JP6460637B2 - 半導体光導波路装置 - Google Patents
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Description
(付記1)半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた光機能素子と、前記半導体基板上に設けられた半導体光導波路とを備え、前記半導体光導波路は前記光機能素子との接続部側に回折格子部を備えたコア層を有し、前記回折格子部は、前記コア層の前記接続部側と反対側から入射した導波光を前記光機構素子に入力するとともに、前記導波光が各回折格子接合部により反射された反射光と前記導波光が前記光機能素子の前記接続部端側で反射された反射光とで光の干渉を起こすことにより、前記導波光の前記コア層への入射方向と反対方向への反射を抑える周期構造を有することを特徴とする半導体光導波路装置。
(付記2)前記回折格子部が、前記半導体光導波路の前記コア層の側面に形成されていることを特徴とする付記1に記載の半導体光導波路装置。
(付記3)前記回折格子部が、前記半導体光導波路の前記コア層の上面に形成されていることを特徴とする付記1に記載の半導体光導波路装置。
(付記4)前記回折格子部が設けられた領域の上部クラッド層上に、温度制御素子が設けられていることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載の半導体光導波路装置。
(付記5)前記温度制御素子が、発熱抵抗素子或いはペルチェ効果素子のいずれかであることを特徴とする付記4に記載の半導体光導波路装置。
(付記6)前記光機能素子が、前記半導体光導波路の前記コア層を形成する単結晶半導体層の前記半導体光導波路からの延長部上に形成された前記単結晶半導体層とは異種材料からなる半導体受光素子であることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の半導体光導波路装置。
(付記7)前記光機能素子が、前記半導体光導波路の前記コア層を形成する単結晶半導体層の前記半導体光導波路からの延長部を利用して形成した1:2型の多モード光干渉導波路であることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の半導体光導波路装置。
(付記8)前記接続部において、前記光機能素子の前記接続部側の端面と、前記半導体光導波路の前記コア層の端面とが対向していることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載の半導体光導波路装置。
(付記9)前記光機能素子の前記接続部側の端面が、前記半導体光導波路の前記コア層の光軸方向に対して傾斜していることを特徴とする付記8に記載の半導体光導波路装置。
(付記10)前記半導体基板が、単結晶Si基板上に酸化膜を介して単結晶Si層を設けたSOI基板の単結晶Si基板であり、前記コア層が前記SOI基板の単結晶Si層により形成されたことを特徴とする付記1乃至付記9のいずれか1に記載の半導体光導波路装置。
2 酸化膜
3 半導体光導波路
4 コア層
5 無反射回折格子部
6 上部クラッド層
7 光機能素子
21 Si基板
22 BOX層
23 Siコア層
24,33 無反射回折格子部
25 素子形成用テラス部
26,29 p型Ge層
27 i型Ge層
28 n型Ge層
30 SiO2膜
31 n側電極
32 p側電極
34 ヒータ
35 MMI
36 出力導波路
41 アライメントマーク
42 台座
50 Geフォトダイオード
51,54 p型Ge層
52 i型Ge層
53 n型Ge層
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた光機能素子と、
前記半導体基板上に設けられた半導体光導波路とを備え、
前記半導体光導波路は前記光機能素子との接続部側に回折格子部を備えたコア層を有し、
前記回折格子部は、前記コア層の前記接続部側と反対側から入射した導波光を前記光機構素子に入力するとともに、前記導波光が各回折格子接合部により反射された反射光と前記導波光が前記光機能素子の前記接続部端側で反射された反射光とで光の干渉を起こすことにより、前記導波光の前記コア層への入射方向と反対方向への反射を抑える周期構造を有することを特徴とする半導体光導波路装置。 - 前記回折格子部が、前記半導体光導波路の前記コア層の側面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光導波路装置。
- 前記回折格子部が、前記半導体光導波路の前記コア層の上面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光導波路装置。
- 前記回折格子部が設けられた領域の上部クラッド層上に、温度制御素子が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体光導波路装置。
- 前記光機能素子が、前記半導体光導波路の前記コア層を形成する単結晶半導体層の前記半導体光導波路からの延長部上に形成された前記単結晶半導体層とは異種材料からなる半導体受光素子であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体光導波路装置。
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