JP6473157B2 - ペリクルを製造するための装置および方法ならびにペリクル - Google Patents

Description

［関連出願の相互参照］
[0001] 本出願は、２０１３年１２月５日に出願され、その全体が参照により本明細書に組み込まれる欧州特許出願番号第１３１９５８７２．０号の利益を主張する。

[0002] 本発明は、ペリクルを製造するための装置および方法ならびにペリクルに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）から基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上へパターンを投影することができる。

[0004] 基板上にパターンを投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置は、従来のリソグラフィ装置（例えば、１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用する装置）よりも小さいフィーチャを基板上に形成するために使用することができる。

[0005] ＥＵＶ放射を用いてパターン付与されたフィーチャのサイズが小さいということは、リソグラフィ装置内の全ての微粒子汚染は、製造された集積回路に対して著しい有害作用を及ぼし得ることを意味する。例えば、パターン中にパターニングデバイス上に粒子が存在する場合には、基板上に粒子のイメージが形成されることが引き起こされ得る。パターニングデバイスを粒子汚染から保護するため、つまりいくらかの粒子の存在下でリソグラフィ装置の性能が劣化することを防ぐためにペリクルを使用することが知られている。しかしながら、リソグラフィ装置の性能を低下させないようにＥＵＶ放射に対して十分に透過性であるペリクルを形成するためには、それぞれのペリクルは極めて薄い膜でなくてはいならない。薄い膜は曲がりやすい傾向にあり使用中または輸送中に、圧力勾配、機械的振動または機械的応力にさらされた場合にはたわむ機構を有する。そのようなペリクルのたわみは、ペリクルがリソグラフィ装置のその他の構成要素と接触することを引き起こす可能性があり、それによりペリクルを損傷させるまたはパターニング性能を劣化させることができる。

[0006] 公知のペリクルでは、ペリクルのたわみを防止するためにペリクルにわたってサポートグリッドを設けることができる。しかしながら、そのようなサポートグリッドは、ＥＵＶ放射のパターニングをもたらし得る。

[0007] 公知のペリクルに関連する１つ以上の問題を除去または軽減することが本発明の課題である。

[0008] 本発明の第１態様によると、膜に応力を加えるための応力付加アセンブリと、
基板を支持するための基板サポートと、を備え、応力付加アセンブリと基板サポートは、膜に応力が加えられた際に基板が膜と接触するように相互移動することができる、ペリクルを製造するための装置が設けられる。

[0009] 装置は、製造中にペリクルが引張応力を与えるか、またはペリクルにプレストレスを加えることができる機構を設ける。プレストレスを加えることは、使用中に差圧にさらされた場合におけるたわみに対するペリクルの耐性を向上させ、ペリクル膜における皺の発生も低減し得る。

[00010] 応力付加アセンブリは、ペリクル膜の第１面を第１圧力にさらし、ペリクル膜の第２面を第１圧力とは異なる第２圧力にさらすように配置され得る。

[00011] ペリクル膜にプレストレスを加えるために差圧を使用することは、高い圧力を有する部分を生じさせ得る機械的デバイスの使用により膜を破る危険を冒さずに、ペリクル膜の表面に均一な圧力が適用されることを可能にする。

[00012] 第１圧力は、大気圧より上であってよい。第２圧力は、大気圧と実質的に等しくてよい。

[00013] 装置は、第１圧力と第２圧力との間の圧力の差を監視するように配置された圧力モニタをさらに備える。

[00014] 圧力モニタは、膜に適用された差圧を監視するための単純な機構を提供する。

[00015] 装置は、ペリクル膜内の応力を示すペリクル膜の性質を監視するように配置された応力モニタをさらに備える。

[00016] 応力モニタは、たわみモニタであってよい。

[00017] 膜のたわみは、膜内の応力の簡単に検知可能な指標を提供する。そのため、膜の一部のたわみを監視することは応力が決定されることを可能にする。

[00018] 応力付加アセンブリは、第１圧力に維持されるように配置された第１領域と第２圧力に維持されるように配置された第２領域とを備え得るチャンバを備え得る。

[00019] 第１領域はガスインレットを備え得る。

[00020] ガスインレットの使用は、チャンバ内に大気圧より上の圧力におけるガスが導入されることを可能にし、チャンバ内の圧力を増加させる。これは、膜にわたる差圧を引き起こす単純な機構を提供する。

[00021] 第１領域はリーク弁を備えてよく、それによりチャンバからガスが出ることを制御することを可能にする。これにより、チャンバ内の圧力が所定の圧力を達成するために調整可能となる。

[00022] チャンバは、第１領域と第２領域との間のチャンバの内側表面の周りに置かれた膜サポートをさらに備え得る。

[00023] 膜サポートは、第１領域と第２領域との間の円形開口部を画定することができる。

[00024] 円形開口部の使用は、広く使用されている円形ウェハとの適合性を提供する。

[00025] 基板サポートは、円形開口部と平行かつ同軸に配置された平坦な円形表面をさらに備える。

[00026] 本発明の第２態様によると、ペリクル膜およびペリクルフレームを備えるペリクルであって、ペリクル膜は引張応力下でペリクルフレーム上に装着されるペリクルが設けられる。

[00027] ペリクルは、ポリシリコン、グラフェン、多層のＮｂ／Ｍｏ／Ｓｉ、カーボン・ナノチューブの層、およびこれらの材料の２つ以上から形成される多層から選択される材料を備える。

[00028] ペリクルは、キャッピング層を頂部またはサンドイッチ様に備える。

[00029] 引張応力は、ペリクル膜内の皺を防ぐのに十分である。

[00030] 応力が加えられていないペリクル膜には、差圧下になくとも皺が生じ得る。そのため、皺を防ぐために十分な引張応力を提供することは膜の均一性を向上させ、低い差圧下であってもたわんでしまうという膜の傾向を低減させる。

[00031] 引張応力は、少なくとも所定の引張応力であってよい。

[00032] 所定の引張応力は、ペリクル膜の形状と、使用中のペリクル膜の一部による最大の許可されたたわみと、使用中のペリクル膜が遭遇すると期待される最大差圧と、ペリクル膜のヤング率と、のうちの少なくとも１つに基づいてよい。

[00033] いくつかの適用では、使用中のペリクル膜の一部による最大の許可されたたわみは約１ミリメートルである。これは例示的に過ぎないが、最大の許可されたたわみは適用によって変動し得る。例えば、ペリクル膜の小さなたわみに対して感受性の高い適用については、使用中のペリクル膜の一部による最大の許可されたたわみは約０．５ミリメートルである。

[00034] ペリクル膜が遭遇すると期待される最大差圧は約２Ｐａであってよい。

[00035] ペリクル膜は長方形であってよい。長方形のペリクルは、リソグラフィ装置において使用可能な長方形のパターニングデバイスに対する都合のよい保護を提供する。

[00036] 別の実施形態では、必要に応じて代替的なペリクルの形状が選択されてよい。例えば、ペリクル膜は円形であり得るか、ペリクル膜は四角形であってよい。

[00037] 前記ペリクル膜内の最大の引張応力は、１５０ＭＰａよりも大きくてよい。ペリクル膜における増加した引張応力は、膜がたわむ傾向性を低減する。１５０ＭＰａの最大引張応力は、いくつかの適用におけるペリクル膜の過剰なたわみを防止するのに十分であり得る。別の態様では、ペリクル膜内の最大引張応力は２００ＭＰａより大きくてよく、さらにたわみを減少させるため、ペリクル膜内の最大引張応力は２５０ＭＰａよりも大きくてよい。

[00038] ペリクル膜内には引張応力の不均一な分布があってよい。引張力は、ペリクル膜の中心部において最大であってよい。

[00039] 引張応力の不均一な分布は、膜において最も必要とされる場所、例えば、ペリクルフレームから元も離れた場所、において応力が集中することを可能にする。長方形のペリクル膜においては角部領域は、ペリクル膜の中心部よりも、たわみに耐えるためにとり小さい引張応力を必要とする（ペリクルフレームの近くにあるため）。そのため、角部よりも膜の中心部においてのほうが引張応力が高いことは、膜全体が増加した応力にさらされることを必要とすることなく、膜の中心部におけるたわみへの耐性を向上させる。

[00040] 本発明の第３態様によると、本発明の第２態様によるペリクルを備えるリソグラフィ装置が提供される。

[00041] リソグラフィ装置内にペリクルを設けることは、リソグラフィ装置の感受性の高い領域が粒子汚染から保護されることを可能にする。

[00042] 本発明の第４態様によると、パターン付与された放射ビームを形成するために断面にパターンが付与された放射ビームを与えることができるパターニングデバイスと、粒子がパターニングデバイスと接触することを防ぐためにパターニングデバイスに隣接して配置される、本発明の第２態様によるペリクルと、を備えるパターニングデバイスアセンブリが設けられる。

[00043] パターニングデバイスと組み合わさったペリクルを設けることは、パターニングデバイスを粒子汚染から保護し、粒子がパターニングデバイス上に置かれることによる結像性能のいかなる劣化の可能性を低減させる。

[00044] 本発明の第５態様によると、膜を設けることと、膜に機械的な応力を加えることと、基板を設けることと、基板が応力が加えられた膜と接触するように、ペリクル膜に応力が加えられた場合には基板と膜を互いに向けて移動することと、応力が加えられた膜を基板に取り付けることと、応力が加えられた構成において膜を支持するフレームを形成するように基板にパターンを付与することと、を含むペリクルの製造方法が提供される。

[00045] 膜は、ペリクル膜にわたり差圧を適用することにより機械的に応力が加えられ得る。

[00046] 差圧を適用することは、ペリクル膜の第１面を大気圧よりも大きい圧力にさらすことを含み得る。

[00047] 本発明の第６態様によると、本発明の第５態様による方法を実施することと、パターニングデバイスを設けることと、パターニングデバイスにペリクルを取り付けることと、を含むパターニングデバイスアセンブリの製造方法が提供される。

[00048] 本発明の第７態様によると、基板上にパターン付与された放射ビームを投影することを含む方法であって、本発明の第２態様によるペリクルは、放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスに隣接する放射ビームの経路に設けられる、方法が提供される。

[00049] 本発明の第８態様によると、本発明の第１態様による装置を使用して製造されたペリクルが設けられる。

[00050] 本発明の第８態様によると、ペリクルフレームと本発明の第２または第８態様によるペリクルが設けられたケーシングが設けられる。

[00051] 第９態様によると、パターニングデバイス、ペリクルフレームおよび本発明の第２または第８態様によるペリクルが設けられたケーシングが設けられる。

[00052] 本発明の一態様に関連して記載された特徴および利点は、本発明の他の態様において使用可能であることを理解されたい。

[00053]本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。
本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置および放射源を含むリソグラフィシステムを図示する。 本発明の実施形態によるペリクルのたわみのプロット図である。 本発明の一実施形態によるペリクルを図示する。 本発明の一実施形態による装置を図示する。 本発明の一実施形態による方法を示すフローチャートを示す。 本発明の一実施形態による応力が加えられた膜内の応力のプロット図である。

[00054] 図１は、本発明の一実施形態によるペリクルを含むリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置ＬＡを含む。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成されたサポート構造ＭＴ、投影システムＰＳおよび基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを含む。照明システムＩＬは、放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡ上に入射する前に放射ビームＢを調整するように構成される。投影システムは、基板Ｗ上に放射ビームＢ（マスクＭＡによりパターン付されている）を投影するように構成される。基板Ｗは、過去に形成されたパターンを含んでよい。この場合、リソグラフィ装置はパターン付与された放射ビームＢを過去に基板Ｗ上に形成されたパターンと合わせる。

[00055] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳは全て、外部環境から隔離可能なように構築および配置され得る。大気圧より低い圧力におけるガス（例えば、水素）は、放射源ＳＯに提供され得る。真空は、照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内に提供され得る。大気圧よりはるかに低い圧力における少量のガス（例えば、水素）は、照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳ内に提供され得る。

[00056] 図１に示される放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と称される種類のものであってよい。

[00057] 放射ビームＢは放射源ＳＯから、放射ビームを調整するように構成された照明システムＩＬ内に通過する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を含み得る。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、放射ビームＢに所望の断面形状および所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから通過し、サポート構造ＭＴにより保持されるパターニングデバイスＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射しそれにパターンを付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えてまたはこれらの代わりに、その他のミラーまたはデバイスを含んでよい。

[00058] パターニングデバイスＭＡからの反射に続いて、パターン付与された放射ビームＢは、投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラーを備える。投影システムＰＳは放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成する。例えば、４の縮小係数が適用されてよい。図１では、投影システムＰＳは２つのミラーを有するが、投影システムは任意の数のミラー（例えば、６つのミラー）を含んでよい。

[00059] パターニングデバイスＭＡに隣接して、ペリクル１５が設けられる。ペリクル１５は、放射ビームＢの経路内に設けられ、それにより放射ビームＢは、放射ビームＢが照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近づく時、および投影システムＰＳに向かってパターニングデバイスＭＡにより反射される時の双方において、ペリクル１５を通過する。ペリクル１５は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性の薄い膜を備える。しかしながら、ＥＵＶ放射に対して透過性である一方で、ペリクル１５は、粒子汚染からパターニングデバイスＭＡを保護するように作用する。ペリクル１５は、ペリクル１５の表面上に入射する一切の粒子が放射ビームＢの焦点面内に存在しないほど、パターニングデバイスＭＡから十分に離れて位置決めされる。ペリクル１５とパターニングデバイスＭＡとの間の分離は、ペリクル１５の表面上の粒子が放射ビームＢにパターンを付与する範囲を小さくするように作用する。粒子が放射ビームＢ内に存在する場合（ただし、放射ビームＢの焦点面内ではない位置（すなわち、パターニングデバイスＭＡの表面ではない））、粒子の一切の像は基板Ｗの表面において焦点が合わせられないことが理解される。

[00060] 粒子がパターニングデバイスＭＡに到達することから防護するために、ペリクル１５はパターニングデバイスＭＡの近くに位置決めされる必要がある。しかしながら、ペリクル１５はパターニングデバイスＭＡと接触してはならない。接触はパターニングデバイスＭＡまたはペリクル１５を損傷させる可能性があるだけではなく、接触はペリクル１５およびペリクル１５上の一切の粒子が、パターニングデバイスが設置されたリソグラフィ装置上の焦点面内に入ることを可能にし得る。いくつかの適用では、約１．５〜２．５ｍｍの分離が、ペリクルとパターニングデバイスＭＡ間の適切な分離であり得る。例えば、一実施形態では約２ｍｍのペリクルとパターニングデバイス間の分離が使用され得る。そのような一実施形態では、ペリクルはいずれかの方向に（すなわち、パターニングデバイスに向かうまたは離れる方向）０．５ｍｍたわむことが許されてよい。

[00061] 公知のペリクルは、薄い可撓性の膜である傾向にある。しかしながら、そのような膜は、例えばリソグラフィ装置へのロード中またはリソグラフィ装置からのアンロード中などにおいて、差圧にさらされた場合にたわみやすいまたは変形しやすい。例えば、パターニングデバイスがリソグラフィ装置にロードまたはリソグラフィ装置からアンロードされた場合には、パターニングデバイスはロードロックを通過する。ペリクルは、パターニングデバイス上に装着可能であり、ペリクル膜とパターニングデバイスの表面との間にガスの体積を封入する。ロードロックの排気および加圧は、著しい差圧を含み得る。ロードロックからガスが排気される（またはロードロックに戻る）につれ、パターニングデバイスとペリクルとの間の体積は、ペリクルにより囲まれた体積からガスが排気可能な速度に従うが、より遅い速度で、ロードロックの圧力と等しくなる。これらの条件において、可撓性のペリクルはたわみ得る。

[00062] ペリクルが差圧にさらされ得るさらなる状況は、リソグラフィ装置に設置された場合である。光学系環境からのガス流は、パターニングデバイスおよびペリクルに向って誘導可能であり、これによりペリクルが差圧を経験することを引き起こし得る。

[00063] さらには、応力を受けていないペリクルには、その装着または固定におけるわずかな凸凹または変形により、皺が寄る可能性がある。

[00064] しかしながら、プレストレスト・ペリクルを使用することにより、中程度の差圧下でたわむ傾向が著しく低減することが実現され、それによりペリクルがその他のシステム構成要素と接触する可能性が低減された。さらには、プレストレスト・ペリクルを使用することによりペリクルにおける皺の発生が低減する。

[00065] 図２は、ペリクルに異なる残留応力量で均一にプレストレスが加えられ、かつペリクルが圧力勾配にさらされた場合における、あり得るペリクルサイズの範囲での予測されるたわみのシミュレーション結果を示す。シミュレーションされた圧力勾配は２Ｐａであった。シミュレーションされた膜の厚さは、５５ｎｍであった。シミュレーションされた残留応力量は、２５ＭＰａごとに１５０ＭＰａ〜３００ＭＰａの範囲であった。シミュレーションされた膜のヤング率は、１５０ＧＰａ〜２５０ＧＰａの範囲であった。シミュレーションされたペリクルは、１００ｍｍ〜２００ｍｍの間の辺長を有する四角形である。

[00066] 任意の所定の残留応力量に対して、ペリクルのサイズ（ｘ軸、ｍｍ）が増加するにつれ、予測されるたわみ（ｙ軸、μｍ）もまた増加することが分かる。所定のペリクルのサイズに対して、残留応力が増加するにつれたわみが減少することも分かる。例えば、１５０ｍｍの辺長を有し、残留応力が１５０ＭＰａであるペリクルに関しては、たわみは概ね５４０μｍである。しかしながら、１５０ｍｍの辺長を有し、残留応力が約３００ＭＰａであるペリクルに関しては、たわみは概ね２７５μｍに減少される。膜のヤング率は、たわみに対して残留応力よりも少ない影響を及ぼすことも理解される。シミュレーションされた各残留応力値に対して、所定の応力およびペリクルサイズに対してわずかに低減したたわみをもたらす高いヤング率を有する、いくつかのヤング率値が示される。しかしながら、たわみに対して著しい影響を有するよりもむしろ、ヤング率はそれぞれのプロットされた線に対するわずかな肥厚として示され、各線の上縁は１５０ＧＰａのヤング率に対する膜のたわみを示し、各線の下縁は２５０ＧＰａのヤング率に対する膜のたわみを示している。

[00067] 薄膜の加重−たわみ挙動に関するＴｉｍｏｓｈｅｎｋｏ関係式を用いることで、特定の差圧下の特定のペリクルのたわみ間の関係を計算することができる（Ｓ Ｔｉｍｏｓｈｅｎｋｏ，Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ Ｐｌａｔｅｓ ａｎｄ Ｓｈｅｌｌｓ， ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ， １９４０）。Ｔｉｍｏｓｈｅｎｋｏ関係式は、以下の式により表すことができる。

式中、
Ｐは差圧であり、
Ｄは膜の中心のたわみであり、
ｔは膜の厚さであり、
ａは膜の側辺の全長の半分であり、
ｃ_１は幾何学的定数であり、
ｃ_２は幾何学的定数であり、
Ｅはヤング率であり、
ｖはポワソン比である。

[00068] ペリクルに不十分な量のプレストレスが加えられた場合には、ペリクルは所定の適用内において許容できる以上にたわむことを理解されたい。さもなければ、たわみは増加したヤング率を有する材料を使用することにより低減されることがさらに理解される。

[00069] 図３は、ペリクル１５をさらに詳細に示す。図３Ａは、ペリクル１５の平面図を示す。ペリクル１５は長方形であり、ペリクル膜１６およびペリクルフレーム１７を備える。ペリクル膜１６は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性の薄い膜を備える。ペリクル膜は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性である一方で粒子汚染に対するバリアを提供する任意の材料から形成することができることを理解されたい。

[00070] 例えば、ペリクル膜１６はモリブデン（Ｍｏ）およびケイ化ジルコニウム（ＺｒＳｉ）の多層スタックから形成され得る。Ｍｏ／ＺｒＳｉスタックは、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）を用いて片側または両側を覆い得る。代替的な実施例では、ペリクル膜１６はポリシリコン（ｐＳｉ）から形成され得る。ポリシリコン膜の片面または両面は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）層によりキャッピングされ得る。例えばグラフェンなどのその他の材料は、その他の実施形態においてペリクル膜として使用されるのに適切である。上述のキャッピング層（例えば、ＭｏＳｉ、ＳｉＮ）は、ＥＵＶ放射の存在下で水素ガスから生成可能であり、またペリクル膜を損傷し得る水素ラジカル（またはその他の反応種）の効果の低減に役立ち得る。ペリクルは、多層のＮｂ／Ｍｏ／Ｓｉ、カーボン・ナノチューブの層、またはこれらの材料の２つ以上から形成される多層を含み得る。ペリクルは、頂部上またはサンドウィッチ様のキャッピング層を備え得る。

[00071] ペリクル膜１６の厚さは、材料の特性（例えば、強度、ＥＵＶ透過性）に依存する。例えば、Ｍｏ／ＺｒＳｉ多層スタックから作られたペリクル膜の厚さは約２５ｎｍであってよい。代替的には、ポリシリコンから作成されたペリクルの厚さは約４０ｎｍであってよい。グラフェンペリクルの厚さは、例えば、約１０ｎｍであってよい。

[00072] ペリクルフレーム１７は、長方形の外形を有し、その中心に長方形の開口部を有する。ペリクル膜１６は、機械的に応力が加えられるようにペリクルフレーム１７に取り付けられる。図３Ｂは、線Ａ−Ａ’に沿ったペリクル１５の断面を示す。ペリクルフレーム１７は、ペリクル膜１６の幅にわたって延在せず、ペリクル膜１６がペリクルフレーム１７の長方形の開口部を越えて延在する場合にはペリクル膜１６は支持されていない状態になることが理解される。ペリクルフレーム１７は、ペリクル膜１６の厚さよりも実質的により大きい厚みを有する。ペリクルフレーム１７の厚さは、例えば、約２ｍｍであってよい。

[00073] 使用中、ペリクル１５はＥＵＶ放射で露光されるパターニングデバイスＭＡの側部に取り付けられ、ペリクル膜１６はパターニングデバイスＭＡの表面から離れて保持され、その距離はパターニングフレーム１７の厚さに対応する。

[00074] ペリクルフレーム１７は、ペリクルとパターニングデバイスにより囲まれたガスの体積と外部環境との間のガスの圧力の均等化を可能にするガスチャネルおよびフィルタ（図示されえず）をさらに備え得る。チャネルとフィルタを通るガスのサイズおよびあり得る流速は、ロード中またはアンロード中にペリクル膜が経験する差圧に影響することを理解されたい。

[00075] ペリクル１５は、特定の適用における使用のために選択される寸法を有する。例えば、ペリクル１５は、約１１０ｍｍ×１４５ｍｍのパターン付与された領域を有するレチクルを保護するように設計され得る。そのようなペリクル１５は、レチクルよりも大きかったペリクルフレーム１７であり、レチクルと少なくとも同じ大きさであって開口部を有するペリクルフレーム１７を有する。

[00076] 図４は、ペリクル１５が製造可能である応力付加アセンブリ２０を示す。応力付加アセンブリ２０は、第１領域２２および第２領域２３を有するチャンバ２１を備える。第１領域２２は、ガスインレット２４および第１リーク弁２５を有する。第２領域は、開口部２６を有する。サポート２７は、チャンバ２１の内側壁から突出し、第１領域２２と第２領域２３との間の開口部２８を画定する。開口部２８は、円形である。圧力モニタ２９は第１領域２２に接続され、それにより第１領域２２内の圧力を監視する。圧力モニタ２９は、任意の形態の圧力モニタであってよい。圧力モニタ２９は、約０．１Ｐａの精度で、第１領域内の圧力の測定を提供し得る。チャンバ２１内にはレーザ距離モニタ３０が設けられる。レーザ距離モニタ３０は、チャンバ２１内の距離の測定に使用可能であり、以下により詳細に説明される。

[00077] 図４に示される応力付加アセンブリ２０を用いてプレストレスト・ペリクルが製造可能なプロセスは、フローチャートである図５を参照して以下に説明される。ステップＳ１では、膜３１はフレーム３２に取り付けられる。フレーム３２は環状のフレームであり、膜３１は、膜３１の周辺の周りのフレーム３２に取り付けられた円形の膜である。膜３１は、ペリクルとしての使用に適した薄い膜である。膜３１は、例えば、ペリクル膜１６を参照して上述されるように、ポリシリコンから形成されるか、または多層構造であってよい。

[00078] ステップＳ２では、膜３１およびフレーム３２はチャンバ２１内にロードされる。チャンバ内では、フレーム３２は第１領域２２および第２領域２２との間の開口部２８においてサポート２７により支持される。膜３１およびフレーム３２は、開口部２８を完全に覆う。

[00079] ステップ３では、基板３３はチャンバ２１の第２領域２３内にロードされる。基板３３は、膜３１よりも厚く、機械的強度が大きい平坦な円形基板である。基板３３は、膜３１よりも機械的に剛性である。基板３３は、開口部２８と類似した大きさとなるように大きさが決められている。基板３３は、第２領域２３内の基板サポート３４により支持され、それにより平坦かつ開口部２８および膜３１と実質的に平行に保持される。基板サポート３４は、矢印Ｓにより示されるように、基板３３が支持される平面に対して垂直である方向の双方向に並進運動をすることができる。

[00080] ステップＳ４では、チャンバ２１内にガス流を供給するように、ガス供給部（図示されず）がガスインレット２４に接続される。ガスは、例えば窒素などの不活性ガスのような任意のガスであってよい。フレーム３２とサポート２７との間にシールが形成され、ガスが第１領域２２から第２領域２３に流れ出ることを防ぐ。ガスインレット２４内に流れるガスは、第１リーク弁２５から流れ出る。しかしながら、第１リーク弁２５はチャンバ２１の第１領域２２内からのガスの流れを制限し、第１領域２２内の圧力が大気圧に対して上昇することをもたらす。開口部２６は、チャンバ２１の外部の環境と第２領域２３との間にガスが流れることを可能にする。しかしながら、第１領域２２とは異なり、第２領域２３にガス流を供給するガスインレットは存在しない。そのため開口部２６は、これらの領域間で圧力の均一化を可能にする。これにより、第２領域２３内の圧力が外部環境と実質的に同じであることが確実となる（すなわち、大気圧）。一実施形態では、開口部２６を通過するガス流は、制限される（例えば、開口部にはリーク弁が設けられ得る）。

[00081] そのため、差圧ΔＰが第１領域２２および第２領域２３との間に確立され、差圧ΔＰはインレット２４に入るガス流を調節することにより制御される。つまり、流速は所定のレベルにおいて第１領域２２内の圧力を（圧力モニタ２９に監視された通りに）維持するように加速または減速し得る。

[00082] 第１領域２２と第２領域２３との間の差圧により、第１領域２２に面する側と第２領域２３に面する側との間の差圧ΔＰを膜３１が感じることとなる。差圧は、膜３１の中心部を第２領域２３に向かってたわませ、膜３１の周辺は膜３１がフレーム３２に取り付けられていることにより、たわむことが防がれる。膜３１の中心部のたわみにより、膜３１は引き伸ばされ応力がそこに加わることとなる。膜３１内におけるたわみおよび応力の範囲は、膜３１の種々の機械的特性（例えば、膜材料のヤング率ならびに膜の厚さおよび直径）および差圧ΔＰにより決定される。差圧ΔＰは、第１領域２２に接続される圧力モニタ２９により測定される。膜３１の中心部のたわみは、レーザ距離モニタ３０により測定される。

[00083] レーザ距離モニタ３０は、膜３１に方向づけられるレーザビームＬを放出するエミッタ（図示されず）を備える。レーザビームＬは膜３１により反射され、反射されたビームはディテクタ（図示されず）により検出され、ディテクタもまたレーザモニタ３０内に備えられる。レーザビームがエミッタから膜３１に移動しかつディテクタに戻るまでの時間が測定され、レーザ距離モニタ３０と膜３１との間の距離の正確な決定を行うことを可能にする。この測定は、定期的に実行されることができ（例えば、一秒間のうち数回）、それによりレーザ距離モニタ３０の位置と膜３１との間の距離の定期的な更新情報を提供することができ、距離の測定間の差は差圧ΔＰの影響下の膜３１のたわみの測定を提供する。

[00084] 測定されたたわみは、差圧ΔＰを制御するため（上述のように）に使用され、それにより所定の量で膜がたわむことを引き起こす。公知の材料特性を有する所定の膜に関しては、膜における差圧、たわみおよび応力の間には明確に定義された関係性が存在する。そのため、所定のたわみがもたらされた場合には、膜３１内には所定の応力分布が存在する。

[00085] ステップＳ５では、膜３１はチャンバの領域２２、２３間の差圧ΔＰにより引き伸ばされるが、基板３３は基板サポート３２の動作により第１領域２１に向かって移動する（そのため、たわんだ膜３１にも向かう）。

[00086] ステップＳ６では、基板３３は膜３１と接触する。膜３１と基板３３との第１の接触点は膜３１の中心部であり、そこは膜３１がもっともたわんだ部分である。最初の接触が達成されると、基板３３は第１領域２２に向かってさらに移動する。基板が第１領域２２にさらに向かうにつれ、膜と基板との間の接触面積が増加する。

[00087] 上述のように、膜３１と基板３３とが接触する前に、膜３１は加えられた差圧ΔＰにより引き伸ばされる。膜３１が基板３３と徐々に接触するにつれ、膜３１が応力が加えられない状態に弛緩しない限りは、膜３１はこの引き伸ばされた特性を保つ。ステップＳ６の最中に膜３１の後続の部分が基板３３と接触するにつれ、膜３１は平らな（すなわち、たわんでいない）配置に強制される。これは、基板３３の機械的剛性および基板を支持し移動する基板サポート３４に加えられた圧力のためである。しかしながら、膜３１は基板３３の表面に対して滑ることがあってはならず、それにより膜３１内の応力の一切の弛緩が防止される。膜３１の弛緩を防ぐため、膜３１は基板３３に接着剤により取り付けられる。接着剤は、ＥＵＶ耐性の接着剤であってよい。つまり、ＥＵＶ放射に露光された際に弱くならない接着剤が使用される。この接着剤は、基板３３が膜３１と接触する前に、基板３３の周辺にリング状に付与されることができる。たわんだ膜３１と基板３３との間の所定の接触面積がある場合には、膜３１への基板３３の移動は停止される。膜３１は、少なくともペリクルほどの大きさである基板３３の面積を覆うようになっている。例えば、膜３１と基板３３との間の接触面積は、最終ペリクルの面積よりも１０〜２０％大きくてよい。

[00088] ステップ７では、膜３１が所定の量で基板３３と接触すると、膜３１、フレーム３２および基板３３はチャンバ２１から取り除かれる。その後、フレーム３２は膜３１から取り除かれ、応力が加えられた膜３１が基板３３の表面に取り付けられたまま残る。基板３３は、膜３１およびフレーム３２よりも小さい。そのため、余剰な膜材料もまた基板３３の周辺を越えた先から取り除かれ、膜３１の一部が残され、膜３１の一部はペリクル膜１６になり基板３３の直径と同じまたはより小さい直径を有する。ステップＳ７での余剰な膜材料を取り除く処理は粒子を生成する可能性があり、粒子はペリクル膜１７の周辺の周りにおいてペリクル膜１７の表面上にとどまり得る。使用中にパターン付与された放射ビームＢに露光されるペリクル膜１７の領域に粒子が存在する場合は、粒子は放射ビームＢ上に影を及ぼし得る。そのためステップＳ６において記述される膜３１と基板３３との間の所定の接触面積は、処理中に粒子により汚染され得るペリクル１５の周辺の周りのペリクル膜１７の領域を提供するように選択されるが、それはペリクル１５の後続の使用を妨げるものではない。つまり、ペリクル１５は一定の量（例えば、１０〜２０％）で余計に大きいため、ステップＳ７で実行される処理のペリクル１５の性能への影響を低減させる目的で、膜のさらなる領域が可能となる。

[00089] 膜３１内では応力の分布があることを理解されたい。図６は、差圧ΔＰによりたわんだ場合における応力が付加された膜３１内の応力の例を示す。膜３１内の所望の応力分布を達成するために、差圧ΔＰを変えることができる。図６に示される応力分布をシミュレーションするために使用された膜は、厚さ２５．６ｎｍ、直径３０ｍｍでヤング率２８５Ｇｐａを有し、差圧はΔＰ１００Ｐａである、円形のＭｏ／ＺｒＳｉ多層膜である。膜の大きさは、応力分布に影響しないことを理解されたい。そのため、直径３０ｍｍの膜のシミュレーション結果は、任意の円形膜の応力分布を示すのに適切である。

[00090] 膜３１の中心部は、膜３１の周辺部よりも大きい応力にさらされる。膜３１の中心部の領域４０は、膜内において最も高い応力を有する。領域４８は、膜３１の周辺部にあり、領域４０と４８との間に連続的かつ半径方向に置かれた領域４１〜４７を通して応力が徐々に減少している（すなわち、領域４０は最も高い応力を有し、領域４１が２番目に高い応力を有すなどのように続き、領域４７が２番目に低い応力を有し、領域４８が最も低い応力を有する）。各領域４０〜４８における応力は、差圧ΔＰに従うものであり、特定の用途のために選択され得る。例えば、領域４０内におけるピーク応力は、数ＧＰａオーダーであってよい。

[00091] この応力分布が、図３に示されるようなペリクル１５などのペリクル膜に適用された場合には、膜の周縁に近い領域と比較した際には、応力分布（中心部において高く、周縁に向かうにつれ減少）の結果として、ペリクル膜１６の中心部はたわみに対するより大きな抵抗性を有し、また膜の中心部に皺が現れる可能性が一層低減した。そのため、膜のたわみおよび膜の皺の形成が最大限低減されることが確実となるように、一実施形態ではペリクル膜１６の形成には膜３１の中心部のみが使用される。より応力付加が低い膜３１の外側領域は、基板３３から取り除かれ得る。

[00092] ステップＳ８では、基板３３はリソグラフィでパターン付与されエッチングされる。パターン付与は、例えば、ＵＶリソグラフィにより実施され得る。エッチングは、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングであってよい。エッチング処理の間、円形基板３３の中心部はエッチング除去され、長方形の開口部が設けられる。基板３３の外側領域もエッチング除去され、長方形のフレームが残される。この長方形のフレームは、図３に示されるようにプレストレスト・ペリクル膜１６が取り付けられるペリクルフレーム１７を形成する。

[00093] ステップＳ６〜Ｓ８に記載されるプロセスおよびエッチング中に、膜３１の領域内の応力は、図６に示される加えられた差圧により作られた応力から変更されてよい。例えば、ペリクルフレーム１７が基板３３の中心領域をエッチングすることにより形成された場合には、基板３３の取り除かれた領域と接触していた膜３１は弛緩してよく、ペリクル膜１６内で結果として生じる応力分布を変更させる。例えば、製造中の膜内のピーク応力はＧＰａオーダーであり得る一方で、これはプレストレスト・ペリクルにおいては数１００ＭＰａオーダーのピークストレスに低減され得る。

[00094] ペリクルフレーム１７に近いペリクル膜１６の領域は、ペリクル膜１６の中心部における領域よりもペリクルフレーム１７によってよりよく支持されることが理解される。そのため、ペリクルフレーム１７に向かうペリクル膜の領域内の低い応力は、それらの領域における大きなたわみに繋がらない。さらには、ペリクル膜１６の角部領域は最も低い応力を経験するが、２つの側面からペリクルフレーム１７により支持されていることからペリクルフレーム１７により最も支持されている。そのため、ペリクル膜１６の角部領域における低い応力は、それらの領域における大きなたわみに繋がらない。

[00095] 不均一な応力分布が上述されており、図６にも示されているが、いくつかの実施形態では均一な応力分布も使用され得ることを理解されたい。

[00096] いくつかの実施形態では、音響トランスデューサ距離モニタなどの、上述のレーザ距離モニタの代替的な距離測定デバイスが使用され得ることを理解されたい。

[00097] いくつかの実施形態では、第１領域２２と第２領域２３との間の差圧ΔＰは、複数の異なる方法で制御可能である。例えば、インレット２４内へのガス流を調節することで、第１領域２２内の圧力を所定のレベルで維持するように第１リーク弁２５から漏れるガスの速度が調節可能となる。

[00098] 代替的には、いくつかの実施形態では、所定の差圧は膜３１の所定のたわみを引き起こすことが知られ得る。そのため、距離測定は除外されてよく、所望の圧力（従って膜内のたわみおよび応力）が確実に達成されるように圧力測定が使用される。

[00099] 膜３１は、任意の都合のよい方法でフレーム３２上に装着されてよい。代替的には、膜３１は、例えば固定部材とサポート２７との間で膜３１の周縁エッジを固定しながらサポート２７に向かって移動するように動作可能な環状固定部材により、サポート２７に固定される。

[000100] 基板サポート３４による基板３３の移動の範囲は、特定の膜３１に依存し得る。いくつかの実施形態では、直径約２００ｍｍの膜を使用して、基板３３をたわんだ膜３１と接触させるために、例えば１〜５ｍｍ移動し得る。最初は、膜３１が基板３３に妨げられず差圧ΔＰの影響下でたわむことができるように、基板３３は膜３１から十分に離れているべきである。

[000101] ペリクル膜の応力を加えるように、ペリクル膜の片面に上昇した圧力を生成するためにチャンバを備える応力付加アセンブリが上述の実施形態では使用されることが理解されるが、ペリクル膜はその他の方法で応力が加えられる得ることが理解される。例えば、いくつかの実施形態では、ペリクル膜の片面を大気圧よりも低い圧力にさらすことにより生成された差圧を使用することによりペリクル膜に応力を加えることができ、それにより上昇した応力から離れてたわむこととは反対に、減少した圧力に向かって膜がたわむ。

[000102] 記述される実施形態では、基板は応力が加えられた膜に向かって移動することがさらに理解される一方で、いくつかの実施形態では、応力が加えられた膜は逆に固定された基板に向かって移動し得る。代替的には、応力が付加された膜および基板の両方が、接触するように互いに向かって移動することができる。

[000103] 長方形のペリクルが上述されているが、いくつかの実施形態では、ペリクルはその他の形であってよいことが理解される。ペリクルは、例えば、四角または円形であってよい。さらには、ペリクル膜３１および基板３３は、円形以外の形であってよい。異なるペリクル、ペリクル膜および基板の形状を受け入れるための調節は、図４に示される装置に対して行われることができる。例えば、開口部２８は任意の形態のペリクル膜を受け入れるように成形されてよい。

[000104] 一実施形態では、本発明によるペリクルは、マスク検査装置の一部を形成し得る。ペリクルは、検査中のマスクに粒子が接触することを防ぎ得る。マスク検査装置は、マスクの照射にＥＵＶ放射を使用することができ、マスクから反射した放射の監視にイメージングセンサを使用することができる。イメージングセンサにより受信されたイメージは、マスク内の欠陥の有無を決定するために使用される。マスク検査装置は、ＥＵＶ放射源からＥＵＶ放射を受け、ＥＵＶ放射をマスクに誘導される放射ビームに形成するように構成された光学系（例えば、ミラー）を含むことができる。マスク検査装置は、マスクから反射するＵＶ放射を集光し、イメージングセンサにおいてマスクのイメージを形成する光学系（例えば、ミラー）をさらに含むことができる。マスク検査装置は、イメージングセンサにおけるマスクのイメージを分析するように構成されたプロセッサを含むことができ、その分析からマスク上に一切の欠陥の有無を決定することができる。プロセッサは、検出されたマスクの欠陥が、マスクがリソグラフィ装置により使用された場合において、基板上に投影されるイメージに容認できない欠陥をもたらすかどうか決定するようにさらに構成され得る。

[000105] 一実施形態では、本明細書によるペリクルはメトロロジ装置の一部を形成し得る。メトロロジ装置は、基板上に既に存在するパターンと相対的な基板上のレジスト内に形成される投影されたパターンのアライメントの測定に使用され得る。相対的なアライメントの測定は、オーバーレイと称され得る。メトロロジ装置は、例えば、リソグラフィ装置のすぐ隣に位置決めされてよく、基板（およびレジスト）が処理される前にオーバーレイを測定するために使用され得る。

[000106] 一実施形態では、ケーシングは、ペリクルフレームとペリクルフレーム内の本明細書によるペリクルを備え得る。ケーシングは、ペリクルおよびペリクルサポートをほこりから保護し得る。ケーシングには通気孔が設けられてよい。代替的には、ケーシングにはパターニングデバイス、ペリクルフレームおよび本明細書によるペリクルが設けられてよい。

[000107] 本明細書では、リソグラフィ装置の文脈で、本明細書の実施形態に関して言及がなされ得るが、本明細書の実施形態はその他の装置においても使用可能である。本明細書の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、またはウェハ（またはその他の基板）またはマスク（またはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定または処理する任意の装置の一部を形成し得る。これらの装置は、一般的にはリソグラフィツールと称される。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または周囲（非真空）条件を使用し得る。

[000108] 「ＥＵＶ放射」という用語は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると考えられることができる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有し得る。

[000109] 図１に示される放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマＬＰＰ源と上述されているが、ＥＵＶ放射の生成には任意の適切な放射源が使用可能である。例えば、ＥＵＶ放射プラズマは、燃料（例えば、スズ）をプラズマ状態に変換するために放電を使用して生成され得る。この種類の放射源は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と称され得る。放電は、放射源の一部を形成し得る電源、あるいは放射源ＳＯに電気的接続を介して接続される独立した物体であり得る電源から生成されてよい。

[000110] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることが理解されるべきである。あり得るその他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造を含む。

[000111] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求及び下記項の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
１．膜に応力を加えるための応力付加アセンブリと、
基板を支持するための基板サポートと、を備え、
前記応力付加アセンブリと前記基板サポートは、前記膜に応力が加えられた際に前記基板が前記膜と接触するように、相互移動することができる、ペリクルを製造するための装置。
２．前記応力付加アセンブリは、前記ペリクル膜の第１面を第１圧力にさらし、前記ペリクル膜の第２面を前記第１圧力とは異なる第２圧力にさらすように配置される、前記項１に記載の装置。
３．前記第１圧力は、大気圧より上である、前記項２に記載の装置。
４．前記第２圧力は、大気圧と実質的に等しい、前記項２または３に記載の装置。
５． 前記第１圧力と前記第２圧力との間の圧力の差を監視する圧力モニタをさらに備える、前記項２〜４のいずれか１項に記載の装置。
６．前記ペリクル膜内の前記応力を示す前記ペリクル膜の性質を監視する応力モニタをさらに備える、前記項１〜５のいずれかに記載の装置。
７．前記応力モニタはたわみモニタである、前記項６に記載の装置。
８．前記応力付加アセンブリは、前記第１圧力に維持されるように配置された第１領域と前記第２圧力に維持されるように配置された第２領域とを備えるチャンバを備える、前記項２〜７のいずれか１項に記載の装置。
９．前記第１領域は、ガスインレットを備える、前記項８に記載の装置。
１０．前記第１領域は、リーク弁を備える、前記項８または９に記載の装置。
１１．前記チャンバは、前記第１領域と前記第２領域との間の前記チャンバの内側表面の周りに置かれた膜サポートをさらに備える、前記項８〜１０のいずれか１項に記載の装置。
１２．前記膜サポートは、前記第１領域と前記第２領域との間の円形開口部を画定する、前記項１１に記載の装置。
１３．前記基板サポートは、前記円形開口部と平行および同軸に配置された平坦な円形表面を備える、前記項１２に記載の装置。
１４．ペリクル膜およびペリクルフレームを備えるペリクルであって、前記ペリクル膜は引張応力下で前記ペリクルフレーム上に装着されるペリクル。
１５．前記ペリクルは、ポリシリコン、グラフェン、多層のＮｂ／Ｍｏ／Ｓｉ、カーボン・ナノチューブの層、およびこれらの材料の２つ以上から形成される多層から選択される材料を備える、前記項１４に記載のペリクル。
１６．前記ペリクルは、キャッピング層を頂部またはサンドイッチ様に備える、前記項１５に記載のペリクル。
１７．前記引張応力は、前記ペリクル膜内の皺を防ぐのに十分である、前記項１４に記載のペリクル。
１８．前記引張応力は、少なくとも所定の引張応力である、前記項１４〜１７のいずれかに記載のペリクル。
１９．前記所定の引張応力は、
前記ペリクル膜の形状と、
使用中の前記ペリクル膜の一部による最大の許可されたたわみと、
使用中の前記ペリクル膜が遭遇すると期待される最大差圧と、
前記ペリクル膜のヤング率と、のうちの少なくとも１つに基づく、前記項１８に記載のペリクル。
２０．使用中の前記ペリクル膜の一部による前記最大の許可されたたわみは０．５ミリメートルである、前記項１９に記載のペリクル。
２１．前記ペリクルが遭遇すると期待される前記最大差圧は２Ｐａである、前記項１９または２０に記載のペリクル。
２２．前記ペリクル膜は長方形である、前記項１９〜２１のいずれか１項に記載のペリクル。
２３．前記ペリクル膜内の最大の前記引張応力は、１５０ＭＰａよりも大きい、前記項１４〜２２のいずれか１項に記載のペリクル。
２４．前記ペリクル膜内には引張応力の不均一な分布がある、前記項１４〜２３のいずれか１項に記載のペリクル。
２５．前記引張応力は、前記ペリクル膜の中心部において最大である、前記項２４に記載のペリクル。
２６．前記項１４〜２５のいずれか１項に記載のペリクルを備えるリソグラフィツール。
２７．パターン付与された放射ビームを形成するために断面にパターンが付与された放射ビームを与えることができるパターニングデバイスと、
粒子が前記パターニングデバイスと接触することを防ぐために前記パターニングデバイスに隣接して配置される、前記項１４〜２３のいずれか１項に記載のペリクルと、を備えるパターニングデバイスアセンブリ。
２８．膜を設けることと、
前記膜に機械的な応力を加えることと、
基板を設けることと、
前記基板が前記応力が加えられた膜と接触するように、前記ペリクル膜に応力が加えられた場合には前記基板と前記膜を互いに向けて移動することと、
前記応力が加えられた膜を前記基板に取り付けることと、
応力が加えられた構成において前記膜を支持するフレームを形成するように前記基板にパターンを付与することと、を含むペリクルの製造方法。
２９．前記膜は、前記ペリクル膜にわたり差圧を適用することにより機械的に応力が加えられる、前記項２８に記載の方法。
３０．前記差圧を適用することは、前記ペリクル膜の第１面を大気圧よりも大きい圧力にさらすことを含む、前記項２９に記載の方法。
３１．前記項２８〜３０のいずれか一項に記載の方法を実施することと、
パターニングデバイスを設けることと、
前記パターニングデバイスに前記ペリクルを取り付けることと、を含むパターニングデバイスアセンブリの製造方法。
３２．基板上にパターン付与された放射ビームを投影することを含む方法であって、前記項１４〜２５のいずれか１項に記載のペリクルは、前記放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスに隣接する前記放射ビームの経路に設けられる、方法。
３３．前記項１〜１３のいずれか１項に記載の前記装置を使用して製造されたペリクル。
３４．ペリクルフレームと前記項１４〜２５および３１のいずれかに記載の前記ペリクルが設けられたケーシング。
３５．パターニングデバイス、ペリクルフレームおよび前記項１４〜２５および３１のいずれかに記載の前記ペリクルが設けられたケーシング。

Claims (4)

1. ペリクル膜に引張応力を加えるための応力付加アセンブリと、
   基板を支持するための基板サポートと、を備え、
   前記応力付加アセンブリと前記基板サポートは、前記ペリクル膜に前記引張応力が加えられた際に前記基板が前記ペリクル膜と接触するように、相互移動することができ、
   前記応力付加アセンブリは、前記ペリクル膜の第１面を第１圧力にさらし、前記ペリクル膜の第２面を前記第１圧力とは異なる第２圧力にさらすように配置され、
   前記第１圧力と前記第２圧力との間の圧力の差を監視する圧力モニタをさらに備える、
   ペリクルを製造するための装置。
2. ペリクル膜に引張応力を加えるための応力付加アセンブリと、
   基板を支持するための基板サポートと、を備え、
   前記応力付加アセンブリと前記基板サポートは、前記ペリクル膜に前記引張応力が加えられた際に前記基板が前記ペリクル膜と接触するように、相互移動することができ、
   前記ペリクル膜内の前記引張応力を示す前記ペリクル膜の性質を監視する応力モニタをさらに備える、
   ペリクルを製造するための装置。
3. ペリクル膜に引張応力を加えるための応力付加アセンブリと、
   基板を支持するための基板サポートと、を備え、
   前記応力付加アセンブリと前記基板サポートは、前記ペリクル膜に前記引張応力が加えられた際に前記基板が前記ペリクル膜と接触するように、相互移動することができ、
   前記応力付加アセンブリは、前記ペリクル膜の第１面を第１圧力にさらし、前記ペリクル膜の第２面を前記第１圧力とは異なる第２圧力にさらすように配置され、
   前記応力付加アセンブリは、前記第１圧力に維持されるように配置された第１領域と前記第２圧力に維持されるように配置された第２領域とを備えるチャンバを備える、
   ペリクルを製造するための装置。
4. 前記チャンバは、前記第１領域と前記第２領域との間の前記チャンバの内側表面の周りに置かれたペリクル膜サポートをさらに備える、請求項３に記載の装置。
   

Images