JP6467862B2 - Method for correcting mask for nanoimprint lithography and method for manufacturing mask for nanoimprint lithography - Google Patents
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Description
本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの欠陥修正に関する。 The present invention relates to defect correction of a mask for nanoimprint lithography.
ナノインプリントリソグラフィは、表面に予め所望のパターンを有するナノインプリントリソグラフィ用マスクを、被転写体の硬化性樹脂と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写体の表面にパターンを転写する方法である。ナノインプリントリソグラフィは、単純な方法によってパターンを形成することができ、近年、数十ｎｍ〜数ｎｍの超微細なパターンを転写することが可能であることが示されている。そのため、ナノインプリントリソグラフィは、次世代リソグラフィ技術の候補として期待されている。 In nanoimprint lithography, a nanoimprint lithography mask having a desired pattern on the surface is brought into close contact with the curable resin of the transferred object, and external stimuli such as heat and light are applied to transfer the pattern to the surface of the transferred object. It is a method to do. Nanoimprint lithography can form a pattern by a simple method, and has recently been shown to be capable of transferring ultrafine patterns of several tens to several nanometers. Therefore, nanoimprint lithography is expected as a candidate for next-generation lithography technology.
ナノインプリントリソグラフィの中でも、光ナノインプリントリソグラフィは、熱ナノインプリントリソグラフィに比べて、スループットが高い、温度による寸法変化が生じない、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの位置合わせが容易である等の利点を有する。そのため、近年、光ナノインプリントリソグラフィ用マスクの開発が進められている。なお、以下、ナノインプリントリソグラフィ用マスクをＮＩＬ用マスクと称する場合がある。 Among nanoimprint lithography, optical nanoimprint lithography has advantages such as high throughput, no dimensional change due to temperature, and easy alignment of a nanoimprint lithography mask, as compared with thermal nanoimprint lithography. Therefore, in recent years, development of a mask for optical nanoimprint lithography has been promoted. Hereinafter, the nanoimprint lithography mask may be referred to as an NIL mask.
ＮＩＬ用マスクの欠陥には、従来のフォトマスクと同様に、不要な余剰パターンや異物がある。不要な余剰パターンや異物が欠陥として存在している場合には、余剰部分や異物を除去することにより正常なパターンを得ることができる。不要な余剰パターンや異物の欠陥の修正方法としては、アシストガスを供給しながら電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを照射してエッチングする方法が知られている（例えば特許文献１参照）。 The defects in the NIL mask include unnecessary surplus patterns and foreign matters, as in the conventional photomask. When an unnecessary surplus pattern or foreign matter exists as a defect, a normal pattern can be obtained by removing the surplus portion or the foreign matter. As a method for correcting an unnecessary surplus pattern and a defect of foreign matter, a method of etching by irradiating a charged beam such as an electron beam or an ion beam while supplying an assist gas is known (for example, see Patent Document 1).
このような欠陥の修正の際には、正常なパターンまでエッチングするのを防止するため、荷電ビームの照射領域は不要な余剰パターンや異物が存在する領域に限定される。しかしながら、荷電ビームはある程度の広がりを持つため、不要な余剰パターンや異物だけでなくそれらの周辺の正常なパターンもエッチングされたりするおそれがある。このため、不要な余剰パターンや異物の欠陥を、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法によって修正するときには、パターンの寸法や形状が変化するおそれがある。 When such a defect is corrected, the charged beam irradiation area is limited to an area where an unnecessary surplus pattern or foreign matter exists in order to prevent a normal pattern from being etched. However, since the charged beam has a certain extent, there is a risk that not only unnecessary surplus patterns and foreign substances but also normal patterns around them may be etched. For this reason, when correcting an unnecessary surplus pattern or a defect of a foreign substance by a conventional method in which a charged beam is irradiated and etching is performed while supplying an assist gas, the dimension and shape of the pattern may change.
一方、ＮＩＬ用マスクでは、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンを被転写体に押し付けて転写するため、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの寸法や形状が変化すると、被転写体にそのまま転写されてしまい、不良パターンが形成されてしまう。また、フォトマスクを用いた縮小露光では、通常、４倍体のパターンを１／４に縮小露光するため、わずかなエッチングや修正膜の堆積であれば被転写体には解像せず転写されないのに対し、ＮＩＬ用マスクでは、１倍体のパターンを原寸で転写するため、わずかなエッチングや修正膜の堆積といえども被転写体に転写されてしまう。このため、ＮＩＬ用マスクでは、他のマスクと比較して、パターンの寸法や形状の変化が転写特性に大きく影響し易いといった固有の問題がある。 On the other hand, in the NIL mask, the concavo-convex pattern in the NIL mask is pressed and transferred to the transfer target. Therefore, if the size or shape of the concavo-convex pattern in the NIL mask changes, it is transferred as it is to the transfer target, resulting in a defective pattern. Will be formed. In reduced exposure using a photomask, since a tetraploid pattern is usually reduced to 1/4, a slight etching or correction film deposition does not resolve and transfer to a transfer target. On the other hand, in the NIL mask, since the haploid pattern is transferred in full size, even a slight etching or deposition of a correction film is transferred to the transfer target. For this reason, the NIL mask has an inherent problem that a change in pattern size and shape easily affects the transfer characteristics as compared with other masks.
このような問題から、ＮＩＬ用マスクでは他のマスクと比較して高い精度が要求される。そして、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンが微細なパターンである場合には、さらに高い精度が要求される。しかしながら、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンが微細なパターンである場合には、上述の通り、不要な余剰パターンや異物の欠陥を従来の方法によって修正するときに、パターンの寸法や形状が変化することによる影響が顕著となる。このため、ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンが微細なパターンである場合には、不要な余剰パターンや異物の欠陥を修正した後のＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの断面の形状が、凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られないという問題があった。 Due to such problems, the NIL mask is required to have higher accuracy than other masks. Further, when the concavo-convex pattern in the NIL mask is a fine pattern, higher accuracy is required. However, when the concavo-convex pattern in the NIL mask is a fine pattern, as described above, when an unnecessary surplus pattern or a defect of foreign matter is corrected by a conventional method, the size and shape of the pattern change. The effect becomes significant. For this reason, when the concavo-convex pattern in the NIL mask is a fine pattern, the shape of the cross-section of the concavo-convex pattern in the NIL mask after correcting an unnecessary surplus pattern or a defect of foreign matter is the original cross-section of the concavo-convex pattern. There was a problem that the required accuracy could not be obtained without accurately matching the shape.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、不要な余剰パターンや異物の欠陥を修正した後のＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの断面の形状を、凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができるＮＩＬ用マスクの修正方法およびＮＩＬ用マスクの製造方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and the shape of the cross-section of the concavo-convex pattern in the NIL mask after correcting the unnecessary surplus pattern and the defect of the foreign matter is changed to the original cross-sectional shape of the concavo-convex pattern. The main object is to provide a method for correcting a mask for NIL and a method for manufacturing a mask for NIL, which can obtain the required accuracy by matching with high accuracy.
上記課題を解決するために、本発明は、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides a nanoimprint lithography mask with a hard mask layer in which a concavo-convex pattern is formed on a main surface of a substrate and a hard mask layer is formed on a convex portion of the concavo-convex pattern on the substrate. A method for repairing a mask for nanoimprint lithography to be repaired, comprising: a protective film forming step for forming a protective film on the entire surface of the nanoimprint lithography mask with a hard mask layer; and the protection of a defective region in which a defect portion exists in the substrate An opening forming step for partially removing the film and the hard mask layer to expose the defect, and a defect that etches the defect exposed from the opening by anisotropic dry etching A correction process, and a protective film for removing the remaining protective film and the hard mask layer. It provides a method of correcting nanoimprint lithography mask and having a film removing step.
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。また、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いるので、欠陥部を修正した後に残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去することができる。 According to the present invention, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, the cross-sectional shape of the concavo-convex pattern on the substrate after correcting the defect portion is changed to the original cross-section of the concavo-convex pattern. Necessary accuracy can be obtained by matching the shape with high accuracy. Further, since the NIL mask with the hard mask layer attached is used, the protective film and the hard mask layer remaining after the defect portion is corrected can be removed together.
また、本発明は、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法を提供する。 The present invention also relates to a nanoimprint lithography mask correction method for correcting a nanoimprint lithography mask having a concavo-convex pattern formed on a main surface of a substrate, wherein the protective film is formed on the entire surface of the nanoimprint lithography mask. A film forming step, an opening forming step of partially removing the protective film in a defective region where a defective portion is present in the substrate, and forming an opening exposing the defective portion; and the exposure exposed from the opening There is provided a method for correcting a mask for nanoimprint lithography, comprising a defect repairing step for etching a defective portion by anisotropic dry etching and a protective film removing step for removing the remaining protective film.
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。 According to the present invention, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, the cross-sectional shape of the concavo-convex pattern on the substrate after correcting the defect portion is changed to the original cross-section of the concavo-convex pattern. Necessary accuracy can be obtained by matching the shape with high accuracy.
また、本発明は、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法を提供する。 Further, the present invention provides a nanoimprint with a hard mask layer in which a concavo-convex pattern is formed on a main surface of a substrate by the method for correcting a mask for nanoimprint lithography, and a hard mask layer is formed on a convex portion of the concavo-convex pattern on the substrate. There is provided a method for manufacturing a mask for nanoimprint lithography, comprising a correction step of correcting a lithography mask.
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。また、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いるので、欠陥部を修正した後に残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去することができる。 According to the present invention, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, the cross-sectional shape of the concavo-convex pattern on the substrate after correcting the defect portion is changed to the original cross-section of the concavo-convex pattern. Necessary accuracy can be obtained by matching the shape with high accuracy. Further, since the NIL mask with the hard mask layer attached is used, the protective film and the hard mask layer remaining after the defect portion is corrected can be removed together.
また、本発明は、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法を提供する。 In addition, the present invention includes a correction process for correcting a nanoimprint lithography mask having a concavo-convex pattern formed on the main surface of the substrate by the nanoimprint lithography mask correction method described above. I will provide a.
本発明によれば、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。 According to the present invention, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, the cross-sectional shape of the concavo-convex pattern on the substrate after correcting the defect portion is changed to the original cross-section of the concavo-convex pattern. Necessary accuracy can be obtained by matching the shape with high accuracy.
本発明においては、不要な余剰パターンや異物の欠陥を修正した後のＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンの断面の形状を、凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができるという効果を奏する。 In the present invention, the necessary accuracy can be improved by matching the shape of the cross-section of the concavo-convex pattern in the NIL mask after correcting the unnecessary surplus pattern and the defect of the foreign matter with the shape of the original cross-section of the concavo-convex pattern with high accuracy. There is an effect that it can be obtained.
以下、本発明のＮＩＬ用マスクの修正方法およびＮＩＬ用マスクの製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the NIL mask correcting method and the NIL mask manufacturing method of the present invention will be described in detail.
Ａ．ＮＩＬ用マスクの修正方法
本発明のＮＩＬ用マスクの修正方法は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のＮＩＬ用マスクの修正方法について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。
A. NIL Mask Correction Method The NIL mask correction method of the present invention can be roughly divided into two embodiments. Hereinafter, the NIL mask correction method of the present invention will be described by dividing it into a first embodiment and a second embodiment.
Ａ−１．第一実施態様
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とする。
A-1. First Embodiment A method for correcting an NIL mask according to a first embodiment includes a hard mask layer in which a concavo-convex pattern is formed on a main surface of a substrate and a hard mask layer is formed on a convex portion of the concavo-convex pattern on the substrate. A method for correcting a nanoimprint lithography mask for correcting a nanoimprint lithography mask, wherein a protective film is formed on the entire surface of the nanoimprint lithography mask with a hard mask layer, and a defect exists in the substrate. The protective film and the hard mask layer in the defective region are partially removed to form an opening for exposing the defective portion, and the defective portion exposed from the opening is anisotropically etched. Defect repairing step for etching, remaining protective film and hard mask And a protective film removing step for removing the layer.
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について図面を参照しながら説明する。図１は、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によって、欠陥部が修正されるハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを示す平面図である。また、図２は第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示すフローチャートであり、図３（ａ）〜図３（ｆ）および図４（ａ）〜図４（ｃ）は第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。なお、以下、ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクをハードマスク層付きＮＩＬ用マスクと称する場合がある。 A method of correcting the NIL mask according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a nanoimprint lithography mask with a hard mask layer in which a defect portion is corrected by the NIL mask correction method of the first embodiment. FIG. 2 is a flowchart showing an example of the NIL mask correction method according to the first embodiment. FIGS. 3A to 3F and FIGS. 4A to 4C are the first ones. It is a schematic process sectional drawing which shows an example of the correction method of the mask for NIL of embodiment. Hereinafter, the nanoimprint lithography mask with a hard mask layer may be referred to as an NIL mask with a hard mask layer.
まず、図２に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程Ｓ１を行う。具体的には、図３（ａ）に示すように、図１に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを光検査により抽出する。図３（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図であり、図１および図３（ａ）に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａは、基板２および基板２上に形成されたハードマスク層３を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
First, as shown in FIG. 2, an inspection step S1 is performed to perform optical inspection of a defective portion with respect to the NIL mask with a hard mask layer and extract a NIL mask with a hard mask layer in which a defective portion that needs to be corrected exists. Do. Specifically, as shown in FIG. 3A, the NIL mask with
そして、基板２は、合成石英ガラスから構成される光透過性基板であり、ハードマスク層３は、Ｃｒを含む材料から構成される。基板２の主面に、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが形成されている。凹凸パターンの凸部上にハードマスク層３が形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。なお、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａに対して欠陥部１０の光検査を行う際には、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存しておく。
The
次に、図２に示すように、保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２を行う。具体的には、スパッタ装置を用いて、図３（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａ上において全面に保護膜４を形成する。本例の場合、保護膜４は、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおける凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂに形成される。保護膜４は、凹凸パターンの凸部の上面１ｔにおいてはハードマスク層３上に形成され、凹部の底面１ｂにおいては基板２上に形成される。また、本例の場合、保護膜４は、Ｃｒを含む材料から構成される。
Next, as shown in FIG. 2, a protective film forming step S2 for forming a protective film is performed. Specifically, as shown in FIG. 3B, the
次に、図２に示すように、欠陥部を観察する欠陥部観察工程Ｓ３を行う。具体的には、後述の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図３（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定する。
Next, as shown in FIG. 2, a defect observation step S3 for observing the defect is performed. Specifically, in the charged beam correction apparatus used in the opening forming step S4 described later, as shown in FIG. 3C, the observation region A2 including the defect region A1 in which the
次に、図２に示すように、欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程Ｓ４を行う。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｄ）および図３（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３に対して、保護膜用アシストガス１３を供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４およびハードマスク層３を部分的にエッチングする。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成する。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気する。なお、本発明においては、便宜上、保護膜をエッチングする際に使用されるアシストガスを保護膜用アシストガスと称する場合がある。
Next, as shown in FIG. 2, an opening forming step S <b> 4 for forming an opening that exposes the defective portion is performed. Specifically, in the charged beam correction apparatus, as shown in FIGS. 3D and 3E, the
次に、図２に示すように、開口部を観察する開口部観察工程Ｓ５を行う。具体的には、上記の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図３（ｆ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたか否かを確認する。そして、開口部観察工程Ｓ５において、開口部１２を精度良く形成することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記の開口部形成工程Ｓ４および開口部観察工程Ｓ５を繰り返し実施する。
Next, as shown in FIG. 2, an opening observation step S5 for observing the opening is performed. Specifically, in the charged beam correction apparatus used in the opening forming step S4, as shown in FIG. 3F, the observation region A3 including the defect region A1 in the NIL mask with
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図２に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５は、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行われる。
Further, since there are a plurality of
次に、図２に示すように、欠陥部を修正する欠陥部修正工程Ｓ６を行う。具体的には、異方性ドライエッチング装置内で、図４（ａ）に示すように、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を異方性ドライエッチングによりエッチングする。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正する。
Next, as shown in FIG. 2, a defective portion correcting step S6 for correcting the defective portion is performed. Specifically, in the anisotropic dry etching apparatus, as shown in FIG. 4A, a fluorine-based gas is used as an etching gas, and a plurality of
次に、図２に示すように、修正後の欠陥部を観察する修正確認工程Ｓ７を行う。具体的には、図４（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察する。これにより、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを平面視して正確な領域が修正されたか否かを確認する。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測する。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっているか否かを確認する。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたか否かを確認する。そして、修正確認工程Ｓ７において、欠陥部１０を精度良く修正することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記の欠陥部修正工程Ｓ６および修正確認工程Ｓ７を繰り返し実施する。
Next, as shown in FIG. 2, a correction confirmation step S7 for observing the defect after correction is performed. Specifically, as shown in FIG. 4B, a plurality of observation regions A4 each including a plurality of defect regions A1 in the
次に、図２に示すように、残存する保護膜およびハードマスク層を除去する保護膜除去工程Ｓ８を行う。具体的には、図４（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４およびハードマスク層３を一緒に除去する。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造する。
Next, as shown in FIG. 2, a protective film removal step S8 for removing the remaining protective film and hard mask layer is performed. Specifically, as shown in FIG. 4C, the remaining
第一実施態様によれば、図４（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。 According to the first embodiment, as shown in FIG. 4A, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, the cross section of the concavo-convex pattern in the substrate after the defect portion is corrected. The required accuracy can be obtained by accurately matching the shape of the shape with the shape of the original cross section of the concavo-convex pattern.
また、第一実施態様によれば、図４（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部が複数個存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクにおいて、上記複数個の欠陥部を一括して修正することができる。これにより、効率良く欠陥部を修正することができる。例えば、多数の欠陥部を異方性ドライエッチングにより一回エッチングすることにより修正することができる。 In addition, according to the first embodiment, as shown in FIG. 4A, the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, so that a hard mask layer having a plurality of the defect portions is provided. In the NIL mask, the plurality of defective portions can be corrected together. Thereby, a defective part can be corrected efficiently. For example, a large number of defect portions can be corrected by etching once by anisotropic dry etching.
また、第一実施態様によれば、図４（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正する時に、上記欠陥領域に隣接する領域において上記保護膜の下側の上記基板がエッチングされることを回避することができる。すなわち、上記基板のアンダーカットが生じることを回避することができる。これにより、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンが転写された被転写体に不良パターンが形成されることを回避することができる。 Further, according to the first embodiment, as shown in FIG. 4A, the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching. Therefore, when the defect portion is corrected, the defect region is It can be avoided that the substrate under the protective film is etched in the adjacent region. That is, the occurrence of undercutting of the substrate can be avoided. Thereby, it is possible to avoid the formation of a defective pattern on the transfer body onto which the concave / convex pattern on the substrate after correcting the defective portion is transferred.
また、第一実施態様においては、図３（ａ）に示すように、欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクとして、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いるので、図４（ｃ）に示すように、欠陥部を修正した後に残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去することができる。このため、ＮＩＬ用マスクを製造する工程を短縮することができる。 Further, in the first embodiment, as shown in FIG. 3A, the NIL mask with the hard mask layer attached is used as the NIL mask in which the defect exists, so that FIG. As shown, the protective film and the hard mask layer remaining after the defect is corrected can be removed together. For this reason, the process of manufacturing the NIL mask can be shortened.
また、第一実施態様においては、図３（ａ）に示すように、欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクとして、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクを用いる。このため、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行うことができるので、ＮＩＬ用マスクから反射する反射光として、上記ハードマスク層から反射する反射光を用いた光検査を行うことができる。したがって、ハードマスク層が既に除去されたＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行う場合と比較して、反射光量が多くなるので、ＮＩＬ用マスクから反射する反射光を用いた光検査をより高い感度で行うことができる。 In the first embodiment, as shown in FIG. 3A, an NIL mask with a hard mask layer attached is used as an NIL mask in which a defect exists. For this reason, since the optical inspection of the defective portion can be performed on the NIL mask with the hard mask layer still attached, the reflected light reflected from the hard mask layer is used as the reflected light reflected from the NIL mask. Can perform the optical inspection. Therefore, the amount of reflected light increases compared to the case where the optical inspection of the defective portion is performed on the NIL mask from which the hard mask layer has already been removed. It can be performed with higher sensitivity.
また、第一実施態様においては、図３（ｂ）および図４（ａ）に示すように、ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスク上において上記保護膜を形成して、上記保護膜および上記ハードマスク層に形成された開口部から露出する上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正する。このため、上記凹凸パターンの凸部上においては、上記保護膜にピンホールがあったとしても、上記ハードマスク層の存在により、当該ピンホールから露出する上記基板がエッチングされることは回避される。一方、上記凹凸パターンの凹部上においては、上記保護膜にピンホールがあることにより、上記基板がさらに異方性ドライエッチングによりエッチングされて、不良パターンが形成されたとしても、不良パターンのサイズがハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）のサイズ以下であれば、インプリントでは問題にならないと予想されるので、小さいピンホールは許容されることになる。したがって、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンが転写された被転写体に不良パターンが形成されることを回避することができる。 In the first embodiment, as shown in FIGS. 3B and 4A, the protective film is formed on the NIL mask with the hard mask layer attached, and the protective film and The defect exposed from the opening formed in the hard mask layer is corrected by etching by anisotropic dry etching. For this reason, even if there is a pinhole in the protective film on the convex part of the concave / convex pattern, it is avoided that the substrate exposed from the pinhole is etched due to the presence of the hard mask layer. . On the other hand, on the concave portion of the concavo-convex pattern, since the protective film has pinholes, the size of the defective pattern is reduced even if the substrate is further etched by anisotropic dry etching to form a defective pattern. If the size is equal to or smaller than the half pitch (hp) (width of the convex portion and the concave portion), it is expected that there will be no problem in imprinting, so a small pinhole is allowed. Therefore, it is possible to avoid the formation of a defective pattern on the transfer body onto which the concave / convex pattern on the substrate after the defect portion has been corrected is transferred.
以下、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について、工程ごとに説明する。 Hereinafter, the method for correcting the NIL mask according to the first embodiment will be described step by step.
１．保護膜形成工程
第一実施態様における保護膜形成工程は、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。
1. Protective film forming step The protective film forming step in the first embodiment is a step of forming a protective film on the entire surface of the NIL mask with a hard mask layer.
（１）ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク
上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクは、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたものである。
(1) NIL mask with a hard mask layer The NIL mask with a hard mask layer has a concavo-convex pattern formed on the main surface of the substrate, and a hard mask layer formed on the convex portions of the concavo-convex pattern on the substrate. It is.
ｉ．基板
上記基板は、主面に凹凸パターンが形成されたものである。上記基板は、特に限定されるものではないが、光透過性基板であることが好ましい。光透過性基板を構成する材料としては、合成石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。中でも、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、凹凸パターンを形成することにより一体化した構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるため、合成石英ガラスが好適に用いられる。
i. Substrate The substrate has a main surface on which an uneven pattern is formed. The substrate is not particularly limited, but is preferably a light transmissive substrate. Examples of the material constituting the light transmissive substrate include synthetic quartz glass, soda glass, fluorite, and calcium fluoride. Above all, it has a proven track record as a photomask substrate, has a stable quality, can be made into an integrated structure by forming an uneven pattern, and can form a fine uneven pattern with high precision. Glass is preferably used.
上記凹凸パターンの形状および寸法等は、一般的なＮＩＬ用マスクと同様であれば特に限定されるものではないが、本発明においては、図１および図３（ａ）に示されるラインアンドスペースパターンのように、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが好ましい。上記凹凸パターンが、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンである場合には、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の修正方法を用いると、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状が、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られない問題がさらに顕著となる。このため、この場合には、上記欠陥部を修正した後の断面の形状を、本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる効果が顕著に得られるからである。 The shape and dimensions of the concavo-convex pattern is not particularly limited as long as it is the same as that of a general NIL mask, but in the present invention, the line and space pattern shown in FIG. 1 and FIG. As described above, a line-and-space pattern in which the half pitch (hp) (width of the convex portion and the concave portion) having the convex line portion and the concave space portion is 30 nm or less is preferable. When the concavo-convex pattern is a line-and-space pattern having a half pitch (hp) having a convex line part and a concave space part (width of convex part and concave part) of 30 nm or less, supplying an assist gas When using a conventional correction method in which etching is performed by irradiating a charged beam, the shape of the cross-section of the concavo-convex pattern on the substrate after correcting the defective portion does not accurately match the shape of the original cross-section of the concavo-convex pattern. The problem that the required accuracy cannot be obtained becomes more remarkable. For this reason, in this case, since the shape of the cross section after correcting the defective portion is accurately matched with the shape of the original cross section, the effect of obtaining the required accuracy can be obtained remarkably. is there.
また、上記凹凸パターンの形成方法としては、一般的なＮＩＬ用マスクの作製方法と同様とすることができ、例えば、基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法等が挙げられる。 Further, the method for forming the concavo-convex pattern can be the same as a general method for manufacturing a mask for NIL. For example, blanks in which a hard mask layer and a resist layer are sequentially laminated on a substrate are prepared, Examples include a method of patterning a layer, etching the hard mask layer using the patterned resist layer as a mask to remove the resist layer, and etching the substrate by anisotropic dry etching using the etched hard mask layer as a mask .
ｉｉ．ハードマスク層
上記ハードマスク層は、上記基板上に形成されたものである。具体的には、上記ハードマスク層は、上記基板における凹凸パターンの凸部上に形成されたものである。
ii. Hard mask layer The hard mask layer is formed on the substrate. Specifically, the hard mask layer is formed on the convex portion of the concave / convex pattern on the substrate.
上記ハードマスク層に用いられる材料は、エッチングされた上記ハードマスク層をマスクとして上記基板をエッチングする時に上記基板を保護することが可能であり、かつ、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および後述の保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記ハードマスク層に用いられる材料としては、例えば、Ｃｒを含む材料等が挙げられる。 The material used for the hard mask layer is capable of protecting the substrate when the substrate is etched using the etched hard mask layer as a mask, and the hard mask layer is used in a protective film removing step described later. And it will not be specifically limited if only the below-mentioned protective film can be removed. Examples of the material used for the hard mask layer include a material containing Cr.
さらに、上記ハードマスク層の厚さは、エッチングされた上記ハードマスク層をマスクとして上記基板をエッチングする時に上記基板表面を保護することが可能であり、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記ハードマスク層の厚さは、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内が好ましく、特に２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲に満たないと、エッチングされた上記ハードマスク層をマスクとして上記基板をエッチングする時に上記基板表面を保護することができないからである。また、上記範囲を超えると、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜の除去に時間がかかるからである。 Furthermore, the thickness of the hard mask layer can protect the surface of the substrate when the substrate is etched using the etched hard mask layer as a mask. There is no particular limitation as long as only the protective film can be removed. The thickness of the hard mask layer is preferably in the range of 2 nm to 20 nm, and particularly preferably in the range of 2 nm to 5 nm. This is because the substrate surface cannot be protected when the substrate is etched using the etched hard mask layer as a mask if the above range is not satisfied. Further, if the above range is exceeded, it takes time to remove the hard mask layer and the protective film in the protective film removing step described later.
（２）保護膜
上記保護膜に用いられる材料は、後述の欠陥部修正工程時に上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能であり、かつ、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記保護膜に用いられる材料としては、例えば、Ｃｒを含む材料等が挙げられる。
(2) Protective film The material used for the protective film can protect the surface of the NIL mask with a hard mask layer in the defect repairing process described later, and the hard film in the protective film removing process described later. There is no particular limitation as long as only the mask layer and the protective film can be removed. Examples of the material used for the protective film include a material containing Cr.
また、上記保護膜に用いられる材料は、上記ハードマスク層に用いられる材料と同一種類が好ましい。後述の保護膜除去工程において、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層の両方を、例えば、単一種類のエッチング液を用いたウェットエッチングまたは単一種類のエッチングガスもしくはプラズマを用いた異方性ドライエッチングによりエッチングによって一緒に除去できるからである。これにより、ＮＩＬ用マスクを製造する工程をさらに短縮することができるからである。 The material used for the protective film is preferably the same type as the material used for the hard mask layer. In the protective film removing step described later, both the remaining protective film and the hard mask layer are formed by, for example, wet etching using a single type of etching solution or anisotropy using a single type of etching gas or plasma. This is because they can be removed together by dry etching. This is because the process of manufacturing the NIL mask can be further shortened.
また、上記保護膜に用いられる材料は、エッチングレートが上記ハードマスク層に用いられる材料よりも低いものが好ましい。後述の開口部形成工程において上記保護膜および上記ハードマスク層をエッチングすることにより形成される上記開口部の底面の形状および大きさを、上記欠陥部を修正するのに適したものにすることができるからである。 Further, the material used for the protective film is preferably a material whose etching rate is lower than that of the material used for the hard mask layer. Making the shape and size of the bottom surface of the opening formed by etching the protective film and the hard mask layer in an opening forming step described later suitable for correcting the defect Because it can.
さらに、上記保護膜の厚さは、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンを埋めない程度であり、後述の欠陥部修正工程時に上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能な程度であり、後述の保護膜除去工程において上記ハードマスク層および上記保護膜のみを除去することが可能な程度であれば特に限定されるものではない。上記保護膜の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましく、特に１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲に満たないと、後述の欠陥部修正工程時に上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することができないからである。また、上記範囲を超えると、後述の開口部形成工程において形成される開口部の底面の形状および大きさを、上記欠陥部を修正するのに適したものにすることができないからである。 Furthermore, the thickness of the protective film is such that the uneven pattern in the NIL mask with a hard mask layer is not filled, and it is possible to protect the surface of the NIL mask with a hard mask layer during a defect correction process described later. There is no particular limitation as long as only the hard mask layer and the protective film can be removed in the protective film removing step described later. The thickness of the protective film is preferably in the range of 1 nm to 20 nm, more preferably in the range of 1 nm to 10 nm, and particularly preferably in the range of 1 nm to 5 nm. This is because the NIL mask surface with the hard mask layer cannot be protected during the defect repair process described later if the above range is not satisfied. Further, if the above range is exceeded, the shape and size of the bottom surface of the opening formed in the opening forming step described later cannot be made suitable for correcting the defective portion.
（３）保護膜形成工程
上記保護膜形成工程は、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。ここで、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成するとは、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターン側から平面視して視える全面に保護膜を形成することを意味する。そして、当該凹凸パターン側から平面視して視える当該全面に保護膜を形成する時には、当該凹凸パターンにおいて、図３（ｂ）に例示するように、凸部の上面および凹部の底面のみに上記保護膜を形成してもよいし、図示しないが、当該凹凸パターンの凸部の上面および凹部の底面に加えて、当該凹凸パターンの側面にも上記保護膜を形成してもよい。上記保護膜が当該凹凸パターンの凸部の上面および凹部の底面のみに形成される場合でも、後述の欠陥部修正工程において、上記欠陥部は異方性ドライエッチングによりエッチングされるので、当該凹凸パターンの側面がエッチングされない場合もあるからである。
(3) Protective film formation process The said protective film formation process is a process of forming a protective film on the whole surface on the said mask for NIL with a hard mask layer. Here, forming a protective film on the entire surface of the NIL mask with a hard mask layer means forming a protective film on the entire surface of the NIL mask with a hard mask layer that can be seen in plan view from the concavo-convex pattern side. means. And when forming a protective film on the whole surface seen in plan view from the concavo-convex pattern side, in the concavo-convex pattern, as illustrated in FIG. A protective film may be formed, or although not shown, the protective film may be formed on the side surface of the concave / convex pattern in addition to the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion. Even when the protective film is formed only on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the concave / convex pattern, the concave / convex pattern is etched by anisotropic dry etching in the defect portion correcting step described later. This is because the side surface of the substrate may not be etched.
上記保護膜を、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に形成することによって、後述の観察工程および修正確認工程時にも上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することができるといった効果が得られる。これについて以下に説明する。後述の開口部形成工程後、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクの表面には保護膜用アシストガスが付着した状態となっている。このため、後述の観察工程および修正確認工程時に、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに荷電ビームを照射すると、正常なパターンがエッチングされてしまうことが懸念される。しかしながら、上記保護膜が、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に形成される場合には、上記保護膜によって、後述の観察工程および修正確認工程時にも上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク表面を保護することができる。なお、後述の観察工程および修正確認工程での観察領域は、通常、同一領域である。 By forming the protective film over the entire surface of the NIL mask with a hard mask layer, it is possible to protect the surface of the NIL mask with a hard mask layer even during an observation process and a correction confirmation process described later. can get. This will be described below. After the opening forming step described later, a protective film assist gas is attached to the surface of the NIL mask with a hard mask layer. For this reason, there is a concern that a normal pattern may be etched if the NIL mask with a hard mask layer is irradiated with a charged beam in the observation process and the correction confirmation process described later. However, when the protective film is formed on the entire surface of the NIL mask with a hard mask layer, the surface of the NIL mask with a hard mask layer is also formed by the protective film even in an observation step and a correction confirmation step described later. Can be protected. In addition, the observation area | region in the below-mentioned observation process and correction confirmation process is the same area | region normally.
また、上記保護膜の形成方法は、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を均一に形成可能な方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理気相堆積法（ＰＶＤ）、電子ビームＣＶＤ等の化学気相堆積法（ＣＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）が挙げられる。 The method for forming the protective film is not particularly limited as long as the protective film can be uniformly formed on the entire surface of the NIL mask with a hard mask layer. For example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. And physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD) such as electron beam CVD, and atomic layer deposition (ALD).
また、上記保護膜の形成に際しては、例えば、スパッタ装置等のような保護膜形成装置を用いて上記保護膜を形成する。 In forming the protective film, the protective film is formed using a protective film forming apparatus such as a sputtering apparatus.
２．開口部形成工程
第一実施態様における開口部形成工程は、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する工程である。
2. Opening Forming Step In the first embodiment, the opening forming step partially removes the protective film and the hard mask layer in the defective region where the defective portion exists in the substrate, and opens the opening that exposes the defective portion. It is a process of forming.
上記欠陥部は、上記基板に存在するものである。具体的には、上記欠陥部は、上記基板における凹凸パターンに存在するものである。上記欠陥部は、特に限定されるものではないが、本発明においては、図１および図３（ａ）に示されるショート欠陥１０ａまたはエッジ欠陥１０ｂのように、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンに存在するショート欠陥またはエッジ欠陥であることが好ましい。上記欠陥部を修正した後の断面の形状を、本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる効果がさらに顕著に得られるからである。ここで、ショート欠陥とは、図１および図３（ａ）に示されるショート欠陥１０ａのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、隣接するライン間を接続して短絡するように、ライン間のスペースの凹部を埋める欠陥部のことをいう。また、エッジ欠陥とは、図１および図３（ａ）に示されるエッジ欠陥１０ｂのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、ラインを構成する凸部の一部がスペース側に突出した欠陥部のことをいう。なお、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法によって修正するときには、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状が、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られないという問題が顕著になる。しかしながら、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によれば、エッジ欠陥でもショート欠陥と同様に、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることができる。このため、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、必要な精度を得ることができる効果が顕著に得られるので、好ましい。
The defective portion is present in the substrate. Specifically, the defect portion exists in the uneven pattern on the substrate. The defect portion is not particularly limited, but in the present invention, the line portion of the convex portion and the space of the concave portion like the
また、上記欠陥部は、特に限定されるものではないが、上記基板に複数個存在することが好ましい。上記複数個の欠陥部を一括して修正することができるので、効率良く欠陥部を修正することができるからである。 Moreover, although the said defect part is not specifically limited, It is preferable that two or more exist in the said board | substrate. This is because the plurality of defective portions can be corrected collectively, so that the defective portions can be corrected efficiently.
上記開口部は、後述の欠陥部修正工程において、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることできるものであれば特に限定されるものではない。上記開口部としては、上記開口部の底面の形状が平面視して上記欠陥部の形状と一致するものが好ましい。後述の欠陥部修正工程において上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることできるからである。 The opening has a cross-sectional shape of the concavo-convex pattern in the substrate after correcting the defect by etching the defect exposed from the opening by anisotropic dry etching in a defect correction process described later. Is not particularly limited as long as it can accurately match the original cross-sectional shape of the concavo-convex pattern. As the opening, it is preferable that the shape of the bottom surface of the opening coincides with the shape of the defective portion in plan view. This is because the shape of the cross section of the concavo-convex pattern on the substrate after the defect portion is corrected in the defect portion correcting step described later can be made to coincide with the original cross-sectional shape of the concavo-convex pattern with high accuracy.
また、上記開口部としては、上記複数個の欠陥部をそれぞれが露出させる複数個の開口部であることが好ましい。上記複数個の欠陥部を一括して修正することができるので、効率良く欠陥部を修正することができるからである。 Further, the opening is preferably a plurality of openings through which the plurality of defective portions are exposed. This is because the plurality of defective portions can be corrected collectively, so that the defective portions can be corrected efficiently.
また、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法が用いられる。荷電ビームとしては、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームを挙げることができる。 Further, a method for partially removing the protective film and the hard mask layer in the defective region is not particularly limited. For example, a conventional method of etching by irradiating a charged beam while supplying an assist gas is used. The method is used. The charged beam is not particularly limited as long as only the protective film and the hard mask layer in the defect region can be locally etched, and examples thereof include an electron beam and an ion beam.
また、アシストガスとしては、上記保護膜および上記ハードマスク層をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではなく、上記保護膜の材料および上記ハードマスク層の材料の種類等に応じて適宜選択される。アシストガスは、単一成分のガスであってもよく、複数種の成分を含む混合ガスであってもよい。例えば、上記保護膜および上記ハードマスク層にＣｒを含む材料が用いられる場合には、アシストガスとして、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および酸素（Ｏ２）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガス等が好ましく用いられる。 The assist gas is not particularly limited as long as it is a gas capable of etching the protective film and the hard mask layer. The assist gas is appropriately selected according to the material of the protective film and the material of the hard mask layer. Is done. The assist gas may be a single component gas or a mixed gas containing a plurality of types of components. For example, when a material containing Cr is used for the protective film and the hard mask layer as an assist gas, a mixed gas containing xenon fluoride (XeF 2) and oxygen (O 2), xenon difluoride (XeF 2 And a mixed gas containing water vapor (H 2 O) are preferably used.
また、アシストガスの供給方法としては、例えば、上記保護膜および上記ハードマスク層にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。 The assist gas supply method includes, for example, a method of locally spraying the assist gas on the protective film and the hard mask layer, a method of placing the NIL mask with the hard mask layer in an assist gas atmosphere, and the like. Can be mentioned.
また、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層をエッチングする際には、荷電ビームの照射により生じる上記保護膜および上記ハードマスク層に含まれる材料の二次電子信号を確認しながらエッチングを進め、上記保護膜および上記ハードマスク層に含まれる材料の二次電子信号がなくなる時点でエッチングを止めることにより、上記基板表面がエッチングされることを抑制しつつ、上記欠陥領域の上記保護膜および上記ハードマスク層を高い選択比でエッチングすることができる。 In addition, when etching the protective film and the hard mask layer in the defective region, the etching is performed while confirming secondary electron signals of the materials contained in the protective film and the hard mask layer generated by irradiation of a charged beam. Proceeding and stopping etching when the secondary electron signal of the material contained in the protective film and the hard mask layer disappears, while suppressing the etching of the substrate surface, the protective film in the defect region and The hard mask layer can be etched with a high selectivity.
さらに、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する際には、例えば、荷電ビーム修正装置等のような開口部形成装置を用いて、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射して、上記保護膜および上記ハードマスク層を部分的に除去し、上記開口部を形成する。 Furthermore, when forming the opening that exposes the defective portion, for example, using an opening forming apparatus such as a charged beam correcting apparatus, for example, irradiating a charged beam while supplying an assist gas, The protective film and the hard mask layer are partially removed to form the opening.
３．欠陥部修正工程
第一実施態様における欠陥部修正工程は、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする工程である。
3. Defect repair process The defect repair process in the first embodiment is a process of etching the defect exposed from the opening by anisotropic dry etching.
上記異方性ドライエッチングの方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。ここで、上記異方性ドライエッチングの方法として用いられる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）では、反応室内でエッチングガスに電磁波などを与えプラズマ化するとともに、上記基板を置く陰極に高周波電圧を印加する事により、プラズマ中のイオン種を上記基板方向に加速させ上記基板に衝突させる。この事により物理的、化学的エッチング作用で、異方性を達成する方法である。 The anisotropic dry etching method is not particularly limited. For example, reactive ion etching (RIE) is used. Here, in reactive ion etching (RIE) used as a method of the anisotropic dry etching, an electromagnetic wave or the like is applied to an etching gas in a reaction chamber to form plasma, and a high frequency voltage is applied to a cathode on which the substrate is placed. Thus, ion species in the plasma are accelerated in the direction of the substrate and collide with the substrate. This is a method of achieving anisotropy by a physical and chemical etching action.
また、上記欠陥部修正工程では、例えば、上記欠陥部を上記異方性ドライエッチングによりエッチングする異方性ドライエッチング装置等のような欠陥部修正装置が用いられる。 Further, in the defect portion correction step, for example, a defect portion correction apparatus such as an anisotropic dry etching apparatus that etches the defect portion by the anisotropic dry etching is used.
また、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられるプラズマを発生させる方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、高周波誘導結合方式（ＩＣＰ）、電子サイクロトロン共鳴方式（ＥＣＲ）等が挙げられる。 Further, a method for generating plasma used when etching the defective portion by the reactive ion etching (RIE) is not particularly limited. For example, a high frequency inductive coupling method (ICP), an electron cyclotron resonance is used. A system (ECR) etc. are mentioned.
また、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられるエッチングガスとしては、特に限定されるものではないが、例えば、フッ素系ガス等が挙げられる。中でも、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８等が好ましい。なお、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられるエッチングガスは、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられる装置およびプラズマを発生させる方法によって変わるものである。 In addition, the etching gas used when the defective portion is etched by the reactive ion etching (RIE) is not particularly limited, and examples thereof include a fluorine-based gas. Among these, CF 4 , SF 6 , CHF 3 , C 4 F 8 and the like are preferable. Note that the etching gas used when etching the defective portion by the reactive ion etching (RIE) depends on the apparatus used when etching the defective portion by the reactive ion etching (RIE) and the method of generating plasma. It will change.
さらに、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、上記基板の主面に上記凹凸パターンを形成する時に上記基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法と同一であることが好ましい。上記欠陥部を修正した後の上記凹凸パターンの断面の形状を、より高い精度で、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることができるからである。
ここで、上記基板の主面に上記凹凸パターンを形成する時に上記基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法と同一であるとは、上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の上記異方性ドライエッチングの方法が同一であることのみならず、上記欠陥部を上記反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする時に用いられる装置、プラズマを発生させる方法、およびエッチングガス等を含む上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする上でのあらゆる条件が同一であることを意味する。
Further, the method of etching the defect by anisotropic dry etching is not particularly limited, but the substrate is etched by anisotropic dry etching when the concave / convex pattern is formed on the main surface of the substrate. The method is preferably the same. This is because the shape of the cross section of the concavo-convex pattern after correcting the defective portion can be matched with the shape of the original cross section of the concavo-convex pattern with higher accuracy.
Here, the method of etching the substrate by anisotropic dry etching when forming the concavo-convex pattern on the main surface of the substrate means that the anisotropic dry etching such as reactive ion etching (RIE) is used. Not only the etching method is the same, but also the apparatus used when etching the defective part by the reactive ion etching (RIE), the method of generating plasma, and the defective part containing the etching gas etc. This means that all conditions for etching by reactive dry etching are the same.
４．保護膜除去工程
第一実施態様における保護膜除去工程は、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する工程である。
4). Protective film removing step The protective film removing step in the first embodiment is a step of removing the remaining protective film and the hard mask layer.
残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する方法は、上記保護膜および上記ハードマスク層のみを除去することが可能な方法であれば特に限定されるものではない。上記保護膜および上記ハードマスク層を除去する方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが挙げられる。中でもウェットエッチングが好ましい。上記保護膜および上記ハードマスク層を容易に除去することができるからである。 The method for removing the remaining protective film and the hard mask layer is not particularly limited as long as only the protective film and the hard mask layer can be removed. Examples of the method for removing the protective film and the hard mask layer include wet etching and dry etching. Of these, wet etching is preferable. This is because the protective film and the hard mask layer can be easily removed.
ウェットエッチングの場合、例えば、上記保護膜または上記ハードマスク層にＣｒを含む材料が用いられる場合には、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液が用いられる。ドライエッチングの場合、例えば、上記保護膜または上記ハードマスク層にＣｒを含む材料が用いられる場合には、塩素および酸素の混合ガスが用いられる。 In the case of wet etching, for example, when a material containing Cr is used for the protective film or the hard mask layer, an aqueous solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid is used. In the case of dry etching, for example, when a material containing Cr is used for the protective film or the hard mask layer, a mixed gas of chlorine and oxygen is used.
上記保護膜除去工程は、特に限定されるものではないが、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層を一緒に除去する工程が好ましい。具体的には、残存する上記保護膜および上記ハードマスク層の両方を、例えば、単一種類のエッチング液を用いたウェットエッチングまたは単一種類のエッチングガスもしくはプラズマを用いたドライエッチングによって一緒に除去する工程が好ましい。これにより、ＮＩＬ用マスクを製造する工程をさらに短縮することができるからである。 The protective film removing step is not particularly limited, but a step of removing the remaining protective film and the hard mask layer together is preferable. Specifically, both the remaining protective film and the hard mask layer are removed together by, for example, wet etching using a single type of etching solution or dry etching using a single type of etching gas or plasma. The process of doing is preferable. This is because the process of manufacturing the NIL mask can be further shortened.
５．その他の工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。
5. Other Steps The method for correcting the NIL mask according to the first embodiment is not particularly limited as long as it has the steps as described above, but necessary steps can be appropriately added.
（１）観察工程
ｉ．欠陥部観察工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上記保護膜形成工程後、上記開口部形成工程前に、上記欠陥部を観察する欠陥部観察工程を有するものが好ましい。上記開口部形成工程において使用される荷電ビーム修正装置等のような開口部形成装置内の座標系は、後述する検査工程において光検査で検出される欠陥部の位置および形状を表す座標系と、長さは一致するが、ステージ加工精度、ステージ移動精度等を原因として、完全には一致しない。そこで、上記欠陥部観察工程は、上記開口部形成工程に先立ち、上記開口部形成工程において使用される荷電ビーム修正装置等のような欠陥部観察装置内で、上記欠陥部を観察することによって、上記欠陥部の大きさ、位置等を改めて測定する。これにより、上記開口部形成工程において形成する開口部の大きさ、位置等を精度良く把握することができるからである。
(1) Observation step i. Defect Observation Process The NIL mask correction method according to the first embodiment preferably includes a defect observation process for observing the defect after the protective film formation process and before the opening formation process. The coordinate system in the opening forming apparatus such as the charged beam correction apparatus used in the opening forming process is a coordinate system representing the position and shape of the defect portion detected by the optical inspection in the inspection process described later, Although the lengths match, they do not match completely due to stage processing accuracy, stage movement accuracy, and the like. Therefore, the defect portion observation step is performed by observing the defect portion in a defect portion observation apparatus such as a charged beam correction apparatus used in the opening portion formation step prior to the opening portion formation step. The size, position, etc. of the defective part are measured again. This is because the size, position, and the like of the opening formed in the opening forming step can be accurately grasped.
ｉｉ．開口部観察工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上記開口部形成工程後、上記欠陥部修正工程前に、上記開口部を観察する開口部観察工程を有するものが好ましい。上記保護膜を形成することにより、上記開口部観察工程時の荷電ビームの照射によるエッチングを抑制することができるからである。また、上記開口部観察工程は、上記開口部形成工程において使用される荷電ビーム修正装置等のような開口部観察装置内で、上記開口部を観察することによって、上記開口部の大きさ、位置等を測定する。これにより、上記開口部形成工程において上記開口部を精度良く形成することができたか否かを確認することができるからである。
ii. Opening Observation Step The NIL mask correction method according to the first embodiment preferably includes an opening observation step of observing the opening after the opening formation step and before the defect correction step. This is because by forming the protective film, etching due to irradiation of a charged beam during the opening observation step can be suppressed. In the opening observation step, the size and position of the opening are observed by observing the opening in an opening observation device such as a charged beam correction device used in the opening formation step. Measure etc. This is because it can be confirmed whether or not the opening can be formed with high accuracy in the opening forming step.
ｉｉｉ．観察工程
これらの観察工程では、例えば荷電ビームを照射して上記欠陥部または上記開口部を観察することができる。荷電ビームとしては、上記欠陥部または上記開口部を検査することができるものであれば特に限定されるものではなく、電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
iii. Observation Step In these observation steps, for example, the defect portion or the opening can be observed by irradiating a charged beam. The charged beam is not particularly limited as long as the defect or the opening can be inspected. In the case of an electron beam, the electron beam is inspected by an electron microscope such as a scanning electron microscope (SEM). Can do.
（２）修正確認工程
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上記欠陥部修正工程後、上記保護膜除去工程前に、荷電ビームを照射して修正後の上記欠陥部を観察する修正確認工程を有するものが好ましい。上記保護膜を形成することにより、上記修正確認工程時の荷電ビームの照射によるエッチングを抑制することができるからである。また、上記ＮＩＬ用マスクを平面視して正確な領域が修正されたか否かを確認することができるからである。これにより、上記欠陥部を精度良く修正することができたか否かを確認することができるからである。荷電ビームとしては、修正後の上記欠陥部を検査することができるものであれば特に限定されるものではなく、電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
(2) Correction Confirmation Process The NIL mask correction method according to the first embodiment is a modification in which the defect part after the correction is observed by irradiating a charged beam after the defect correction process and before the protective film removal process. What has a confirmation process is preferable. This is because by forming the protective film, etching due to irradiation of a charged beam during the correction confirmation process can be suppressed. Further, it is possible to confirm whether or not an accurate region has been corrected by viewing the NIL mask in plan view. This is because it can be confirmed whether or not the defective portion can be corrected with high accuracy. The charged beam is not particularly limited as long as it can inspect the defect after the correction, and in the case of an electron beam, it can be inspected by an electron microscope such as a scanning electron microscope (SEM). it can.
また、上記修正確認工程では、荷電ビームを照射して修正後の上記欠陥部を観察するとともに、原子間顕微鏡（ＡＦＭ）により、上記基板における上記欠陥領域の上記欠陥部修正後の深さを計測してもよい。これにより、上記基板における上記欠陥領域の上記欠陥部修正後の深さが所望の深さになっているか否かを確認することによって、上記欠陥部を精度良く修正することができたか否かを確認することができるからである。 In the correction confirmation step, the defect portion after the correction is observed by irradiating a charged beam, and the depth of the defect region in the substrate after the defect correction is measured by an atomic microscope (AFM). May be. Accordingly, whether or not the defect portion can be corrected with high accuracy by checking whether or not the depth after the defect portion correction of the defect region in the substrate is a desired depth. This is because it can be confirmed.
なお、上記修正確認工程は省略可能である。また、上記修正確認工程は、上記欠陥部修正工程において、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法が、上記基板の主面に上記凹凸パターンを形成する時に上記基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする方法と同一である場合には、省略可能である。 Note that the correction confirmation step can be omitted. Further, in the correction confirmation step, in the defect portion correction step, when the method of etching the defect portion by anisotropic dry etching forms the concavo-convex pattern on the main surface of the substrate, the substrate is anisotropically dried. If the etching method is the same as the etching method, it can be omitted.
６．その他
第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに対して予め欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程が通常行われる。
6). Others The NIL mask correcting method according to the first embodiment is a method of performing an optical inspection of a defective portion in advance with respect to a NIL mask with a hard mask layer, and removing the NIL mask with a hard mask layer having a defective portion that needs to be corrected. The inspection process to extract is normally performed.
また、第一実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法においては、上記開口部観察工程において、上記開口部を精度良く形成することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記開口部形成工程および開口部観察工程を繰り返し実施してもよい。 In the NIL mask correction method according to the first embodiment, if it is determined in the opening observation step that the opening cannot be formed with high accuracy, as shown in FIG. The opening forming step and the opening observing step may be repeated.
また、上記基板において上記欠陥部が複数個存在する場合等には、図２に示すように、上記欠陥部観察工程、開口部形成工程、および開口部観察工程は、複数個の欠陥部のそれぞれに対して、繰り返し行ってもよい。 In addition, when there are a plurality of the defect portions on the substrate, as shown in FIG. 2, the defect observation step, the opening formation step, and the opening observation step are performed for each of the plurality of defect portions. May be repeated.
さらに、上記修正確認工程において、上記欠陥部を精度良く修正することができていないと判断された場合には、図２に示すように、上記欠陥部修正工程および修正確認工程を繰り返し実施してもよい。 Furthermore, when it is determined in the correction check step that the defective portion cannot be corrected with high accuracy, the defect portion correction step and the correction check step are repeatedly performed as shown in FIG. Also good.
Ａ−２．第二実施態様
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正するナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法であって、上記ナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、残存する上記保護膜を除去する保護膜除去工程と、を有することを特徴とする。
A-2. Second Embodiment A NIL mask correction method according to a second embodiment is a nanoimprint lithography mask correction method for correcting a nanoimprint lithography mask having a concavo-convex pattern formed on a main surface of a substrate, the nanoimprint lithography A protective film forming step for forming a protective film over the entire surface of the mask; and an opening for partially removing the protective film in a defective region where the defective portion exists in the substrate to form an opening for exposing the defective portion The method includes a forming step, a defect correcting step of etching the defective portion exposed from the opening by anisotropic dry etching, and a protective film removing step of removing the remaining protective film.
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について図面を参照しながら説明する。図５は、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によって、欠陥部が修正されるＮＩＬ用マスクを示す平面図である。また、図６は第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示すフローチャートであり、図７（ａ）〜図７（ｆ）および図８（ａ）〜図８（ｃ）は第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法の一例を示す概略工程断面図である。 A method of correcting the NIL mask according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a plan view showing a NIL mask whose defect portion is corrected by the NIL mask correcting method of the second embodiment. FIG. 6 is a flowchart showing an example of a method for correcting the NIL mask according to the second embodiment. FIGS. 7A to 7F and FIGS. It is a schematic process sectional drawing which shows an example of the correction method of the mask for NIL of embodiment.
まず、図６に示すように、ＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程Ｓ１を行う。具体的には、図７（ａ）に示すように、図５に示されるＮＩＬ用マスク１を光検査により抽出する。図７（ａ）は図５のＡ−Ａ断面図であり、図５および図７（ａ）に示されるＮＩＬ用マスク１は、基板２を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
First, as shown in FIG. 6, an optical inspection of a defective portion is performed on the NIL mask, and an inspection step S1 for extracting an NIL mask having a defective portion that needs to be corrected is performed. Specifically, as shown in FIG. 7A, the
そして、基板２は、合成石英ガラスから構成される透過性基板である。基板２の主面に、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。なお、ＮＩＬ用マスク１に対して欠陥部１０の光検査を行い、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存しておく。
The
次に、図６に示すように、保護膜を形成する保護膜形成工程Ｓ２を行う。具体的には、スパッタ装置を用いて、図７（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１上において全面に保護膜４を形成する。本例の場合、保護膜４は、ＮＩＬ用マスク１における凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂに形成される。また、本例の場合、保護膜４は、Ｃｒを含む材料から構成される。
Next, as shown in FIG. 6, a protective film forming step S2 for forming a protective film is performed. Specifically, as shown in FIG. 7B, the
次に、図６に示すように、欠陥部を観察する欠陥部観察工程Ｓ３を行う。具体的には、後述の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図７（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定する。
Next, as shown in FIG. 6, a defect observation step S3 for observing the defect is performed. Specifically, in the charged beam correction apparatus used in the opening forming step S4 described later, as shown in FIG. 7C, the observation region A2 including the defect region A1 in which the
次に、図６に示すように、欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程Ｓ４を行う。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４に対して、保護膜用アシストガス１３を供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４を部分的にエッチングする。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成する。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気する。
Next, as shown in FIG. 6, an opening forming step S <b> 4 for forming an opening that exposes the defective portion is performed. Specifically, as shown in FIGS. 7D and 7E, the protective film is applied to the
次に、図６に示すように、開口部を観察する開口部観察工程Ｓ５を行う。具体的には、上記の開口部形成工程Ｓ４で使用される荷電ビーム修正装置内で、図７（ｆ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたか否かを確認する。そして、開口部観察工程Ｓ５において、開口部１２を精度良く形成することができていないと判断された場合には、図６に示すように、上記の開口部形成工程Ｓ４および開口部観察工程Ｓ５を繰り返し実施する。
Next, as shown in FIG. 6, an opening observation step S5 for observing the opening is performed. Specifically, in the charged beam correction apparatus used in the opening forming step S4, as shown in FIG. 7F, the observation region A3 including the defect region A1 in the
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図６に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５は、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行われる。
Further, since there are a plurality of
次に、図６に示すように、欠陥部を修正する欠陥部修正工程Ｓ６を行う。具体的には、異方性ドライエッチング装置内で、図８（ａ）に示すように、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を異方性ドライエッチングによりエッチングする。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正する。
Next, as shown in FIG. 6, a defective portion correcting step S6 for correcting the defective portion is performed. Specifically, in the anisotropic dry etching apparatus, as shown in FIG. 8A, a fluorine-based gas is used as an etching gas, and a plurality of
次に、図６に示すように、修正後の欠陥部を観察する修正確認工程Ｓ７を行う。具体的には、図８（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察する。これにより、ＮＩＬ用マスク１を平面視して正確な領域が修正されたか否かを確認する。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測する。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっているか否かを確認する。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたか否かを確認する。そして、修正確認工程Ｓ７において、欠陥部１０を精度良く修正することができていないと判断された場合には、図６に示すように、上記の欠陥部修正工程Ｓ６および修正確認工程Ｓ７を繰り返し実施する。
Next, as shown in FIG. 6, a correction confirmation step S7 for observing the defect after correction is performed. Specifically, as shown in FIG. 8B, a scanning electron that irradiates an electron beam as a charged
次に、図６に示すように、残存する保護膜を除去する保護膜除去工程Ｓ８を行う。具体的には、図８（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４を除去する。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造する。
Next, as shown in FIG. 6, a protective film removing step S8 for removing the remaining protective film is performed. Specifically, as shown in FIG. 8C, the remaining
第二実施態様によれば、図８（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる。 According to the second embodiment, as shown in FIG. 8A, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, the cross-section of the concavo-convex pattern in the substrate after the defect portion is corrected. The required accuracy can be obtained by accurately matching the shape of the shape with the shape of the original cross section of the concavo-convex pattern.
また、第二実施態様によれば、図８（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部が複数個存在するＮＩＬ用マスクにおいて、上記複数個の欠陥部を一括して修正することができる。これにより、効率良く欠陥部を修正することができる。例えば、多数の欠陥部を異方性ドライエッチングにより一回エッチングすることにより修正することができる。 Further, according to the second embodiment, as shown in FIG. 8A, since the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching, in the NIL mask having a plurality of the defect portions. The plurality of defective portions can be corrected collectively. Thereby, a defective part can be corrected efficiently. For example, a large number of defect portions can be corrected by etching once by anisotropic dry etching.
また、第二実施態様によれば、図８（ａ）に示すように、上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることにより修正するので、上記欠陥部を修正する時に、上記欠陥領域に隣接する領域において上記保護膜の下側の上記基板がエッチングされることを回避することができる。すなわち、上記基板のアンダーカットが生じることを回避することができる。これにより、上記欠陥部を修正した後の基板における凹凸パターンが転写された被転写体に不良パターンが形成されることを回避することができる。 Further, according to the second embodiment, as shown in FIG. 8A, the defect portion is corrected by etching by anisotropic dry etching. Therefore, when the defect portion is corrected, the defect region is It can be avoided that the substrate under the protective film is etched in the adjacent region. That is, the occurrence of undercutting of the substrate can be avoided. Thereby, it is possible to avoid the formation of a defective pattern on the transfer body onto which the concave / convex pattern on the substrate after correcting the defective portion is transferred.
また、第二実施態様においては、図７（ａ）に示すように、欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクとして、ハードマスク層が既に除去されたＮＩＬ用マスクを用いて、当該ＮＩＬ用マスクに存在する欠陥部を修正する。これにより、図８（ｃ）に示すように、欠陥部を修正した後に、上記保護膜のみを除去すれば、ＮＩＬ用マスクを製造することができる。このため、製造されるＮＩＬ用マスクの膜残りが少なくなる。 In the second embodiment, as shown in FIG. 7A, the NIL mask from which the hard mask layer has already been removed is used as the NIL mask in which the defective portion exists, and the NIL mask is present. Correct the defective part. Thus, as shown in FIG. 8C, a NIL mask can be manufactured by removing only the protective film after correcting the defective portion. For this reason, the film residue of the manufactured NIL mask is reduced.
以下、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法について、工程ごとに説明する。 Hereinafter, the method for correcting the NIL mask according to the second embodiment will be described step by step.
１．保護膜形成工程
第二実施態様における保護膜形成工程は、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。
1. Protective film forming step The protective film forming step in the second embodiment is a step of forming a protective film on the entire surface of the NIL mask.
（１）ＮＩＬ用マスク
上記ＮＩＬ用マスクは、基板の主面に凹凸パターンが形成されたものである。
(1) NIL Mask The NIL mask has a concavo-convex pattern formed on the main surface of the substrate.
上記基板は、「Ａ−１．第一実施態様 １．保護膜形成工程 （１）ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク ｉ．基板」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
The substrate is the same as that described in the item “A-1.
（２）保護膜
上記保護膜に用いられる材料は、後述の欠陥部修正工程時に上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能であり、かつ、後述の保護膜除去工程において上記保護膜のみを除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。上記保護膜に用いられる材料としては、例えば、Ｃｒを含む材料等が挙げられる。
(2) Protective film The material used for the protective film can protect the surface of the NIL mask during the defect repairing process described later, and removes only the protective film in the protective film removing process described later. There is no particular limitation as long as it can be performed. Examples of the material used for the protective film include a material containing Cr.
さらに、上記保護膜の厚さは、上記ＮＩＬ用マスクにおける凹凸パターンを埋めない程度であり、後述の欠陥部修正工程時に上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することが可能な程度であり、後述の保護膜除去工程において上記保護膜のみを除去することが可能な程度であれば特に限定されるものではない。上記保護膜の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内が好ましく、中でも１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましく、特に１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内が好ましい。上記範囲に満たないと、後述の欠陥部修正工程時に上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することができないからである。また、上記範囲を超えると、後述の開口部形成工程において形成される開口部の底面の形状および大きさを、上記欠陥部を修正するのに適したものにすることができないからであるからである。 Furthermore, the thickness of the protective film is such that it does not fill the uneven pattern in the NIL mask, and can protect the surface of the NIL mask during the defect repair process described later. There is no particular limitation as long as only the protective film can be removed in the film removal step. The thickness of the protective film is preferably in the range of 1 nm to 20 nm, more preferably in the range of 1 nm to 10 nm, and particularly preferably in the range of 1 nm to 5 nm. This is because the NIL mask surface cannot be protected at the time of a defect repair process described later if the above range is not satisfied. Further, if the above range is exceeded, the shape and size of the bottom surface of the opening formed in the opening forming process described later cannot be made suitable for correcting the defect. is there.
（３）保護膜形成工程
上記保護膜形成工程は、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成する工程である。ここで、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に保護膜を形成するとは、上記ＮＩＬ用マスクに上記ハードマスク層が形成されていない点を除いて、第一実施態様と同様のことを意味する。そして、上記凹凸パターン側から平面視して視える上記全面に保護膜を形成する時には、上記ＮＩＬ用マスクに上記ハードマスク層が形成されていない点を除いて、第一実施態様と同様に、上記凹凸パターンの凸部の上面および凹部の底面のみに上記保護膜を形成してもよいし、上記凹凸パターンの側面にも上記保護膜を形成してもよい。
(3) Protective film formation process The said protective film formation process is a process of forming a protective film on the whole surface on the said mask for NIL. Here, forming a protective film on the entire surface of the NIL mask means the same as in the first embodiment except that the hard mask layer is not formed on the NIL mask. And, when forming a protective film on the entire surface seen in plan view from the concave-convex pattern side, as in the first embodiment, except that the hard mask layer is not formed on the NIL mask, The protective film may be formed only on the top surface of the convex portion and the bottom surface of the concave portion of the concave / convex pattern, or the protective film may be formed on the side surface of the concave / convex pattern.
上記保護膜を、上記ＮＩＬ用マスク上において全面に形成することによって、上記ＮＩＬ用マスクに上記ハードマスク層が形成されていない点を除いて、第一実施態様と同様に、後述の観察工程および修正確認工程時にも上記ＮＩＬ用マスク表面を保護することができるといった効果が得られる。 The protective film is formed on the entire surface of the NIL mask, so that the hard mask layer is not formed on the NIL mask. The effect that the surface of the NIL mask can be protected also during the correction confirmation process is obtained.
また、上記保護膜の形成方法は、「Ａ−１．第一実施態様 １．保護膜形成工程 （３）保護膜形成工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
Moreover, the formation method of the said protective film is the same as that of what was demonstrated in the item of "A-1.
また、上記保護膜の形成に際しては、例えば、スパッタ装置等のような保護膜形成装置を用いて上記保護膜を形成する。 In forming the protective film, the protective film is formed using a protective film forming apparatus such as a sputtering apparatus.
２．開口部形成工程
第二実施態様における開口部形成工程は、上記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去し、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する工程である。
2. Opening Forming Step The opening forming step in the second embodiment is a step of partially removing the protective film in a defective region where a defective portion exists in the substrate to form an opening exposing the defective portion. .
上記欠陥部は、上記基板に存在するものである。具体的には、上記欠陥部は、上記基板における凹凸パターンに存在するものである。上記欠陥部は、特に限定されるものではないが、本発明においては、図５および図７（ａ）に示されるショート欠陥１０ａまたはエッジ欠陥１０ｂのように、凸部のライン部および凹部のスペース部を有するハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が３０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンに存在するショート欠陥またはエッジ欠陥であることが好ましい。上記欠陥部を修正した後の断面の形状を、本来の断面の形状に精度良く一致させることによって、必要な精度を得ることができる効果がさらに顕著に得られるからである。ここで、ショート欠陥とは、図５および図７（ａ）に示されるショート欠陥１０ａのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、隣接するライン間を接続して短絡するように、ライン間のスペースの凹部を埋める欠陥部のことをいう。また、エッジ欠陥とは、図５および図７（ａ）に示されるエッジ欠陥１０ｂのように、上記ラインアンドスペースパターンにおいて、ラインを構成する凸部の一部がスペース側に突出した欠陥部のことをいう。なお、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法によって修正するときには、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状が、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致せずに、必要な精度が得られないという問題が顕著になる。しかしながら、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法によれば、エッジ欠陥でもショート欠陥と同様に、修正した後の基板における凹凸パターンの断面の形状を、上記凹凸パターンの本来の断面の形状に精度良く一致させることができる。このため、ショート欠陥よりもエッジ欠陥の方が、必要な精度を得ることができる効果が顕著に得られるので、好ましい。
The defective portion is present in the substrate. Specifically, the defect portion exists in the uneven pattern on the substrate. The defect portion is not particularly limited. In the present invention, the line portion of the convex portion and the space of the concave portion as in the
上記欠陥部は、ここで記載した点を除いて、「Ａ−１．第一実施態様 ２．開口部形成工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
The defect portion is the same as that described in the item “A-1.
上記開口部は、「Ａ−１．第一実施態様 ２．開口部形成工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
The said opening part is the same as that of what was demonstrated in the item of "A-1.
また、上記欠陥領域の上記保護膜を部分的に除去する方法は、特に限定されるものではないが、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射してエッチングする従来の方法が用いられる。荷電ビームとしては、上記欠陥領域の上記保護膜のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームを挙げることができる。 The method for partially removing the protective film in the defective region is not particularly limited. For example, a conventional method is used in which etching is performed by irradiating a charged beam while supplying an assist gas. The charged beam is not particularly limited as long as only the protective film in the defective area can be locally etched, and examples thereof include an electron beam and an ion beam.
また、アシストガスとしては、上記保護膜をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではなく、上記保護膜の材料の種類等に応じて適宜選択される。アシストガスは、単一成分のガスであってもよく、複数種の成分を含む混合ガスであってもよい。例えば、上記保護膜にＣｒを含む材料が用いられる場合には、アシストガスとして、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および酸素（Ｏ２）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガスが好ましく用いられる。 The assist gas is not particularly limited as long as it is a gas capable of etching the protective film, and is selected as appropriate according to the type of material of the protective film. The assist gas may be a single component gas or a mixed gas containing a plurality of types of components. For example, when a material containing Cr is used for the protective film, as an assist gas, a mixed gas containing xenon fluoride (XeF 2 ) and oxygen (O 2 ), xenon fluoride (XeF 2 ), and water vapor (H A mixed gas containing 2 O) is preferably used.
また、アシストガスの供給方法としては、例えば、上記保護膜にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、上記ＮＩＬ用マスクをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。 Examples of the supply method of the assist gas include a method of locally spraying the assist gas on the protective film, and a method of arranging the NIL mask in an assist gas atmosphere.
また、上記欠陥領域の上記保護膜をエッチングする際には、荷電ビームの照射により生じる上記保護膜に含まれる材料の二次電子信号を確認しながらエッチングを進め、上記保護膜に含まれる材料の二次電子信号がなくなる時点でエッチングを止めることにより、上記ＮＩＬ用マスク表面がエッチングされることを抑制しつつ、上記欠陥領域の上記保護膜を高い選択比でエッチングすることができる。 Further, when etching the protective film in the defect region, the etching proceeds while confirming secondary electron signals of the material contained in the protective film caused by irradiation of a charged beam, and the material contained in the protective film is By stopping the etching when the secondary electron signal disappears, the protective film in the defective region can be etched with a high selectivity while suppressing the etching of the NIL mask surface.
さらに、上記欠陥部を露出させる開口部を形成する際には、例えば、荷電ビーム修正装置等のような開口部形成装置を用いて、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射して、上記保護膜を部分的に除去し、上記開口部を形成する。 Furthermore, when forming the opening that exposes the defective portion, for example, using an opening forming apparatus such as a charged beam correcting apparatus, for example, irradiating a charged beam while supplying an assist gas, The protective film is partially removed to form the opening.
３．欠陥部修正工程
第二実施態様における欠陥部修正工程は、上記開口部から露出した上記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする工程である。
3. Defect repair process The defect repair process in the second embodiment is a process of etching the defect exposed from the opening by anisotropic dry etching.
上記欠陥部修正工程は、特に限定されるものではないが、「Ａ−１．第一実施態様 ３．欠陥部修正工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
Although the said defect part correction process is not specifically limited, It is the same as that of what was demonstrated in the item of "A-1.
４．保護膜除去工程
第二実施態様における保護膜除去工程は、残存する上記保護膜を除去する工程である。
4). Protective film removing step The protective film removing step in the second embodiment is a step of removing the remaining protective film.
残存する上記保護膜を除去する方法は、上記保護膜のみを除去することが可能な方法であれば特に限定されるものではない。上記保護膜を除去する方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが挙げられる。中でもウェットエッチングが好ましい。上記保護膜を容易に除去することができるからである。 The method for removing the remaining protective film is not particularly limited as long as it is a method capable of removing only the protective film. Examples of the method for removing the protective film include wet etching and dry etching. Of these, wet etching is preferable. This is because the protective film can be easily removed.
ウェットエッチングの場合、例えば、上記保護膜にＣｒを含む材料が用いられる場合には、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液が用いられる。ドライエッチングの場合、例えば、上記保護膜にＣｒを含む材料が用いられる場合には、塩素および酸素の混合ガスが用いられる。 In the case of wet etching, for example, when a material containing Cr is used for the protective film, an aqueous solution containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid is used. In the case of dry etching, for example, when a material containing Cr is used for the protective film, a mixed gas of chlorine and oxygen is used.
５．その他の工程
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。
5. Other Steps The method for correcting the NIL mask according to the second embodiment is not particularly limited as long as it has the steps as described above, but a necessary step can be appropriately added.
（１）観察工程
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （１）観察工程 ｉ．欠陥部観察工程」の項目で説明したものと同様の欠陥部観察工程を有するものが好ましい。「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （１）観察工程 ｉ．欠陥部観察工程」の項目で説明したのと同様の理由からである。また、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （１）観察工程 ｉｉ．開口部観察工程」の項目で説明したものと同様の開口部観察工程を有するものが好ましい。「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （１）観察工程 ｉｉ．開口部観察工程」の項目で説明したのと同様の理由からである。これらの観察工程は、「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （１）観察工程 ｉｉｉ．観察工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
(1) Observation process The method for correcting the NIL mask according to the second embodiment is the one described in the item “A-1.
（２）修正確認工程
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （２）修正確認工程」の項目で説明したものと同様の修正確認工程を有するものが好ましい。「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （２）修正確認工程」の項目で説明したのと同様の理由からである。この修正確認工程は、「Ａ−１．第一実施態様 ５．その他の工程 （２）修正確認工程」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
(2) Modification Confirmation Process The NIL mask modification method of the second embodiment is the same modification as described in the item “A-1.
６．その他
第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法は、ＮＩＬ用マスクに対して予め欠陥部の光検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程が通常行われる。
6). Others The NIL mask correction method according to the second embodiment normally includes an inspection process in which a defect portion is optically inspected in advance with respect to the NIL mask, and an NIL mask in which a defect portion requiring correction exists is extracted. .
また、第二実施態様のＮＩＬ用マスクの修正方法においては、第一実施態様と同様に、図６に示すように、上記開口部形成工程および開口部観察工程を繰り返し実施してもよい。また、第一実施態様と同様に、図６に示すように、上記欠陥部観察工程、開口部形成工程、および開口部観察工程は、複数個の欠陥部のそれぞれに対して、繰り返し行ってもよい。さらに、第一実施態様と同様に、図６に示すように、上記欠陥部修正工程および修正確認工程を繰り返し実施してもよい。 In the NIL mask correcting method of the second embodiment, as in the first embodiment, the opening forming step and the opening observing step may be repeated as shown in FIG. Similarly to the first embodiment, as shown in FIG. 6, the defect observation step, the opening formation step, and the opening observation step may be repeated for each of the plurality of defect portions. Good. Furthermore, as in the first embodiment, as shown in FIG. 6, the defect correction process and the correction confirmation process may be repeated.
Ｂ．ＮＩＬ用マスクの製造方法
本発明のＮＩＬ用マスクの製造方法は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のＮＩＬ用マスクの製造方法について、第三実施態様および第四実施態様に分けて説明する。
B. NIL Mask Manufacturing Method The NIL mask manufacturing method of the present invention can be roughly divided into two embodiments. Hereinafter, the manufacturing method of the NIL mask of the present invention will be described separately for the third embodiment and the fourth embodiment.
Ｂ−１．第三実施態様
第三実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、第一実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成され、上記基板における上記凹凸パターンの凸部上にハードマスク層が形成されたハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とする。
B-1. Third Embodiment A method for manufacturing a mask for nanoimprint lithography according to the third embodiment is such that a concavo-convex pattern is formed on the main surface of the substrate by the method for correcting a mask for nanoimprint lithography according to the first embodiment. It has the correction process which corrects the mask for nanoimprint lithography with a hard mask layer in which the hard mask layer was formed on the convex part.
第三実施態様によれば、第一実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを修正するので、第一実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法と同様の効果が得られる。 According to the third embodiment, since the NIL mask with a hard mask layer is corrected by the method for correcting a mask for nanoimprint lithography of the first embodiment, it is the same as the method for correcting a mask for nanoimprint lithography of the first embodiment. An effect is obtained.
上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクは、「Ａ．ＮＩＬ用マスクの修正方法 Ａ−１．第一実施態様 １．保護膜形成工程 （１）ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
The NIL mask with a hard mask layer is the one described in “A. NIL mask correction method A-1.
第三実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。例えば、上記修正工程前に、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを作製するＮＩＬ用マスク作製工程、上記ＮＩＬ用マスク作製工程後上記修正工程前に、上記ハードマスク層付きＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するハードマスク層付きＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程等をさらに有するものでもよい。 Although the manufacturing method of the mask for nanoimprint lithography of the third embodiment is not particularly limited as long as it has the above-described steps, necessary steps can be appropriately added. For example, an NIL mask manufacturing step for manufacturing the NIL mask with a hard mask layer before the correction step, a defect with respect to the NIL mask with a hard mask layer after the NIL mask manufacturing step and before the correction step It may further include an inspection step for inspecting the portion and extracting the NIL mask with a hard mask layer in which a defective portion requiring correction exists.
上記ＮＩＬ用マスク作製工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして基板を異方性ドライエッチングによりエッチングする工程等が挙げられる。 The NIL mask manufacturing process is not particularly limited. For example, blanks in which a hard mask layer and a resist layer are sequentially laminated on a substrate are prepared, the resist layer is patterned, and the patterned resist layer is prepared. And a step of etching the hard mask layer using the mask as a mask to remove the resist layer, and etching the substrate by anisotropic dry etching using the etched hard mask layer as a mask.
上記検査工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記欠陥部の検査として光検査を行う工程等が挙げられる。中でも、上記欠陥部の検査として光検査を行う工程が好ましい。上記検査工程では、上記ハードマスク層が付いたままのＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の検査を行うため、上記欠陥部の検査として光検査を行う場合には、上記ハードマスク層から反射する反射光を用いて光検査を行うことができる。これにより、上記欠陥部の光検査を容易に行うことができるからである。 Although it does not specifically limit as said inspection process, For example, the process etc. which perform an optical inspection as an inspection of the said defective part are mentioned. Among these, the step of performing an optical inspection as the inspection of the defective portion is preferable. In the inspection step, since the defect portion is inspected with respect to the NIL mask with the hard mask layer attached, when the optical inspection is performed as the defect portion inspection, the reflection reflected from the hard mask layer is performed. Light inspection can be performed using light. This is because the optical inspection of the defective portion can be easily performed.
Ｂ−２．第四実施態様
第四実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、第二実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、基板の主面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用マスクを修正する修正工程を有することを特徴とする。
B-2. Fourth Embodiment A method for manufacturing a mask for nanoimprint lithography according to the fourth embodiment is a modification of the mask for nanoimprint lithography in which a concavo-convex pattern is formed on the main surface of the substrate by the method for correcting a mask for nanoimprint lithography according to the second embodiment. It has the correction process, It is characterized by the above-mentioned.
第四実施態様によれば、第二実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法によって、上記ＮＩＬ用マスクを修正するので、第二実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法と同様の効果が得られる。 According to the fourth embodiment, since the NIL mask is corrected by the nanoimprint lithography mask correction method of the second embodiment, the same effect as the nanoimprint lithography mask correction method of the second embodiment can be obtained. .
上記ＮＩＬ用マスクは、「Ａ．ＮＩＬ用マスクの修正方法 Ａ−２．第二実施態様 １．保護膜形成工程 （１）ＮＩＬ用マスク」の項目で説明したものと同様である。このため、ここでの説明は省略する。
The NIL mask is the same as that described in the item “A. NIL Mask Modification Method A-2.
第四実施態様のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法は、上述したような工程を有するものであれば、特に限定されるものではないが、必要な工程を適宜加えることができる。例えば、上記修正工程前に、上記ＮＩＬ用マスクを作製するＮＩＬ用マスク作製工程、上記ＮＩＬ用マスク作製工程後上記修正工程前に、上記ＮＩＬ用マスクに対して欠陥部の検査を行い、修正が必要な欠陥部が存在するＮＩＬ用マスクを抽出する検査工程等をさらに有するものでもよい。 Although the manufacturing method of the mask for nanoimprint lithography of the fourth embodiment is not particularly limited as long as it has the above-described steps, necessary steps can be appropriately added. For example, before the correction process, the NIL mask manufacturing process for manufacturing the NIL mask, and after the NIL mask manufacturing process and before the correction process, the NIL mask is inspected and corrected. It may further include an inspection process for extracting an NIL mask in which a necessary defect exists.
上記ＮＩＬ用マスク作製工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして基板を異方性ドライエッチングによりエッチングしてハードマスク層を除去する工程等が挙げられる。 The NIL mask manufacturing process is not particularly limited. For example, blanks in which a hard mask layer and a resist layer are sequentially laminated on a substrate are prepared, the resist layer is patterned, and the patterned resist layer is prepared. And a step of removing the resist layer by etching the hard mask layer using the mask as a mask, and removing the hard mask layer by etching the substrate by anisotropic dry etching using the etched hard mask layer as a mask.
上記検査工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記欠陥部の検査として光検査を行う工程等が挙げられる。 Although it does not specifically limit as said inspection process, For example, the process etc. which perform an optical inspection as an inspection of the said defective part are mentioned.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。 The following examples illustrate the present invention in more detail.
［実施例１］
まず、図２に示すように、検査工程Ｓ１を行った。具体的には、図３（ａ）に示すように、図１に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを光検査により抽出した。図１および図３（ａ）に示されるハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａは、基板２および基板２上に形成されたハードマスク層３を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
[Example 1]
First, as shown in FIG. 2, an inspection step S1 was performed. Specifically, as shown in FIG. 3A, the NIL mask with
そして、基板２は、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英ガラスから構成される光透過性基板であり、ハードマスク層３は、厚さが２ｎｍであり、Ｃｒを含む材料から構成される。基板２の主面には、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有し、凹部の深さが５０ｎｍ、ハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンが形成されている。凹凸パターンの凸部上にハードマスク層３が形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。
The
なお、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａに対して欠陥部１０の光検査を行う際には、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存した。また、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａに複数個存在する欠陥部１０（２個存在するショート欠陥１０ａおよび１個存在するエッジ欠陥１０ｂ）の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、それぞれ、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍであったために、複数個の欠陥領域Ａ１の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍとなった。
When optical inspection of the
次に、図２に示すように、保護膜形成工程Ｓ２を行った。なお、本実施例では保護膜の形成はスパッタ装置のスパッタリング機能を用い、スパッタ装置内にて行った。具体的には、図３（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａ上において全面に保護膜４を形成した。本実施例の場合、保護膜４は、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおける凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂのみに形成した。保護膜４の厚さは２ｎｍとした。この際、保護膜形成用アシストガスとしてＣｒ（ＣＯ）６を供給し、欠陥領域Ａ１を含む全面に電子ビームを照射することによりＣｒを含む材料から構成される保護膜を形成した。
Next, as shown in FIG. 2, a protective film forming step S2 was performed. In this embodiment, the protective film is formed in the sputtering apparatus using the sputtering function of the sputtering apparatus. Specifically, as shown in FIG. 3B, a
次に、図２に示すように、欠陥部観察工程Ｓ３を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定した。その際の観察領域Ａ２はＸ方向：１０００ｎｍ、Ｙ方向：１０００ｎｍとした。以後の開口部観察工程および修正確認工程における観察領域Ａ３および観察領域Ａ４も同様とした。
Next, as shown in FIG. 2, a defect portion observation step S3 was performed. Specifically, as shown in FIG. 3C, the observation region A2 including the defect region A1 where the
次に、図２に示すように、開口部形成工程Ｓ４を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｄ）および図３（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３に対して、保護膜用アシストガス１３としてフッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガスを供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４およびハードマスク層３を部分的にエッチングした。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４およびハードマスク層３を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成した。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気した。
Next, as shown in FIG. 2, an opening forming step S4 was performed. Specifically, in the charged beam correction apparatus, as shown in FIGS. 3D and 3E, the
次に、図２に示すように、開口部観察工程Ｓ５を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図３（ｆ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたことを確認した。
Next, as shown in FIG. 2, an opening observation step S5 was performed. Specifically, as shown in FIG. 3F, the observation region A3 including the defect region A1 in the NIL mask with
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図２に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５を、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行った。
In addition, since there are a plurality of
次に、図２に示すように、欠陥部修正工程Ｓ６を行った。具体的には、ＡＭＡＴ社製Ｔｅｔｒａ‐ＩＩ（異方性ドライエッチング装置）内で、高周波誘導結合方式（ＩＣＰ）によりプラズマを発生させて、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングした。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正した。
Next, as shown in FIG. 2, a defect repair process S6 was performed. Specifically, in Tetra-II (anisotropic dry etching apparatus) manufactured by AMAT, plasma is generated by a high frequency inductive coupling method (ICP), and a fluorine-based gas is used as an etching gas from the
次に、図２に示すように、修正確認工程Ｓ７を行った。具体的には、図４（ｂ）に示すように、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａにおいて複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察した。これにより、ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａを平面視して正確な領域が修正されたことを確認した。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測した。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっていることを確認した。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたことを確認した。
Next, as shown in FIG. 2, a correction confirmation step S7 was performed. Specifically, as shown in FIG. 4B, a plurality of observation regions A4 each including a plurality of defect regions A1 in the
次に、図２に示すように、保護膜除去工程Ｓ８を行った。具体的には、修正後のハードマスク層付きＮＩＬ用マスク１Ａをウェトエッチング装置にセットし、図４（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４およびハードマスク層３を一緒に除去した。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造した。
Next, as shown in FIG. 2, a protective film removing step S8 was performed. Specifically, the modified
［実施例２］
まず、図６に示すように、検査工程Ｓ１を行った。具体的には、図７（ａ）に示すように、図５に示されるＮＩＬ用マスク１を光検査により抽出した。図５および図７（ａ）に示されるＮＩＬ用マスク１は、基板２を有し、欠陥部１０が基板２に複数個存在する。
[Example 2]
First, as shown in FIG. 6, the inspection step S1 was performed. Specifically, as shown in FIG. 7A, the
そして、基板２は、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英ガラスから構成される透過性基板である。基板２の主面には、凹凸パターンとして、凸部のライン部Ｌおよび凹部のスペース部Ｓを有し、凹部の深さが５０ｎｍ、ハーフピッチ（ｈｐ）（凸部および凹部の幅）が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンが形成されている。欠陥部１０としては、ショート欠陥１０ａおよびエッジ欠陥１０ｂが存在する。
The
なお、ＮＩＬ用マスク１に対して欠陥部１０の光検査を行う際には、欠陥部１０の大きさ、位置等を測定し、検査データとして保存した。また、ＮＩＬ用マスク１に複数個存在する欠陥部１０（２個存在するショート欠陥１０ａおよび１個存在するエッジ欠陥１０ｂ）の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、それぞれ、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍであったために、複数個の欠陥領域Ａ１の大きさ（Ｘ方向の長さ×Ｙ方向の長さ）は、２０ｎｍ×２０ｎｍ、２０ｎｍ×４０ｎｍ、および６ｎｍ×３０ｎｍとなった。
When optical inspection of the
次に、図６に示すように、保護膜形成工程Ｓ２を行った。なお、本実施例では保護膜の形成はスパッタ装置のスパッタリング機能を用い、スパッタ装置内にて行った。具体的には、図７（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１上において全面に保護膜４を形成した。本実施例の場合、保護膜４は、ＮＩＬ用マスク１における凹凸パターンの凸部の上面１ｔおよび凹部の底面１ｂのみに形成した。保護膜４の厚さは２ｎｍとした。この際、保護膜形成用アシストガスとしてＣｒ（ＣＯ）６を供給し、欠陥領域Ａ１を含む全面に電子ビームを照射することによりＣｒを含む材料から構成される保護膜を形成した。
Next, as shown in FIG. 6, a protective film forming step S2 was performed. In this embodiment, the protective film is formed in the sputtering apparatus using the sputtering function of the sputtering apparatus. Specifically, as shown in FIG. 7B, a
次に、図６に示すように、欠陥部観察工程Ｓ３を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｃ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ２を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、欠陥部１０の大きさ、位置等を改めて測定した。その際の観察領域Ａ２はＸ方向：１０００ｎｍ、Ｙ方向：１０００ｎｍとした。以後の開口部観察工程および修正確認工程における観察領域Ａ３および観察領域Ａ４も同様とした。
Next, as shown in FIG. 6, a defect portion observation step S3 was performed. Specifically, as shown in FIG. 7C, the observation region A2 including the defect region A1 in which the
次に、図６に示すように、開口部形成工程Ｓ４を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｄ）および図７（ｅ）に示すように、基板２において欠陥部１０が存在する欠陥領域Ａ１の保護膜４に対して、保護膜用アシストガス１３としてフッ化キセノン（ＸｅＦ２）および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む混合ガスを供給しながら荷電ビーム１１を局所的に照射して、保護膜４を部分的にエッチングした。これにより、欠陥領域Ａ１の保護膜４を部分的に除去し、欠陥部１０を露出させる開口部１２を形成した。そして、欠陥部１０を露出させた後、保護膜用アシストガス１３を排気した。
Next, as shown in FIG. 6, an opening forming step S4 was performed. Specifically, as shown in FIGS. 7D and 7E, the protective film is applied to the
次に、図６に示すように、開口部観察工程Ｓ５を行った。具体的には、荷電ビーム修正装置内で、図７（ｆ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において欠陥領域Ａ１を含む観察領域Ａ３を、荷電ビーム１１として電子線を照射する荷電ビーム修正装置に備え付けの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。これにより、開口部１２の大きさ、位置等を測定して、開口部１２を精度良く形成することができたことを確認した。
Next, as shown in FIG. 6, the opening observation step S5 was performed. Specifically, as shown in FIG. 7 (f), the charged beam correcting apparatus irradiates the
また、基板２において欠陥部１０は複数個存在するので、図６に示すように、上記の欠陥部観察工程Ｓ３、開口部形成工程Ｓ４、および開口部観察工程Ｓ５を、複数個の欠陥部１０のそれぞれに対して、繰り返し行った。
Further, since there are a plurality of
次に、図６に示すように、欠陥部修正工程Ｓ６を行った。具体的には、ＡＭＡＴ社製Ｔｅｔｒａ‐ＩＩ（異方性ドライエッチング装置）内で、高周波誘導結合方式（ＩＣＰ）によりプラズマを発生させて、エッチングガスとしてフッ素系ガスを用いて、開口部１２から露出した複数個の欠陥部１０を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングした。これにより、複数個の欠陥部１０を一括して修正した。
Next, as shown in FIG. 6, a defect repair process S6 was performed. Specifically, in Tetra-II (anisotropic dry etching apparatus) manufactured by AMAT, plasma is generated by a high frequency inductive coupling method (ICP), and a fluorine-based gas is used as an etching gas from the
次に、図６に示すように、修正確認工程Ｓ７を行った。具体的には、図８（ｂ）に示すように、ＮＩＬ用マスク１において複数個の欠陥領域Ａ１をそれぞれが含む複数個の観察領域Ａ４を、荷電ビーム１１として電子線を照射する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で順番に観察した。これにより、ＮＩＬ用マスク１を平面視して正確な領域が修正されたことを確認した。また、図示しないが、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１を代表する領域の欠陥部修正後の深さを原子間顕微鏡（ＡＦＭ）で計測した。これにより、基板２において、複数個の欠陥領域Ａ１の欠陥部修正後の深さが所望の深さになっていることを確認した。これらの観察および計測により、欠陥部１０を精度良く修正することができたことを確認した。
Next, as shown in FIG. 6, a correction confirmation step S7 was performed. Specifically, as shown in FIG. 8B, a scanning electron that irradiates an electron beam as a charged
次に、図６に示すように、保護膜除去工程Ｓ８を行った。具体的には、修正後のＮＩＬ用マスク１をウェトエッチング装置にセットし、図８（ｃ）に示すように、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いてウェットエッチングすることによって、残存する保護膜４を除去した。これにより、基板２の主面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用マスク１を製造した。
Next, as shown in FIG. 6, a protective film removing step S8 was performed. Specifically, the modified
１…ＮＩＬ用マスク
１Ａ…ハードマスク層付きＮＩＬ用マスク
２…基板
３…ハードマスク層
４…保護膜
１０…欠陥部
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記ハードマスク層付きナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の前記保護膜および前記ハードマスク層を部分的に除去し、前記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部から露出した前記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングする欠陥部修正工程と、
残存する前記保護膜および前記ハードマスク層を除去する保護膜除去工程と、
を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法。 A nanoimprint lithography mask correcting method for correcting a nanoimprint lithography mask with a hard mask layer in which an uneven pattern is formed on a main surface of a substrate and a hard mask layer is formed on a convex portion of the uneven pattern on the substrate. ,
A protective film forming step of forming a protective film on the entire surface on the nanoimprint lithography mask with the hard mask layer;
An opening forming step of partially removing the protective film and the hard mask layer in a defect region where a defect exists in the substrate to form an opening exposing the defect;
A defect repairing step of etching the defect exposed from the opening by anisotropic dry etching;
A protective film removing step for removing the remaining protective film and the hard mask layer;
A method for correcting a mask for nanoimprint lithography, comprising:
前記ナノインプリントリソグラフィ用マスク上において全面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記基板において欠陥部が存在する欠陥領域の前記保護膜を部分的に除去し、前記欠陥部を露出させる開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部から露出した複数の前記欠陥部を異方性ドライエッチングによりエッチングすることで、一括して修正する欠陥部修正工程と、
残存する前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの修正方法。 A nanoimprint lithography mask correcting method for correcting a nanoimprint lithography mask having a concavo-convex pattern formed on a main surface of a substrate,
A protective film forming step of forming a protective film over the entire surface of the nanoimprint lithography mask;
An opening forming step of partially removing the protective film in the defect region where the defect exists in the substrate and forming an opening exposing the defect;
A defect correcting step for correcting in a lump by etching a plurality of the defects exposed from the opening by anisotropic dry etching,
A protective film removing step for removing the remaining protective film;
A method for correcting a mask for nanoimprint lithography, comprising:
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