JP6487272B2 - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
Δn×d=λ/4 (式1)
となるときが、最も輝度が高くなる。なお、液晶の光学定数Δnは0.08以上0.1以下の液晶が好ましい。
本実施の形態においては、本発明の一態様の表示装置について、図1乃至図14及び図20、図21を用いて以下説明を行う。
図1は、表示装置における画素周辺の上面図を示している。なお、図1に示す上面図において、図面の煩雑を避けるために、構成要素の一部を省略して図示している。
図1乃至図4に示す表示装置の作製方法について、図5乃至図12を用いて以下説明を行う。なお、図5乃至図12においては、図2乃至4に示す表示装置の断面構造を例に説明する。つまり、図5乃至図12における(A)、(B)、(C)は、それぞれ、図1において一点鎖線A1−A2間における断面図に、一点鎖線B1−B2間における断面図に、一点鎖線C1−C2間における断面図に対応する。
ここで、図2に示す表示装置の画素周辺の変形例の断面図について、図14を用いて説明する。
図2の構成に、図14の構成を組み合わせることで、5通りの構成が可能となり、4色または5色分のセルギャップの調整が可能となる。
図2に示す表示装置の画素周辺の変形例の断面図について、図20を用いて説明する。
なお、本明細書では、反射型の液晶表示装置として説明をしているが、半透過型の液晶表示装置とすることもできる。図21を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるトランジスタの構成について、図15及び図16を用いて説明を行う。また、本実施の形態に示すトランジスタは、実施の形態1に示す画素101に用いるトランジスタ、及び実施の形態4に示す駆動回路部504に用いるトランジスタに適用することができる。なお、先の実施の形態に示す機能と同様の箇所については、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、実施の形態1、2に示す表示装置のトランジスタ及び容量素子の半導体層として適用可能な酸化物半導体膜の一例について説明する。
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図17を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を用いることのできる表示モジュール及び電子機器について、図18及び図19を用いて説明を行う。
102 基板
103 トランジスタ
105 容量素子
105B 容量素子
105G 容量素子
105R 容量素子
107 走査線
109 データ線
111 半導体層
112 半導体層
113 導電層
113B 導電層
113G 導電層
114 導電層
115 容量線
115B 容量線
115G 容量線
115R 容量線
116 開口
117 開口
118 開口
119 開口
121 反射電極
122 透過電極
127 絶縁層
129 絶縁層
131 絶縁層
133 絶縁層
134 平坦化膜
152 基板
154 遮光層
155G 有色層
156 有色層
156B 有色層
156G 有色層
156R 有色層
157B 有色層
157G 有色層
157R 有色層
158 平坦化膜
160 導電層
164 液晶層
166 スペーサ
171B セルギャップ
171G セルギャップ
171R セルギャップ
172B 半導体層
172G 半導体層
181 開口
182 開口
207 ゲート電極
209 電極
213 電極
215a 絶縁層
215b 絶縁層
228 ゲート絶縁層
242 開口
250 トランジスタ
251 ゲート電極
260 トランジスタ
294 開口
501 画素回路
502 画素部
504 駆動回路部
504a ゲートドライバ
504b ソースドライバ
506 保護回路
507 端子部
550 トランジスタ
560 容量素子
570 液晶素子
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (4)
- 第1のセルギャップを有する第1の画素と、第2のセルギャップを有する第2の画素と、第3のセルギャップを有する第3の画素と、を有する反射型の液晶表示装置であって、
前記第1の画素は、
第1の基板上の第1の導電層と、前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の第2の導電層と、前記第2の導電層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層上の第1の反射電極と、を有し、
前記第2の画素は、
前記第1の基板上の第3の導電層と、前記第3の導電層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の第4の導電層と、前記第4の導電層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層上の第2の反射電極と、を有し、
前記第2の画素は、前記第4の導電層上の前記第2の絶縁層に、第1の開口を有し、
前記第3の画素は、
前記第1の基板上の第5の導電層と、前記第5の導電層上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の金属酸化物層と、前記金属酸化物層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層上の第3の反射電極と、を有し、
前記第3の画素は、前記金属酸化物層上の前記第2の絶縁層に、第2の開口を有し、
前記金属酸化物層は、前記第3の絶縁層と接することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1において、
前記第2の絶縁層は、酸化シリコンであり、
前記第3の絶縁層は、窒化シリコンであることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記金属酸化物層は、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Mは、Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHfの元素を表す)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される酸化物であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項3に記載のいずれか一つの液晶表示装置を用いた電子機器。
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