JP4022512B2 - 結晶解析方法及び結晶解析装置 - Google Patents
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Description
11 イオン源
12 集束光学系
13 偏向光学系
20 試料室
21 排気ポンプ
22 試料
23 ステージ
24 検出器
25 ステージ駆動装置
31 制御装置
32 画像処理装置
33 記憶装置
34 結晶方位算出装置
35 出力装置
Claims (4)
- 試料表面における結晶粒ごとの結晶方位を解析する方法であって、
前記試料に対してイオンビームを照射し、該イオンビームを照射したことによって発生する2次電子を測定する第1の段階と、
前記試料に対する前記イオンビームの入射角を変えながら前記第1の段階を繰り返す第2の段階と、
前記入射角の変化に応じた前記2次電子の量の変化に基づいて前記結晶方位を決定する第3の段階と、
を有し、
測定された最大の2次電子量に対応する前記イオンビームの入射角と測定された最小の2次電子量に対応する前記イオンビームの入射角との差から、前記結晶方位を決定する、結晶解析方法。 - 試料表面における点あるいは領域の結晶方位を解析する方法であって、
前記試料に対して集束イオンビームを走査しながら照射し、該イオンビームを照射したことによって発生する2次電子を測定して走査イオン顕微鏡像を取得する第1の段階と、
前記試料に対する前記イオンビームの入射角を変えながら前記第1の段階を繰り返す第2の段階と、
異なる入射角で取得された複数の前記走査イオン顕微鏡像における濃淡の変化から、前記結晶方位を決定する第3の段階と、
を有し、
前記点あるいは領域について、複数の前記走査イオン顕微鏡像中での最も黒い場合に対応する入射角と最も白い場合に対応する入射角との差を算出し、該差に基づいて前記点あるいは領域での前記結晶方位を決定する、結晶解析方法。 - 試料表面の点あるいは領域ごとに結晶方位を解析する装置であって、
試料室内の試料に対して集束イオンビームを走査しながら照射するイオン光学系と、
該イオンビームを照射したことによって発生する2次電子を検出して検出信号を出力する検出器と、
前記検出信号に基づいて走査イオン顕微鏡像を取得する画像処理装置と、
前記集束イオンビームに対する前記試料の角度を変化させる角度調節部と、
前記画像処理装置が取得した走査イオン顕微鏡像を格納する記憶装置と、
前記角度調節部を制御して、1枚の走査イオン顕微鏡像を取得する間は前記試料の角度を一定に保ち、走査イオン顕微鏡像を取得するたびに前記試料の角度を変化させる制御装置と、
前記記憶装置に格納された複数の前記走査イオン顕微鏡像における濃淡の変化から、前記結晶方位を決定する結晶方位算出装置と、
を有し、
前記結晶方位算出装置は、前記点あるいは領域について、複数の前記走査イオン顕微鏡像中での最も黒い場合に対応する入射角と最も白い場合に対応する入射角との差を算出し、該差に基づいて前記点あるいは領域での結晶方位を決定する、結晶解析装置。 - 前記結晶方位算出装置は、前記試料の表面における前記結晶方位の分布を示すデータを出力する、請求項3に記載の結晶解析装置。
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