JP6492801B2 - 接着フィルム - Google Patents

Description

本発明は、接着フィルム、配線板および配線板の製造方法に関する。

パワーインダクタ、高周波帯域用インダクタ、コモンモードチョークコイルと呼ばれるインダクタ素子が携帯電話機、スマートフォンなどの情報端末に数多く搭載されている。現在、動作信号の周波数が１ＧＨｚ以上、特に１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲である高周波帯域用インダクタ素子としては、例えば、コア部材にコイルを巻き付けた巻線構造、コア部材にコイル導体を積層した積層構造、複数の層状の絶縁層それぞれにコイルの一部を構成する配線層を形成し、配線層が形成された絶縁層同士を各配線層同士が電気的に接続されるように積層して絶縁部の厚さ内にコイルが作り込まれたフィルム構造が知られている。

高周波帯域用インダクタ素子においては、特性として高いＱ値が求められることから空芯コイル、すなわち芯部が中空、あるいは非磁性体が充填された構造が一般的に採用されている。しかしながら、このような構造の高周波帯域用インダクタ素子は芯部が非磁性であり芯部の透磁率（比透磁率）を上げることが不可能であるため、インダクタ素子をより小型化しようとすると、高周波帯域で動作させた場合にインダクタンス（Ｌ値）が低下してしまうという欠点がある。

特許文献１には、（Ａ）カルボキシル基を有する脂環式オレフィン重合体、（Ｂ）熱硬化剤、（Ｃ）磁性体、および（Ｄ）溶剤を含有する熱硬化性磁性スラリーを用いれば、（Ｃ）磁性体の分散性に優れ、各成分を高濃度で含有することができ、電気絶縁性、高周波特性、透磁率などの特性に優れた電気絶縁層を形成することができることが開示されている。

国際公開第２００４／２９１５３号

近年の情報端末のさらなる薄型化、小型化の要求により、高周波帯域用インダクタ素子にも薄型化、小型化が求められている。

高周波帯域用インダクタ素子のさらなる薄型化、小型化のためには、コイルの巻き数を減らし、コイルを構成する配線の断面積を小さくする必要がある。コイルの巻き数を減らし、コイルを構成する配線の断面積を小さくするためには前記フィルム構造の高周波帯域用インダクタ素子が有利である。ところが、フィルム構造の高周波帯域用インダクタ素子では、単純にコイルの巻き数を減らし、コイルを構成する配線の断面積を小さくするとインダクタンスが低下してしまう。フィルム構造の高周波帯域用インダクタ素子では、絶縁層の透磁率（μ’）を高めることができれば、高周波帯域用インダクタ素子のＬ値およびＱ値を向上させることができる。よって、絶縁層の透磁率をより高くすることができ、かつ磁性損失を低減させることができる材料が求められている。

しかしながら、前記特許文献１にかかる熱硬化性磁性スラリーを用いてフィルム構造のインダクタ素子を形成した場合には、特に周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲では磁性損失（μ’’）が大きくなってしまうおそれがある。よって、特許文献１が開示する材料は、高周波帯域用インダクタ素子の絶縁層（絶縁部）の材料として有用とは言い難い。

本発明者らは、前記のような要求に応えるために磁性フィラーを含む樹脂組成物について鋭意検討を進めていたところ、樹脂組成物が磁性フィラーを含み、かかる樹脂組成物を用いて絶縁層を形成した場合、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲で磁性損失が大きくなってしまい、Ｑ値が低下してしまい、さらには絶縁性の信頼性が低下してしまう問題点があるという知見を得た。

本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものである。本発明は、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲で透磁率を向上させることができ、磁性損失を低減することができ、かつ絶縁性の信頼性に優れた絶縁層を形成することができる樹脂組成物を用いる接着フィルム、かかる接着フィルムを用いる配線板および配線板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、下記〔１〕〜〔２０〕を提供する。
〔１〕 支持体と、該支持体に設けられた樹脂組成物層とを有する接着フィルムであって、
前記樹脂組成物層が、成分（Ａ）熱硬化性樹脂、成分（Ｂ）磁性フィラー、および成分（Ｃ）無機充填材を含有し、
前記樹脂組成物層を構成する樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合に、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％以上であり、かつ成分（Ｃ）の含有量を成分（Ｂ）の含有量で除した値が０．３〜３．０の範囲である、接着フィルム。
〔２〕 成分（Ａ）がエポキシ樹脂であり、前記樹脂組成物がフェノール系硬化剤およびナフトール系硬化剤から選択されるエポキシ樹脂硬化剤をさらに含む、〔１〕に記載の接着フィルム。
〔３〕 エポキシ樹脂硬化剤がトリアジン骨格含有クレゾール系硬化剤およびトリアジン骨格含有フェノール系硬化剤から選択される、〔２〕に記載の接着フィルム。
〔４〕 前記樹脂組成物が熱可塑性樹脂をさらに含む、〔１〕〜〔３〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔５〕 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％〜４０体積％であり、かつ成分（Ｃ）の含有量が１０体積％〜５０体積％である、〔１〕〜〔４〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔６〕 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との含有量の合計が２０体積％〜７５体積％である、〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔７〕 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％〜２５体積％である、〔１〕〜〔６〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔８〕 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の含有量が２０体積％〜２５体積％であり、成分（Ｃ）の含有量が１０体積％〜２５体積％であり、かつ成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との含有量の合計が３０体積％〜５０体積％である、〔１〕〜〔７〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔９〕 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の平均粒子径が０．３μｍ〜１０μｍである、〔１〕〜〔８〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１０〕 成分（Ｃ）の平均粒子径が０．０１μｍ〜５μｍである、〔１〕〜〔９〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１１〕 成分（Ｂ）の平均粒子径が成分（Ｃ）の平均粒子径よりも大きい、〔１〕〜〔１０〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１２〕 成分（Ｃ）がシリカである、〔１〕〜〔１１〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１３〕 成分（Ｃ）が表面処理剤で処理されているシリカである、〔１〕〜〔１２〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１４〕 表面処理剤がアミノシラン系カップリング剤である、〔１３〕に記載の接着フィルム。
〔１５〕 硬化体としたときに、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの透磁率が１．１以上であり、かつ周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの磁性損失が０．５以下である、〔１〕〜〔１４〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１６〕 硬化体としたときに、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの透磁率が１．２以上であり、かつ周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの磁性損失が０．３以下である、〔１〕〜〔１５〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１７〕 インダクタ素子を備える配線板の絶縁層の形成に用いられる、〔１〕〜〔１６〕のいずれか１つに記載の接着フィルム。
〔１８〕 〔１〕〜〔１６〕のいずれか１つに記載の接着フィルムの樹脂組成物層の硬化体である絶縁層と、該絶縁層に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、
前記コイル状導電性構造体と、前記絶縁層の厚さ方向に延在し、かつ前記コイル状導電性構造体に囲まれた前記絶縁層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含む、配線板。
〔１９〕 前記インダクタ素子が機能する周波数が１ＧＨｚ以上である、〔１８〕に記載の配線板。
〔２０〕 第１絶縁層および第２絶縁層を含む絶縁部と、該絶縁部に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、該コイル状導電性構造体と前記絶縁部のうちの一部分とにより構成されるインダクタ素子を含む配線板の製造方法であって、
〔１〕〜〔１６〕のいずれか１つに記載の接着フィルム、および第１配線層が設けられたコア基材を用意する工程と、
前記コア基材に前記接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートする工程と、
前記樹脂組成物層を熱硬化して第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層にビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールが形成された前記第１絶縁層に対して粗化処理する工程と、
前記第１絶縁層に第２配線層を形成し、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続するビアホール内配線を形成する工程と、
前記第２配線層および前記ビアホール内配線が形成された前記第１絶縁層にさらに前記接着フィルムをラミネートし、熱硬化して前記第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１配線層の一部分と前記第２配線層の一部分と前記ビアホール内配線とを含むコイル状導電性構造体、および前記絶縁部の厚さ方向に延在し、かつ前記コイル状導電性構造体に囲まれた前記絶縁部の一部分を含む前記インダクタ素子を形成する工程と
を含む、配線板の製造方法。

本発明の接着フィルムを用いれば、特に周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲での透磁率を向上させることができ、磁性損失を低減することができ、かつ絶縁性の信頼性に優れた絶縁層を提供することができ、ひいてはかかる絶縁層を含む高性能な高周波帯域用インダクタ素子が作り込まれた配線板を、簡便な工程により提供することができる。

図１は、配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。 図２は、ＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した配線板の切断端面を示す模式的な図である。 図３は、配線板のうちの第１配線層の構成を説明するための模式的な平面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。

まず本実施形態の接着フィルムに用いられる樹脂組成物について説明する。
樹脂組成物は、成分（Ａ）熱硬化性樹脂、成分（Ｂ）磁性フィラー、および成分（Ｃ）無機充填材を含有する樹脂組成物であり、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合に、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％以上であり、かつ成分（Ｃ）の含有量を成分（Ｂ）の含有量で除した値が０．３〜３．０の範囲である。
以下、樹脂組成物が含み得る成分について具体的に説明する。

（成分（Ａ））
樹脂組成物は、成分（Ａ）として熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂の例としてはエポキシ樹脂が挙げられる。
−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂およびトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を付与することができる。

液状エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、２官能脂肪族エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が挙げられ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」、「ｊＥＲ１００７」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、「ＹＬ７４１０」（２官能脂肪族エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

固体状エポキシ樹脂としては、例えば、結晶性２官能エポキシ樹脂、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が挙げられる。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＨＰ−６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラックエポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ４７５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、結晶性２官能エポキシ樹脂である「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。

エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲であることが好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、十分な破断強度を有する硬化体を得ることができるなどの効果が得られる。このような効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲であることが特に好ましい。

樹脂組成物中のエポキシ樹脂の不揮発成分換算での含有量は、２０体積％〜６０体積％であることが好ましく、２２体積％〜５５体積％であることがより好ましく、２４体積％〜５３体積％であることがさらに好ましく、２６体積％〜４９体積％であることが特に好ましい。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜３０００の範囲であり、より好ましくは８０〜２０００の範囲であり、さらに好ましくは１１０〜１０００の範囲である。このような範囲とすることで、架橋密度が十分な硬化体を得ることができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６として規格化された方法に従って測定することができる。ここでエポキシ当量とは１当量のエポキシ基を含むエポキシ樹脂の質量である。

（成分（Ｂ））
−磁性フィラー−
樹脂組成物は、成分（Ｂ）として磁性フィラーを含む。用いられ得る磁性フィラーの材料は特に限定されず、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。

磁性フィラーとしては、市販の磁性フィラーを用いることができる。用いられ得る市販の磁性フィラーの具体例としては、山陽特殊製鋼（株）製「ＰＳＴ−Ｓ」、エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、ＪＦＥケミカル（株）製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」、戸田工業（株）製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」、日本重化学工業（株）製「ＪＲ０９Ｐ２」、ＣＩＫナノテック（株）製「Ｎａｎｏｔｅｋ」、キンセイマテック（株）製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」、ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ」が挙げられる。磁性フィラーは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

磁性フィラーの平均粒子径は０．３μｍ〜１０μｍ以下であり、好ましくは０．３μｍ〜７μｍの範囲であり、より好ましくは０．５μｍ〜５μｍの範囲である。

磁性フィラーの含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合に、１０体積％以上であり、１０体積％〜４０体積％が好ましく、１０体積％〜３５体積％であることがより好ましく、１５体積％〜３０体積％であることが更に好ましく、１５体積％〜２５体積％であることが特に好ましい。

（成分（Ｃ））
−無機充填材−
樹脂組成物は、成分（Ｃ）として無機充填材を含む。無機充填材は通常樹脂組成物を硬化したときの熱膨張率を低下させて熱膨張率の差によるクラック、回路歪みなどの不具合の発生を抑制し、溶融粘度の過度の低下を抑制するために用いられる。また磁性フィラーを用いる場合には、透磁率等の特性の向上を優先させる観点から無機充填材を共存させることはないのが通常である。しかしながら、樹脂組成物中、あるいはこの樹脂組成物を硬化することにより形成される硬化体（絶縁層）中において磁性フィラーの凝集を防止し、樹脂組成物を硬化体としたときの絶縁性の信頼性を高めることを目的として無機充填材が用いられ得る。

無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、およびジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。市販されている球状（溶融）シリカとしては、例えば、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ１」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ５」、「ＳＯ−Ｃ６」が挙げられる。

無機充填材の平均粒子径は、６μｍ以上であると樹脂組成物の流動性および成形性が悪化し、硬化体としたときの高周波での透磁率および磁性損失、並びに初期抵抗値が悪化してしまうおそれがあるため、樹脂組成物の流動性を高める観点から、０．０１μｍ〜５μｍの範囲であることが好ましく、０．０５μｍ〜５μｍであることがより好ましく、０．０５μｍ〜２．５μｍの範囲であることがさらに好ましく、０．１μｍ〜１．５μｍの範囲であることがさらにより好ましく、０．３μｍ〜１．０μｍの範囲であることが特に好ましい。

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。この場合には無機充填材を超音波により水中に分散させた測定サンプルを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所（株）製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。

無機充填材は、耐湿性および分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。このような表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。

表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。次いで、上澄液を除去し、不揮発成分（固形分）を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所（株）製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上であることが好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上であることがより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上であることがさらに好ましい。他方、溶融粘度の上昇を抑制する観点から、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、１ｍｇ／ｍ^２以下であることが好ましく、０．８ｍｇ／ｍ^２以下であることがより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下であることがさらに好ましい。

樹脂組成物中、磁性フィラーである成分（Ｂ）と無機充填材である成分（Ｃ）との含有量については、無機充填材の含有量を磁性フィラーの含有量で除した値（以下、「無機充填材（成分（Ｃ））／磁性フィラー（成分（Ｂ））」と表記する場合がある。）が、０．３〜３．０の範囲とされる。無機充填材／磁性フィラーは、０．４〜２．７の範囲であることが好ましく、０．５〜２．５の範囲であることがより好ましい。

樹脂組成物中、磁性フィラーである成分（Ｂ）と無機充填材である成分（Ｃ）との含有量の合計が２０体積％〜７５体積％であることが好ましく、２０体積％〜６５体積％であることがより好ましく、２２体積％〜６０体積％であることがさらに好ましく、２４体積％〜５７体積％であることがさらにより好ましい。

樹脂組成物中、硬化体としたときの透磁率および磁性損失を良好な範囲で両立させる観点から、成分（Ｂ）の含有量が２０体積％〜２５体積％であり、成分（Ｃ）の含有量が１０体積％〜２５体積％であり、かつ成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との含有量の合計が３０体積％〜５０体積％であることが好ましい。

磁性フィラーの平均粒子径は無機充填材の平均粒子径よりも大きいことが好ましい。

磁性フィラーおよび無機充填材の含有量の割合を前記の通りとし、磁性フィラーの平均粒子径を無機充填材の平均粒子径よりも大きくすれば、磁性フィラー粒子の周囲を囲むように無機充填材を効果的に配置することができる。これにより、磁性フィラー粒子同士が凝集し互いに接触してしまうことを防止し、磁性フィラー粒子同士を互いに離間させることができるため、配合された磁性フィラーにより透磁率を高めつつ良好な絶縁性を実現することができる。

結果として、本実施形態の樹脂組成物を硬化体としたときに、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの透磁率を１．１以上とすることができ、さらには１．２以上とすることができ、かつ周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの磁性損失を０．５以下とすることができ、さらには０．３以下とすることができる。

（その他の成分）
樹脂組成物は、その他の成分として樹脂組成物を硬化させるための硬化剤を含み、さらには必要に応じて、樹脂組成物又はその硬化体の特性を調整することを目的とする成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤、有機充填材が挙げられ、さらには有機銅化合物、有機亜鉛化合物および有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、および着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。以下、これらのうち硬化剤、熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤、有機充填材について説明する。

−硬化剤−
硬化剤としては、熱硬化性樹脂である成分（Ａ）を硬化する機能を有する限り特に限定されない。成分（Ａ）がエポキシ樹脂である場合には、硬化剤はエポキシ樹脂硬化剤である。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、およびシアネートエステル系硬化剤が挙げられる。エポキシ樹脂硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。絶縁性の信頼性及び耐熱性の観点から、硬化剤としては、フェノール系硬化剤およびナフトール系硬化剤硬化剤が好ましく、フェノール系硬化剤がより好ましい。

フェノール系硬化剤およびナフトール系硬化剤としては、例えば、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤、含窒素フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有クレゾール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が挙げられる。難燃性および反応性の観点から、フェノール系硬化剤およびナフトール系硬化剤としては、トリアジン骨格含有クレゾール系硬化剤およびトリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤が好ましい。

フェノール系硬化剤およびナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ３０１８」等が挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤としては、カルボン酸化合物および／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物および／又はチオール化合物との縮合反応によって得られる硬化剤が好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物および／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型のジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。

活性エステル系硬化剤としては、具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール縮合構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、例えば、ジシクロペンタジエン型ジフェノール縮合構造を含む活性エステル化合物として、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物としてＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として三菱化学（株）製「ＤＣ８０８」、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として三菱化学（株）製「ＹＬＨ１０２６」などが挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、例えば、昭和高分子（株）製「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート））、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、およびビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラックおよびクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」および「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され３量体とされたプレポリマー）等が挙げられる。

エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲であることが好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲であることがより好ましく、１：０．４〜１：１の範囲であることがさらに好ましい。ここで、エポキシ樹脂硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数とは、各エポキシ樹脂硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との量比をかかる範囲内とすることにより、硬化体としたときの耐熱性がより向上する。

エポキシ樹脂硬化剤の含有量に関しては、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、エポキシ樹脂硬化剤の反応基の合計数との比が、好ましくは１：０．２〜１：２の範囲であり、より好ましくは１：０．３〜１：１．５の範囲であり、さらに好ましくは１：０．４〜１：１の範囲である。

樹脂組成物は、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は１：０．１〜１：４の範囲であることが好ましく、１：０．３〜１：３．５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲であることがさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲が特に好ましい）を、エポキシ樹脂硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤およびシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上（好ましくはフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、より好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトール系硬化剤からなる群から選択される１種以上、さらに好ましくはトリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂を含むエポキシ樹脂硬化剤）を、それぞれ含むことが好ましい。

−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、およびポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８０００〜７００００の範囲であることが好ましく、１００００〜６００００の範囲であることがより好ましく、２００００〜６００００の範囲であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所（株）製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を、カラムとして昭和電工（株）製「Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製「１２５６」および「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、および「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製「ＦＸ２８０」および「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」および「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

アクリル樹脂としては、熱膨張率および弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。

官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００〜１００００００であり、より好ましくは３００００〜９０００００である。

官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００であり、より好ましくは２５００〜３００００である。

ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ−８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス（株）製「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。

ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製の電化ブチラール「４０００−２」、「５０００−Ａ」、「６０００−Ｃ」、「６０００−ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ−１」などのＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製「リカコートＳＮ２０」および「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物および四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報に記載されているポリイミド樹脂）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報および特開２０００−３１９３８６号公報等に記載されているポリイミド樹脂）等の変性ポリイミドが挙げられる。

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」および「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミドである日立化成工業（株）製「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましい。熱可塑性樹脂の含有量をかかる範囲内とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物層を形成することができる。

−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられる。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられる。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物およびイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。

硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤との不揮発成分の合計量を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲内で使用することが好ましい。

−難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。用い得る難燃剤の例としては三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は特に限定されないが、０．５質量％〜１０質量％の範囲であることが好ましく、１質量％〜９質量％の範囲であることがより好ましく、１．５質量％〜８質量％の範囲であることがさらに好ましい。

−有機充填材−
樹脂組成物は、めっき工程により形成される層との密着性を向上させる観点から有機充填材を含むことが好ましい。有機充填材の例としては、ゴム粒子が挙げられる。有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、後述するエポキシ樹脂、硬化剤、および熱可塑性樹脂などとも相溶しないゴム粒子が使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム粒子の成分の分子量を有機溶剤、樹脂に溶解しない程度まで大きくし、粒子状とすることで調製される。

有機充填材であるゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、内層のコア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のゴム粒子などが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。用い得るゴム粒子の例としてはガンツ（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」が挙げられる。ゴム粒子は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

有機充填材であるゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子（株）製「ＦＰＡＲ−１０００」）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。

本実施形態の樹脂組成物は、絶縁層形成時の流動性に優れており、絶縁層（硬化体）としたときの配線層の封止性に優れている。また本発明の樹脂組成物を用いて形成された絶縁層を形成すれば、周波数が１ＧＨｚ以上の高周波帯（ギガヘルツ帯）、特に１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲における透磁率を向上させ、かつ磁性損失を抑制することができる。

本実施形態の樹脂組成物を用いて形成された絶縁層は、絶縁性の信頼性に優れている。絶縁性の信頼性は、例えば１３０℃、相対湿度８５％の条件の雰囲気中に１００時間放置後（ＨＡＳＴ１００時間後）の絶縁抵抗値の低下を指標として評価することができる。具体的にはＨＡＳＴ１００時間後の絶縁層の絶縁抵抗値が１．０×１０^６Ωを超える値である場合に絶縁性の信頼性に優れていると評価することができる。

よって、本実施形態の樹脂組成物は、絶縁層（複数層の絶縁層が積層された絶縁部）の厚さ内にコイルが作り込まれたいわゆるフィルム構造のインダクタ素子を備える配線板の絶縁層の材料として好適に用いることができる。

次に本実施形態の樹脂組成物を用いた接着フィルムおよびその製造工程について説明する。

（接着フィルム）
接着フィルムは、有機支持体と、この有機支持体の一方の主面に設けられた樹脂組成物層とを含んでいる。

（有機支持体）
有機支持体の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。

有機支持体としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）の高い有機支持体を用いることが好適である。有機支持体のガラス転移温度は、１００℃以上であることが好ましい。

ガラス転移温度が１００℃以上である有機支持体の材料としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、耐熱性の観点からポリエチレンナフタレート、ポリイミドが好ましい。

前記の材料を含む有機支持体には、後述する樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理が施されていてもよい。

また、有機支持体としては、樹脂組成物層が接合する側、すなわち樹脂組成物が塗布される側に離型層を有する「離型層付き有機支持体」を用いてもよい（以下、離型層付き有機支持体を単に有機支持体という場合がある。）。離型層付き有機支持体の離型層の形成に用いられる離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、およびシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層は、例えば、離型剤を含む溶液を有機支持体の表面に塗布し乾燥させることにより形成することができる。

離型層付き有機支持体としては、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」などが挙げられる。

有機支持体の厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましく、１２．５μｍ〜５５μｍの範囲がさらに好ましい。なお、離型層付き有機支持体を用いる場合、離型層付き有機支持体の全体の厚さが前記範囲内であることが好ましい。

（樹脂組成物層）
樹脂組成物層の厚さは特に限定されない。樹脂組成物層は、厚さが０．５μｍ〜８０μｍであることが好ましく、１０μｍ〜６０μｍであることがより好ましい。

（接着フィルムの形成工程）
樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は、既に説明した前記成分を適宜混合し、また、必要に応じて混練手段（３本ロール、ボールミル、ビーズミル、サンドミル等）あるいは撹拌手段（スーパーミキサー、プラネタリーミキサー等）により混練又は混合することにより調製することができる。

樹脂組成物層を有する接着フィルムの製造方法は、特に制限されず、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて有機支持体に塗布し、塗布された樹脂ワニスの塗布膜を乾燥させることによって作製することができる。

樹脂ワニスを調製する際に用いられる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブおよびブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

樹脂組成物層の形成における樹脂ワニスからなる塗布膜の乾燥処理は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の任意好適な乾燥方法により実施することができる。この乾燥処理により塗布膜は樹脂組成物層とされる。

この乾燥処理の乾燥条件は、樹脂組成物、樹脂ワニスが含む有機溶剤の沸点などを勘案して任意好適な条件とすればよい。乾燥条件は、例えば、８０℃〜１５０℃で３分間〜１５分間程度とすればよい。

接着フィルムの形成工程は、有機支持体である長尺の支持体を用いて、ロールツーロール方式で行うことが好ましく、バッチ方式で行ってもよい。

ロールツーロール方式による接着フィルムの形成工程は、具体的には巻き出しロールおよび巻き取りロールを含む少なくとも２本のロール間に張り渡された長尺の有機支持体を連続的に搬送しながら、巻き出しロールおよび巻き取りロール間に露出する支持体の一方の主面に樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成し、得られた塗布膜を連続的に乾燥処理して樹脂組成物層とすることにより行うことができる。

このようにして、有機支持体に樹脂組成物層が設けられた接着フィルムを用意することができる。

準備された接着フィルムを一旦貯蔵する場合には、樹脂組成物層の有機支持体と接合していない側の露出面（すなわち、有機支持体とは反対側の面）に接合する保護フィルムをさらに設けることが好ましい。この保護フィルムは、樹脂組成物層へのゴミ等の付着やキズの防止に寄与する。保護フィルムとしては、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等を用いることができる。また有機支持体の材料と同じ材料からなるフィルムを用いることができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されず、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムの厚さは有機支持体の厚さよりも薄いことが好ましい。

接着フィルムへの保護フィルムの貼り合わせは、従来公知のラミネーター装置を用いて行うことができる。

既に説明した接着フィルムを用いて製造される本実施形態にかかる配線板およびその製造方法について説明する。

〔配線板〕
配線板の構成例について、図１、図２および図３を参照して説明する。図１は、配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図２は、ＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した配線板の切断端面を示す模式的な図である。図３は、配線板のうちの第１配線層の構成を説明するための模式的な平面図である。

配線板は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化体である絶縁層と、この絶縁層に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、このコイル状導電性構造体と、絶縁層の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体に囲まれた絶縁層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。

本実施形態の配線板が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は１ＧＨｚ以上であることが想定されている。かかるインダクタ素子が機能し得る周波数は１ＧＨｚ〜３ＧＨｚであることが好ましい。

図１および図２に示されるように、配線板１０は、いわゆるビルドアップ絶縁層を有するビルドアップ配線板である。配線板１０は、コア基材２０を備えている。コア基材２０は互いに対向する第１主表面２０ａおよび第２主表面２０ｂを有している。コア基材２０は絶縁性の基板である。コア基材２０は、その厚さ内に配線等が作り込まれたいわゆる内層回路基板であってもよい。

コア基材２０の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。

コア基材２０は、第１主表面２０ａに設けられる第１配線層４２と、第２主表面２０ｂに設けられる外部端子２４とを有している。第１配線層４２および第２配線層４４は、複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４０を構成する配線のみが示されている。外部端子２４は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４は、第２主表面２０ｂに設けられる配線層の一部として構成することができる。

第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線を構成し得る導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズおよびインジウムからなる群から選択される１種以上の金属が挙げられる。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線は、単金属により構成されていても合金により構成されていてもよく、合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケルクロム合金、銅ニッケル合金および銅チタン合金）が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。

第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。

第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線の厚さは、所望の多層プリント配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。

コア基材２０が有する第１配線層４２および外部端子２４の厚さは特に限定されない。第１配線層４２および外部端子２４の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。外部端子２４の厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。

第１配線層４２および外部端子２４のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる絶縁層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。

コア基材２０としては、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック（株）製「Ｒ１５１５Ａ」を用い、銅層をパターニングすることにより配線層とした配線板が挙げられる。

コア基材２０は第１主表面２０ａから第２主表面２０ｂに至るようにコア基材２０を貫通する複数のスルーホール２２を有している。スルーホール２２にはスルーホール内配線２２ａが設けられている。スルーホール内配線２２ａは、第１配線層４２と外部端子２４とを電気的に接続している。

図３に示されるように、第１配線層４２はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２ａと電気的に接続される矩形状のランド４２ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１配線層４２の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。

第１配線層４２が設けられたコア基材２０の第１主表面２０ａ側には第１配線層４２および第１配線層４２から露出する第１主表面２０ａを覆うように第１絶縁層３２が設けられている。

第１絶縁層３２は、既に説明した接着フィルムに由来する層であるので、第１配線層４２の封止性に優れている。また第１絶縁層３２は、前記接着フィルムを用いて形成されるので、周波数が１ＧＨｚ以上の高周波帯（ギガヘルツ帯）、特に１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲における透磁率が向上しており、かつ磁性損失が抑制されている。

第１絶縁層３２には、第１絶縁層３２をその厚さ方向に貫通するビアホール３６が設けられている。

第１絶縁層３２には第２配線層４４が設けられている。第２配線層４４はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図示例では第２配線層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。

ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６ａにより第１配線層４２の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａにより第１配線層４２のランド４２ａに電気的に接続されている。よって第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａ、ランド４２ａ、スルーホール内配線２２ａを経て外部端子２４に電気的に接続されている。

コイル状導電性構造体４０は、第１配線層４２の一部分である渦巻状の配線部、第２配線層４４の一部分である渦巻状の配線部、第１配線層４２の渦巻状の配線部と第２配線層４４の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６ａにより構成されている。

第２配線層４４が設けられた第１絶縁層３２には第２配線層４４および第２配線層４４から露出する第１絶縁層３２を覆うように第２絶縁層３４が設けられている。

第２絶縁層３４は、第１絶縁層３２と同様に既に説明した接着フィルムに由来する層であり、接着フィルムの樹脂組成物層は絶縁層形成時の流動性に優れているので、第２配線層４４の封止性に優れている。また第２絶縁層３４は、前記接着フィルムを用いて形成されるので、周波数が１ＧＨｚ以上の高周波帯、特に１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲における透磁率が向上しており、かつ磁性損失が抑制されている。

第１絶縁層３２および第２絶縁層３４は一体的な絶縁層としてみることができる絶縁部３０を構成している。よってコイル状導電性構造体４０は、絶縁部３０に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態の配線板１０において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４０と、絶縁部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた絶縁部３０のうちの一部分である芯部によって構成されている。

本実施形態では、コイル状導電性構造体４０が、第１配線層４２および第２配線層４４の２層の配線層を含む例を説明したが、３層以上の配線層（および３層以上のビルドアップ絶縁層）によりコイル状導電性構造体４０を構成することもできる。この場合には、最上層の配線層と最下層の配線層とに挟まれるように配置される図示しない配線層の渦巻状の配線部は、その一端が最上層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続され、その他端が最下層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続される。

本実施形態にかかる回路基板によれば、絶縁層を前記接着フィルムにより形成するので、形成される絶縁層の透磁率を高めることができ、結果として回路基板に作り込まれるインダクタ素子のＬ値およびＱ値を向上させることができる。

〔配線板の製造方法〕
以下、本実施形態にかかる配線板の製造方法について図２を参照して説明する。
本実施形態にかかる配線板の製造方法は、第１絶縁層および第２絶縁層を含む絶縁部と、絶縁部に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、コイル状導電性構造体と絶縁部のうちの一部分とにより構成されるインダクタ素子を含む配線板の製造方法であって、本実施形態にかかる接着フィルム、および第１配線層が設けられたコア基材を用意する工程と、コア基材に接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートする工程と、樹脂組成物層を熱硬化して第１絶縁層を形成する工程と、第１絶縁層にビアホールを形成する工程と、ビアホールが形成された第１絶縁層に対して粗化処理する工程と、第１絶縁層に第２配線層を形成し、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続するビアホール内配線を形成する工程と、第２配線層およびビアホール内配線が形成された第１絶縁層にさらに本実施形態にかかる接着フィルムをラミネートし、熱硬化して第２絶縁層を形成する工程と、第１配線層の一部分と第２配線層の一部分とビアホール内配線とを含むコイル状導電性構造体、および絶縁部の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体に囲まれた絶縁部の一部分を含むインダクタ素子を形成する工程とを含む。

まず既に説明したとおり、第１主表面２０ａに設けられる第１配線層４２と、第２主表面２０ｂに設けられる外部端子２４と、スルーホール２２と、スルーホール内配線２２ａが設けられているコア基材（内層回路基板）２０および接着フィルムを用意する。

（第１絶縁層の形成工程）
次に第１絶縁層３２を形成する。まずコア基材の第１配線層４２に接触するように接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートするラミネート工程を行う。

ラミネート工程の条件は特に限定されず、接着フィルムを用いて絶縁層（ビルドアップ絶縁層）を形成するにあたり使用される公知の条件を採用することができる。例えば、加熱されたステンレス鏡板等の金属板を接着フィルムの有機支持体側からプレスすることにより行うことができる。この場合、金属板を直接的にプレスするのではなく、コア基材２０の表面の凹凸に接着フィルムが十分に追随するよう、耐熱ゴム等からなる弾性部材を介してプレスを行うことが好ましい。プレス温度は、好ましくは７０℃〜１４０℃の範囲であり、プレス圧力は好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ^２〜１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７９ＭＰａ）の範囲であり、プレス時間は好ましくは５秒間〜３分間の範囲である。

また、ラミネート工程は、好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施される。ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所（株）製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。

ラミネート工程の終了後、コア基材２０にラミネートされた接着フィルムを、加熱および加圧処理する平滑化工程を実施してもよい。

平滑化工程は、一般に、常圧（大気圧）下、加熱された金属板又は金属ロールにより、コア基材２０にラミネートされている接着フィルムを加熱および加圧処理することにより実施される。加熱および加圧処理の条件は、上記ラミネート工程の条件と同様の条件を用いることができる。

ラミネート工程および平滑化工程は、同一の真空ラミネーターを用いて連続的に実施することもできる。

なお、前記ラミネート工程又は前記平滑化工程の実施後の任意のタイミングで接着フィルムに由来する有機支持体を剥離する工程を行う。有機支持体を剥離する工程は、例えば、市販の自動剥離装置により機械的に実施することができる。

次いで、コア基材２０にラミネートされた樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層（ビルドアップ絶縁層）を形成する熱硬化工程を実施する。

熱硬化工程の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を適用することができる。

熱硬化工程の条件は、樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物の組成等により任意好適な条件とすることができる。熱硬化工程の条件は、例えば硬化温度を１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜１９０℃の範囲）とし、硬化時間を５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間、より好ましくは１５分間〜６０分間）とすることができる。

熱硬化工程を実施する前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱する工程を実施してもよい。熱硬化工程の実施に先立ち、例えば５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。

以上の工程によりコア基材２０に設けられる第１絶縁層３２を形成することができる。また、絶縁層が形成されたコア基材２０に対して前記ラミネート工程および前記熱硬化工程並びに後述する配線層の形成工程をさらに１回以上繰り返すことにより、第１絶縁層３２に設けられる第２絶縁層３４、さらに積層される絶縁層を含む絶縁部３０を形成することができる。

また、コア基材２０に第１絶縁層３２を形成する工程は、一般の真空ホットプレス機を用いて行うことも可能である。例えば、加熱されたＳＵＳ板等の金属板を用いて有機支持体側からプレスすることにより行うことができる。プレス条件は、減圧度を通常１×１０^−２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０^−３ＭＰａ以下の減圧下とする。加熱及び加圧は、１段階で行うこともできるが、樹脂のしみだしを制御する観点から２段階以上の工程としてそれぞれプレス条件を変えて行うことが好ましい。例えば、１段階目のプレス条件を、温度を７０℃〜１５０℃とし、圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ^２〜１５ｋｇｆ／ｃｍ^２の範囲とし、２段階目のプレス条件を、温度を１５０℃〜２００℃とし、圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ^２〜４０ｋｇｆ／ｃｍ^２の範囲として行うのが好ましい。各段階の時間は３０分間〜１２０分間として行うのが好ましい。市販されている真空ホットプレス機としては、例えば、名機製作所（株）製「ＭＮＰＣ−Ｖ−７５０−５−２００」、北川精機（株）製「ＶＨ１−１６０３」等が挙げられる。

（ビアホールの形成工程）
形成された第１絶縁層３２にビアホール３６を形成する。ビアホール３６は、第１配線層４２と第２配線層４４とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６は第１絶縁層３２の特性を考慮して、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる公知の方法により形成することができる。例えば、この時点で保護フィルムが残存している場合には、保護フィルムを介してレーザー光を第１絶縁層３２に照射することにより、ビアホール３６を形成することもできる。

ビアホール３６の形成に用いられ得るレーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。

ビアホール３６の形成は、市販されているレーザー装置を用いて実施することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス（株）製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」、三菱電機（株）製「ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ」、松下溶接システム（株）製の基板穴あけレーザー加工機が挙げられる。

（粗化工程）
次にビアホール３６が形成された第１絶縁層３２に対して粗化処理する粗化工程を行う。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される公知の手順、条件を採用することができる。粗化工程として、例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより第１絶縁層３２を粗化処理することができる。

粗化工程に用いられ得る膨潤液としては特に限定されないが、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液である。膨潤液であるアルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等が挙げられる。

膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、３０℃〜９０℃の膨潤液に第１絶縁層３２が設けられたコア基材２０を１分間〜２０分間浸漬することにより行うことができる。第１絶縁層３２を構成する樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、４０℃〜８０℃の膨潤液に第１絶縁層３２を５分間〜１５分間浸漬させることが好ましい。

酸化剤による粗化処理に用いられ得る酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤の溶液に第１絶縁層３２を１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５質量％〜１０質量％とすることが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＰ」、「ドージングソリューション・セキュリガンスＰ」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。

中和処理に用いられ得る中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガンスＰ」が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化剤溶液による粗化処理がなされた処理面を３０℃〜８０℃の中和液に５分間〜３０分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤溶液による粗化処理がなされた第１絶縁層３２を、４０℃〜７０℃の中和液に５分間〜２０分間浸漬する方法が好ましい。

上記の通り説明した粗化工程は、第１絶縁層３２に形成されたビアホール３６のスミア除去を行うためのいわゆるデスミア工程を兼ねていてもよい。

また、前記粗化工程とは別に、ビアホール３６に対してデスミア工程を実施してもよい。なお、このデスミア工程は、湿式のデスミア工程であっても、乾式のデスミア工程であってもよい。

デスミア工程の具体的な工程は特に限定されず、例えば、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常使用される公知の工程、条件を採用することができる。乾式のデスミア工程の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式のデスミア工程の例としては、前記粗化工程と同様の膨潤液による膨潤処理、酸化剤による処理および中和液による処理をこの順に行う方法が挙げられる。

（第２配線層の形成）
次に粗化工程（およびデスミア工程）が行われた第１絶縁層３２に第２配線層４４を形成する。

第２配線層４４は、めっきにより形成することができる。第２配線層４４は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により形成することにより、所望の配線パターンを含む配線層として形成することができる。なお、この第２配線層４４の形成工程により、ビアホール３６内にビアホール内配線３６ａが併せて形成される。

第１絶縁層３２がビルドアップ絶縁層であり、第２配線層４４がビルドアップ配線層であるビルドアップ層としてみた場合、本実施形態の配線板においてビルドアップ層がさらに１層以上必要な場合には、前記第１絶縁層３２の形成工程から前記第２配線層４４の形成工程までの既に説明した一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。

（第２絶縁層の形成）
次に、第２配線層４４およびビアホール内配線３６ａが形成された第１絶縁層３２に第２絶縁層３４を形成する。第２絶縁層３４は既に説明した接着フィルムのラミネート工程、平滑化工程、熱硬化工程を含む第１絶縁層３２の形成工程と同様の材料を用いて同様の工程により形成すればよい。

以上の工程により、絶縁部３０に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体４０を有しており、第１配線層４２の一部分と第２配線層４４の一部分とビアホール内配線３６ａとを含むコイル状導電性構造体４０と絶縁部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた絶縁部３０のうちの一部分とを含むインダクタ素子を含む配線板１０を製造することができる。

本発明の接着フィルムを用いれば、特に周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲での透磁率を向上させることができ、磁性損失を低減することができ、かつ絶縁性の信頼性に優れた絶縁層を形成することができるので、空芯構造とすることなく絶縁層の一部分により構成される芯部を含む、より高性能な高周波帯域用インダクタ素子が作り込まれた配線板を、より簡便な工程で提供することができる。

〔配線板の使用態様〕
本実施形態にかかる配線板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができる。またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載における「部」とは「質量部」を意味する。

＜実施例１＞
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、比重１．２ｇ／ｃｍ^３、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）２０部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２９１、比重１．２ｇ／ｃｍ^３、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ）６５部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３８０００、比重１．２ｇ／ｃｍ^３、三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４」、不揮発成分３０質量％のメチルエチルケトン（以下「ＭＥＫ」と称する。）とシクロヘキサノンの１：１溶液）３０部とをＭＥＫ２２．５部、シクロヘキサノン２２．５部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」（トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤）の不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１２４、比重１．２ｇ／ｃｍ^３）４０部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」、比重１．１ｇ／ｃｍ^３、）０．１部、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）５０部、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）４４０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。次に、かかる樹脂ワニスを支持体であるポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」という。）フィルム（厚さ３８μｍ）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが５０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、７５℃〜１２０℃（平均１００℃）で７分間、樹脂組成物層中の残留溶媒量が約０．４質量％となるように乾燥した。次いで樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取ってロール状の接着フィルムとした。得られたロール状の接着フィルムの長尺方向における長さが５０７ｍｍとなるように裁断し、これより５０７ｍｍ×３３６ｍｍ角のシート状の接着フィルムを得た。

＜実施例２＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を１６０部とし、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を３５０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例３＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を９０部とし、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）を２９０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例４＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を４０部とし、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を２４０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例５＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を１４０部とし、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を１５０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例６＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を８０部とし、磁性フィラー（平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を１３０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例７＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を３５部、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を１１０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例８＞
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、比重１．２ｇ／ｃｍ^３、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）１４部と、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２９１、比重１．２ｇ／ｃｍ^３、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ）１４部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３８０００、比重１．２ｇ／ｃｍ^３、三菱化学（株）製「ＹＸ６９５４」、不揮発成分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）４０部とをＭＥＫ５部、シクロヘキサノン５部に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」（トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤）の不揮発成分６０％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１２４、比重１．２ｇ／ｃｍ^３）３０部、硬化促進剤（四国化成工業（株）製「２Ｅ４ＭＺ」、比重１．１ｇ／ｃｍ^３、）０．１部、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）１５０部、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）３６０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製し、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例９＞
実施例８において、無機充填材を、平均粒子径１μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ４」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）１５０部とした以外は、実施例８と同様にして接着フィルムを得た。

＜実施例１０＞
実施例８において、無機充填材を、平均粒子径２μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ６」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）１５０部とした以外は、実施例８と同様にして接着フィルムを得た。

＜比較例１＞
実施例１において、磁性フィラー（エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、平均粒径３．０μｍ、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）を用いず、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を７０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜比較例２＞
実施例１において、磁性フィラー（平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を７００部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜比較例３＞
実施例１において、無機充填材を用いず、磁性フィラー（平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）を２１０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

＜比較例４＞
実施例１において、無機充填材（平均粒子径０．５μｍ、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、アドマテックス（株）製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で処理したシリカ）の量を６００部とし、磁性フィラー（平均粒径３．０μｍ、エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、比重７．０ｇ／ｃｍ^３）の量を２９０部とした以外は、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。

実施例１〜７および比較例１〜４それぞれにかかる樹脂ワニスの不揮発成分量換算での組成を下記表１に示す。実施例８〜１０それぞれにかかる樹脂ワニスの不揮発成分量換算での組成を下記表２に示す。

＜透磁率の測定方法＞
実施例１〜８および比較例１〜４それぞれにおいて、支持体として、フッ素樹脂系離型剤（ＥＴＦＥ）処理を施したＰＥＴフィルム（三菱樹脂（株）製「フルオロージュＲＬ５０ＫＳＥ」）を用いた以外は同様にして、各実施例および各比較例と同じ樹脂組成物層を有する接着フィルムを得た。得られた接着フィルムを１８０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、支持体を剥離することによりシート状の硬化体を得た。得られた硬化体を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「ＨＰ８３６２Ｂ」（商品名）を用いて、短絡ストリップライン法にて測定周波数を１００ＭＨｚから１０ＧＨｚの範囲とし、室温２３℃にて透磁率（μ’）および透磁損失（μ’’）を測定した。測定周波数が１ＧＨｚおよび３ＧＨｚである場合の透磁率、測定周波数が１ＧＨｚおよび３ＧＨｚである場合の透磁損失を下記表３および４に示す。

＜絶縁性の評価＞
実施例１〜８および比較例１〜４で得られた接着フィルムそれぞれを、名機製作所（株）製のバッチ式真空加圧ラミネーター「ＭＶＬＰ−５００」（商品名）を用いて、ラインおよびスペースの幅をＬ（ライン）／Ｓ（スペース）＝１５μｍ／１５μｍとし、回路（配線パターン）の厚さが８μｍであるくし型配線パターンが形成された厚さが３８μｍであるポリイミドフィルムの配線パターン側にラミネートした。このラミネートにより形成された接着フィルムからＰＥＴフィルムを剥離して、１８０℃、９０分間の加熱処理を行うことで熱硬化させて絶縁層を形成した。得られた積層構造体を評価用サンプルとした。
まず得られた評価用サンプルに３．３Ｖの電圧を印加することで、初期抵抗値を測定した。さらに評価用サンプルに３．３Ｖの電圧を印加しつつ、１３０℃、相対湿度８５％の条件の雰囲気中に１００時間放置した。１００時間放置後（ＨＡＳＴ１００時間後）に絶縁抵抗値の低下が観察されなかったサンプルを生存とする、試験片生存率を算出した。なお試験片生存率の算出にあたっては、１００時間放置後の絶縁層の絶縁抵抗値が１．０×１０^６Ωを超えていた場合を「生存」と評価し、１００時間放置後の絶縁層の絶縁抵抗値が１．０×１０^６Ω以下であった場合を「非生存」と評価した。結果を下記表３および４に示す。なお比較例４にかかる接着フィルムは、成形性に問題があったため試験片生存率が試験不能であり、比較例４については初期抵抗値についても試験不能であった。

＜ラミネート性の評価＞
実施例１〜８および比較例１〜４で得られた接着フィルムそれぞれを名機製作所（株）製のバッチ式真空加圧ラミネーター「ＭＶＬＰ−５００」（商品名）を用いて、配線板の両面にラミネートした。ラミネートは３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後１００℃、押圧力を０．７４ＭＰａとして３０秒間プレスすることにより行った。評価は、下記の評価基準に従って、得られた積層構造体の外観を検査することによって行った。結果を下記表３および表４に示す。
評価基準
○：配線板の回路部分にボイドが無く、接着フィルムに由来する樹脂組成物が十分にフローしている。
×：配線板の回路部分にボイドが発生しており、接着フィルムに由来する樹脂組成物のラミネート時の流動性が不足している。

本発明の実施例にかかる前記組成を有する樹脂組成物は絶縁層形成時の流動性に優れており、絶縁層（硬化体）としたときの配線層の封止性に優れていることがわかった。またかかる樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備える接着フィルムを用いて形成された絶縁層は、周波数が１ＧＨｚ以上の高周波帯域（ギガヘルツ帯）、特に１ＧＨｚから３ＧＨｚの範囲における透磁率が向上しており、かつ磁性損失が抑制されていることがわかった。さらには試験片生存率の結果から明らかな通り、前記組成を有する樹脂組成物から形成された絶縁層は、絶縁性の信頼性に優れていることがわかった。よって、本発明の接着フィルムを用いれば、より高性能な高周波帯域用インダクタ素子が作り込まれた配線板を、簡便な工程で提供することができる。

１０ 配線板
２０ コア基材（内層回路基板）
２０ａ 第１主表面
２０ｂ 第２主表面
２２ スルーホール
２２ａ スルーホール内配線
２４ 外部端子
３０ 絶縁部
３２ 第１絶縁層
３４ 第２絶縁層
３６ ビアホール
３６ａ ビアホール内配線
４０ コイル状導電性構造体
４２ 第１配線層
４２ａ ランド
４４ 第２配線層

Claims (20)

1. 支持体と、該支持体に設けられた樹脂組成物層とを有する接着フィルムであって、
   前記樹脂組成物層が、成分（Ａ）熱硬化性樹脂、成分（Ｂ）磁性フィラー、および成分（Ｃ）無機充填材を含有し（ただし、該無機充填材には、前記成分（Ｂ）磁性フィラーは含まれない。）、
   前記樹脂組成物層を構成する樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合に、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％以上であり、かつ成分（Ｃ）の含有量（体積％）を成分（Ｂ）の含有量（体積％）で除した値が０．３〜３．０の範囲である、接着フィルム。
2. 成分（Ａ）がエポキシ樹脂であり、前記樹脂組成物がフェノール系硬化剤およびナフトール系硬化剤から選択されるエポキシ樹脂硬化剤をさらに含む、請求項１に記載の接着フィルム。
3. エポキシ樹脂硬化剤がトリアジン骨格含有クレゾール系硬化剤およびトリアジン骨格含有フェノール系硬化剤から選択される、請求項２に記載の接着フィルム。
4. 前記樹脂組成物が熱可塑性樹脂をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着フィルム。
5. 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％〜４０体積％であり、かつ成分（Ｃ）の含有量が１０体積％〜５０体積％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着フィルム。
6. 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との含有量の合計が２０体積％〜７５体積％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着フィルム。
7. 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の含有量が１０体積％〜２５体積％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着フィルム。
8. 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の含有量が２０体積％〜２５体積％であり、成分（Ｃ）の含有量が１０体積％〜２５体積％であり、かつ成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との含有量の合計が３０体積％〜５０体積％である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の接着フィルム。
9. 前記樹脂組成物中、成分（Ｂ）の平均粒子径が０．３μｍ〜１０μｍである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の接着フィルム。
10. 成分（Ｃ）の平均粒子径が０．０１μｍ〜５μｍである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の接着フィルム。
11. 成分（Ｂ）の平均粒子径が成分（Ｃ）の平均粒子径よりも大きい、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の接着フィルム。
12. 成分（Ｃ）がシリカである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の接着フィルム。
13. 成分（Ｃ）が表面処理剤で処理されているシリカである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の接着フィルム。
14. 表面処理剤がアミノシラン系カップリング剤である、請求項１３に記載の接着フィルム。
15. 硬化体としたときに、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの透磁率が１．１以上であり、かつ周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの磁性損失が０．５以下である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の接着フィルム。
16. 硬化体としたときに、周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの透磁率が１．２以上であり、かつ周波数が１ＧＨｚから３ＧＨｚであるときの磁性損失が０．３以下である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の接着フィルム。
17. インダクタ素子を備える配線板の絶縁層の形成に用いられる、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の接着フィルム。
18. 請求項１〜１６のいずれか１項に記載の接着フィルムの樹脂組成物層の硬化体である絶縁層と、該絶縁層に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、
    前記コイル状導電性構造体と、前記絶縁層の厚さ方向に延在し、かつ前記コイル状導電性構造体に囲まれた前記絶縁層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含む、配線板。
19. 前記インダクタ素子が機能する周波数が１ＧＨｚ以上である、請求項１８に記載の配線板。
20. 第１絶縁層および第２絶縁層を含む絶縁部と、該絶縁部に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、該コイル状導電性構造体と前記絶縁部のうちの一部分とにより構成されるインダクタ素子を含む配線板の製造方法であって、
    請求項１〜１６のいずれか１項に記載の接着フィルム、および第１配線層が設けられたコア基材を用意する工程と、
    前記コア基材に前記接着フィルムの樹脂組成物層をラミネートする工程と、
    前記樹脂組成物層を熱硬化して第１絶縁層を形成する工程と、
    前記第１絶縁層にビアホールを形成する工程と、
    前記ビアホールが形成された前記第１絶縁層に対して粗化処理する工程と、
    前記第１絶縁層に第２配線層を形成し、前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続するビアホール内配線を形成する工程と、
    前記第２配線層および前記ビアホール内配線が形成された前記第１絶縁層にさらに前記接着フィルムをラミネートし、熱硬化して前記第２絶縁層を形成する工程と、
    前記第１配線層の一部分と前記第２配線層の一部分と前記ビアホール内配線とを含むコイル状導電性構造体、および前記絶縁部の厚さ方向に延在し、かつ前記コイル状導電性構造体に囲まれた前記絶縁部の一部分を含む前記インダクタ素子を形成する工程と
    を含む、配線板の製造方法。

Images