JP6482252B2 - 細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 - Google Patents
細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6482252B2 JP6482252B2 JP2014238895A JP2014238895A JP6482252B2 JP 6482252 B2 JP6482252 B2 JP 6482252B2 JP 2014238895 A JP2014238895 A JP 2014238895A JP 2014238895 A JP2014238895 A JP 2014238895A JP 6482252 B2 JP6482252 B2 JP 6482252B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- fine particles
- layer
- base layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
具体的には、例えば、特許文献1(特開平09−130016号公報)に記載されるように、銅箔上にフォトレジスト(感光性樹脂)を設け、マスクを用いて露光し、現像、エッチング、レジスト剥離という方法を経て、回路パターンを形成する方法が知られている。
結果、ネガ型フォトレジストを用いた場合、現像後のフォトレジストの幅がマスクパターンより太くなる。マスクパターンの幅よりも太くなったフォトレジストの状態で、エッチング、レジスト剥離を行うと、所望の線幅に近いパターン状の金属膜が形成され難い問題があった。また、ポジ型フォトレジストを用いた場合は、現像後のフォトレジストの幅が、マスクパターンより細くなる。マスクパターンの幅よりも細くなったフォトレジストの状態で、エッチング、レジスト剥離を行うと、所望の線幅に近いパターン状の金属膜が形成され難い問題があった。更に、工程数が多いという課題もあった。
と考えた。
また、上記の問題に加えて、細線パターンで金属めっき膜を形成しようとすると、めっき析出性及び金属めっき膜の密着性が不十分となり易くなるという問題もある。
[1]基材の上にめっき下地層、続いてその上にフォトレジスト層を設け、そしてフォトリソグラフィー法に従いパターン化されたフォトレジスト層を形成し、次いでプラズマエッチングにより該レジストパターンに従うパターンを有するめっき下地層を形成し、その後無電解めっき処理により該めっき下地層のパターンに従うパターンを有する金属膜を形成するという工程により、線幅5μm以下の細線パターンを有する金属膜が形成されためっき品の製造方法に用いるめっき下地層であって、
該めっき下地層は、導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子とバインダーとを含み、その平均厚さが50nmないし1.5μmであり、且つ、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものであることを特徴とする、めっき下地層、
[2]基材表面上に線幅5μm以下の細線パターンを有する金属膜が形成されためっき品の製造方法であって、
1)基材表面上に導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子とバインダーとを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程a、
2)前記めっき下地層上にフォトレジスト層を形成する工程b、
3)前記フォトレジスト層をパターン状のマスクを介して露光する工程c、
4)前記露光の後、現像によりパターンに従ってフォトレジスト層を除去する工程d、
5)前記現像により露出しためっき下地層をプラズマエッチングにより除去する工程e、6)基材上に残存するフォトレジスト層を除去する工程f、及び
7)前記残存するフォトレジスト層の除去により露出しためっき下地層の上に無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程g
からなり、
前記めっき下地層は、その平均厚さが50nmないし1.5μmであり、且つ、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものである、製造方法、
に関する。
いても、短絡及び断線を発生することなく、且つ十分なめっき析出性及び金属めっき膜の密着性を維持し得る、プラズマエッチングに適しためっき下地層が提供される。
上記の短絡及び断線の発生は、めっき下地層中に、導電性高分子微粒子同士又は還元性高分子微粒子同士が凝集した凝集物が存在し、該凝集物の存在により、めっき下地層が部分的に盛り上がって厚くなることに起因することが分っている。
例えば、短絡の発生は、図1(A)から説明され得るものであり、上記凝集物の存在によって厚くなっためっき下地層の部分が、隣接する2本の細線の間に存在し、それにより、フォトレジスト塗工、感光及び現像後におけるプラズマエッチング工程で、部分的に厚くなった部分でのめっき下地層の除去が不十分となり、結果として、2本の細線の間にも金属めっき膜が形成されて短絡を発生するものである。
そして、上記凝集物の存在によって厚くなっためっき下地層の部分の厚さを、1.5μmを超えないものとすれば、50nmないし1.5μmの平均厚さのめっき下地層において、上記の短絡及び断線を発生することなく、線幅5μm以下という非常に細い金属めっき膜の細線パターンを形成できるものである。
本発明の、めっき下地層は、基材の上にめっき下地層、続いてその上にフォトレジスト層を設け、そしてフォトリソグラフィー法に従いパターン化されたフォトレジスト層を形成し、次いでプラズマエッチングにより該レジストパターンに従うパターンを有するめっき下地層を形成し、その後無電解めっき処理により該めっき下地層のパターンに従うパターンを有する金属膜を形成するという工程により、線幅5μm以下の細線パターンを有する金属膜が形成されためっき品の製造方法に用いるめっき下地層であって、
該めっき下地層は、導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子とバインダーとを含み、その平均厚さが50nmないし1.5μmであり、且つ、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものであることを特徴とする。
また、基材の形状は特に限定されないが、例えば、板状、フィルム状が挙げられる。他にも、基材として、例えば、射出成形などにより樹脂を成形した樹脂成形品が挙げられる。そして、この樹脂成形品に本発明のめっき物を設けることにより、例えば、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタレート樹脂からなるフィルム上に本発明のめっき物をパターン状で設けることにより、例えば、電気回路品を作成することができる。
上記の導電性高分子微粒子とは、導電性を有する粒子であって、具体的には、0.01S/cm以上の導電率を有する粒子である。
また、導電性高分子微粒子としては、球形の微粒子であるものが挙げられ、その平均粒径(レーザー回析/散乱法により求められる値)は、10〜100nmとするのが好ましい。
導電性高分子微粒子としては、導電性を有するπ−共役二重結合を有する高分子であれば特に限定されないが、例えば、ポリアセチレン、ポリアセン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン及びそれらの各種誘導体が挙げられ、好ましくは、ポリピロールが挙げられる。
導電性高分子微粒子は、π−共役二重結合を有するモノマーから合成して使用する事ができるが、市販で入手できる導電性高分子微粒子を使用することもできる。
また、還元性高分子微粒子としては、0.005S/cm以下の導電率を有する高分子微粒子が好ましい。
還元性高分子微粒子は、π−共役二重結合を有するモノマーから合成して使用する事ができるが、市販で入手できる還元性高分子微粒子を使用することもできる。
また、還元性高分子微粒子としては、球形の微粒子であるものが挙げられ、その平均粒径(レーザー回析/散乱法により求められる値)は、10〜100nmとするのが好ましい。
前記の微粒子を分散する有機溶媒としては、例えば、酢酸ブチル等の脂肪族エステル類、トルエン等の芳香族溶媒、メチルエチルケトン等のケトン類、シクロヘキサン等の環状飽和炭化水素類、n−オクタン等の鎖状飽和炭化水素類、メタノール、エタノール、n−オクタノール等の鎖状飽和アルコール類、安息香酸メチル等の芳香族エステル類、ジエチルエーテル等の脂肪族エーテル類及びこれらの混合物等が挙げられる。
プラズマエッチング性が良好である点において、メラミン系樹脂及びウレタン系樹脂等が好ましい。
尚、エポキシ系樹脂はプラズマエッチング性が良好でないため、好ましくない。
黒色成分としての有機系の染料としては、プラズマエッチング性が良好である黒色系の有機系染料であれば特に限定されない。
尚、カーボン粒子は、プラズマ処理による除去が困難であるため好ましくない。
また、メチルセルソルブ等の多価アルコール誘導体溶媒、ミネラルスピリット等の炭化水素溶媒、ジヒドロターピネオール、D−リモネン等のテルペン類に分類される溶媒を用いることもできる。
尚、基材の両面にめっき下地層を形成する場合は、上記の操作を繰り返すことにより達成され得る。
前記塗料を用いる印刷(全面印刷)としては、特に限定されるものではなく、例えば、スクリーン印刷法、スクリーンオフセット法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、フレキソ印刷法、インプリント印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等が挙げられ、また、印刷方法は、各印刷機を用いる通常の印刷法によって行うことができる。
めっき下地層の平均厚さが50nm未満になると、めっき析出性が低下してめっきが析出し難くなり、また、めっき下地層の平均厚さが1.5μmを超えると、細線パターン(線幅5μm以下)を形成することが困難となる。
また、形成するめっき下地層は、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものとする。
上記は、最大粒径が1μmを超える凝集物(該粒径は、例えば、粒度分布計で測定した際の数値を意味する。)を含まない塗料を使用することにより達成可能である。
上記の塗料は、例えば、導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子として、これらの粒子を製造する際の重合時間を短くして、最大粒径が1μmを超える凝集物の形成が抑えられた粒子を用いたり、塗工前に孔径1.0μmのフィルターを用いてろ過し、これにより最大粒径が1μmを超える凝集物を除去すること等により調製することができる。
尚、好ましい導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子の粒径範囲は、10ないし100nmである。
し得るめっき物が得られることとなる。
1)基材表面上に導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子とバインダーとを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程a、
2)前記めっき下地層上にフォトレジスト層を形成する工程b、
3)前記フォトレジスト層をパターン状のマスクを介して露光する工程c、
4)前記露光の後、現像によりパターンに従ってフォトレジスト層を除去する工程d、
5)前記現像により露出しためっき下地層をプラズマエッチングにより除去する工程e、6)基材上に残存するフォトレジスト層を除去する工程f、及び
7)前記残存するフォトレジスト層の除去により露出しためっき下地層の上に無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程g
からなり、
前記めっき下地層は、その平均厚さが50nmないし1.5μmであり、且つ、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものである、製造方法にも関する。
工程aは、基材表面上に導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子とバインダーを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程である。
ここで、めっき下地層の形成における種々の条件は、上述と同様の条件を採用することができる。
また、上述したように、形成されるめっき下地層は、その平均厚さが、50nmないし1.5μmであり、且つ、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものである。
フォトレジスト層の形成は、感光性レジストを用いる慣用の方法により行うことができる。
感光性レジストとしては、特に限定されるものではなく、溶剤現像型又はアルカリ現像型で、シート状のドライフィルム、インク等が挙げられ、また、ネガ型の感光性レジスト、ポジ型の感光性レジストの何れを用いることもでき、また、あらゆる露光波長用のフォトレジストを用いることができる。
上述の感光性レジストは、事前に調製して用いることもできるが、市販されているものを使用することもできる。
上述のシート状のドライフィルムを工程aで形成しためっき下地層上に張り付けるか又は上述の感光性レジストインクを工程aで形成しためっき下地層上に塗布することにより、フォトレジスト層を形成することができる。
具体的には、マスクパターンを介して前記フォトレジスト層に紫外線等の光を照射することにより達成され得る。
ここで、マスクパターンは、線幅5μm以下の細線パターンとなる。
マスクパターンは、ネガ型、ポジ型の何れでも適用できる。
照射する紫外線の光源としては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、殺菌灯等の一般的に用いられる光源を用いることが出来る。
除去する工程である。
具体的には、工程bで使用した感光性レジストに対応した現像液に工程cで露光されたものを浸漬し、パターン部以外の感光性レジストを除去することにより達成される。
即ち、工程bでネガ型の感光性レジストを用いた場合は、露光されなかった部分のフォトレジスト層を除去して、パターンを形成し、ポジ型の感光性レジストを用いた場合は、露光された部分のフォトレジスト層を除去して、パターンを形成するものである。
プラズマエッチングとしては、異方性エッチングであるRIE方式を使用するのが好ましい。
具体的には、工程bで使用した感光性レジストに対応したリンス液に工程eによりエッチングされたものを浸漬し、基材上に残存する感光性レジストを全て除去することにより達成される。
これにより、線幅5μm以下という非常に細い細線パターンを有するめっき下地層が形成された基材が得られることとなる。
該工程において、導電性高分子微粒子を用いて形成されためっき下地層は、脱ドープ処理を行った後に、無電解めっき処理により金属めっき膜が設けられ、また、還元性高分子微粒子を用いて形成されためっき下地層は、脱ドープ処理を行うことなく無電解めっき処理により金属めっき膜が設けられる。
特に、導電性高分子微粒子を含むめっき下地層は非常に薄いものであるため、緩和な条件下で短時間のアルカリ処理により脱ドープを達成することが可能である。
例えば、1M 水酸化ナトリウム水溶液中で、20ないし50℃、好ましくは30ないし40℃の温度で、1ないし30分間、好ましくは3ないし10分間処理される。
上記脱ドープ処理により、めっき下地層中に存在する導電性高分子微粒子は、還元性高分子微粒子となる。
即ち、導電性高分子微粒子を用いて形成されためっき下地層については、工程fの後に脱ドープ処理を行った後に、また、還元性高分子微粒子を用いて形成されためっき下地層は工程fの後に脱ドープ処理を行うことなく、パターン状のめっき下地層が形成された基材を、塩化パラジウム等の触媒金属を付着させるための触媒液に浸漬した後、水洗等を行い、無電解めっき浴に浸漬することにより金属めっき膜を設けることができる。
触媒液は、無電解めっきに対する触媒活性を有する貴金属(触媒金属)を含む溶液であり、触媒金属としては、パラジウム、金、白金、ロジウム等が挙げられ、これら金属は単体でも化合物でもよく、触媒金属を含む安定性の点からパラジウム化合物が好ましく、その中でも塩化パラジウムが特に好ましい。
好ましい、具体的な触媒液としては、0.05%塩化パラジウム−0.005%塩酸水溶液(pH3)が挙げられる。
処理温度は、20ないし50℃、好ましくは30ないし40℃であり、処理時間は、0.1ないし20分、好ましくは、1ないし10分である。
上記の操作により、めっき下地層中の還元性高分子微粒子は、該微粒子上に触媒金属が吸着され、結果的に、導電性高分子微粒子となる。
めっき液としては、通常、無電解めっきに使用されるめっき液であれば、特に限定されない。
即ち、無電解めっきに使用できる金属、銅、金、銀、ニッケル等、全て適用することができるが、銅が好ましい。
無電解銅めっき浴の具体例としては、例えば、ATSアドカッパーIW浴(奥野製薬工業(株)社製)等が挙げられる。
処理温度は、20ないし50℃、好ましくは30ないし40℃であり、処理時間は、1ないし30分、好ましくは、5ないし15分である。
得られためっき品は、使用した基材のTgより低い温度範囲において、数時間以上、例えば、2時間以上養生するのが好ましい。
形成されるパターン状の金属めっき膜の厚さは、100ないし2000nmの範囲とするのが好ましく、200ないし500nmの範囲とするのがより好ましい。
パターン状の金属めっき膜表面の黒化処理は、酸化処理(例えば、亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム及びリン酸三ナトリウムの水溶液を用いる酸化処理)等を行って、例えば、CuO膜を形成することにより達成され得る。
得られためっき品の導電率は、通常1.0Ω/□以下となる。
また、得られためっき品は、視認性の観点から、380〜780nmにおける平均光線反射率を10%以下とするのが好ましい。
製造例1:導電性ポリピロール塗料の調製
アニオン性界面活性剤ペレックスOT−P(花王(株)製)1.5mmol、トルエン10mL、イオン交換水100mLを加えて10℃に保持しつつ乳化するまで撹拌した。得られた乳化液にピロールモノマー21.2mmolを加え、1時間撹拌し、次いで過硫酸アンモニウム6mmolを加えて1時間重合反応を行った。反応終了後、有機相を回収し、イオン交換水で数回洗浄して、トルエンに分散した導電性ポリピロール微粒子を得た。ここで得られたトルエン分散液中の導電性ポリピロール微粒子の固形分は、約4.0%であった。
尚、導電性ポリピロール微粒子の粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計(UPA−EX250(日機装(株)製))で測定した結果、最大粒径が100nmであった。
ここに、バインダーとしてスーパーベッカミンJ−820(DIC(株)製)を加え、
ポリピロール:バインダー樹脂=1:3(ポリピロール、バインダー樹脂ともに固形分換算した場合の質量比)となる割合にて加え、さらにトルエンを加えて固形分(ポリピロール及びバインダー樹脂)の濃度を調整し、該固形分約5.0%となる導電性ポリピロール塗料を調製した。
3時間重合反応を行った以外は、製造例1と同様の操作を行って、固形分約5.0%となる導電性ポリピロール塗料を調製した。
尚、この場合、導電性ポリピロール微粒子の粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計(UPA−EX250(日機装(株)製))で測定した結果、最大粒径が1.5μmであった。
[工程a]
製造例1で調製した導電性ポリピロール塗料を、PETフィルム(東洋紡(株)製のコスモシャインA4100)にバーコーターで薄く塗工し、120℃で5分乾燥して、厚みが300nmのめっき下地層を得た。
工程aで得られためっき下地層を10センチ角に切り出し、電子マイクロメーター(KG3001A(ANRITSU(株)製))を用いて、任意の10箇所のめっき下地層の厚みを測定した。結果、全ての箇所において厚みが1.5μm以下であった。
[工程b]
続いて、塗膜上にネガ型感光性レジストOMR−83(東京応化工業(株)製)をバーコーターにてコーティングし、85℃で30分乾燥して、厚みが2μmのレジスト層を得た。
[工程c]
続いて、L/S=5μm/100μmのパターンを持つマスクを用いて、高圧水銀灯にて露光した。
[工程d]
続いて、OMR現像液(東京応化工業(株)製)に1分間浸漬して現像を行い、レジストパターンを形成した。
[工程e]
続いて、露出しためっき下地層をプラズマ洗浄装置CV−e300(モリエンジニアリング(株)製)を用いてRIEモードにて露出しためっき下地層をエッチング除去して、線幅が5μmのパターン状めっき下地層を得た。
[工程f]
続いて、OMRリンス液(東京応化工業(株)製)に1分間浸漬してレジスト層を剥離して、パターン状のめっき下地層を得た。
[工程g]
上記工程fで作成したパターン状のめっき下地層が形成されたフィルムを、1M水酸化ナトリウム溶液に35℃で5分間浸漬して表面処理(脱ドープ処理)を行った。
次に、0.02%塩化パラジウム−0.01%塩酸水溶液に35℃で5分間浸漬後、イオン交換水で水洗した。次に、フィルムを無電解めっき浴ATSアドカッパーIW浴(奥野製薬工業(株)製)に浸漬して、35℃で10〜20分間浸漬し、銅めっきを施した。
製造例2で調製した導電性ポリピロール塗料を使用し、塗工前に孔径1.0μmのフィルターを用いてろ過した後に塗工を実施した以外は、実施例1と同様の操作を行って、銅めっきを施した。
尚、ろ過後の導電性ポリピロール微粒子の粒径は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計(UPA−EX250(日機装(株)製))で測定した結果、最大粒径が1.0μmで
あった。
また、実施例1と同様に、工程aで得られためっき下地層を10センチ角に切り出し、電子マイクロメーター(KG3001A(ANRITSU(株)製))を用いて、任意の10箇所のめっき下地層の厚みを測定した。結果、全ての箇所において厚みが1.5μm以下であった。
工程aにおいて厚みが50nmのめっき下地層を形成させた以外は実施例1と同様の操作を行って、銅めっきを施した。
実施例1と同様に、工程aで得られためっき下地層を10センチ角に切り出し、電子マイクロメーター(KG3001A(ANRITSU(株)製))を用いて、任意の10箇所のめっき下地層の厚みを測定した。結果、全ての箇所において厚みが1.5μm以下であった。
製造例2で調製した導電性ポリピロール塗料をろ過することなくそのまま使用した以外は、実施例2と同様の操作を行って、銅めっきを施した。
実施例1と同様に、工程aで得られためっき下地層を10センチ角に切り出し、電子マイクロメーター(KG3001A(ANRITSU(株)製))を用いて、任意の10箇所のめっき下地層の厚みを測定した。結果、厚みが1.5μmを超える部分があった。
工程aにおいて厚みが30nmのめっき下地層を形成させた以外は実施例1と同様の操作を行ったが、銅めっきは形成されなかった。
実施例1と同様に、工程aで得られためっき下地層を10センチ角に切り出し、電子マイクロメーター(KG3001A(ANRITSU(株)製))を用いて、任意の10箇所のめっき下地層の厚みを測定した。結果、全ての箇所において厚みが1.5μm以下であった。
実施例1〜3及び比較例1で製造しためっき品における、めっき析出性、密着性、短絡及び断線の評価結果を表1に示した(比較例2では、金属めっき膜が形成しなかったため、以降の評価を行わなかった。)。
尚、評価方法及び評価基準は以下の通りとした。
<めっき析出性>
評価方法
10センチ角のサンプルの両端にテスターを当てて導通テストを実施した。
評価基準
○:めっき時間10分で導通が確認された。
△:めっき時間10分では導通しないが、20分で導通が確認された。
×:めっき時間20分で導通が確認されなかった
<密着性>
評価方法
JIS H8504に基づいてテープ試験により引き剥がし試験を実施した。引き剥がし試験を合格したものに関しては、2mmの正方形ができるように素地まで達する条痕を作り、テープ試験を実施した(碁盤目試験)。引き剥がしたテープの粘着面に、めっきの付着があった場合は不合格とした。
評価基準
○:碁盤目試験合格
△:テープ試験合格、碁盤目試験不合格
×:テープ試験不合格
<短絡>
評価方法
10センチ角のサンプルをマイクロスコープ((株)松電舎製のSHP200PC3S)にて拡大観察して、隣り合う2本の線間に短絡が存在するかを目視で確認した。
評価基準
○:短絡無し
×:短絡有り
<断線>
評価方法
10センチ角のサンプルをマイクロスコープ((株)松電舎製のSHP200PC3S)にて拡大観察して、断線が存在するかを目視で確認した。
評価基準
○:断線無し
×:断線有り
2:めっき下地層
3:フォトレジスト層
4:マスク
5:金属めっき膜
Claims (1)
- 基材表面上に線幅5μm以下の細線パターンを有する金属膜が形成されためっき品の製造方法であって、
1)基材表面上に導電性高分子微粒子又は還元性高分子微粒子とバインダーとを含む塗料を塗布してめっき下地層を形成する工程a、
2)前記めっき下地層上にフォトレジスト層を形成する工程b、
3)前記フォトレジスト層をパターン状のマスクを介して露光する工程c、
4)前記露光の後、現像によりパターンに従ってフォトレジスト層を除去する工程d、
5)前記現像により露出しためっき下地層をプラズマエッチングにより除去する工程e、6)基材上に残存するフォトレジスト層を除去する工程f、及び
7)前記残存するフォトレジスト層の除去により露出しためっき下地層の上に無電解めっき処理により金属めっき膜を設ける工程gからなり、
前記めっき下地層は、その平均厚さが50nmないし1.5μmであり、且つ、層全面に亘って層厚が1.5μmを超える部分を有しないものである、製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238895A JP6482252B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238895A JP6482252B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016098429A JP2016098429A (ja) | 2016-05-30 |
JP6482252B2 true JP6482252B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=56075686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014238895A Active JP6482252B2 (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6482252B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7093156B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2022-06-29 | アキレス株式会社 | 透明導電膜 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06348035A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toray Ind Inc | 二層構造感放射線性レジスト、その製造方法及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5181231B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2013-04-10 | アキレス株式会社 | めっき物及びその製造方法 |
JP2012036478A (ja) * | 2010-08-10 | 2012-02-23 | Achilles Corp | 無電解めっき法により金属膜を形成するための下地塗料、めっき下地用塗膜層の製造方法、めっき物の製造方法 |
JP2012072440A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Toagosei Co Ltd | 無電解めっき方法 |
-
2014
- 2014-11-26 JP JP2014238895A patent/JP6482252B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016098429A (ja) | 2016-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4853774B2 (ja) | 還元性ポリマー微粒子を用いるパターン化された金属膜が形成されためっきフィルムの製造方法 | |
JP4853775B2 (ja) | 還元性ポリマー微粒子を用いるパターン化された金属膜が形成されためっきフィルムの製造法 | |
US20050227049A1 (en) | Process for fabrication of printed circuit boards | |
KR101479479B1 (ko) | 투명 도전성 부재의 제조 방법 | |
JP2010532429A (ja) | 基材のパターニング方法 | |
JP6216646B2 (ja) | 透明導電膜及びこれを用いるタッチパネル | |
DE2756693A1 (de) | Herstellungsverfahren fuer gedruckte schaltungen | |
JP6480428B2 (ja) | パターン化されたナノワイヤ透明導電体上の印刷された導電性パターンのための保護用コーティイグ | |
JP2021528572A (ja) | 無電解金属のパターニング | |
JP6482252B2 (ja) | 細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 | |
JP6385181B2 (ja) | 骨見えが十分に抑制された透明導電膜 | |
JP6598531B2 (ja) | 細線パターンのめっき品をフォトリソグラフィー法を用いて製造する際に用いるめっき下地層 | |
JP7093156B2 (ja) | 透明導電膜 | |
JP2011506775A (ja) | 導電性トラックの製造方法 | |
JP6648959B2 (ja) | パターン性が良好なめっき品の製造方法 | |
JP7454424B2 (ja) | めっき物の製造方法 | |
JP2005236006A (ja) | 導電性回路装置およびその作製方法 | |
JP6588734B2 (ja) | パターン状の金属めっき膜が形成されためっき品の製造方法 | |
JP3069942B2 (ja) | 電気回路基板及びその製造方法 | |
JP6184774B2 (ja) | パターン化された金属膜が形成されためっき物 | |
JP6636808B2 (ja) | パターン状めっき物 | |
JP6698271B2 (ja) | パターン性が良好なめっき品の製造方法 | |
JP6877129B2 (ja) | 不織布めっき物 | |
JP6376843B2 (ja) | パターン化されためっき物の製造方法 | |
JP2011208174A (ja) | ポリカーボネイト樹脂を基材とするめっき物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6482252 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |