JP6514787B2 - 外装ジルコニアセラミック部品及びその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (10)
- ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜とを有する外装ジルコニアセラミック部品であって、前記ジルコニアセラミック基板と前記指紋防止膜との間に配置され且つ前記ジルコニアセラミック基板及び前記指紋防止膜に別々に接合された中間層を更に有し、前記中間層の材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンであり、
前記中間層は、前記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、前記遷移層上に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層と、前記混合物層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層とを有する、
外装ジルコニアセラミック部品。 - ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜とを有する外装ジルコニアセラミック部品であって、前記ジルコニアセラミック基板と前記指紋防止膜との間に配置され且つ前記ジルコニアセラミック基板及び前記指紋防止膜に別々に接合された中間層を更に有し、前記中間層の材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンであり、
前記中間層は、前記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、前記遷移層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層とを有する、
外装ジルコニアセラミック部品。 - ジルコニアセラミック基板と指紋防止膜とを有する外装ジルコニアセラミック部品であって、前記ジルコニアセラミック基板と前記指紋防止膜との間に配置され且つ前記ジルコニアセラミック基板及び前記指紋防止膜に別々に接合された中間層を更に有し、前記中間層の材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンであり、
前記中間層は、前記ジルコニアセラミック基板の表面上に配置され、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層と、前記遷移層と前記指紋防止膜との間に配置され、その材料が二酸化シリコンである接続層とを有する、
外装ジルコニアセラミック部品。 - 前記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比が、1:9から9:1の範囲である、
請求項1又は2に記載の外装ジルコニアセラミック部品。 - 外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法であって、
ジルコニアセラミック基板を配置し、
前記ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層を堆積させて、前記ジルコニアセラミック基板と前記中間層とが接合されるようにし、且つ
前記中間層上に指紋防止膜を堆積させて、前記指紋防止膜と前記中間層とが接合されるようにする、
ことを有し、
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、
前記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させ、且つ
前記混合物層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、前記遷移層と、前記混合物層と、前記接続層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、
方法。 - 外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法であって、
ジルコニアセラミック基板を配置し、
前記ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層を堆積させて、前記ジルコニアセラミック基板と前記中間層とが接合されるようにし、且つ
前記中間層上に指紋防止膜を堆積させて、前記指紋防止膜と前記中間層とが接合されるようにする、
ことを有し、
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ
前記遷移層上に、その材料がジルコニア−シリカ複合物である混合物層を堆積させて、前記遷移層と前記混合物層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、
方法。 - 外装ジルコニアセラミック部品を製造する方法であって、
ジルコニアセラミック基板を配置し、
前記ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウム及び二酸化シリコンである中間層を堆積させて、前記ジルコニアセラミック基板と前記中間層とが接合されるようにし、且つ
前記中間層上に指紋防止膜を堆積させて、前記指紋防止膜と前記中間層とが接合されるようにする、
ことを有し、
前記ジルコニアセラミック基板上に前記中間層を堆積させることは、
ジルコニアセラミック基板上に、その材料が二酸化ジルコニウムである遷移層を堆積させ、且つ
前記遷移層上に、その材料が二酸化シリコンである接続層を堆積させて、前記遷移層と前記接続層とを有する前記中間層を形成する
ことを有する、
方法。 - 前記ジルコニア−シリカ複合物における、二酸化ジルコニウムの、二酸化シリコンに対するモル比は、1:9から9:1の範囲である、
請求項5又は6に記載の方法。 - 前記ジルコニアセラミック基板を配置することは、
前記ジルコニアセラミック基板をキャビティ内に置き、且つ
前記キャビティの真空排気が行われた後に、前記ジルコニアセラミック基板を洗浄する
ことを有する、請求項5乃至8の何れか一項に記載の方法。 - 前記ジルコニアセラミック基板を洗浄することは、
プラズマ洗浄法又はグロー放電洗浄法にて前記ジルコニアセラミック基板を洗浄する
ことを有する、請求項9に記載の方法。
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