JP6463876B1 - 基板の封止構造体、及び表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
次に、図面を参照しながら本発明の第一実施形態である基板の封止構造体が説明される。図1に示されるように、本発明の第一実施形態の封止構造体100は、対向して配置された第一基板10及び第二基板20と、その第一基板10及び第二基板20の間に形成された電子素子30と、電子素子30の外周で第一基板10及び第二基板20を封止したシール剤50とを備えている。本実施形態では、シール剤50は低融点ガラス材を含み、第一基板10及び第二基板20のそれぞれと接着されており、シール剤50と電子素子30との間で、かつ、第一基板10及び第二基板20の間で、電子素子30の外周を取り囲むように形成された隔壁60が配置されており、シール剤50と隔壁60とは離間している。なお、基板の封止構造体とは、2枚の基板の間に電子素子30などが配置されてその周囲が本実施形態の構造で封止された電子デバイスの総称である。
次に、電子素子30として、OLED30aとLCD30bとを有する複合型の表示装置が、図2を参照しながら説明される。
次に、本発明の第三実施形態の表示装置の製造方法が、図2及び図4を参照しながら、説明される。本実施形態の表示装置の製造方法は、少なくとも駆動素子を形成したTFT基板10を形成する工程(S1)と、TFT基板10の上方又は表面上にLCD30b用の反射電極41及びOLED30aを形成する工程(S2)と、LCD30b用の対向電極43を有する対向基板20を形成する工程(S3)と、TFT基板10又は対向基板20のいずれかで、LCD30b用の反射電極41及びOLED30aを形成する素子形成領域Aの周縁部に、隔壁材料61(図3A参照)を配置する工程(S4)と、TFT基板10又は対向基板20のいずれかで、隔壁60のLCD30b及びOLED30aの素子形成領域Aと反対の部位に隔壁60と離間してシール剤材料51(図3A参照)を配置する工程(S5)と、隔壁60で囲まれるLCD30b及びOLED30aの素子形成領域Aに液晶材料を滴下する工程(S6)と、TFT基板10と対向基板20とを重ね合せる工程(S7)と、シール剤材料51によってTFT基板10と対向基板20とを接着する工程(S8)と、を具備している。そして、シール剤材料51に低融点ガラスを含む材料を用い、かつ、シール剤材料51をレーザ光の照射によってTFT基板10及び対向基板20と接着する。
(1)本発明の第一実施形態に係る封止構造体は、対向して配置された第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板の間に形成された電子素子と、前記電子素子の外周で前記第一基板及び第二基板を封止したシール剤と、を備え、前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記第一基板及び第二基板のそれぞれと接着されており、前記シール剤と前記電子素子との間で、かつ、前記第一基板及び第二基板の間で、前記電子素子の外周を取り囲むように形成された隔壁が配置されており、前記シール剤と前記隔壁とは離間している。
13 駆動用TFT
19 第一絶縁層
20 第二基板(対向基板)
30 電子素子
30a 有機EL発光素子(OLED)
30b 液晶表示素子(LCD)
31 第一電極(アノード電極)
32 第二絶縁層
32a 第三絶縁層
33 有機層
34 第二電極(カソード電極)
35 被覆層(TFE)
41 反射電極(画素電極)
42 液晶層
43 対向電極
47 偏光板
50 シール剤
51 シール剤材料
60 隔壁
61 隔壁材料
100 封止構造体
200 表示装置
A 素子形成領域
B 接着部
R 第一領域
T 第二領域
Claims (18)
- 表示画面の画素ごとに形成された駆動素子及び前記駆動素子の上の表面を平坦にした第一絶縁層を有するTFT基板と、
前記TFT基板の一画素の第一領域で、前記第一絶縁層の上方に形成された液晶表示素子用の反射電極と、
前記TFT基板の前記第一絶縁層の上の前記第一領域と隣接する前記一画素の第二領域に形成され、第一電極、有機層、第二電極及び被覆層を有する有機EL表示素子と、
前記反射電極と対向する対向電極を有し、前記TFT基板と対向して配置された対向基板と、
前記TFT基板と前記対向基板との間に充填された液晶層と、
前記TFT基板及び前記対向基板を貼り合せたシール剤と、
を具備し、
前記シール剤は低融点ガラス材を含み、前記TFT基板及び前記対向基板のそれぞれと接着されており、
前記シール剤と前記液晶層との間で、かつ、前記TFT基板と前記対向基板との間に隔壁が配置されており、
前記シール剤と前記隔壁とが離間している、
表示装置。 - 前記離間する距離が0.5mm以上である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記シール剤は、ガラスフリットが軟化した後硬化したガラスである、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記シール剤は、ガラスリボンが前記TFT基板及び前記対向基板と接着することで形成されている、請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記隔壁が、前記TFT基板及び前記対向基板と接着している、請求項1〜4のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記隔壁の体積の90%以上が無機材料である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記隔壁が、ガラス、セラミックス、半導体、金属及び金属酸化物の少なくとも一種の微粉末の固化体である、請求項6に記載の表示装置。
- 前記隔壁が、ガラスリボンを含んでいる、請求項6に記載の表示装置。
- 前記隔壁が、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、及び遅延硬化性樹脂の群れから選ばれる一種の接合樹脂である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 少なくとも駆動素子を形成したTFT基板を形成する工程と、
前記TFT基板の上方又は表面上に液晶表示素子用の反射電極及び有機EL表示素子を形成する工程と、
液晶表示素子用の対向電極を有する対向基板を形成する工程と、
前記TFT基板又は前記対向基板のいずれかで、前記液晶表示素子用の反射電極及び前記有機EL表示素子を形成する素子形成領域の周縁部に、隔壁材料を配置する工程と、
前記TFT基板又は前記対向基板のいずれかで、前記隔壁材料の前記素子形成領域と反対の部位に前記隔壁材料と離間してシール剤材料を配置する工程と、
前記隔壁材料で囲まれる前記素子形成領域に液晶組成物を滴下する工程と、
前記TFT基板と前記対向基板とを重ね合せる工程と、
前記シール剤材料を硬化させることによって前記TFT基板と前記対向基板とを接着する工程と、
を具備し、
前記シール剤材料に低融点ガラスを含む材料を用い、かつ、前記シール剤材料にレーザ光を照射することによって前記TFT基板及び前記対向基板を接着する、
表示装置の製造方法。 - 前記シール剤材料としてガラスフリットを用い、印刷又はディスペンサによって前記ガラスフリットを塗布した後にレーザ光によって軟化させてから硬化させることで、前記TFT基板と前記対向基板とを接着する、請求項10記載の製造方法。
- 前記シール剤材料としてガラスリボンを用い、前記ガラスリボンを前記TFT基板又は前記対向基板のいずれかの所定の部位に貼り付けた後に前記TFT基板と前記対向基板とを重ね合せてレーザ光によって接着する、請求項10記載の製造方法。
- 前記ガラスリボンの貼り付けでは、前記レーザ光の照射によって硬化して得られるシール剤の前記素子形成領域を囲むシール部の全周を複数個の分割領域にして、前記分割領域のそれぞれをカバーする複数個の前記ガラスリボンの一端部又は両端部を前記TFT基板又は前記対向基板の、前記シール部から前記素子形成領域と反対の外側に突出した位置に付着させる、請求項12に記載の製造方法。
- 前記隔壁材料に、紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂、及び遅延硬化性樹脂の群から選ばれる一種の接合樹脂を用い、前記TFT基板と前記対向基板とを重ね合せた後に、前記隔壁材料を硬化して前記TFT基板及び前記対向基板のそれぞれと接着する、請求項10〜13のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記隔壁材料として、ガラス、セラミックス、半導体、金属及び金属酸化物の少なくとも一種の微粉末のペーストを用い、前記ペーストの塗布後に硬化させることによって隔壁を形成し、その後に前記TFT基板と前記対向基板とを重ねて貼り合せる、請求項10〜13のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記隔壁材料として無機材料のリボンを用い、前記リボンを所定の部位に配置する、請求項10〜13のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記隔壁材料と、前記シール剤材料とを、前記TFT基板又は前記対向基板のいずれか一方に連続的に配置し、その後に前記TFT基板と前記対向基板とを重ね合せた後に前記シール剤材料を硬化させることによって前記TFT基板と前記対向基板とを接着する、請求項10〜16のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記液晶組成物を滴下する工程と、前記TFT基板及び前記対向基板を重ね合せる工程とを真空雰囲気下で行い、その後、窒素雰囲気下で前記シール剤材料を硬化させることによって前記TFT基板と前記対向基板との接着を行う、請求項10〜17のいずれか1項に記載の製造方法。
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