JP6491974B2 - 露光データ補正装置、配線パターン形成システム、及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に本発明の一実施形態に係る配線パターン形成システム100の構成図を示す。配線パターン形成システム100は、設計データ作成装置101、露光データ作成装置102、露光装置104、現像パターン作成装置106、実パターン作成装置108、上底及び下底データ作成装置110及び露光データ補正装置112を備える。
本発明の第2の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第1の実施形態の工程314(図3、4)に代えて、工程500(図5)を採用した点で第1の実施形態と異なるが、その他の点は第1の実施形態と同様である。以下の説明においては、第1の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。
本発明の第3の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第1の実施形態の工程314(図3、4)に代えて、工程800(図8)を採用した点で第1の実施形態と異なるが、その他の点は第1の実施形態と同様である。以下の説明においては、第1の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。また、第2の実施形態において説明された条件と同じ条件によって作成した相関関係抽出用基板を例にとって説明する。
本発明の第4の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第1の実施形態の工程314(図3、4)に代えて、工程1100(図11)を採用した点で第1の実施形態と異なるが、その他の点は第1の実施形態と同様である。以下の説明においては、第1の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。また、第2の実施形態において説明された条件と同じ条件によって作成した相関関係抽出用基板を例にとって説明する。
本発明の第5の実施形態について以下に説明する。本実施形態は第1の実施形態の工程314(図3、4)に代えて、工程1400(図14)を採用した点で第1の実施形態と異なるが、その他の点は第1の実施形態と同様である。以下の説明においては、第1の実施形態と異なる部分のみを説明し、同様の部分は省略する。また、第2の実施形態において説明された条件と同じ条件によって作成した相関関係抽出用基板を例にとって説明する。
比較例1として、5μmの銅箔を有した厚さ0.22mmのMCL−E−700G(日立化成株式会社製 商品名)の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約19μmのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約18μmにし、テストパターンを露光し、回路形成を行い、補正関数抽出用基板を作成した。そして、この補正関数抽出用基板を顕微鏡にて回路幅及び間隙幅を測定し、この測定値より補正関数(エッチングカーブ)を作成した。
5μmの銅箔を有した厚さ0.22mmのMCL−E−700G(日立化成株式会社製 商品名)の銅張積層板を準備し、電気銅めっきで約19μmのめっきを施し、ハーフエッチングにより銅厚を約18μmにし、テストパターンを露光し、回路形成を行い、補正関数抽出用基板を作成する。補正関数抽出用基板を光学式自動外観検査装置にて回路幅及び間隙幅を測定し、前記測定値より補正関数(エッチングカーブ)を作成した。
表7及び8に実施例1〜4、比較例1及び比較例2の測定結果を示す。表7及び8の各項目は、ライン(回路幅)についての設計値及び顕微鏡測定値を示す。また、表7の「L/S=50/40」は、L(ライン:回路幅)が50μm、S(スペース:間隙幅)が40μmの設計仕様であることを示し、表8の「L/S=50/50」は、L(ライン:回路幅)が50μm、S(スペース:間隙幅)が50μmの設計仕様であることを示す。実施例1及び2は上底データと下底データの相関関係を決定するに際して、上底及び仕上がり値に基づく補正量の差分に基づくか、仕上がり値そのものの差分に基づくかの違いだけであるため、最終的に得られる補正関数は同じとなる。そのため、実施例1及び2によって得られる結果も同じとなる。
101 設計データ作成装置
102 露光データ作成装置
104 露光装置
106 現像パターン作成装置
108 実パターン作成装置
110 上底及び下底データ作成装置
112 露光データ補正装置
200 コンピュータ
201 処理部
202 表示部
203 入力部
204 記憶部
205 通信部
206 露光データ補正プログラム
1700 基板
1701 配線パターン
1702 上底(トップ)幅
1704 下底(ボトム)幅
Claims (22)
- 配線パターンを作成するための露光データを補正する露光データ補正装置であって、
目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第1の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第1の上底データを取得し、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得し、
前記第1の上底データと前記下底データとの相関関係を決定し、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底から得られたデータに基づく第2の上底データを取得し、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第2の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定し、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する、
露光データ補正装置。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第2の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記相関関係を決定することは、
前記第1の上底データにおける補正量データに基づいて第1の仮補正関数を決定し、
前記下底データにおける補正量データに基づいて第2の仮補正関数を決定し、
前記第1の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第2の仮補正関数から得られる補正量との差分に基づいて補正量差分関数を作成する、
ことを含み、
前記補正関数を決定することは、
前記第2の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第2の上底データに基づいて第3の仮補正関数を決定し、
前記補正量差分関数に基づいて前記第3の仮補正関数を修正して補正関数を決定する、
ことを含む、請求項1に記載の露光データ補正装置。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第2の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記相関関係を決定することは、
設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記第1の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第1の仕上がり値関数を決定し、
設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記下底データにおける仕上がり値との関係を示す第2の仕上がり値関数を決定し、
前記第1の仕上がり値関数と第2の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する、
ことを含み、
前記補正関数を決定することは、
前記第2の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第2の上底データに基づいて仮補正関数を決定し、
前記仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する、
ことを含む、請求項1に記載の露光データ補正装置。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第2の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記相関関係を決定することは、前記第1の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する前記下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定することを含み、
前記補正関数を決定することは、
前記第2の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第2の上底データに基づいて仮補正関数を決定し、
前記補正量相関関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する、
ことを含む、請求項1に記載の露光データ補正装置。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含み、
前記相関関係を決定することは、前記第1の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定することを含み、
前記補正関数を決定することは、
前記決定された仕上がり値相関関数に基づいて、前記第2の上底データにおける仕上がり値に基づいて当該仕上がり値に対応する下底における仕上がり値の推定値を計算し、
前記第2の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する、
ことを含む、請求項1に記載の露光データ補正装置。 - 前記第1及び第2の上底データに含まれる仕上がり値は、光学式外観検査装置により得られるデータに基づくものであり、前記下底データは、顕微鏡により得られるデータに基づくものである、請求項1から5の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
- 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定される、請求項1から6の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
- 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定される、請求項1から7の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
- 前記補正関数が、配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定される、請求項1から8の何れか一項に記載の露光データ補正装置。
- 目標とする配線パターンの設計データに基づく露光データを作成する露光データ作成手段と、
露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光するパターン露光手段と、
前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像パターン形成手段と、
前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する実パターン形成手段と、
前記実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく上底データを作成する上底データ作成手段と、
前記実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを作成する下底データ作成手段と、
前記上底データ、下底データ及び設計データに基づいて露光データを補正する、請求項1から9の何れか一項の露光データ補正装置と、
を備える配線パターン形成システム。 - 配線パターンを作成するための露光データを補正するためのプログラムであって、コンピュータに、
目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第1の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第1の上底データを取得する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、
前記第1の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底から得られたデータに基づく第2の上底データを取得する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第2の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
を実行させるプログラム。 - 配線パターンを作成するための露光データを補正するための方法であって、
目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第1の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第1の上底データを取得する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、
前記第1の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底から得られたデータに基づく第2の上底データを取得する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第2の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
を含む方法。 - 目標とする配線パターンのための設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた上底及び下底を有する凸状の第1の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第1の上底データを取得する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを取得する工程と、
前記第1の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底から得られたデータに基づく第2の上底データを取得する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第2の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
前記露光データに基づいて配線パターンを形成する工程と、
を含む配線基板製造方法。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第2の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記相関関係を決定する工程は、
前記第1の上底データにおける補正量データに基づいて第1の仮補正関数を決定する工程と、
前記下底データにおける補正量データに基づいて第2の仮補正関数を決定する工程と、
前記第1の仮補正関数から得られる補正量と当該補正量に対応する第2の仮補正関数から得られる補正量との差分に基づいて補正量差分関数を作成する工程と、
を含み、
前記補正関数を決定する工程は、
前記第2の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第2の上底データに基づいて第3の仮補正関数を決定する工程と、
前記補正量差分分関数に基づいて前記第3の仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、
を含む、請求項13に記載の配線基板製造方法。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第2の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記相関関係を決定する工程は、
設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記第1の上底データにおける仕上がり値との関係を示す第1の仕上がり値関数を決定する工程と、
設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と前記下底データにおける仕上がり値との関係を示す第2の仕上がり値関数を決定する工程と、
前記第1の仕上がり値関数と第2の仕上がり値関数との差分に基づく仕上がり値差分関数を決定する工程と、
を含み、
前記補正関数を決定する工程は、
前記第2の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第2の上底データに基づいて仮補正関数を決定する工程と、
前記仕上がり値差分関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、
を含む、請求項13に記載の配線基板製造方法。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域において上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第1の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記第2の実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値との差分に基づく補正量データを含み、
前記相関関係を決定する工程は、前記第1の上底データにおける補正量データにおいて示される補正量と当該補正量に対応する前記下底データにおける補正量データにおいて示される補正量との補正量相関関数を決定する工程を含み、
前記補正関数を決定する工程は、
前記第2の上底データを取得するために使用した実パターンのための設計データ及び前記第2の上底データに基づいて仮補正関数を決定する工程と、
前記補正量相関関数に基づいて前記仮補正関数を修正して補正関数を決定する工程と、
を含む、請求項13に記載の配線基板製造方法。 - 前記第1の上底データは、前記第1の実パターンの上底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記下底データは、前記第1の実パターンの下底の少なくとも一部の領域において測定された仕上がり値を含み、
前記第2の上底データは、前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底で測定された仕上がり値又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底で測定された仕上がり値を含み、
前記相関関係を決定する工程は、前記第1の上底データにおいて測定された仕上がり値と下底データにおいて測定された仕上がり値との仕上がり値相関関数を決定する工程を含み、
前記補正関数を決定する工程は、
前記決定された仕上がり値相関関数に基づいて、前記第2の上底データにおける仕上がり値に基づいて当該仕上がり値に対応する下底における仕上がり値の推定値を計算する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用した実パターンのための設計データにおいて定められた仕上がり値と当該仕上がり値に対応する前記推定された下底における仕上がり値との差分に基づいて補正関数を決定する工程と、
を含む、請求項13に記載の配線基板製造方法。 - 前記第1及び第2の上底データに含まれる仕上がり値は、光学式外観検査装置により得られるデータに基づくものであり、前記下底データは、顕微鏡により得られるデータに基づくものである、請求項13から17の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
- 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板面の領域毎に決定される、請求項13から18の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
- 前記補正関数が、配線パターンが配置された同一基板の上面及び下面毎に決定される、請求項13から19の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
- 前記補正関数が、配線パターンにおける縦ライン及び横ラインのそれぞれに対して決定される、請求項13から20の何れか一項に記載の配線基板製造方法。
- 目標とする配線パターンの設計データに基づく露光データを作成する工程と、
露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光する工程と、
前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する工程と、
前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない第1の実パターンを形成する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における上底から得られたデータに基づく第1の上底データを作成する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域における下底から得られたデータに基づく下底データを作成する工程と、
前記第1の上底データと前記下底データとの相関関係を決定する工程と、
前記第1の実パターンの少なくとも一部の領域とは異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は前記第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底から得られたデータに基づく第2の上底データを作成する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、前記第2の上底データ及び前記相関関係に基づいて、設計データにおいて定められた仕上がり値と実パターンにおける仕上がり値との差分を生じさせる因子と当該差分を抑制するための補正量との関係を示す補正関数を決定する工程と、
前記第2の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを前記補正関数に基づいて補正する工程と、
前記補正された露光データに基づいて配線パターンを形成する工程と、
を含む配線基板製造方法。
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