
（ｅ）本実施形態によれば、粘度調整剤は、飽和環状炭化水素または直鎖状炭化水素の少なくとも１つであり、温度１００℃における粘度が２０ｍｍ2／ｓｅｃ以下であることが好ましい。このような粘度調整剤は、半導電性樹脂組成物の粘度を低減させることで、半導電性樹脂組成物の押出成形性、および導電性付与剤の分散性を向上させることができる。 (E) According to this embodiment, the viscosity modifier is preferably at least one of a saturated cyclic hydrocarbon or a linear hydrocarbon, and preferably has a viscosity of 20 mm 2 / sec or less at a temperature of 100 ° C. Such a viscosity modifier can improve the extrusion moldability of a semiconductive resin composition, and the dispersibility of a conductivity imparting agent by reducing the viscosity of a semiconductive resin composition.
（ｆ）本実施形態によれば、送電ケーブル１は、所定のＳＰ値を有する熱可塑性樹脂と多量の粘度調整剤とを含有する半導電性樹脂組成物で形成される外部半導電層１３を絶縁層１２の外周に備えている。そのため、絶縁層１２と外部半導電層１３との界面２０には、外部半導電層１３からブリードした粘度調整剤が介在している。これにより、絶縁層１２から外部半導電層１３を剥離させるときの剥離強度を低減させることができる。具体的には、絶縁層１２がエチレンプロピレンゴムで形成される場合、外部半導電層１３の剥離強度は、１０Ｎ／１２．７ｍｍ以上５０Ｎ／１２．７ｍｍ以下となる。したがって、外部半導電層１３は絶縁層１２から容易に剥離させることができるので、送電ケーブル１は端末加工性に優れている。 (F) According to the present embodiment, the power transmission cable 1 includes the outer semiconductive layer 13 formed of a semiconductive resin composition containing a thermoplastic resin having a predetermined SP value and a large amount of viscosity modifier. It is provided on the outer periphery of the insulating layer 12. Therefore, at the interface 20 between the insulating layer 12 and the outer semiconductive layer 13, a viscosity modifier which is bled from the outer semiconductive layer 13 is interposed. Thereby, the peeling strength when peeling the outer semiconductive layer 13 from the insulating layer 12 can be reduced. Specifically, when the insulating layer 12 is formed of ethylene propylene rubber, the peel strength of the outer semiconductive layer 13 is 10 N / 12.7 mm or more and 50 N / 12.7 mm or less. Therefore, since the outer semiconductive layer 13 can be easily peeled off from the insulating layer 12, the power transmission cable 1 is excellent in the terminal processability.
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples.
（１）内部半導電層用の半導電性樹脂組成物の調製
まず、内部半導電層用の半導電性樹脂組成物を調製した。具体的には、エチレンプロピレンゴム１００質量部に対して、導電性付与剤を４０質量部以上８０質量部以下と、有機過酸化物や酸化防止剤などの添加剤とを加え、バンバリミキサで混練することで、内部半導電層用の半導電性樹脂組成物を調整した。
(1) Preparation of Semiconductive Resin Composition for Internal Semiconductive Layer First, a semiconductive resin composition for an inner semiconductive layer was prepared. Specifically, with respect to 100 parts by mass of ethylene propylene rubber, 40 parts by mass to 80 parts by mass of the conductivity imparting agent and an additive such as an organic peroxide or an antioxidant are added, and the mixture is kneaded by a Banbury mixer Thus, the semiconductive resin composition for the inner semiconductive layer was prepared.
（２）絶縁層用の樹脂組成物の調製
続いて、絶縁層用の絶縁性樹脂組成物を調製した。具体的には、溶解度パラメータSP値が８．２(cal/cm3)1/2であるエチレンプロピレンゴム１００質量部に対して、クレーを３０質量部以上７０質量部以下と、有機過酸化物や酸化防止剤などの添加剤とを加え、バンバリミキサで混練することで、絶縁層用の樹脂組成物を調整した。
(2) Preparation of Resin Composition for Insulating Layer Subsequently, an insulating resin composition for the insulating layer was prepared. Specifically, 30 parts by mass or more and 70 parts by mass or less of clay and 100 parts by mass of ethylene propylene rubber having a solubility parameter SP value of 8.2 (cal / cm 3 ) 1/2 and an organic peroxide And an additive such as an antioxidant, and the mixture was kneaded with a Banbury mixer to prepare a resin composition for an insulating layer.
（３）外部半導電層用の半導電性樹脂組成物の調製
続いて、外部半導電層用の半導電性樹脂組成物を調製した。実施例および比較例において用いた材料は次の通りである。
(3) Preparation of Semiconductive Resin Composition for Outer Semiconductive Layer Subsequently, a semiconductive resin composition for the outer semiconductive layer was prepared. The materials used in the examples and comparative examples are as follows.
（Ａ）熱可塑性樹脂として、酢酸ビニル含量（ＶＡ量）が異なり、ＳＰ値が異なるエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を用いた。
・（ａ１）ＶＡ量８０質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値１０.１(cal/cm3)1/2）：「レバプレン８００ＨＶ」（ランクセス株式会社製）
・（ａ２）ＶＡ量７０質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値９.８(cal/cm3)1/2）：「レバプレン７００ＨＶ」（ランクセス株式会社製）
・（ａ３）ＶＡ量６０質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値９.６(cal/cm3)1/2）：「レバプレン６００ＨＶ」（ランクセス株式会社製）
・（ａ４）ＶＡ量５０質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値９.４(cal/cm3)1/2）：「レバプレン５００ＨＶ」（ランクセス株式会社製）
・（ａ５）ＶＡ量４６質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値９.３(cal/cm3)1/2）：「ＥＶ４５ＬＸ」（三井・デュポンポリケミカル株式会社製）
・（ａ６）ＶＡ量３３質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値９.１(cal/cm3)1/2）：「ＥＶ１５０」（三井・デュポンポリケミカル株式会社製）
(A) As a thermoplastic resin, ethylene vinyl acetate copolymer (EVA) in which vinyl acetate content (VA amount) differs and SP values differ was used.
-(A1) EVA (solubility parameter SP value 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 ) with a VA amount of 80% by mass: "REVAPREN 800 HV" (manufactured by LANXESS CO., LTD.)
(A2) EVA having a VA amount of 70% by mass (solubility parameter SP value 9.8 (cal / cm 3 ) 1/2 ): "Levaprene 700 HV" (manufactured by LANXESS CORPORATION)
(A3) EVA having a VA amount of 60% by mass (solubility parameter SP value 9.6 (cal / cm 3 ) 1/2 ): “Levaprene 600 HV” (manufactured by LANXESS CO., LTD.)
(A4) EVA (solubility parameter SP value 9.4 (cal / cm 3 ) 1/2 ) with a VA amount of 50% by mass: “Levaprene 500 HV” (manufactured by LANXESS CO., LTD.)
(A5) EVA having a VA content of 46% by mass (solubility parameter SP value 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 ): "EV 45LX" (manufactured by Mitsui Dupont Polychemicals Co., Ltd.)
(A6) EVA having a VA amount of 33% by mass (solubility parameter SP value 9.1 (cal / cm 3 ) 1/2 ): "EV150" (manufactured by Mitsui / Dupont Polychemicals Co., Ltd.)
（Ｂ）粘度調整剤として次のものを用いた。
・（ｂ１）パラフィンワックス（融点５８℃、粘度３．９ｍｍ2／ｓｅｃ（１００℃））：「パラフィンワックス１３５」（ＪＸ日航日石株式会社製）
・（ｂ２）マイクロクリスタリンワックス（融点８８℃、粘度１４．３ｍｍ2／ｓｅｃ（１００℃））：「マイクロクリスタリンワックスＨｉ−Ｍｉｃ１０９０」（ＪＸ日航日石株式会社製）
(B) The following were used as a viscosity modifier.
(B1) Paraffin wax (melting point 58 ° C., viscosity 3.9 mm 2 / sec (100 ° C.)): “Paraffin wax 135” (manufactured by JX Nikko Japan Ltd.)
(B2) Microcrystalline wax (melting point 88 ° C., viscosity 14.3 mm 2 / sec (100 ° C.)): "microcrystalline wax Hi-Mic 1090" (manufactured by JX Nikko Japan Ltd.)
（Ｃ）導電性付与剤として次のものを用いた。
・（ｃ１）カーボンブラック（平均粒径３８ｎｍ）：「デンカブラック」（デンカ株式会社製）
・（ｃ２）カーボンブラック（平均粒径３８ｎｍ）：「シーストＧ１１６」（東海カーボン株式会社製）
(C) The following were used as a conductivity imparting agent.
(C1) Carbon black (average particle size 38 nm): "Denka Black" (made by Denka Co., Ltd.)
(C2) Carbon black (average particle size 38 nm): "Siest G116" (manufactured by Tokai Carbon Co., Ltd.)
架橋剤（Ｄ）として次のものを用いた。
・有機過酸化物：「パーブチルＰ」（日油株式会社製）
The following were used as a crosslinking agent (D).
Organic peroxide: "Perbutyl P" (manufactured by NOF Corporation)
上記材料を用いて、実施例１〜９の半導電性樹脂組成物を調製した。調製条件を以下の表１に示す。 The semiconductive resin composition of Examples 1-9 was prepared using the said material. The preparation conditions are shown in Table 1 below.
実施例１では、表１に示すように、（Ａ）熱可塑性樹脂として（ａ１）ＶＡ量８０質量％のＥＶＡ（溶解度パラメータSP値１０.１(cal/cm3)1/2）１００質量部に対して、（Ｂ）粘度調整剤の（ｂ１）パラフィンワックスを１８質量部と、（Ｃ）導電性付与剤の（ｃ１）カーボンブラックを６０質量部と、（Ｄ）架橋剤の有機過酸化物を２質量部と、を添加し、バンバリミキサで混練することによって、実施例１の半導電性樹脂組成物を調製した。実施例２〜９では、表１に示すように調製条件を適宜変更した以外は、実施例１と同様に半導電性樹脂組成物を調製した。 In Example 1, as shown in Table 1, (a1) EVA (solubility parameter SP value 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 ) 100 parts by mass as (a1) VA amount as a thermoplastic resin (B) 18 parts by mass of (b) paraffin wax of viscosity modifier, 60 parts by mass of (c) carbon black of (C) conductivity imparting agent, and (D) organic peroxide of crosslinking agent The semiconductive resin composition of Example 1 was prepared by adding 2 parts by mass of the substance and kneading with a Banbury mixer. In Examples 2 to 9, a semiconductive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that preparation conditions were appropriately changed as shown in Table 1.
また、上記材料を用いて、比較例１〜９の半導電性樹脂組成物を調製した。調製条件を以下の表２に示す。比較例１〜９では、表２に示すように調製条件を適宜変更した以外は、実施例１と同様に半導電性樹脂組成物を調製した。 Moreover, the semiconductive resin composition of Comparative Examples 1-9 was prepared using the said material. The preparation conditions are shown in Table 2 below. In Comparative Examples 1 to 9, a semiconductive resin composition was prepared in the same manner as Example 1 except that preparation conditions were appropriately changed as shown in Table 2.
（４）評価用送電ケーブルの製造
本実施例では、送電ケーブルを模擬した評価用送電ケーブルを製造した。
上記で調製した内部半導電層用の半導電性樹脂組成物、絶縁層用の樹脂組成物および外部半導電層用の半導電性樹脂組成物の各成分をそれぞれ押出機に供給した。これらの各成分について、内部半導電層用の半導電性樹脂組成物を８５℃、絶縁層用の樹脂組成物を６０℃、外部半導電層用の半導電性樹脂組成物を８０℃でそれぞれ加熱し混練した後、導体としての銅線（断面積９５ｍｍ2）の外周に、内部半導電層の厚さが１ｍｍ、絶縁層の厚さが９ｍｍ、外部半導電層の厚さが１ｍｍとなるように３層同時押出した。続いて、押し出した各成分を架橋することにより、導体の外周に内部半導電層、絶縁層および外部半導電層をこの順に積層させた評価用送電ケーブルを製造した。
(4) Manufacture of Power Transmission Cable for Evaluation In this example, a power transmission cable for evaluation simulating the power transmission cable was manufactured.
The components of the semiconductive resin composition for the inner semiconductive layer, the resin composition for the insulating layer, and the semiconductive resin composition for the outer semiconductive layer prepared above were each supplied to an extruder. For each of these components, the semiconductive resin composition for the inner semiconductive layer is 85 ° C., the resin composition for the insulating layer is 60 ° C., and the semiconductive resin composition for the outer semiconductive layer is 80 ° C. After heating and kneading, the thickness of the inner semiconductive layer is 1 mm, the thickness of the insulating layer is 9 mm, and the thickness of the outer semiconductive layer is 1 mm on the outer periphery of the copper wire (cross section 95 mm 2 ) as a conductor. Three layers were coextruded. Subsequently, the extruded components were crosslinked to produce an evaluation power transmission cable in which the inner semiconductive layer, the insulating layer, and the outer semiconductive layer were laminated in this order on the outer periphery of the conductor.
（５）評価方法
製造した評価用送電ケーブルについて、外部半導電層の密着性、および外部半導電層の電気特性を評価した。
(5) Evaluation Method The adhesion of the outer semiconductive layer and the electrical characteristics of the outer semiconductive layer were evaluated for the manufactured power transmission cable for evaluation.
（外部半導電層の密着性）
外部半導電層の密着性については、絶縁層から外部半導電層を剥離するときの剥離強度により評価した。具体的には、評価用送電ケーブルをカッターで縦割りし、幅１２．７ｍｍ、長さ約１５ｃｍ程度の試験片を３つ作製した。この各試験片に対して、ショッパー型引張試験機により剥離試験を実施し、５００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で銅線から外部半導電層を剥離するときの剥離強度を測定した。なお、本実施例では、測定した剥離強度が１０Ｎ／１２．７ｍｍ以上５０Ｎ／１２．７ｍｍ以下であれば、外部半導電層を容易に剥離できることを示す。
また、剥離したときの外部半導電層の剥離状態を観察した。外部半導電層について、絶縁層に適度に密着すると共に良好に剥離する場合を「Ａ」、密着性が大きすぎて絶縁層が破壊する場合を「Ｂ」、密着性が大きすぎて外部半導電層が破壊する場合を「Ｃ」、密着性が小さすぎる場合を「Ｄ」とした。
(Adhesiveness of outer semiconductive layer)
The adhesion of the outer semiconductive layer was evaluated by the peel strength when peeling the outer semiconductive layer from the insulating layer. Specifically, the power transmission cable for evaluation was vertically split with a cutter, and three test pieces of about 12.7 mm in width and about 15 cm in length were produced. Each of the test pieces was subjected to a peeling test using a Shopper-type tensile tester, and peel strength was measured when peeling the outer semiconductive layer from the copper wire at a tensile speed of 500 mm / min. In this example, it is shown that the outer semiconductive layer can be easily peeled if the measured peel strength is 10 N / 12.7 mm or more and 50 N / 12.7 mm or less.
Moreover, the peeling state of the outer semiconductive layer when it peeled was observed. With respect to the outer semiconductive layer, “A” adheres appropriately to the insulating layer and peels well while “A” is too large, and “B” when the insulating layer is broken as “B”, the adhesive is too large and the external semiconductive The case where the layer is broken is referred to as "C", and the case where the adhesion is too small is referred to as "D".
（外部半導電層の電気特性）
外部半導電層の電気特性については、外部半導電層の体積抵抗率により評価した。具体的には、長さ８０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ１ｍｍの試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ７１９４に従い、９点測定で２３℃±２℃の室内で評価した。外部半導電層においては、体積抵抗率が１０2Ω・ｃｍ以上１０5Ω・ｃｍ以下であればよい。
(Electrical characteristics of outer semiconductive layer)
The electrical properties of the outer semiconductive layer were evaluated by the volume resistivity of the outer semiconductive layer. Specifically, a test piece having a length of 80 mm, a width of 50 mm, and a thickness of 1 mm was prepared and evaluated in a room at 23 ° C. ± 2 ° C. by nine-point measurement according to JIS K7194. The outer semiconductive layer may have a volume resistivity of 10 2 Ω · cm or more and 10 5 Ω · cm or less.
（６）評価結果
表１に示すように、実施例１〜９では、剥離強度、剥離状態、体積抵抗率が良好であることが確認された。実施例１〜５によれば、（Ａ）熱可塑性樹脂としてＳＰ値の高い熱可塑性樹脂を用いるほど、剥離強度を低減できることが分かる。また、実施例６，７によれば、（Ｃ）導電性付与剤の含有量を４５質量部、７５質量部に適宜変更しても、実施例３と同様に剥離強度を１０Ｎ／１２．７ｍｍ以上５０Ｎ／１２．７ｍｍ以下の範囲にできることが分かる。また、実施例８によれば、（Ｂ）粘度調整剤の種類を（ｂ１）パラフィンワックスから（ｂ２）マイクロクリスタリンワックスに変更しても、実施例３と同様の結果が得られることが分かる。また、実施例９によれば、（Ｃ）導電性付与剤の種類を変更しても、実施例３と同様の結果が得られることが分かる。なお、実施例１〜９のいずれにおいても、半導電性樹脂組成物の押出成形性が良いため、外部半導電層を均一な厚さで形成できることが確認された。
(6) Evaluation results As shown in Table 1, in Examples 1 to 9, it was confirmed that the peel strength, the peeled state, and the volume resistivity are good. According to Examples 1 to 5, it can be seen that the peel strength can be reduced as the thermoplastic resin having a high SP value is used as the (A) thermoplastic resin. Further, according to Examples 6 and 7, even if the content of the (C) conductivity imparting agent is appropriately changed to 45 parts by mass and 75 parts by mass, the peel strength is 10 N / 12.7 mm as in Example 3. It can be seen that it can be in the range of 50 N / 12.7 mm or less. Further, according to Example 8, it can be seen that the same result as Example 3 can be obtained even if the type of the viscosity modifier (B) is changed from (b1) paraffin wax to (b2) microcrystalline wax. Moreover, according to Example 9, even if it changes the kind of (C) conductivity imparting agent, it turns out that the same result as Example 3 is obtained. In addition, in any of Examples 1-9, since the extrusion moldability of the semiconductive resin composition is good, it was confirmed that an outer semiconductive layer can be formed by uniform thickness.
表２に示すように、比較例１，３では、（Ｂ）粘度調整剤の含有量を５質量部と少なくしたため、剥離強度が５５Ｎ／１２．７ｍｍと高く、外部半導電層を良好に剥離できないことが確認された。一方、比較例２，４では、（Ｂ）粘度調整剤の含有量を３５質量部と多くしたため、剥離強度が５Ｎ／１２．７ｍｍと低く、外部半導電層と絶縁層とを適度に密着できないことが確認された。なお、比較例１，３では、（Ｂ）粘度調整剤の含有量が少ないため、半導電性樹脂組成物の押出成形性が低く、外部半導電層を均一な厚さで形成できないことが確認された。 As shown in Table 2, in Comparative Examples 1 and 3, the content of the (B) viscosity modifier was reduced to 5 parts by mass, so the peel strength was as high as 55 N / 12.7 mm, and the outer semiconductive layer was peeled well. It was confirmed that it was impossible. On the other hand, in Comparative Examples 2 and 4, since the content of the (B) viscosity modifier was increased to 35 parts by mass, the peel strength was as low as 5 N / 12.7 mm, and the external semiconductive layer and the insulating layer could not be adhered properly. That was confirmed. In Comparative Examples 1 and 3, it was confirmed that the extrusion moldability of the semiconductive resin composition was low and the outer semiconductive layer could not be formed to a uniform thickness because the content of the (B) viscosity modifier was small. It was done.
比較例５，７では、（Ｃ）導電性付与剤の含有量を３０質量部と少なくしたため、外部半導電層の体積抵抗率が１０5Ω・ｃｍよりも大きくなってしまうことが確認された。一方、比較例６，８では、（Ｃ）導電性付与剤の含有量を９０質量部と多くしたため、外部半導電層の体積抵抗率が１０2Ω・ｃｍ未満となってしまうことが確認された。 In Comparative Examples 5 and 7, the content of the (C) conductivity imparting agent was reduced to 30 parts by mass, so that it was confirmed that the volume resistivity of the outer semiconductive layer became larger than 10 5 Ω · cm. . On the other hand, in Comparative Examples 6 and 8, it was confirmed that the volume resistivity of the outer semiconductive layer was less than 10 2 Ω · cm because the content of the (C) conductivity imparting agent was increased to 90 parts by mass. The
比較例９では、溶解度パラメータSP値が９.１(cal/cm3)1/2である（ａ６）ＶＡ量３３質量％のＥＶＡを用いたため、剥離強度が６０Ｎ／１２．７ｍｍと高いことが確認された。これは、絶縁層を形成するエチレンプロピレンゴム（溶解度パラメータSP値８.２(cal/cm3)1/2）と外部半導電層を形成するＥＶＡ（ＳＰ値９.１(cal/cm3)1/2）との溶解度パラメータSP値の差が０.９(cal/cm3)1/2程度と小さく、外部半導電層が絶縁層に過度に密着されて形成されたためと考えられる。また、外部半導電層と絶縁層との密着性が高く、粘度調整剤が絶縁層と外部半導電層との界面にブリードしにくいためと考えられる。 In Comparative Example 9, since the EVA having a solubility parameter SP value of 9.1 (cal / cm 3 ) 1/2 (a6) and a VA amount of 33 mass% is used, the peel strength is as high as 60 N / 12.7 mm. confirmed. It is composed of ethylene propylene rubber (solubility parameter SP value 8.2 (cal / cm 3 ) 1/2 ) forming an insulating layer and EVA forming an outer semiconductive layer (SP value 9.1 (cal / cm 3 ) It is considered that the difference of the solubility parameter SP value with that of 1/2 ) is as small as about 0.9 (cal / cm 3 ) 1/2 and the outer semiconductive layer is formed in close contact with the insulating layer. Further, it is considered that the adhesion between the outer semiconductive layer and the insulating layer is high, and the viscosity modifier does not easily bleed at the interface between the insulating layer and the outer semiconductive layer.
以上により、本発明によれば、半導電性樹脂組成物に溶解度パラメータSP値が高い熱可塑性樹脂と多量の粘度調整剤とを用いることにより、押出成形性に優れ、絶縁層との密着性および剥離性に優れる外部半導電層を形成できる。 As described above, according to the present invention, by using a thermoplastic resin having a high solubility parameter SP value and a large amount of viscosity modifier in the semiconductive resin composition, the extrusion moldability is excellent, and the adhesion to the insulating layer and the An outer semiconductive layer excellent in releasability can be formed.
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
The preferred embodiments of the present invention will be additionally described below.
［付記１］
本発明の一態様によれば、
熱可塑性樹脂、導電性付与剤および粘度調整剤を含有し、
前記熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm3)1/2以上１０.１(cal/cm3)1/2以下であり、前記熱可塑性樹脂１００質量部に対して、前記導電性付与剤を４０質量部以上８０質量部以下、前記粘度調整剤を１０質量部以上３０質量部以下含有する、半導電性樹脂組成物が提供される。
[Supplementary Note 1]
According to one aspect of the invention:
Containing thermoplastic resin, conductivity imparting agent and viscosity modifier,
The solubility parameter SP value of the thermoplastic resin is 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less, with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin, A semiconductive resin composition is provided, which comprises 40 parts by mass or more and 80 parts by mass or less of the conductivity imparting agent, and 10 parts by mass or more and 30 parts by mass or less of the viscosity modifier.
［付記２］
付記１の半導電性樹脂組成物において、好ましくは、前記熱可塑性樹脂は、エチレン酢酸ビニル共重合体、またはニトリルゴムの少なくとも１つである。
[Supplementary Note 2]
In the semiconductive resin composition according to Appendix 1, preferably, the thermoplastic resin is at least one of an ethylene-vinyl acetate copolymer or a nitrile rubber.
［付記３］
付記２の半導電性樹脂組成物において、好ましくは、前記熱可塑性樹脂は、酢酸ビニルを４４.０質量％以上８３.４質量％以下含有するエチレン酢酸ビニル共重合体である。
[Supplementary Note 3]
In the semiconductive resin composition according to Supplementary Note 2, preferably, the thermoplastic resin is an ethylene-vinyl acetate copolymer containing 44.0% by mass or more and 83.4% by mass or less of vinyl acetate.
［付記４］
付記１〜３のいずれかの半導電性樹脂組成物において、好ましくは、
前記粘度調整剤は、分岐状炭化水素、飽和環状炭化水素または直鎖状炭化水素の少なくとも１つであり、温度１００℃における粘度が２０ｍｍ2／ｓｅｃ以下である。
[Supplementary Note 4]
In the semiconductive resin composition according to any one of appendices 1 to 3, preferably
The viscosity modifier is at least one of a branched hydrocarbon, a saturated cyclic hydrocarbon or a linear hydrocarbon, and has a viscosity of 20 mm 2 / sec or less at a temperature of 100 ° C.
［付記５］
本発明の他の態様によれば、
導体と、
前記導体の外周を囲うように設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の外周を囲うように設けられる半導電層と、を備え、
前記半導電層は、溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm3)1/2以上１０.１(cal/cm3)1/2以下である熱可塑性樹脂、導電性付与剤および粘度調整剤を含有し、前記熱可塑性樹脂１００質量部に対して、前記導電性付与剤を４０質量部以上８０質量部以下、前記粘度調整剤を１０質量部以上３０質量部以下含有する半導電性樹脂組成物で形成されている、送電ケーブルが提供される。
[Supplementary Note 5]
According to another aspect of the invention,
With a conductor,
An insulating layer provided to surround the outer periphery of the conductor;
And a semiconductive layer provided to surround the outer periphery of the insulating layer,
The semiconductive layer is a thermoplastic resin having a solubility parameter SP value of 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less, a conductivity imparting agent, and viscosity adjustment Conductive agent containing 40 parts by mass or more and 80 parts by mass or less and 10 parts by mass or more and 30 parts by mass or less of the viscosity modifier with respect to 100 parts by mass of the thermoplastic resin A power transmission cable formed of the composition is provided.
［付記６］
付記５の送電ケーブルにおいて、好ましくは、前記絶縁層がエチレンプロピレンゴムで形成される。
[Supplementary Note 6]
In the power transmission cable of appendix 5, preferably, the insulating layer is formed of ethylene propylene rubber.
［付記７］
付記５又は６の送電ケーブルにおいて、好ましくは、前記半導電層は、前記半導電層を前記絶縁層から剥離するときの剥離強度が１０Ｎ／１２．７ｍｍ以上５０Ｎ／１２．７ｍｍ以下となるように構成されている。
[Supplementary Note 7]
In the power transmission cable of Supplementary Note 5 or 6, preferably, the semiconductive layer has a peel strength of 10 N / 12.7 mm or more and 50 N / 12.7 mm or less when peeling the semiconductive layer from the insulating layer. It is configured.
［付記８］
付記５〜７のいずれかの送電ケーブルにおいて、好ましくは、前記半導電層は、体積抵抗率が１０2Ω・ｃｍ以上１０5Ω・ｃｍ以下となるように構成されている。
[Supplementary Note 8]
In the power transmission cable according to any one of appendices 5 to 7, preferably, the semiconductive layer is configured to have a volume resistivity of 10 2 Ω · cm or more and 10 5 Ω · cm or less.
１ 送電ケーブル
１０ 導体
１１ 内部半導電層
１２ 絶縁層
１３ 外部半導電層
１４ 遮蔽層（シールド層）
１５ 外被層（シース）
２０ 界面
REFERENCE SIGNS LIST 1 power transmission cable 10 conductor 11 inner semiconductive layer 12 insulating layer 13 outer semiconductive layer 14 shield layer (shield layer)
15 Outer cover layer (sheath)
20 interface
Claims (4)
前記導体の外周を囲うように設けられ、熱可塑性樹脂を含有する絶縁性樹脂組成物からなる絶縁層と、
前記絶縁層の外周を囲うように設けられる半導電層と、を備え、
前記半導電層は、溶解度パラメータSP値が９.３(cal/cm 3 ) 1/2 以上１０.１(cal/cm 3 ) 1/2 以下である熱可塑性樹脂、導電性付与剤および粘度調整剤を含有し、前記熱可塑性樹脂１００質量部に対して、前記導電性付与剤を４０質量部以上８０質量部以下、前記粘度調整剤を１０質量部以上３０質量部以下含有する半導電性樹脂組成物で形成されている、送電ケーブルであって、
前記絶縁層がエチレンプロピレンゴムで形成され、
前記半導電層を構成する熱可塑性樹脂は、酢酸ビニルを４４.０質量％以上８３.４質量％以下含有するエチレン酢酸ビニル共重合体であり、
前記半導電層を形成する熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値と、前記絶縁層を形成する熱可塑性樹脂の溶解度パラメータSP値との差が１．１(cal/cm 3 ) 1/2 以上である送電ケーブル。 With a conductor,
An insulating layer which is provided so as to surround the outer periphery of the conductor and which is made of an insulating resin composition containing a thermoplastic resin;
And a semiconductive layer provided to surround the outer periphery of the insulating layer,
The semiconductive layer is a thermoplastic resin having a solubility parameter SP value of 9.3 (cal / cm 3 ) 1/2 or more and 10.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or less, a conductivity imparting agent, and viscosity adjustment containing agent, relative to the thermoplastic resin 100 parts by mass, the conductivity imparting agent 40 parts by mass or more 80 parts by weight, semiconductive said you containing viscosity modifier than 30 parts by mass or more 10 parts by weight A power transmission cable formed of a resin composition , wherein
The insulating layer is formed of ethylene propylene rubber,
The thermoplastic resin constituting the semiconductive layer is an ethylene-vinyl acetate copolymer containing 44.0% by mass to 83.4% by mass of vinyl acetate,
The difference between the solubility parameter SP value of the thermoplastic resin forming the semiconductive layer and the solubility parameter SP value of the thermoplastic resin forming the insulating layer is 1.1 (cal / cm 3 ) 1/2 or more Power transmission cable.
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