JP6509766B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態の半導体製造装置の構造を示す斜視図である。
n=S/(2πr) ・・・(1)
図5は、第2実施形態の半導体製造装置の構造を示す斜視図である。
図7は、第3実施形態の半導体製造装置の構造を示す断面図である。
4:ドレッサ、5:制御部、5a:ドレッサ位置検出部、
5b:テーブル回転数制御部、5c:ドレッサ回転数制御部、
6:待機部、7:スラリー供給部、8:研磨ヘッド、9:ウェハ、
11:半導体基板、12:層間絶縁膜、12a:配線溝、
13:バリアメタル層、14:配線材層
Claims (4)
- 基板を研磨する研磨パッドを保持し、前記研磨パッドを回転させる研磨テーブルと、
前記研磨パッドをドレッシングするドレッサを保持し、前記ドレッサを回転させながら前記研磨パッドを前記ドレッサによりスイープすることで前記研磨パッドの表面をドレッシングするドレッシング機構と、
前記研磨パッドのドレッシング中に、前記研磨テーブルに対する前記ドレッサの位置に基づいて、前記研磨テーブルの回転数と、前記ドレッサの回転数とを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記研磨テーブルの回転数をnで表し、前記ドレッサの回転数をn’で表す場合において、前記研磨パッドのドレッシング中におけるn’/nの値を、0.75以上で1よりも小さい一定値に維持するように制御するか、1よりも大きく1.25以下の一定値に維持するように制御するか、または0.75以上で1.25以下の範囲内で変動するように制御する、半導体製造装置。 - 前記制御部は、前記研磨テーブルの回転軸と前記ドレッサの回転軸との距離を検出し、前記距離に基づいて前記研磨テーブルの回転数と前記ドレッサの回転数とを制御する、請求項1に記載の半導体製造装置。
- 基板を研磨する研磨パッドを研磨テーブルにより保持し、前記研磨パッドを回転させ、
前記研磨パッドをドレッシングするドレッサをドレッシング機構により保持し、前記ドレッサを回転させながら前記研磨パッドを前記ドレッサによりスイープすることで前記研磨パッドの表面をドレッシングし、
前記研磨パッドのドレッシング中に、前記研磨テーブルに対する前記ドレッサの位置に基づいて、前記研磨テーブルの回転数と、前記ドレッサの回転数とを制御部により制御する、
ことを含み、
前記制御部は、前記研磨テーブルの回転数をnで表し、前記ドレッサの回転数をn’で表す場合において、前記研磨パッドのドレッシング中におけるn’/nの値を、0.75以上で1よりも小さい一定値に維持するように制御するか、1よりも大きく1.25以下の一定値に維持するように制御するか、または0.75以上で1.25以下の範囲内で変動するように制御する、半導体装置の製造方法。 - 前記制御部は、前記研磨テーブルの回転軸と前記ドレッサの回転軸との距離を検出し、前記距離に基づいて前記研磨テーブルの回転数と前記ドレッサの回転数とを制御する、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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