JP6509225B2 - 要件に対するターゲット及びプロセス感度の分析 - Google Patents
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Description
本出願は、2013年12月11日付けで出願された米国予備特許出願第61/914,950号の優先権を主張し、その出願は、その全体が参照によってここに援用される。
Claims (11)
- ターゲットを分析するためのシステムであって、
前記ターゲット、ターゲット計測条件、及び半導体製造プロセスの結果として得られるウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィ及びこれらの公差を含む、製造プロセスに関係する複数のパラメータを受け取ってターゲットデータを生成するように構成された入力モジュールと、
シミュレーションを行うための計測シミュレーションユニットであって、前記ターゲットデータから前記ターゲットの計測測定をシミュレーションし、前記シミュレーションされた計測測定を定量化する複数の計量を生成するように構成された計測シミュレーションユニットと、
前記計量の前記パラメータに対する関数依存性を導出し、前記導出された関数依存性に対する前記パラメータの要求される不確かさを規定するように構成された感度分析モジュールであり、前記シミュレーションで使用されているパラメータのうちのウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィが実際のウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィの正確な表現であることを検証する検証処理を含み、前記検証処理が、その変動が前記計量に最大の影響を与える膜のスタック及びトポグラフィのパラメータを特定する処理を含む、感度分析モジュールと、
ターゲット最適化を行うためのターゲット最適化モジュールであって、前記ターゲット及び前記ターゲット計測条件の少なくとも一つを、前記感度分析モジュールにより得られた前記計量の感度の大きさに応じてランク付けするように構成されたターゲット最適化モジュールと、
を備えるシステム。 - 前記感度分析モジュールがさらに、ターゲット最適化に先立って感度が低いプロセス変動パラメータを除去して、前記シミュレーションプロセスを強化するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記感度分析モジュールがさらに、計測パフォーマンスに対するプロセス変動のインパクトについての定量的データを提供するように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記感度分析モジュールがさらに、観測された計測計量を特定のプロセスパラメータの変動と相関させるように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- ターゲットを分析するための方法であって、
前記ターゲット、ターゲット計測条件、及び半導体製造プロセスの結果として得られるウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィ及びこれらの公差を含む、製造プロセスに関係する複数のパラメータについて前記ターゲットの計測測定をシミュレーションするステップと、
前記シミュレーションされた計測測定を定量化するための複数の計量を生成するステップと、
前記生成された計量の前記パラメータに対する関数依存性を導出し、前記導出された関数依存性に対する前記パラメータの要求される不確かさを規定するステップであり、前記シミュレーションで使用されているパラメータのうちのウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィが実際のウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィの正確な表現であることを検証する検証処理を含み、前記検証処理が、その変動が前記計量に最大の影響を与える膜のスタック及びトポグラフィのパラメータを特定する感度分析処理を含む、ステップと、
を包含し、
前記シミュレーション、前記生成、及び前記導出の少なくとも一つが、少なくとも一つのコンピュータプロセッサによって実行される方法。 - 前記ターゲット及び前記ターゲット計測条件の少なくとも一つを、前記感度分析処理で得られた前記計量の感度の大きさに応じてランク付けするステップをさらに包含する、請求項5に記載の方法。
- 前記ランク付けステップに先立って、感度が低いプロセス変動パラメータを除去して、前記シミュレーションステップを強化するステップをさらに包含する、請求項6に記載の方法。
- 計測パフォーマンスに対するプロセス変動のインパクトについての定量的データを提供するステップをさらに包含する、請求項6に記載の方法。
- 観測された計測計量を特定のプロセスパラメータの変動と相関させるステップをさらに包含する、請求項6に記載の方法。
- ターゲットを分析するための、コンピュータを用いた装置であって、
複数のコンピュータ読み取り可能な命令を記憶するように構成された記憶素子と、
前記複数のコンピュータ読み取り可能な命令を実行するように構成されたプロセッサであって、
前記ターゲット、ターゲット計測条件、及び半導体製造プロセスの結果として得られるウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィ及びこれらの公差を含む、製造プロセスに関係する複数のパラメータについてのターゲットの計測測定をシミュレーションし、
前記シミュレーションされた計測測定を定量化する複数の計量を生成し、
前記生成された計量の前記パラメータに対する関数依存性を導出し、前記導出された関数依存性に対する前記パラメータの要求される不確かさを規定するプロセッサであり、前記シミュレーションで使用されているパラメータのうちのウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィが実際のウェハ上の膜のスタック及び形状のトポグラフィの正確な表現であることを検証する検証処理を含み、前記検証処理が、その変動が前記計量に最大の影響を与える膜のスタック及びトポグラフィのパラメータを特定する感度分析処理を含む、プロセッサと、
を備える装置。 - 前記プロセッサがさらに、前記ターゲット及び前記ターゲット計測条件の少なくとも一つを、前記感度分析処理で得られた前記計量の感度の大きさに応じてランク付けするように構成されている、請求項10に記載の装置。
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