JP6451903B1 - Laser processing method - Google Patents

Laser processing method Download PDF

Info

Publication number
JP6451903B1
JP6451903B1 JP2018528355A JP2018528355A JP6451903B1 JP 6451903 B1 JP6451903 B1 JP 6451903B1 JP 2018528355 A JP2018528355 A JP 2018528355A JP 2018528355 A JP2018528355 A JP 2018528355A JP 6451903 B1 JP6451903 B1 JP 6451903B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
laser
conformal mask
conformal
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018528355A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2019146110A1 (en
Inventor
幸利 工藤
幸利 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP6451903B1 publication Critical patent/JP6451903B1/en
Publication of JPWO2019146110A1 publication Critical patent/JPWO2019146110A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/386—Removing material by boring or cutting by boring of blind holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

従来のレーザ加工方法の問題点であった、外周部分に連続してパルスレーザを照射すると、１つのコンフォーマルマスクへの蓄熱量が大きくなることで絶縁材料が選択的に分解除去されてしまうため、ガラスクロスの突出が発生しやすいという点を解消し、形成する穴数が複数のコンフォーマル加工を行うレーザ加工方法であって、穴数に対応して設けられた複数のコンフォーマルマスク３０ａ〜３０ｆを構成する第１マスク３０ａの内側又は外側に定めた領域にレーザ光１を照射する第１加工工程と、コンフォーマルマスク３０ａ〜３０ｆを構成する第１マスク３０ａとは異なるマスク３０ｂ〜３０ｆの内側又は外側にレーザ光１を照射する第１加工工程とは異なる加工工程と、を有し、第１加工工程から異なる加工工程までを実施する加工手順を複数回繰り返すと共に、加工手順を複数回繰り返す毎にレーザ光１を照射する位置を変えながら加工を完了する。When a pulse laser is continuously irradiated to the outer peripheral portion, which is a problem of the conventional laser processing method, the amount of heat stored in one conformal mask is increased, so that the insulating material is selectively decomposed and removed. The laser processing method that eliminates the tendency of glass cloth protrusion to occur and performs conformal processing in which the number of holes to be formed is a plurality of conformal masks 30a to 30a provided corresponding to the number of holes. The first processing step of irradiating the region defined inside or outside the first mask 30a constituting 30f with the laser beam 1 and the masks 30b to 30f different from the first mask 30a constituting the conformal masks 30a to 30f. A first machining process that is different from the first machining process in which the laser beam 1 is irradiated on the inside or the outside. Procedure with the repeated several times, completing the machining while changing a position of irradiating the laser beam 1 a processing procedure for each repeated a plurality of times.

Description

この発明は、コンフォーマル加工を行うレーザ加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing method for performing conformal processing.

近年、車載用電子機器等、冷熱環境・振動環境下での接続信頼性が要求される電子回路形成工程において、高密度実装が可能であることから、回路基板の穴あけ加工方法として、従来のドリル加工法からレーザ加工法に代替が進んでいる。レーザ加工法は、プリント配線板の層間電気接続を担う導通穴を形成する方法として、従来から採用されている。車載用電子機器に新規採用される回路基板の材料は、絶縁材として、ガラス転移温度の高いガラスクロスに樹脂を含侵させた複合材料を用いる特徴を有する。 In recent years, high-density mounting is possible in electronic circuit formation processes that require connection reliability in cold and vibration environments such as in-vehicle electronic devices. Substitution is progressing from processing methods to laser processing methods. The laser processing method has been conventionally employed as a method of forming a conduction hole that bears an interlayer electrical connection of a printed wiring board. A circuit board material newly employed in an in-vehicle electronic device has a characteristic of using a composite material in which a glass cloth having a high glass transition temperature is impregnated with a resin as an insulating material.

一方、絶縁材の除去には、ガラス転移温度が高いほど高強度のレーザ光を照射する必要がある。車載用電子機器に用いられる基板の絶縁層厚さは、一般に１００μｍ以上あり、貫通穴部分の絶縁材を効率的に除去するために、光強度の高いＣＯ２パルスレーザが光源として採用されている。 On the other hand, in order to remove the insulating material, it is necessary to irradiate with higher intensity laser light as the glass transition temperature is higher. The insulating layer thickness of a substrate used in an in-vehicle electronic device is generally 100 μm or more, and a CO 2 pulse laser with high light intensity is employed as a light source in order to efficiently remove the insulating material in the through hole portion.

特開２０１１−１１０５９８号公報（第１７頁、第１図）Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-110598 (page 17, FIG. 1)

従来では、レーザ走査装置を用いて、一つのコンフォーマルマスクの外周に沿ってパルスレーザを順次連続照射する加工方法が用いられているが、外周部分に連続してパルスレーザを照射すると、コンフォーマルマスクの外周部分では、先行して分解除去されプラズマ化したレーザ光吸収物質が、後行して照射されるレーザ光を吸収して、その場に滞留し、滞留近傍の絶縁材内部の蓄熱量が増加する。蓄熱量が増加すると、絶縁材内部のガラスクロスがガラス転移温度以下まで十分に冷却されず、その結果、ガラスクロスが十分に分解除去されず、ガラスクロスの突出が発生しやすい、穴底部へガラス玉が残留するという問題点がある。 Conventionally, a processing method has been used in which a laser beam is successively irradiated along the outer periphery of a single conformal mask using a laser scanning device. At the outer periphery of the mask, the laser light absorbing material decomposed and removed in advance and absorbed into the plasma absorbs the laser light irradiated later and stays there, and the amount of heat stored inside the insulating material near the stay Will increase. When the amount of heat storage increases, the glass cloth inside the insulating material is not sufficiently cooled to below the glass transition temperature, and as a result, the glass cloth is not sufficiently decomposed and removed, and the glass cloth is likely to protrude and the glass to the bottom of the hole tends to occur. There is a problem that balls remain.

この発明は、上述のような問題を解決するためになされたもので、絶縁材内部の蓄熱量を抑制して効率良く穴を形成することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to efficiently form holes while suppressing the amount of heat stored inside the insulating material.

この発明に係るレーザ加工方法においては、基材上に形成されたＮ個のコンフォーマルマスク毎にそれぞれ設定されたＭ個のレーザ光照射点に順次レーザ光照射するレーザ加工方法であって、Ｍ×Ｎ個のレーザ光照射点を順次レーザ光照射する際に、一のコンフォーマルマスク中のＭ個のレーザ光照射点のうちの一点に対して一のレーザ光照射を行い、引き続き、別のコンフォーマルマスクのＭ個のレーザ光照射点のうちの一点に対して次のレーザ光照射を行うことをＭ×Ｎ回繰り返すことにより、コンフォーマルマスク毎に一つの穴を形成する。 In this laser processing method in accordance with the invention, there is provided a laser processing method for sequentially irradiating laser beam to the M laser irradiation point set respectively for each of N conformal mask formed on the substrate, M When sequentially irradiating laser light irradiation points of × N laser light points, one of the M laser light irradiation points in one conformal mask is irradiated with one laser light, and then another laser light irradiation point By repeating the next laser beam irradiation on one point of the M laser beam irradiation points of the conformal mask M × N times, one hole is formed for each conformal mask .

この発明は、任意のコンフォーマルマスク１穴に着目すると、後行して照射されるレーザ光は、先行して分解除去されプラズマ化したレーザ光吸収物質の発生位置とは異なる位置に、ある程度の時間経過後に照射されるため、レーザ光吸収物質が時間経過と共に拡散し、１つのコンフォーマルマスクへの蓄熱量が抑制され、絶縁材内部のガラスクロスがガラス転移温度以下まで冷却する十分な照射間隔を確保でき、その結果、ガラスクロスが十分に分解除去され、ガラスクロスの突出が発生せず、穴底部へのガラス玉の残留を抑制することができるので、効率良く穴を形成することができる。 In the present invention, focusing on an arbitrary conformal mask 1 hole, the laser light to be irradiated in a subsequent manner is at a certain position at a position different from the generation position of the laser light absorbing material decomposed and removed in advance. Irradiation after time elapses, the laser light absorbing material diffuses over time, the amount of heat stored in one conformal mask is suppressed, and the sufficient irradiation interval for cooling the glass cloth inside the insulating material to below the glass transition temperature As a result, the glass cloth is sufficiently decomposed and removed, the glass cloth does not protrude, and the glass ball can be prevented from remaining on the bottom of the hole, so that the hole can be efficiently formed. .

この発明の実施例１を示すレーザ加工装置の構成図である。It is a block diagram of the laser processing apparatus which shows Example 1 of this invention. この発明の実施例１を示すレーザ光の照射位置の図である。It is a figure of the irradiation position of the laser beam which shows Example 1 of this invention. この発明の実施例１を示す被加工材の表面に対し垂直に切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected perpendicularly | vertically with respect to the surface of the workpiece which shows Example 1 of this invention. この発明の実施例１を示すレーザ光照射順序の図である。It is a figure of the laser beam irradiation order which shows Example 1 of this invention. この発明の実施例１を示すレーザ加工装置の構成図である。It is a block diagram of the laser processing apparatus which shows Example 1 of this invention. この発明の実施例２を示すレーザ光の照射位置の図である。It is a figure of the irradiation position of the laser beam which shows Example 2 of this invention. この発明の実施例３を示すレーザ光の照射位置の図である。It is a figure of the irradiation position of the laser beam which shows Example 3 of this invention.

実施例１．
図１は、この発明の実施例１を示すレーザ加工装置の構成図である。図１に示すレーザ加工装置は、パルスであるレーザ光１を発生させるレーザ発振器２と、レーザ光１のエネルギーを調整するエネルギー調整装置３と、レーザ光１の照射方向を偏向させる光走査装置４と、レーザ光１を集光させるｆθレンズ５から構成される。被加工材６は、移動テーブル９上に設置され、被加工材６の表面がｆθレンズ５の焦点面７と一致する、もしくはレーザ光１が焦点から外れて照射されるように、被加工材６は焦点面７から移動テーブル９方向に平行移動させた面８に配置される。制御装置５０はレーザ発振器のレーザ動作を制御すると共に、この発明の実施例１に示す加工方法を実現するために、光走査装置４と移動テーブル９を制御する。Example 1.
FIG. 1 is a block diagram of a laser machining apparatus showing Embodiment 1 of the present invention. The laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a laser oscillator 2 that generates a laser beam 1 that is a pulse, an energy adjustment device 3 that adjusts the energy of the laser beam 1, and an optical scanning device 4 that deflects the irradiation direction of the laser beam 1. And an fθ lens 5 for condensing the laser beam 1. The workpiece 6 is placed on the moving table 9 so that the surface of the workpiece 6 coincides with the focal plane 7 of the fθ lens 5 or the laser beam 1 is irradiated out of focus. 6 is arranged on a plane 8 translated from the focal plane 7 in the direction of the moving table 9. The control device 50 controls the laser operation of the laser oscillator and controls the optical scanning device 4 and the moving table 9 in order to realize the processing method shown in the first embodiment of the present invention.

レーザ発振器２にて生成されたレーザ光１は、エネルギー調整装置３により加工に最適な値にエネルギー調整され、レーザ光１の照射方向を偏向させる光走査装置４に入射する。制御装置５０によって制御された光走査装置４は、予め算出されたレーザ光照射位置に対応して、レーザ光１の照射方向を偏向させる。光走査装置４によりレーザ光照射位置を位置決めされたレーザ光１は、ｆθレンズ５へ入射し、被加工材６へ照射される。 The laser beam 1 generated by the laser oscillator 2 is energy-adjusted to an optimum value for processing by the energy adjusting device 3 and enters the optical scanning device 4 that deflects the irradiation direction of the laser beam 1. The optical scanning device 4 controlled by the control device 50 deflects the irradiation direction of the laser light 1 in accordance with the laser light irradiation position calculated in advance. The laser beam 1 whose laser beam irradiation position has been positioned by the optical scanning device 4 enters the fθ lens 5 and is irradiated onto the workpiece 6.

図２は、被加工材６である、３つのコンフォーマルマスク３０ａ〜３０ｃが形成された基材１０に対するレーザ光１の照射位置を示す。図２において、コンフォーマルマスク３０ａを例にして説明すると、基材１０の表面は、元々は表面導体層1６で覆われているが、コンフォーマルマスク３０ａの外周部１１より内側部分の表面導体層１６は、別工程にて予め除去されている。レーザ光照射点１３として、コンフォーマルマスク３０ａの内側に、領域としてコンフォーマルマスク３０ａの重心を基点に、コンフォーマルマスク３０ａの外周部１１と相似形状の外周部１２を定め、外周部１２の外周長を等分するように、レーザ光照射点１３を決定する。もしくは、コンフォーマルマスク３０ａの重心から放射状の等角線を伸ばし、コンフォーマルマスク３０ａの内側に、領域としてコンフォーマルマスク３０ａと相似形状の外周部１２を定め、外周部１２の外周との交点を照射点１３としても良い。コンフォーマルマスクが円形状の場合は、コンフォーマルマスクの重心はコンフォーマルマスクの中心となる。 FIG. 2 shows the irradiation position of the laser beam 1 on the base material 10 on which the three conformal masks 30a to 30c, which are the workpiece 6, are formed. In FIG. 2, the conformal mask 30a will be described as an example. The surface of the substrate 10 is originally covered with the surface conductor layer 16, but the surface conductor layer on the inner side of the outer peripheral portion 11 of the conformal mask 30a. 16 is previously removed in a separate process. As the laser beam irradiation point 13, an outer peripheral portion 12 having a shape similar to the outer peripheral portion 11 of the conformal mask 30 a is defined on the inner side of the conformal mask 30 a as a region and the center of gravity of the conformal mask 30 a as a base point. The laser beam irradiation point 13 is determined so that the length is equally divided. Alternatively, radial contours are extended from the center of gravity of the conformal mask 30a, an outer peripheral portion 12 similar to the conformal mask 30a is defined as a region inside the conformal mask 30a, and an intersection with the outer periphery of the outer peripheral portion 12 is defined. The irradiation point 13 may be used. When the conformal mask is circular, the center of gravity of the conformal mask is the center of the conformal mask.

図２では、コンフォーマルマスク３０ａの内側に、領域としてコンフォーマルマスク３０ａの重心を基点に、コンフォーマルマスク３０ａの外周部１１と相似形状の外周部１２を定めたが、コンフォーマルマスク３０ａの外側に、領域としてコンフォーマルマスク３０ａと相似形状の外周部１２を定めても良く、コンフォーマルマスク３０ａと相似形状の外周部１２の拡大縮小率は、加工に適する値として良い。 In FIG. 2, the outer peripheral portion 12 having a shape similar to the outer peripheral portion 11 of the conformal mask 30a is defined on the inner side of the conformal mask 30a as a region, with the center of gravity of the conformal mask 30a as a base point. In addition, the outer peripheral portion 12 having a similar shape to the conformal mask 30a may be defined as a region, and the enlargement / reduction ratio of the outer peripheral portion 12 having a similar shape to the conformal mask 30a may be a value suitable for processing.

図３は、図２においてコンフォーマルマスク３０ａ〜３０ｃのそれぞれ重心を通り、被加工材６である基材１０の表面に対し垂直に切断した断面図である。基材１０は表面導体層1６と、絶縁層1７と、裏面導体層１９で構成されている。絶縁層１７の内部には、基材１０の補強材であるガラスクロス１８が内含されている。１４は、レーザ光１により分解除去されて発生したレーザ吸収物質である。 FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the center of gravity of each of the conformal masks 30 a to 30 c in FIG. 2 and cut perpendicularly to the surface of the base material 10 that is the workpiece 6. The substrate 10 is composed of a surface conductor layer 16, an insulating layer 17, and a back conductor layer 19. The insulating layer 17 includes a glass cloth 18 that is a reinforcing material for the base material 10. Reference numeral 14 denotes a laser absorbing material generated by being decomposed and removed by the laser beam 1.

図４は、基材に複数のコンフォーマルマスクが存在する場合のレーザ光照射順序を示した図である。１つのコンフォーマルマスクには、レーザ光１を照射する位置が予め４つ以上が定められており、例えば、コンフォーマルマスク３０ａ〜３０ｃには、各々８つのレーザ光１を照射する位置が定められている。Ｎ個のコンフォーマルマスクにおいて、各コンフォーマルマスク中にＭ個のレーザ光照射点が存在する場合、Ｍ×Ｎ個の加工工程が存在し、第ｎ番目のコンフォーマルマスクのうち、第ｍ番目のレーザ光照射位置をｋ（ｎ、ｍ）とする。ここで、１≦ｎ≦Ｎ、１≦ｍ≦Ｍである。例えば、図４においては、コンフォーマルマスク３０ａ〜３０ｆの数が６（Ｎ＝６）、レーザ光照射点の数が８（Ｍ＝８）となる。なお、レーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）にレーザ光１を照射する際の加工条件は全て同じ条件とする。なお、図４では、レーザ光１のパルス照射数は１パルスの場合について説明する。 FIG. 4 is a diagram showing a laser beam irradiation sequence in the case where a plurality of conformal masks are present on the substrate. In one conformal mask, four or more positions for irradiating the laser beam 1 are determined in advance. For example, in the conformal masks 30a to 30c, positions for irradiating eight laser beams 1 are determined. ing. In the N conformal masks, when there are M laser light irradiation points in each conformal mask, there are M × N processing steps, and the mth of the nth conformal masks. The laser beam irradiation position of k is assumed to be k (n, m). Here, 1 ≦ n ≦ N and 1 ≦ m ≦ M. For example, in FIG. 4, the number of conformal masks 30a to 30f is 6 (N = 6), and the number of laser light irradiation points is 8 (M = 8). The processing conditions for irradiating the laser beam irradiation position k (n, m) with the laser beam 1 are all the same. In FIG. 4, a case where the number of pulse irradiations of the laser beam 1 is 1 pulse will be described.

図４においては、合計でＭ×Ｎ個、すなわち４８個のレーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）、１≦ｎ≦６、１≦ｍ≦８が存在し、以下の順序でレーザ光１を照射する。 In FIG. 4, there are a total of M × N, that is, 48 laser light irradiation positions k (n, m), 1 ≦ n ≦ 6, 1 ≦ m ≦ 8, and the laser light 1 is emitted in the following order. Irradiate.

第１加工工程として、最初にレーザ光１を第１マスクであるコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、１）に１パルス照射する。次に、第２加工工程として、レーザ光１を第１マスクとは異なる第２マスクであるコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、１）に１パルス照射する。さらに順次、第３加工工程として、レーザ光１を第１マスクとは異なる第３マスクであるコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、１)、第４加工工程として、第１マスクとは異なる第４マスクであるコンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、１)、第５加工工程として、第１マスクとは異なる第５マスクであるコンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、１)、第６加工工程として、第１マスクとは異なる第６マスクであるコンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、１)に１パルス照射していく。 As a first processing step, first, one pulse of laser light 1 is irradiated onto k (1, 1) of the conformal mask 30a that is the first mask. Next, as a second processing step, the laser beam 1 is irradiated with one pulse on k (2, 1) of the conformal mask 30b which is a second mask different from the first mask. Further, sequentially, as a third processing step, the laser beam 1 is converted to k (3, 1) of a conformal mask 30c which is a third mask different from the first mask, and as a fourth processing step, a fourth different from the first mask. K (4, 1) of the conformal mask 30d, which is a mask, as a fifth processing step, k (5, 1) of a conformal mask 30e, which is a fifth mask different from the first mask, as a sixth processing step, One pulse is applied to k (6, 1) of a conformal mask 30f which is a sixth mask different from the first mask.

第１加工工程から第６加工工程までの一連の加工工程を実施する加工手順を繰り返す毎に、１つのコンフォーマルマスクにレーザ光１を照射する際は、レーザ光１を照射済の位置から最も離れた位置であり、かつレーザ光１の未照射位置に照射する。まず、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、１)に１パルス照射後は、２回目の加工手順としてレーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、２）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、２）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、２)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、２)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、２)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、２)に１パルス照射していく。 Each time a processing procedure for performing a series of processing steps from the first processing step to the sixth processing step is repeated, when irradiating one conformal mask with the laser beam 1, the laser beam 1 is irradiated from the position where the laser beam 1 has been irradiated most. Irradiation is performed to a position that is far away and is not irradiated with the laser beam 1. First, after one pulse is applied to k (6, 1) of the conformal mask 30f, the laser beam 1 is irradiated to one pulse of k (1, 2) of the conformal mask 30a as a second processing procedure. Next, one pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 2) of the conformal mask 30b. Further, sequentially, laser beam 1 is applied to k (3, 2) of conformal mask 30c, k (4, 2) of conformal mask 30d, k (5, 2) of conformal mask 30e, and k (5) of conformal mask 30f. 6 and 2) are irradiated with one pulse.

次に、３回目の加工手順として、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、３）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、３）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、３)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、３)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、３)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、３)に１パルス照射していく。 Next, as a third processing procedure, one pulse of laser light 1 is applied to k (1, 3) of the conformal mask 30a. Next, 1 pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 3) of the conformal mask 30b. Further, sequentially, laser beam 1 is applied to k (3, 3) of conformal mask 30c, k (4, 3) of conformal mask 30d, k (5, 3) of conformal mask 30e, and k (5) of conformal mask 30f. 6 and 3) are irradiated with one pulse.

次に、４回目の加工手順として、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、４）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、４）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、４)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、４)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、４)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、４)に１パルス照射していく。 Next, as a fourth processing procedure, one pulse of laser light 1 is irradiated onto k (1, 4) of the conformal mask 30a. Next, one pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 4) of the conformal mask 30b. Further, sequentially, the laser beam 1 is applied to k (3, 4) of the conformal mask 30c, k (4, 4) of the conformal mask 30d, k (5, 4) of the conformal mask 30e, and k (5 of the conformal mask 30f. 6 and 4) are irradiated with one pulse.

次に、５回目の加工手順として、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、５）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、５）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、５)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、５)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、５)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、５)に１パルス照射していく。 Next, as a fifth processing procedure, one pulse of laser light 1 is applied to k (1, 5) of the conformal mask 30a. Next, 1 pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 5) of conformal mask 30b. Further, sequentially, the laser beam 1 is converted into k (3, 5) of the conformal mask 30c, k (4, 5) of the conformal mask 30d, k (5, 5) of the conformal mask 30e, and k (5 of the conformal mask 30f. 6 and 5) are irradiated with one pulse.

次に、６回目の加工手順として、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、６）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、６）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、６)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、６)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、６)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、６)に１パルス照射していく。 Next, as a sixth processing procedure, one pulse of laser light 1 is applied to k (1, 6) of the conformal mask 30a. Next, 1 pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 6) of conformal mask 30b. Further, sequentially, laser light 1 is applied to k (3, 6) of the conformal mask 30c, k (4, 6) of the conformal mask 30d, k (5, 6) of the conformal mask 30e, and k (5 of the conformal mask 30f. 6 and 6) are irradiated with one pulse.

次に、７回目の加工手順として、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、７）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、７）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、７)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、７)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、７)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、７)に１パルス照射していく。 Next, as a seventh processing procedure, one pulse of laser light 1 is applied to k (1, 7) of the conformal mask 30a. Next, 1 pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 7) of the conformal mask 30b. Further, sequentially, the laser beam 1 is applied to k (3, 7) of the conformal mask 30c, k (4, 7) of the conformal mask 30d, k (5, 7) of the conformal mask 30e, and k (5 of the conformal mask 30f. 6 and 7) are irradiated with one pulse.

最後に、８回目の加工手順として、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ａのｋ（１、８）に１パルス照射する。次に、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｂのｋ（２、８）に１パルス照射する。さらに順次、レーザ光１をコンフォーマルマスク３０ｃのｋ(３、８)、コンフォーマルマスク３０ｄのｋ(４、８)、コンフォーマルマスク３０ｅのｋ(５、８)、コンフォーマルマスク３０ｆのｋ(６、８)に１パルス照射していき、加工を完了する。 Finally, as an eighth processing procedure, one pulse of laser light 1 is applied to k (1, 8) of the conformal mask 30a. Next, 1 pulse of laser beam 1 is applied to k (2, 8) of conformal mask 30b. Further, sequentially, laser beam 1 is applied to k (3, 8) of conformal mask 30c, k (4, 8) of conformal mask 30d, k (5, 8) of conformal mask 30e, and k (5 of conformal mask 30f). 6 and 8) are irradiated with one pulse to complete the processing.

コンフォーマルマスクの数がＮ個、各コンフォーマルマスク中にＭ個のレーザ光照射点が存在する一般の場合の加工工程を次に説明する。 Next, the processing steps in the general case where the number of conformal masks is N and M laser beam irradiation points exist in each conformal mask will be described.

レーザ光１を照射する第ｎ番目のコンフォーマルマスクが最後の第Ｎ番目のコンフォーマルマスクではない場合、第ｎ番目のコンフォーマルマスク（１≦ｎ＜Ｎ）のうち第ｍ番目のレーザ光照射点にレーザ光１を照射、すなわち、レーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）にレーザ光１を照射後、レーザ光照射点をレーザ光照射位置ｋ（ｎ＋１、ｍ）に順次加工工程を繰り返してレーザ光１を照射する。 When the nth conformal mask for irradiating the laser beam 1 is not the last Nth conformal mask, the mth laser beam irradiation of the nth conformal mask (1 ≦ n <N). The point is irradiated with the laser beam 1, that is, after the laser beam 1 is irradiated to the laser beam irradiation position k (n, m), the laser beam irradiation point is sequentially repeated at the laser beam irradiation position k (n + 1, m). Laser light 1 is irradiated.

レーザ光１を照射する第ｎ番目のコンフォーマルマスクが最後の第Ｎ番目のコンフォーマルマスクであり、かつ、第ｍ番目のレーザ光照射点が最後の第Ｍ番目のレーザ光照射点ではない場合、第Ｎ番目のコンフォーマルマスクのうち、第ｍ番目のレーザ光照射点にレーザ光１を照射、すなわち、レーザ光照射位置ｋ（Ｎ、ｍ）にレーザ光１を照射後、レーザ光照射点を第１番目のコンフォーマルマスクに戻ると共に、レーザ光照射位置ｋ（１、ｍ＋１）に移動させてレーザ光１を照射する。レーザ光照射位置ｋ（Ｎ、ｍ）からレーザ光照射位置ｋ（１、ｍ＋１）に移動する場合、すなわち、同一のコンフォーマルマスク内での照射順序は、蓄熱の影響が最小となるように対角位置を逐次選択することが望ましい。 When the nth conformal mask for irradiating the laser beam 1 is the last Nth conformal mask and the mth laser beam irradiation point is not the last Mth laser beam irradiation point Of the Nth conformal mask, the laser beam 1 is irradiated to the mth laser beam irradiation point, that is, the laser beam 1 is irradiated to the laser beam irradiation position k (N, m), and then the laser beam irradiation point. Is returned to the first conformal mask and moved to the laser beam irradiation position k (1, m + 1) to be irradiated with the laser beam 1. When moving from the laser light irradiation position k (N, m) to the laser light irradiation position k (1, m + 1), that is, the irradiation order in the same conformal mask is set so that the influence of heat storage is minimized. It is desirable to select the corner positions sequentially.

レーザ光１を照射する第ｎ番目のコンフォーマルマスクが最後の第Ｎ番目のコンフォーマルマスクであり、かつ、第ｍ番目のレーザ光照射点が最後の第Ｍ番目のレーザ光照射点である場合、第Ｎ番目のコンフォーマルマスクの第Ｍ番目のレーザ光照射点にレーザ光１を照射、すなわち、レーザ光照射位置ｋ（Ｎ、Ｍ）にレーザ光１を照射後、加工を完了する。あるいは、レーザ光照射位置ｋ（Ｎ、Ｍ）にレーザ光１を照射後、再び、レーザ光照射位置ｋ（１、１）に戻り、同一の加工手順を複数回繰り返し、加工を完了する。 When the nth conformal mask for irradiating the laser beam 1 is the last Nth conformal mask and the mth laser beam irradiation point is the last Mth laser beam irradiation point The laser beam 1 is irradiated to the Mth laser beam irradiation point of the Nth conformal mask, that is, the laser beam 1 is irradiated to the laser beam irradiation position k (N, M), and the processing is completed. Or after irradiating laser beam 1 to laser beam irradiation position k (N, M), it returns to laser beam irradiation position k (1, 1) again, and repeats the same processing procedure several times, and completes processing.

レーザ光１の照射パルス数が１パルスを例にして説明すると、任意のコンフォーマルマスクのレーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）に１パルスのレーザ光１を照射した後、後行するパルスのレーザ光１は、異なるコンフォーマルマスクに属するレーザ光照射位置ｋ（ｎ＋１、ｍ）に照射される。また、あるコンフォーマルマスクに着目すれば、着目したコンフォーマルマスクに属するレーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）へレーザ光１が照射された後、次のレーザ光１が同じコンフォーマルマスクに属するレーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ＋１）に照射されるまでの時間間隔は、他のＮ−１個のコンフォーマルマスクに属するレーザ光照射位置に１パルスずつ位置を変えて照射していく時間間隔と同じである。 When the number of irradiation pulses of the laser beam 1 is taken as an example, the laser beam irradiation position k (n, m) of an arbitrary conformal mask is irradiated with one pulse of the laser beam 1 and then the subsequent pulse is irradiated. The laser beam 1 is irradiated to a laser beam irradiation position k (n + 1, m) belonging to a different conformal mask. Further, if attention is paid to a certain conformal mask, after the laser beam 1 is irradiated to the laser beam irradiation position k (n, m) belonging to the focused conformal mask, the next laser beam 1 belongs to the same conformal mask. The time interval until the laser beam irradiation position k (n, m + 1) is irradiated is the time interval in which the laser beam irradiation position belonging to the other N-1 conformal masks is changed by one pulse at a time. Is the same.

着目したコンフォーマルマスクは、一つの加工手順が完了する時間を経過した後に、再度レーザ光１の照射を受けるが、そのレーザ光照射位置は、前の加工手順の時に照射されたレーザ光照射位置とは異なる位置であるため、後行するレーザ光１は、分解除去されて発生したレーザ吸収物質１４と異なる位置に、ある程度の時間経過後に照射されることになる。このため、レーザ光吸収物質が時間経過と共に拡散し、１つのコンフォーマルマスクへの蓄熱量が抑制され、絶縁材内部のガラスクロスがガラス転移温度以下まで冷却するまで十分な照射間隔を確保できる。 The focused conformal mask is irradiated with the laser beam 1 again after a time for completing one processing procedure, and the laser beam irradiation position is the laser beam irradiation position irradiated at the previous processing procedure. Therefore, the subsequent laser beam 1 is irradiated to a position different from the laser absorbing material 14 generated by decomposition and removal after a certain period of time. Therefore, the laser light absorbing material diffuses over time, the amount of heat stored in one conformal mask is suppressed, and a sufficient irradiation interval can be secured until the glass cloth inside the insulating material cools to the glass transition temperature or lower.

また、従来では同じコンフォーマルマスクにレーザ光１を照射するため、先行で照射したレーザ光１の照射により発生するレーザ吸収物質１４の存在により蓄熱の影響を受けていたが、この発明の実施例１では、後行するレーザ光１は、分解除去されて発生したレーザ吸収物質１４と異なる位置に、ある程度の時間経過後に照射されることになるので、レーザ光吸収物質が時間経過と共に拡散し、後行にて照射するレーザ光１の強度の減衰や強度分布の変化も発生しにくくなり、良好な穴を形成することができる。 Further, conventionally, since the same conformal mask is irradiated with the laser beam 1, it has been affected by the heat storage due to the presence of the laser absorbing material 14 generated by the irradiation of the laser beam 1 irradiated in advance. 1, the following laser beam 1 is irradiated to a position different from the laser absorbing material 14 generated by decomposition and removal after a certain amount of time, so that the laser beam absorbing material diffuses with time, Attenuating the intensity of the laser beam 1 to be irradiated later and a change in intensity distribution are less likely to occur, and a good hole can be formed.

レーザ光１の照射位置は、制御装置５０によって制御された光走査装置４による偏向、あるいは、移動テーブル９の駆動による被加工材６の平行移動、あるいは、光走査装置４による偏向と移動テーブル９の駆動の両方により位置決めされる。光走査装置４の走査範囲内であれば、移動テーブル９を静止させた状態で、光走査装置４の走査のみでレーザ光１の照射位置を変化させても良い。 The irradiation position of the laser beam 1 is determined by the deflection by the optical scanning device 4 controlled by the control device 50, the parallel movement of the workpiece 6 by driving the moving table 9, or the deflection and the moving table 9 by the optical scanning device 4. Is positioned by both driving. If it is within the scanning range of the optical scanning device 4, the irradiation position of the laser beam 1 may be changed only by the scanning of the optical scanning device 4 while the moving table 9 is stationary.

各コンフォーマルマスクの重心に対し同一の相対位置にある、すなわち、ｍが同じレーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）をグループに分け、ｍが同じレーザ光照射位置グループへの照射においては、光走査装置４による偏向のみにてレーザ光１を照射する位置決めを行い、ｍが異なる相対位置にあるレーザ光照射位置グループへの照射の際は、グループ間の座標の差分だけ移動テーブル９を駆動させて、被加工材６を平行移動させることで、グループ間のレーザ光照射位置に相対的変位を与えても良い。 The laser beam irradiation position k (n, m) that is at the same relative position with respect to the center of gravity of each conformal mask, that is, m is the same, is divided into groups. Positioning for irradiating the laser beam 1 only by deflection by the scanning device 4 is performed, and when irradiating a laser beam irradiation position group at a relative position where m is different, the moving table 9 is driven by the difference in coordinates between the groups. Thus, by moving the workpiece 6 in parallel, a relative displacement may be given to the laser light irradiation position between the groups.

移動テーブル９の駆動により被加工材６を平行移動させる代替として、図５に示すように、ｆθレンズ５の設置位置よりも発振器２側の位置に光走査装置２０を追加配置し、光走査装置２０により、レーザ光照射位置に相対的変位を与えても良い。 As an alternative to parallel movement of the workpiece 6 by driving the moving table 9, as shown in FIG. 5, an optical scanning device 20 is additionally arranged at a position closer to the oscillator 2 than the installation position of the fθ lens 5. 20 may give a relative displacement to the laser light irradiation position.

実施例１では、レーザ光照射位置ｋ（ｎ、ｍ）のそれぞれの位置に対して、１パルス照射する場合にについて説明したが、複数のパルス数を連続照射し、穴形成を進展させても良い。 In the first embodiment, the case of irradiating each pulse of the laser beam irradiation position k (n, m) with one pulse has been described. good.

このように、任意のコンフォーマルマスクに着目すると、後行して照射されるレーザ光は、先行して分解除去されプラズマ化したレーザ光吸収物質の発生位置と異なる位置に、ある程度の時間経過後に照射されるため、レーザ光吸収物質が時間経過と共に拡散し、１つのコンフォーマルマスクへの蓄熱量が抑制され、絶縁材内部のガラスクロスがガラス転移温度以下まで冷却するまで十分な照射間隔を確保でき、その結果、ガラスクロスが十分に分解除去され、ガラスクロスの突出が発生せず、穴底部へのガラス玉の残留を抑制することができるので、効率良く穴を形成することができる。 In this way, focusing on an arbitrary conformal mask, the laser beam to be irradiated afterwards is at a position different from the generation position of the laser light absorbing material that has been decomposed and removed in advance, and after a certain amount of time has elapsed. Because it is irradiated, the laser light-absorbing material diffuses over time, the amount of heat stored in one conformal mask is suppressed, and a sufficient irradiation interval is secured until the glass cloth inside the insulating material cools below the glass transition temperature. As a result, the glass cloth is sufficiently decomposed and removed, the glass cloth does not protrude, and the glass ball can be prevented from remaining on the bottom of the hole, so that the holes can be efficiently formed.

実施例２．
実施例１では、レーザ光照射点をコンフォーマルマスクの重心を基点にコンフォーマルマスクの外周部と相似形状の外周部を１個定めた場合について説明したが、コンフォーマルマスクの重心を基点にコンフォーマルマスクの外周部と相似形状の外周部を複数個定めても良い。コンフォーマルマスクが円形状の場合は、コンフォーマルマスクの重心はコンフォーマルマスクの中心となる。Example 2
In the first embodiment, the case where the laser beam irradiation point is defined as one outer peripheral portion having a shape similar to the outer peripheral portion of the conformal mask with the center of gravity of the conformal mask as a base point has been described. A plurality of outer peripheral portions similar in shape to the outer peripheral portion of the formal mask may be defined. When the conformal mask is circular, the center of gravity of the conformal mask is the center of the conformal mask.

図６は、この発明の実施例２を示す被加工材６である２つのコンフォーマルマスク６０ａ〜６０ｂが形成された基材１０に対するレーザ光１の照射位置を示す。この発明の実施例２では、コンフォーマルマスク６０ａを例にして説明すると、コンフォーマルマスク６０ａの内側にコンフォーマルマスク６０ａの重心を基点に、コンフォーマルマスク６０ａの外周部６１と相似形状の外周部２１と外周部２２を定め、外周部２１と外周部２２の外周長を等分するようにレーザ光照射点６２を決定する。Ｎ個のコンフォーマルマスクにおいて、各コンフォーマルマスク中に、外周部２１に対してはＰ個のレーザ光照射点が存在し、外周部２２に対してはＱ個のレーザ光照射点が存在する場合、第ｎ番目のコンフォーマルマスクのうち、外周部２１に照射する第ｐ番目のレーザ光照射位置をａ（ｎ、ｐ）とし、外周部２２に照射する第ｑ番目のレーザ光照射位置をｂ（ｎ、ｑ）とする。ここで、１≦ｎ≦Ｎ、１≦ｐ≦Ｐ、１≦ｑ≦Ｑである。 FIG. 6 shows the irradiation position of the laser beam 1 on the base material 10 on which the two conformal masks 60a to 60b, which are the workpiece 6 showing Embodiment 2 of the present invention, are formed. In the second embodiment of the present invention, the conformal mask 60a will be described as an example. An outer peripheral portion having a shape similar to the outer peripheral portion 61 of the conformal mask 60a with the center of gravity of the conformal mask 60a as a base point inside the conformal mask 60a. 21 and the outer peripheral portion 22 are determined, and the laser beam irradiation point 62 is determined so that the outer peripheral lengths of the outer peripheral portion 21 and the outer peripheral portion 22 are equally divided. In N conformal masks, there are P laser light irradiation points for the outer peripheral portion 21 and Q laser light irradiation points for the outer peripheral portion 22 in each conformal mask. In this case, in the nth conformal mask, the pth laser beam irradiation position irradiated to the outer peripheral portion 21 is a (n, p), and the qth laser light irradiation position irradiated to the outer peripheral portion 22 is Let b (n, q). Here, 1 ≦ n ≦ N, 1 ≦ p ≦ P, and 1 ≦ q ≦ Q.

加工順序について、外周部２１に照射するレーザ光照射位置ａ（ｎ、ｐ）と、外周部２２に照射するレーザ光照射位置ｂ（ｎ、ｑ）は区別せずに、実施例１で説明したレーザ光照射順序と同様の順序で決定すれば良い。１つのコンフォーマルマスクには、レーザ光１を照射する位置は、予め４つ以上が定められており、一つの加工手順が完了する毎に１つのコンフォーマルマスクにレーザ光１を照射する際は、レーザ光１を照射済の位置から最も離れた位置で、かつ、レーザ光１の未照射位置に照射する。なお、レーザ光照射位置ａ（ｎ、ｐ）とｂ（ｎ、ｑ）にレーザ光１を照射する際の加工条件は全て同じとする。 Regarding the processing sequence, the laser light irradiation position a (n, p) irradiated on the outer peripheral portion 21 and the laser light irradiation position b (n, q) irradiated on the outer peripheral portion 22 are not distinguished from each other and are described in the first embodiment. What is necessary is just to determine in the order similar to a laser beam irradiation order. One conformal mask has four or more predetermined positions to irradiate the laser beam 1, and every time one processing procedure is completed, the laser beam 1 is irradiated to one conformal mask. The laser beam 1 is irradiated to the position farthest from the irradiated position and to the unirradiated position of the laser beam 1. The processing conditions for irradiating the laser beam 1 to the laser beam irradiation positions a (n, p) and b (n, q) are all the same.

このように、任意のコンフォーマルマスクに着目すると、後行して照射されるレーザ光は、先行して分解除去されプラズマ化したレーザ光吸収物質の発生位置と異なる位置に、ある程度の時間経過後に照射されるため、レーザ光吸収物質が時間経過と共に拡散し、１つのコンフォーマルマスクへの蓄熱量が抑制され、絶縁材内部のガラスクロスがガラス転移温度以下まで冷却するまで十分な照射間隔を確保でき、その結果、ガラスクロスが十分に分解除去され、ガラスクロスの突出が発生せず、穴底部へのガラス玉の残留を抑制することができるので、効率良く穴を形成することができる。 In this way, focusing on an arbitrary conformal mask, the laser beam to be irradiated afterwards is at a position different from the generation position of the laser light absorbing material that has been decomposed and removed in advance, and after a certain amount of time has elapsed. Because it is irradiated, the laser light-absorbing material diffuses over time, the amount of heat stored in one conformal mask is suppressed, and a sufficient irradiation interval is secured until the glass cloth inside the insulating material cools below the glass transition temperature. As a result, the glass cloth is sufficiently decomposed and removed, the glass cloth does not protrude, and the glass ball can be prevented from remaining on the bottom of the hole, so that the holes can be efficiently formed.

実施例３．
実施例２では、レーザ光照射位置ａ（ｎ、ｐ）とｂ（ｎ、ｑ）にレーザ光１を照射する際の加工条件は全て同じである場合について説明したが、図７に示すように、レーザ光１を照射する外周部ごとに、照射するレーザ光１のパルス幅、ビーム強度、ショット数、基材１０の表面とｆθレンズ５の焦点面７の距離といったパラメータのうち、少なくとも１つのパラメータを変更しても良い。Example 3
In the second embodiment, the case where the laser beam irradiation positions a (n, p) and b (n, q) are irradiated with the laser beam 1 is all the same as the processing conditions, but as shown in FIG. At least one of the parameters such as the pulse width of the laser beam 1 to be irradiated, the beam intensity, the number of shots, and the distance between the surface of the substrate 10 and the focal plane 7 of the f.theta. The parameter may be changed.

コンフォーマルマスク６０ａを例にして説明すると、コンフォーマルマスク６０ａの重心を基点に、コンフォーマルマスク６０ａの外周部と相似形状の外周部のうち、最も外側の外周部２１に先行してレーザ光１を照射し、続いて、内側の外周部２２にレーザ光１を照射する場合を考える。コンフォーマルマスク６０ａの重心部分は、先行して外周部２１に照射するレーザ光１によって樹脂およびガラスクロスの大部分が除去されているため、内側の外周部２２に対して、先行して外周部２１に照射するレーザ光１と同一の加工条件にて照射すると、入熱が過多となり、底面導通層に溶融部分が発生する場合がある。そこで、内側の外周部２２に照射するレーザ光１は、ビーム強度を低くして加工することで、溶融を回避して良好な穴形成を行うことができる。 The conformal mask 60a will be described as an example. The laser beam 1 precedes the outermost outer peripheral portion 21 out of the outer peripheral portions similar to the outer peripheral portion of the conformal mask 60a with the center of gravity of the conformal mask 60a as a base point. Next, the case where the laser beam 1 is irradiated to the inner peripheral portion 22 is considered. The center of gravity of the conformal mask 60a has been removed from the inner peripheral portion 22 in advance by the outer peripheral portion 22 because most of the resin and the glass cloth have been removed by the laser beam 1 irradiated on the outer peripheral portion 21 in advance. When the laser beam 1 is irradiated under the same processing conditions as the laser beam 1, the heat input becomes excessive, and a molten portion may be generated in the bottom surface conductive layer. Therefore, the laser beam 1 applied to the inner peripheral portion 22 can be processed with a reduced beam intensity to avoid melting and form a favorable hole.

また、コンフォーマルマスク内部の絶縁層1７の厚みが、例えば、２００μｍ以上と厚い場合、絶縁層1７の裏面導体層１９側下部を効果的に除去するため、内側の外周部２２にレーザ光１を照射する場合は、絶縁層1７の裏面導体層１９側下部にて、レーザ光１がより集光するようにｆθレンズ５の焦点面７を降下、あるいは、被加工材６を上昇させることで、絶縁層1７の裏面導体層１９側下部において、絶縁物除去面積を拡大した穴形成を行うことができる。 Further, when the thickness of the insulating layer 17 inside the conformal mask is as thick as 200 μm or more, for example, the laser beam 1 is applied to the inner peripheral portion 22 in order to effectively remove the lower portion of the insulating layer 17 on the back conductor layer 19 side. In the case of irradiation, the focal plane 7 of the fθ lens 5 is lowered or the workpiece 6 is raised so that the laser beam 1 is more condensed at the lower part of the insulating layer 17 on the back conductor layer 19 side. In the lower part of the insulating layer 17 on the back conductor layer 19 side, a hole can be formed with an expanded insulating material removal area.

このように、任意のコンフォーマルマスクに着目すると、後行して照射されるレーザ光は、先行して分解除去されプラズマ化したレーザ光吸収物質の発生位置と異なる位置に、ある程度の時間経過後に照射されるため、レーザ光吸収物質が時間経過と共に拡散し、１つのコンフォーマルマスクへの蓄熱量が抑制され、絶縁材内部のガラスクロスがガラス転移温度以下まで冷却するまで十分な照射間隔を確保でき、その結果、ガラスクロスが十分に分解除去され、ガラスクロスの突出が発生せず、穴底部へのガラス玉の残留を抑制することができるので、効率良く穴を形成することができる。 In this way, focusing on an arbitrary conformal mask, the laser beam to be irradiated afterwards is at a position different from the generation position of the laser light absorbing material that has been decomposed and removed in advance, and after a certain amount of time has elapsed. Because it is irradiated, the laser light-absorbing material diffuses over time, the amount of heat stored in one conformal mask is suppressed, and a sufficient irradiation interval is secured until the glass cloth inside the insulating material cools below the glass transition temperature. As a result, the glass cloth is sufficiently decomposed and removed, the glass cloth does not protrude, and the glass ball can be prevented from remaining on the bottom of the hole, so that the holes can be efficiently formed.

１ レーザ光、２ レーザ発振器、３ エネルギー調整装置、４、２０ 光走査装置、５ ｆθレンズ、６ 被加工材、７ 焦点面、８ 平行移動させた面、９ 移動テーブル、１０ 基材、１１、１２、２１、２２、６１ 外周部、１３ レーザ光照射点、１４ レーザ吸収物質、１６ 表面導体層、１７ 絶縁層、１８ ガラスクロス、１９ 裏面導体層、３０ａ〜３０ｆ、５０ 制御装置、６０ａ、６０ｂ コンフォーマルマスク。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser beam, 2 Laser oscillator, 3 Energy adjustment device, 4, 20 Optical scanning device, 5 f (theta) lens, 6 Work material, 7 Focal plane, 8 Translated surface, 9 Moving table, 10 Base material, 11, 12, 21, 22, 61 Outer part, 13 Laser light irradiation point, 14 Laser absorbing material, 16 Surface conductor layer, 17 Insulating layer, 18 Glass cloth, 19 Back surface conductor layer, 30a-30f, 50 Controller, 60a, 60b Conformal mask.

Claims (8)

基材上に形成されたＮ個のコンフォーマルマスク毎にそれぞれ設定されたＭ個のレーザ光照射点に順次レーザ光照射するレーザ加工方法であって、
前記Ｍ×Ｎ個のレーザ光照射点を順次レーザ光照射する際に、一の前記コンフォーマルマスク中のＭ個のレーザ光照射点のうちの一点に対して一のレーザ光照射を行い、引き続き、別の前記コンフォーマルマスクのＭ個の前記レーザ光照射点のうちの一点に対して次のレーザ光照射を行うことをＭ×Ｎ回繰り返すことにより、前記コンフォーマルマスク毎に一つの穴を形成するレーザ加工方法。 A laser processing method of sequentially irradiating laser beams to M laser beam irradiation points set for each of N conformal masks formed on a substrate,
When sequentially irradiating the M × N laser light irradiation points, one laser light irradiation is performed on one of the M laser light irradiation points in the one conformal mask, and subsequently By repeating the next laser beam irradiation on one point of the M laser beam irradiation points of another conformal mask M × N times, one hole is formed for each conformal mask. Laser processing method to be formed. 基材上に形成されたＮ個のコンフォーマルマスク毎にそれぞれ設定されたＭ個のレーザ光照射点に順次レーザ光照射するレーザ加工方法であって、
ｎ番目（１≦ｎ≦Ｎ）のコンフォーマルマスクのｍ番目（１≦ｍ≦Ｍ）のレーザ光照射点ｋをｋ（ｎ，ｍ）と表した場合に、ｍを固定してｎを１からＮまで一つずつ増やしながらｋ（１，ｍ）からｋ（Ｎ，ｍ）までの各レーザ光照射点をレーザ光照射する工程を、ｍ＝１からｍ＝Ｍまで繰り返すことを特徴とするレーザ加工方法。 A laser processing method of sequentially irradiating laser beams to M laser beam irradiation points set for each of N conformal masks formed on a substrate,
When the m-th (1 ≦ m ≦ M) laser beam irradiation point k of the n-th (1 ≦ n ≦ N) conformal mask is expressed as k (n, m), m is fixed and n is 1 The step of irradiating each laser beam irradiation point from k (1, m) to k (N, m) while increasing from N to N one by one is repeated from m = 1 to m = M. laser processing method that. 前記レーザ光照射点は前記コンフォーマルマスクの重心を基点に前記コンフォーマルマスクと相似形状の外周部に定められる
ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ加工方法。 3. The laser processing method according to claim 1, wherein the laser beam irradiation point is determined on an outer peripheral portion having a shape similar to the conformal mask with a center of gravity of the conformal mask as a base point. 4. 前記レーザ光照射点は、前記外周部の外周長を複数個に等分した位置に設定されること
を特徴とする請求項３に記載のレーザ加工方法。 The laser processing method according to claim 3, wherein the laser beam irradiation point is set at a position where the outer peripheral length of the outer peripheral part is equally divided into a plurality of parts. 前記外周部は前記コンフォーマルマスクの内側に複数個定めたこと
を特徴とする請求項３または４に記載のレーザ加工方法。 The laser processing method according to claim 3 or 4, wherein a plurality of the outer peripheral portions are defined inside the conformal mask. 前記レーザ光照射点は、一つの前記コンフォーマルマスクに対し、予め４つ以上が定められていること
を特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。 5. The laser processing method according to claim 1, wherein four or more laser light irradiation points are determined in advance for one conformal mask. 6. 前記レーザ光はパルス光であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のレーザ加工方法。 The laser processing method according to claim 1, wherein the laser light is pulsed light. 前記パルス光の数は１パルスであることを特徴とする請求項７に記載のレーザ加工方法。 The laser processing method according to claim 7, wherein the number of the pulsed light is one pulse.
JP2018528355A 2018-01-29 2018-01-29 Laser processing method Active JP6451903B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/002755 WO2019146110A1 (en) 2018-01-29 2018-01-29 Laser processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6451903B1 true JP6451903B1 (en) 2019-01-16
JPWO2019146110A1 JPWO2019146110A1 (en) 2020-02-06

Family

ID=65020443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018528355A Active JP6451903B1 (en) 2018-01-29 2018-01-29 Laser processing method

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6451903B1 (en)
KR (1) KR102213648B1 (en)
CN (1) CN111629857A (en)
TW (1) TWI669180B (en)
WO (1) WO2019146110A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020251782A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-17 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing apparatus, methods of operating the same, and methods of processing workpieces using the same
CN113001414A (en) * 2021-03-11 2021-06-22 泰极微技术(苏州)有限公司 Processing method of glass surface microstructure

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114985905B (en) * 2022-04-24 2023-07-21 广州德擎光学科技有限公司 Laser processing control method, device and system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003285177A (en) * 2002-03-26 2003-10-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam machining method and machining device
JP2011103374A (en) * 2009-11-11 2011-05-26 Panasonic Corp Laser processing apparatus
JP5162977B2 (en) * 2006-07-28 2013-03-13 日立化成株式会社 Laser drilling method
JP2014034045A (en) * 2012-08-08 2014-02-24 Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd Laser-processed substrate manufacturing method, and laser processing apparatus
DE102014220526A1 (en) * 2014-10-09 2016-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing through holes by means of laser radiation in a wall of a component

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
JP2004243404A (en) * 2003-02-17 2004-09-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Hole forming method, and hole forming device
JP2011110598A (en) 2009-11-30 2011-06-09 Panasonic Corp Laser machining method and laser machining device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003285177A (en) * 2002-03-26 2003-10-07 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam machining method and machining device
JP5162977B2 (en) * 2006-07-28 2013-03-13 日立化成株式会社 Laser drilling method
JP2011103374A (en) * 2009-11-11 2011-05-26 Panasonic Corp Laser processing apparatus
JP2014034045A (en) * 2012-08-08 2014-02-24 Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd Laser-processed substrate manufacturing method, and laser processing apparatus
DE102014220526A1 (en) * 2014-10-09 2016-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing through holes by means of laser radiation in a wall of a component

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020251782A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-17 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing apparatus, methods of operating the same, and methods of processing workpieces using the same
CN113710407A (en) * 2019-06-10 2021-11-26 伊雷克托科学工业股份有限公司 Laser machining apparatus, method of operating the same, and method of machining workpiece using the same
CN113001414A (en) * 2021-03-11 2021-06-22 泰极微技术(苏州)有限公司 Processing method of glass surface microstructure

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019146110A1 (en) 2019-08-01
CN111629857A (en) 2020-09-04
TW201932221A (en) 2019-08-16
KR102213648B1 (en) 2021-02-08
KR20200093067A (en) 2020-08-04
JPWO2019146110A1 (en) 2020-02-06
TWI669180B (en) 2019-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6451903B1 (en) Laser processing method
CN101198218B (en) Laser machining method for printed circuit board
US20220241901A1 (en) Manufacturing method of processed resin substrate and laser processing apparatus
JP2004066327A (en) Laser machining apparatus, machining method, and method of manufacturing circuit board using this machining method
CN111390380B (en) Laser processing method for printed circuit board and laser processing machine thereof
EP1082883B1 (en) Apparatus and method for drilling microvia holes in electrical circuit interconnection packages
JP5183826B2 (en) Laser processing method and laser processing machine
JP4664269B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
JP2008168297A (en) Apparatus and method for laser beam machining
JP2002263873A (en) Method and device for laser machining
JP3395141B2 (en) Laser processing equipment
KR20060125587A (en) Laser machining method and laser machining machine
JP2005342749A (en) Laser beam machining method
JP2006202876A (en) Laser beam machining method
JP2000271777A (en) Method and device of desmearing for laser beam piercing device
JPH05208288A (en) Laser beam machining method and device therefor
JPH11277279A (en) Laser beam machine and irradiation method by laser beam machine
JP2001274557A (en) Manufacturing method for printed circuit board
TW202322670A (en) Processing method of using carbon dioxide laser to perform hole opening on printed substrate characterized by improving work efficiency, reducing work cost, achieving high processing accuracy and preventing the damage of the inner copper foil layer as the inner conductor layer in the insulation layer
Ukita et al. Analysis of laser drilling process for substrate by optical simulation rectified at the ablation rate
JP2023103609A (en) Method for machining blind hole on printed board with laser
JP3137074B2 (en) Laser processing equipment
JPH11245070A (en) Laser processing device
Yu et al. Laser drilling for improving circuit board manufacturing
Chen et al. The new technology of the materials process: microvia formation by CO2 laser drilling machine

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180531

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180531

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180531

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181024

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181126

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6451903

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250