JP6476050B2 - 温度検知機能診断装置 - Google Patents
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Description
なものであるから、この図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
TMON=VDD−Vbe
となり、高温側で電圧が大きくなる。なお、温度に対応した電圧を得るために、バイポーラトランジスタのVbeを利用する他に、ダイオードのPNジャンクションのVF電圧や抵抗の温度依存性を利用しても良い。
REF=VDD−VREF×(R1/R2)
となる。コンパレータ2n3により、温度対応電圧TMONと参照電圧REFとが比較され、閾値変更手段3nが診断イネーブル信号TEST_ENn=Hのとき、NMOS,3n1により、R2=R21となり、参照電圧REFは小さくなり、閾値温度は低温側にシフトする。ここでは閾値温度の切替えは2つの場合を説明したが、抵抗R2の抵抗値の切替えを複数とすることで、多段階に、3つ以上に閾値温度を切替えることが可能である。
REF=R4×I
となる。ここで、R4=R41とした。R3とR4との抵抗の温度特性を同一とすることで、温度に対して安定な参照電圧REFが得られる。コンパレータ2n3により、温度対応電圧TMONと参照電圧REFとが比較され、閾値変更手段3nが診断イネーブル信号TEST_ENn=Hのとき、NMOS,3n1、インバータゲート3n2により、R4=R40+R41となる。参照電圧REFは大きくなり、過温度検知回路2nの閾値温度を低温側にシフトする。また、抵抗R4の抵抗値の切替えを複数とすることで、多段階に、3つ以上に閾値温度を切替えることが可能である。
または
“Td=<Ts”かつ”OVTn=H”
ならば、過温度検知回路2nの温度検知機能は正常であり、これ以外の場合は異常であると診断可能である。
“Tn>Ts”かつ“OVT1=OVT2=・・・=OVTn=L”
または
“Tn=<Ts”かつ“OVT1=OVT2=・・・=OVTn=H”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であり、これ以外の場合は異常であると診断可能である。
(3c1)“Tx>Ty>Ts”のとき、
“OVTx1=OVTx2=・・・=OVTxx=L”
かつ
“OVTy1=OVTy2=・・・=OVTyy=L”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であると診断可能である。
(3c2)“Tx>Ts>=Ty”のとき、
“OVTx1=OVTx2=・・・=OVTxx=L”
かつ
“OVTy1=OVTy2=・・・=OVTyy=H”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であると診断可能である。
(3c3)“Ts>=Tx>Ty”のとき、
“OVTx1=OVTx2=・・・=OVTxx=H”
かつ
“OVTy1=OVTy2=・・・=OVTyy=H”
ならば、温度センサの温度検知機能は正常であると診断可能である。
上記、(3c1)〜(3c3)以外の場合は異常であると診断可能である。
または
”OVTna=H,OVTnb=L,OVTnc=L”(52)
ならば、過温度検知回路na,nb,ncの温度検知機能は正常であると診断可能である。(51)(52)以外のときでかつ
”OVTna=H,OVTnb=H”
でないならば、過温度検知回路na,nb,ncの温度検知機能は異常である。
(51)(52)以外のときでかつ
”OVTna=H,OVTnb=H”
ならば、過温度検知回路na,nb,ncの温度検知機能の診断の判定は不可であり、温度検知回路na,nbにおいて、閾値温度を3つ以上変更可能でかつ、Tna'>Tna Tnb'>Tnbとなる温度閾値Tna',Tnb'に変更可能な場合は、図5に示す診断フローにおいて、Tna'をTnaに、Tnb'をTnbに置き換えて、再度実施可能である。
REF=R4×I
となる。ここで、R4=R41とした。R3とR4との抵抗の温度特性を同一とすることで、温度に対して安定な参照電圧REFが得られる。コンパレータ93により、温度対応電圧TMON1〜nと参照電圧REFとが比較され、共通閾値変更手段10の共通診断イネーブル信号TEST_EN_COM=Hのとき、NMOS,101、インバータゲート102により、R4=R40+R41となる。参照電圧REFは大きくなり、共通過温度検知回路9の温度閾値を低温側にシフトする。ここでは選択信号SEL1〜nに対応して、アナログ温度センサ81〜8nの温度対応電圧TMON1〜TMONnに基づいて、過温度検知信号OVT1〜OVTnを出力する共通過温度検知回路9の構成を説明したが、図9に示す過温度検知信号OVT1〜OVTnを出力する共通過温度検知回路9の構成でも良く、この場合、共通過温度検知回路9の構成例を図10に示す。アナログ温度センサ81〜8nに対応して、それぞれコンパレータ931〜93nを備え、過温度検知信号OVT1〜OVTnを出力する。
2 過温度検知回路
3 閾値変更手段
4 温度センサ
5 温度検知機能判定手段
6 インターフェース回路
7 ドライバ回路
8 アナログ温度センサ
9 共通過温度検知回路
10 共通閾値変更手段
100 半導体集積回路
200 マイクロコンピュータ
300 負荷
OVT 過温度検知信号
TEST_EN 診断イネーブル信号
VDD 電源電圧
VREF 基準電圧
TMON 温度対応電圧
REF 参照電圧
Claims (6)
- 所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する過温度検知回路と、
前記過温度検知回路の閾値を変更する閾値変更回路と、
前記閾値変更回路によって閾値が変更されたときの前記過温度検知回路の出力と温度情報を出力する温度センサの出力とに基づいて前記過温度検知回路または前記温度センサの少なくとも一方の異常を判定する温度検知機能判定回路と、を備え、
前記温度センサ及び前記過温度検知回路を同一シリコン基板上に形成する温度検知機能診断装置。 - 所定の閾値温度より高い温度の時に過温度検知信号を出力する複数の過温度検知回路と、
前記複数の過温度検知回路それぞれの閾値を変更する閾値変更回路と、
閾値が変更されたときの前記複数の過温度検知回路のうちの少なくとも1つの出力と、温度情報を出力する温度センサの出力とに基づいて過温度検知回路の異常を判定する第1の判定回路と、
前記温度センサの出力と前記複数の過温度検知回路のうちの少なくとも2つの出力とに基づいて前記温度センサの異常を判定する第2の判定回路と、を備え、
前記第2の判定回路が用いる少なくとも2つの過温度検知回路の閾値がそれぞれ異なる値に変更されたときに前記第2の判定回路が前記温度センサの温度検知機能の異常を判定する温度検知機能診断装置。 - 請求項2に記載の温度検知機能診断装置において、
前記温度センサ及び前記複数の過温度検知回路を同一シリコン基板上に形成することを特徴とした温度検知機能診断装置。 - 請求項1から3いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、
車載機器を駆動するための複数の駆動回路を備え、前記複数の駆動回路毎に過温度検知回路を備えることを特徴とした温度検知機能診断装置。 - 請求項1又は請求項3いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、
車載機器を駆動するための駆動回路を前記シリコン基板上に形成することを特徴とした温度検知機能診断装置。 - 請求項1から5いずれか一項に記載の温度検知機能診断装置において、
前記温度検知機能診断装置は車両に搭載され、エンジン始動の時点で閾値を変更して温度検知機能を診断することを特徴とする温度検知診断装置。
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