JP6521205B1 - 結晶方位図生成装置、荷電粒子線装置、結晶方位図生成方法およびプログラム - Google Patents
結晶方位図生成装置、荷電粒子線装置、結晶方位図生成方法およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6521205B1 JP6521205B1 JP2019508983A JP2019508983A JP6521205B1 JP 6521205 B1 JP6521205 B1 JP 6521205B1 JP 2019508983 A JP2019508983 A JP 2019508983A JP 2019508983 A JP2019508983 A JP 2019508983A JP 6521205 B1 JP6521205 B1 JP 6521205B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal orientation
- incident direction
- crystal
- information
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 296
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000010586 diagram Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 61
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 38
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000851 scanning transmission electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/203—Measuring back scattering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/606—Specific applications or type of materials texture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2809—Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/2955—Electron or ion diffraction tubes using scanning ray
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線の入射方向に対する前記表面の選択された位置における結晶の結晶座標系を表す図である、結晶方位図を生成する装置であって、
前記入射方向に対する、前記選択された位置における結晶の方位情報を取得する方位情報取得部と、
前記試料に対する前記荷電粒子線の入射方向に関する情報を取得する入射方向情報取得部と、
前記方位情報取得部によって取得された前記結晶の方位情報、
前記入射方向情報取得部によって取得された、前記結晶の方位情報が取得された時の入射方向に関する情報、および
前記入射方向が変更された後に前記入射方向情報取得部によって取得された、変更後の入射方向に関する情報に基づき、
前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での結晶方位図を生成する結晶方位図生成部と、を備えることを特徴とする。
試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線の入射方向に対する前記表面の選択された位置における結晶の結晶座標系を表す図である、結晶方位図を生成する方法であって、
(a)前記入射方向に対する、前記選択された位置における結晶の方位情報を取得するステップと、
(b)前記試料に対する前記荷電粒子線の入射方向に関する情報を取得するステップと、
(c)前記(a)のステップにおいて取得された前記結晶の方位情報、
前記(b)のステップにおいて取得された、前記結晶の方位情報が取得された時の入射方向に関する情報、および
前記入射方向が変更された後に前記(b)のステップにおいて取得された、変更後の入射方向に関する情報に基づき、
前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での結晶方位図を生成するステップと、を備えることを特徴とする。
試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、コンピュータによって、前記荷電粒子線の入射方向に対する前記表面の選択された位置における結晶の結晶座標系を表す図である、結晶方位図を生成するプログラムであって、
前記コンピュータに、
(a)前記入射方向に対する、前記選択された位置における結晶の方位情報を取得するステップと、
(b)前記試料に対する前記荷電粒子線の入射方向に関する情報を取得するステップと、
(c)前記(a)のステップにおいて取得された前記結晶の方位情報、
前記(b)のステップにおいて取得された、前記結晶の方位情報が取得された時の入射方向に関する情報、および
前記入射方向が変更された後に前記(b)のステップにおいて取得された、変更後の入射方向に関する情報に基づき、
前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での結晶方位図を生成するステップと、を実行させることを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態に係る結晶方位図生成装置を備えた荷電粒子線装置の概略構成を示す図である。本発明の一実施形態に係る結晶方位図生成装置10は、試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置100に用いられ、表面の選択された位置(以下の説明において、「位置A」ともいう。)の結晶(以下の説明において、「結晶A」ともいう。)の結晶方位図を生成する装置である。
本発明の一実施形態に係る荷電粒子線装置100は、結晶方位図生成装置10および本体部20を備える。本発明の実施の形態に係る結晶方位図生成装置を備えた荷電粒子線装置の構成について、さらに具体的に説明する。
図8は、本発明の第1の実施形態に係る結晶方位図生成装置の動作を示すフロー図である。本発明の一実施形態に係る結晶方位図生成方法では、まず、方位情報取得部1は、荷電粒子線の入射方向に対する、試料表面の選択された位置における結晶の方位情報を取得する(ステップA1)。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る結晶方位図生成装置の動作を示すフロー図である。以降に示す実施形態では、まずSEMを用いる場合を例に説明する。
さらに、図14を参照しつつ、本発明の他の実施形態に係る結晶方位図生成方法について、具体的に説明する。図14は、本発明の第3の実施形態に係る結晶方位図生成装置の動作を示すフロー図である。
図20を参照しつつ、本発明の他の実施形態に係る結晶方位図生成方法について、具体的に説明する。図20は、本発明の第4の実施形態に係る結晶方位図生成装置の動作を示すフロー図である。
図23を参照しつつ、本発明の他の実施形態に係る結晶方位図生成方法について、具体的に説明する。図23は、本発明の第5の実施形態に係る結晶方位図生成装置の動作を示すフロー図である。
図26を参照しつつ、本発明の他の実施形態に係る結晶方位図生成方法について、具体的に説明する。図26は、本発明の第6の実施形態に係る結晶方位図生成装置の動作を示すフロー図である。
2.入射方向情報取得部
3.結晶方位図生成部
4.結晶方位マップ生成部
5.出力部
10.結晶方位図生成装置
20.本体部
30.表示装置
40.入力装置
100.荷電粒子線装置
200.SEM
300.TEM
500.コンピュータ
M1.IPFマップ
M2.菊池マップ
M3.反射電子像
CB.荷電粒子線
Claims (13)
- 試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線の入射方向に対する前記表面の選択された位置における結晶の結晶座標系を表す図である、結晶方位図を生成する装置であって、
前記入射方向に対する、前記選択された位置における結晶の方位情報を取得する方位情報取得部と、
前記試料に対する前記荷電粒子線の入射方向に関する情報を取得する入射方向情報取得部と、
前記方位情報取得部によって取得された前記結晶の方位情報、
前記入射方向情報取得部によって取得された、前記結晶の方位情報が取得された時の入射方向に関する情報、および
前記入射方向が変更された後に前記入射方向情報取得部によって取得された、変更後の入射方向に関する情報に基づき、
前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での結晶方位図を生成する結晶方位図生成部と、を備える、
結晶方位図生成装置。 - 出力部をさらに備え、
前記出力部は、前記結晶方位図生成部によって生成された前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での前記結晶方位図を、外部の表示装置に表示されるように出力する、
請求項1に記載の結晶方位図生成装置。 - 出力部をさらに備え、
前記出力部は、前記荷電粒子線装置によって測定される、前記変更後の入射方向における前記表面の荷電粒子線像、および前記結晶方位図生成部によって生成された前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での前記結晶方位図を、外部の表示装置に同時に表示されるように出力する、
請求項1に記載の結晶方位図生成装置。 - 前記方位情報取得部は、前記表面の複数の位置での結晶の方位情報をそれぞれ取得し、
前記結晶方位図生成部は、前記複数の位置における結晶方位図をそれぞれ生成する、
請求項1から請求項3までのいずれかに記載の結晶方位図生成装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれかに記載の結晶方位図生成装置を備えた、
荷電粒子線装置。 - 試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、前記荷電粒子線の入射方向に対する前記表面の選択された位置における結晶の結晶座標系を表す図である、結晶方位図を生成する方法であって、
(a)前記入射方向に対する、前記選択された位置における結晶の方位情報を取得するステップと、
(b)前記試料に対する前記荷電粒子線の入射方向に関する情報を取得するステップと、
(c)前記(a)のステップにおいて取得された前記結晶の方位情報、
前記(b)のステップにおいて取得された、前記結晶の方位情報が取得された時の入射方向に関する情報、および
前記入射方向が変更された後に前記(b)のステップにおいて取得された、変更後の入射方向に関する情報に基づき、
前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での結晶方位図を生成するステップと、を備える、
結晶方位図生成方法。 - (d)前記(c)のステップにおいて生成された前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での前記結晶方位図を、外部の表示装置に表示されるように出力するステップをさらに備える、
請求項6に記載の結晶方位図生成方法。 - (d)前記荷電粒子線装置によって測定される、前記変更後の入射方向における前記表面の荷電粒子線像、および前記(c)のステップにおいて生成された前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での前記結晶方位図を、外部の表示装置に同時に表示されるように出力するステップをさらに備える、
請求項6に記載の結晶方位図生成方法。 - 前記(a)のステップにおいて、前記表面の複数の位置での結晶の方位情報をそれぞれ取得し、
前記(c)のステップにおいて、前記複数の位置における結晶方位図をそれぞれ生成する、
請求項6から請求項8までのいずれかに記載の結晶方位図生成方法。 - 試料の表面に荷電粒子線を入射させる荷電粒子線装置に用いられ、コンピュータによって、前記荷電粒子線の入射方向に対する前記表面の選択された位置における結晶の結晶座標系を表す図である、結晶方位図を生成するプログラムであって、
前記コンピュータに、
(a)前記入射方向に対する、前記選択された位置における結晶の方位情報を取得するステップと、
(b)前記試料に対する前記荷電粒子線の入射方向に関する情報を取得するステップと、
(c)前記(a)のステップにおいて取得された前記結晶の方位情報、
前記(b)のステップにおいて取得された、前記結晶の方位情報が取得された時の入射方向に関する情報、および
前記入射方向が変更された後に前記(b)のステップにおいて取得された、変更後の入射方向に関する情報に基づき、
前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での結晶方位図を生成するステップと、を実行させる、
プログラム。 - (d)前記(c)のステップにおいて生成された前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での前記結晶方位図を、外部の表示装置に表示されるように出力するステップをさらに備える、
請求項10に記載のプログラム。 - (d)前記荷電粒子線装置によって測定される、前記変更後の入射方向における前記表面の荷電粒子線像、および前記(c)のステップにおいて生成された前記選択された位置における、前記変更後の入射方向での前記結晶方位図を、外部の表示装置に同時に表示されるように出力するステップをさらに備える、
請求項10に記載のプログラム。 - 前記(a)のステップにおいて、前記表面の複数の位置での結晶の方位情報をそれぞれ取得し、
前記(c)のステップにおいて、前記複数の位置における結晶方位図をそれぞれ生成する、
請求項10から請求項12までのいずれかに記載のプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017206457 | 2017-10-25 | ||
JP2017206457 | 2017-10-25 | ||
PCT/JP2018/039705 WO2019082976A1 (ja) | 2017-10-25 | 2018-10-25 | 結晶方位図生成装置、荷電粒子線装置、結晶方位図生成方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6521205B1 true JP6521205B1 (ja) | 2019-05-29 |
JPWO2019082976A1 JPWO2019082976A1 (ja) | 2019-12-12 |
Family
ID=66246907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019508983A Active JP6521205B1 (ja) | 2017-10-25 | 2018-10-25 | 結晶方位図生成装置、荷電粒子線装置、結晶方位図生成方法およびプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10811217B2 (ja) |
EP (1) | EP3702766B1 (ja) |
JP (1) | JP6521205B1 (ja) |
CN (1) | CN111279183B (ja) |
WO (1) | WO2019082976A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6780805B1 (ja) * | 2019-11-01 | 2020-11-04 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体の結晶欠陥観察方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3736561B1 (en) * | 2019-05-08 | 2021-05-05 | Bruker Nano GmbH | Method for improving an ebsd/tkd map |
JP7277765B2 (ja) * | 2019-09-11 | 2023-05-19 | 日本製鉄株式会社 | 誤差算出装置、荷電粒子線装置、誤差算出方法およびプログラム |
CN113203763B (zh) * | 2021-06-04 | 2023-07-04 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用极图分析的滑移线快速精确标定方法 |
CN113899770A (zh) * | 2021-09-27 | 2022-01-07 | 中国科学院广州地球化学研究所 | 一种纳米尺度分析地质样品晶体取向与相分布的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5557104A (en) * | 1995-10-24 | 1996-09-17 | Texsem Laboratories, Inc. | Method and apparatus for determining crystallographic characteristics in response to confidence factors |
JP2003121394A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-04-23 | Oxford Instruments Analytical Ltd | 結晶組織を解析する方法 |
JP2014192037A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Hitachi High-Tech Science Corp | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工方法、及び荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工コンピュータプログラム |
WO2015121603A1 (en) * | 2014-02-11 | 2015-08-20 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Method of performing electron diffraction pattern analysis upon a sample |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6326619B1 (en) * | 1998-07-01 | 2001-12-04 | Sandia Corporation | Crystal phase identification |
JP2000243338A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Hitachi Ltd | 透過電子顕微鏡装置および透過電子検査装置並びに検査方法 |
JP4022512B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2007-12-19 | Tdk株式会社 | 結晶解析方法及び結晶解析装置 |
JP5352335B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-11-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
JP5308903B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-10-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 結晶方位同定システム及び透過電子顕微鏡 |
US9103769B2 (en) * | 2009-12-15 | 2015-08-11 | The Regents Of The University Of California | Apparatus and methods for controlling electron microscope stages |
DE102013102739B4 (de) * | 2013-03-18 | 2014-12-04 | Bundesrepublik Deutschland, vertreten durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie, dieses vertreten durch den Präsidenten der BAM, Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung | Verfahren zur Analyse einer mehrphasigen, kristallinen Probe und ein punktgruppenspezifisches Polyeder |
EP2991098A1 (en) * | 2014-08-25 | 2016-03-02 | Fei Company | Method of acquiring EBSP patterns |
JP6406032B2 (ja) | 2015-01-27 | 2018-10-17 | 新日鐵住金株式会社 | 試料台およびそれを備えた電子顕微鏡 |
US9859091B1 (en) * | 2016-06-20 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Automatic alignment for high throughput electron channeling contrast imaging |
JP6790559B2 (ja) | 2016-08-02 | 2020-11-25 | 日本製鉄株式会社 | 試料台およびそれを備えた電子顕微鏡 |
CN110998780B (zh) * | 2017-05-31 | 2022-07-01 | 日本制铁株式会社 | 倾斜角度量计算装置、样品台、带电粒子射线装置和程序 |
-
2018
- 2018-10-25 JP JP2019508983A patent/JP6521205B1/ja active Active
- 2018-10-25 WO PCT/JP2018/039705 patent/WO2019082976A1/ja unknown
- 2018-10-25 CN CN201880069757.2A patent/CN111279183B/zh active Active
- 2018-10-25 EP EP18870897.8A patent/EP3702766B1/en active Active
- 2018-10-25 US US16/489,268 patent/US10811217B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5557104A (en) * | 1995-10-24 | 1996-09-17 | Texsem Laboratories, Inc. | Method and apparatus for determining crystallographic characteristics in response to confidence factors |
JP2003121394A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-04-23 | Oxford Instruments Analytical Ltd | 結晶組織を解析する方法 |
JP2014192037A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Hitachi High-Tech Science Corp | 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工方法、及び荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工コンピュータプログラム |
WO2015121603A1 (en) * | 2014-02-11 | 2015-08-20 | Oxford Instruments Nanotechnology Tools Limited | Method of performing electron diffraction pattern analysis upon a sample |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6780805B1 (ja) * | 2019-11-01 | 2020-11-04 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体の結晶欠陥観察方法 |
WO2021084755A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 三菱電機株式会社 | 化合物半導体の結晶欠陥観察方法 |
US12038396B2 (en) | 2019-11-01 | 2024-07-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Crystal defect observation method for compound semiconductor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3702766A4 (en) | 2021-08-25 |
CN111279183B (zh) | 2023-08-18 |
US20200066480A1 (en) | 2020-02-27 |
EP3702766B1 (en) | 2023-07-26 |
WO2019082976A1 (ja) | 2019-05-02 |
US10811217B2 (en) | 2020-10-20 |
EP3702766A1 (en) | 2020-09-02 |
CN111279183A (zh) | 2020-06-12 |
JPWO2019082976A1 (ja) | 2019-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6521205B1 (ja) | 結晶方位図生成装置、荷電粒子線装置、結晶方位図生成方法およびプログラム | |
JP6458898B1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US9978557B2 (en) | System for orienting a sample using a diffraction pattern | |
Schwarzer et al. | Present state of electron backscatter diffraction and prospective developments | |
US9202671B2 (en) | Charged particle beam apparatus and sample processing method using charged particle beam apparatus | |
US9536704B2 (en) | Method for avoiding artefacts during serial block face imaging | |
US20200013581A1 (en) | 3d defect characterization of crystalline samples in a scanning type electron microscope | |
Oveisi et al. | Tilt-less 3-D electron imaging and reconstruction of complex curvilinear structures | |
US11454596B2 (en) | Orientation determination and mapping by stage rocking electron channeling and imaging reconstruction | |
JP4726048B2 (ja) | 位相回復方式の電子顕微鏡による観察方法 | |
CN111146062B (zh) | 电子显微镜和图像处理方法 | |
JP7188199B2 (ja) | 誤差処理装置、荷電粒子線装置、誤差処理方法およびプログラム | |
JP7376798B2 (ja) | 荷電粒子線像生成装置、荷電粒子線装置、荷電粒子線像生成方法およびプログラム | |
JP7215238B2 (ja) | 入射方向決定装置、荷電粒子線装置、入射方向決定方法およびプログラム | |
JP7277765B2 (ja) | 誤差算出装置、荷電粒子線装置、誤差算出方法およびプログラム | |
JP7323574B2 (ja) | 荷電粒子線装置および画像取得方法 | |
JP7018365B2 (ja) | 荷電粒子線装置および分析方法 | |
Oveisi et al. | Research Collection | |
Gannon et al. | Evaluation of 3D Photogrammetry Tools for Applications in the Scanning Electron Microscope |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190215 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190215 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190320 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190415 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6521205 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |