JP6419428B2

JP6419428B2 - Differential exhaust system

Info

Publication number: JP6419428B2
Application number: JP2014001417A
Authority: JP
Inventors: 正晃河杉; 直行熱田
Original assignee: Toray Engineering Co Ltd
Current assignee: Toray Engineering Co Ltd
Priority date: 2014-01-08
Filing date: 2014-01-08
Publication date: 2018-11-07
Anticipated expiration: 2034-01-08
Also published as: JP2015129329A

Description

本発明は、薄膜系太陽電池、有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）等の薄膜の形成に適した搬送製膜装置に関するものであり、特に、チャンバ間の圧力差の保持並びにクロスコンタミネーションを抑える装置に関するものである。 The present invention relates to a transport film forming apparatus suitable for forming a thin film such as a thin film solar cell and organic EL (organic electroluminescence), and more particularly to an apparatus for maintaining a pressure difference between chambers and suppressing cross contamination. Is.

近年では、基材上に製膜するための複数のチャンバを備え、リールに巻回された可撓性を有する帯状の基材を複数のチャンバに通過させて他方のリールに巻取りながら帯状基材を連続的に処理し、帯状基材上に複数層の薄膜を形成する搬送製膜装置が知られている。このロールトゥロールタイプの搬送製膜装置は、薄膜系太陽電池や有機ＥＬ等が低コストで生産できるというメリットがある。 In recent years, a plurality of chambers for forming a film on a substrate are provided, and a strip-shaped substrate is wound while being wound around the other reel by passing a flexible strip-shaped substrate wound around a reel through the plurality of chambers. There is known a transport film forming apparatus that continuously processes a material to form a plurality of thin films on a belt-like substrate. This roll-to-roll type transport film forming apparatus has an advantage that a thin-film solar cell, an organic EL, and the like can be produced at a low cost.

このような搬送製膜装置は、図５、図６に示すように、長尺状の帯状基材Wが巻回された基材送出リール１００と、製膜された帯状基材Wを巻き取る基材巻取リール１０１と、スパッタやＣＶＤ法等を用いた製膜機能を有する複数のチャンバ１０２を備えており、チャンバ１０２間には隣り合うチャンバ１０２を連結するように差動排気システム１０３が設けられている（例えば、下記特許文献１参照）。 As shown in FIGS. 5 and 6, such a transport film-forming apparatus winds up the base material supply reel 100 around which the long belt-like substrate W is wound and the film-like belt-like substrate W. A substrate take-up reel 101 and a plurality of chambers 102 having a film forming function using sputtering, CVD, or the like are provided, and a differential exhaust system 103 is connected between the chambers 102 so as to connect adjacent chambers 102. (See, for example, Patent Document 1 below).

この差動排気システム１０３は、隣り合うチャンバ１０２間を間仕切りするものである。具体的には、差動排気システム１０３は、図６に示すように、隣り合うチャンバ１０２にそれぞれ開口してチャンバ１０２同士を連通する基材走行経路部１０４を有しており、この基材走行経路部１０４を帯状基材Wが走行することにより、帯状基材Wが大気に触れるのを防止しつつ搬送されるようになっている。そして、基材走行経路部１０４には、真空ポンプＰと接続される排気部１０５が連結されており、基材走行経路部１０４が排気されるように構成されている。すなわち、チャンバ１０２の気体がチャンバ１０２内に開口する開口部１０６を通じて基材走行経路部１０４に侵入した場合であっても、排気部１０５で排気されることによりチャンバ１０２内の気体が隣接する他のチャンバ１０２に混入するといういわゆるクロスコンタミネーションを防止しつつ、隣り合うチャンバ１０２間の圧力差を維持できるようになっている。これにより、上流側の基材送出リール１００から供給される帯状基材Wを順次複数のチャンバ１０２に通過させることにより帯状基材W上には、例えば薄膜系太陽電池、有機ＥＬ等の薄膜が高純度で形成される。 This differential exhaust system 103 partitions adjacent chambers 102. Specifically, as shown in FIG. 6, the differential exhaust system 103 has a base material travel path portion 104 that opens to adjacent chambers 102 and communicates with each other, and this base material travel The belt-like substrate W travels along the path portion 104 so that the belt-like substrate W is conveyed while preventing the belt-like substrate W from coming into contact with the atmosphere. The base material travel path unit 104 is connected to an exhaust unit 105 connected to the vacuum pump P, and the base material travel path unit 104 is configured to be exhausted. That is, even when the gas in the chamber 102 enters the base material travel path section 104 through the opening 106 that opens into the chamber 102, the gas in the chamber 102 is adjoined by being exhausted by the exhaust section 105. The pressure difference between the adjacent chambers 102 can be maintained while preventing so-called cross-contamination of mixing into the other chambers 102. Thus, a thin film such as a thin-film solar cell or an organic EL is formed on the belt-shaped substrate W by sequentially passing the belt-shaped substrate W supplied from the upstream substrate feeding reel 100 through the plurality of chambers 102. Formed with high purity.

特開２０１０−３１３１９号公報JP 2010-31319 A

近年では、薄膜の純度をさらに向上させるため、差動排気システム１０３によるクロスコンタミネーションをさらに抑えることが求められている。すなわち、基材走行経路部１０４の開口面積が小さく形成されると圧損が大きくなることにより、チャンバ１０２の気体が基材走行経路部１０４に侵入しづらくなるため、クロスコンタミネーションを抑えることができる。 In recent years, in order to further improve the purity of the thin film, it is required to further suppress the cross contamination by the differential exhaust system 103. That is, if the opening area of the base material travel path portion 104 is formed small, the pressure loss becomes large, so that the gas in the chamber 102 does not easily enter the base material travel path portion 104, so that cross contamination can be suppressed. .

しかし、基材走行経路部１０４の開口面積が小さくなると、基材走行経路部１０４内の帯状基材Wが基材走行経路部１０４（壁面）に接触してしまうという問題があった。すなわち、基材走行経路部１０４は、搬送方向（水平方向）に延びて形成されており、ロールトゥロールタイプの搬送製膜装置の帯状基材Wは、基材送出リール１００と基材巻取リール１０１に架け渡されているため、製膜処理中に張力が低下すると、帯状基材W全体が重力方向下向きに弛みが生じることにより、基材走行経路部１０４に位置する帯状基材Wが基材走行経路部１０４の壁面に接触してしまうという問題があった。そして、張力低下による帯状基材Wと基材走行経路部１０４との接触は、基材走行経路部１０４の開口面積が小さくなるほど顕著であり、ロールトゥロールタイプの搬送製膜装置において、基材走行経路部１０４の開口面積を小さく形成して、差動排気システム１０３によりクロスコンタミネーションを抑えることは困難であった。 However, when the opening area of the base material travel route portion 104 is reduced, there is a problem that the belt-like base material W in the base material travel route portion 104 comes into contact with the base material travel route portion 104 (wall surface). That is, the base material travel path portion 104 is formed extending in the transport direction (horizontal direction), and the belt-like base material W of the roll-to-roll type transport film forming apparatus is composed of the base material feed reel 100 and the base material winding. Since the belt 101 is stretched over the reel 101, when the tension is lowered during the film forming process, the entire belt-like substrate W is slackened downward in the direction of gravity, so that the belt-like substrate W positioned in the substrate running path 104 is formed. There was a problem that it contacted the wall surface of the base material travel path part 104. The contact between the belt-like base material W and the base material travel path section 104 due to the decrease in tension becomes more conspicuous as the opening area of the base material travel path section 104 decreases. In the roll-to-roll type transport film forming apparatus, It has been difficult to reduce the cross-contamination by the differential exhaust system 103 by forming the opening area of the travel path portion 104 small.

本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、ロールトゥロールタイプの搬送製膜装置であっても、帯状基材の接触を回避しつつクロスコンタミネーションを抑えることができる差動排気システムを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and a differential exhaust system that can suppress cross-contamination while avoiding contact with a belt-shaped substrate even in a roll-to-roll type transport film forming apparatus. It is intended to provide.

上記課題を解決するために本発明の差動排気システムは、送出側から巻取側に可撓性を有する帯状基材を複数のチャンバに通過させて前記帯状基材に所定の処理を行う基材処理装置の前記チャンバ間に設けられる差動排気システムであって、前記差動排気システムは、帯状基材が搬送される搬送方向上流側及び下流側にそれぞれ開口する開口部を有し、帯状基材を走行させる基材走行経路部と、前記基材走行経路部に連通し、前記基材走行経路部を排気する排気部と、を備えており、前記基材走行経路部は、前記開口部と連結され、前記帯状基材が重力方向下向きに弛みが生じた場合でも前記帯状基材が接触するのを回避できる程度に、前記基材走行経路部と比べて容量が大きく形成された開口室と、前記排気部と連通して前記開口部よりも鉛直方向下側に形成され、前記帯状基材が重力方向下向きに弛みが生じた場合でも前記帯状基材が接触するのを回避できる程度に、前記基材走行経路部と比べて鉛直方向寸法が大きい寸法に形成される排気室と、前記開口室及び排気室よりも開口面積が小さく形成されることにより、流体の流れを規制する低コンダクタンス流路を有しており、この低コンダクタンス流路は、前記開口部に連結される開口室と排気部に連通される前記排気室との間に配置され、鉛直方向に延びて形成されていることを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, the differential exhaust system of the present invention is a base for performing a predetermined treatment on the belt-shaped substrate by passing a flexible belt-shaped substrate from a delivery side to a winding side through a plurality of chambers. A differential exhaust system provided between the chambers of a material processing apparatus, wherein the differential exhaust system has openings that are respectively opened on an upstream side and a downstream side in a transport direction in which a strip-shaped base material is transported. a substrate travel path section to run the base, communicating with the substrate travel path section, and an exhaust portion for exhausting the substrate travel path section, and wherein the substrate travel path section, said opening An opening formed with a large capacity compared to the base material travel path part so as to avoid contact with the base material even when the base material is slackened downward in the direction of gravity. Chamber and the exhaust part and more than the opening part. The vertical dimension is formed on the lower side in the straight direction, and the vertical dimension compared to the base material travel path portion is such that the belt-like base material can be prevented from contacting even when the belt-like base material is slackened downward in the gravitational direction. An exhaust chamber formed in a large size and a low conductance flow path that regulates the flow of fluid by forming an opening area smaller than the opening chamber and the exhaust chamber. Further, it is arranged between the opening chamber connected to the opening and the exhaust chamber connected to the exhaust portion , and is formed to extend in the vertical direction.

上記差動排気システムによれば、基材走行経路部に低コンダクタンス流路が形成されており、この低コンダクタンス流路が鉛直方向に延びて形成されているため、帯状基材が基材走行経路部の壁面に接触することなくクロスコンタミネーションを抑えることができる。すなわち、開口面積を小さくして流体の流れを規制する低コンダクタンス流路が鉛直方向に延びて形成されていることにより、開口部から搬入された帯状基材は、基材走行経路部を走行し、開口面積が小さくなる低コンダクタンス流路では、鉛直方向に走行する。そのため、仮に製膜処理中に張力が低下して帯状基材全体が重力方向下向きに弛みが生じる場合であっても、低コンダクタンス流路の壁面が鉛直方向に延びているため、帯状基材の弛みが低コンダクタンス流路の壁面に接触するのを回避することができる。したがって、この低コンダクタンス流路により隣接するチャンバの原料ガスが基材走行経路部に侵入しにくく、隣り合うチャンバ間の圧力差を維持するという機能を損なうことなく、ロールトゥロールタイプの搬送製膜装置であっても、帯状基材の接触を回避しつつクロスコンタミネーションを抑えることができる。 According to the differential exhaust system, since the low conductance flow path is formed in the base material travel path portion, and this low conductance flow path is formed to extend in the vertical direction, the belt-shaped base material is the base material travel path. Cross contamination can be suppressed without contacting the wall surface of the part. That is, the low conductance flow path that regulates the flow of fluid by reducing the opening area is formed to extend in the vertical direction, so that the belt-like base material carried from the opening travels on the base material travel path portion. In a low conductance flow path with a small opening area, the vehicle travels in the vertical direction. Therefore, even if the tension is lowered during the film forming process and the entire belt-like base material is slackened downward in the direction of gravity, the wall surface of the low conductance channel extends in the vertical direction. It is possible to avoid the slack from coming into contact with the wall surface of the low conductance channel. Accordingly, the roll-to-roll type transport film formation without damaging the function of maintaining the pressure difference between the adjacent chambers by preventing the source gas of the adjacent chambers from entering the base material travel path portion by this low conductance flow path. Even if it is an apparatus, a cross contamination can be suppressed, avoiding the contact of a strip | belt-shaped base material.

具体的な様態としては、前記基材走行経路部の開口部は、水平方向に開口し基材が搬入される搬入開口部と、水平方向に開口し基材が搬出される搬出開口部であって、前記排気部は、これら搬入開口部及び搬出開口部よりも鉛直方向下側に配置されており、
前記搬入開口部と前記排気部とが鉛直方向に延びる一の低コンダクタンス流路を経て連結され、前記搬出開口部と前記排気部とが鉛直方向に延びる他の低コンダクタンス流路を経て連結されている構成にしてもよい。 Specifically, the opening of the base material traveling path part is a carry-in opening part that opens in the horizontal direction and carries the base material in, and a carry-out opening part that opens in the horizontal direction and carries out the base material. The exhaust portion is disposed vertically below the carry-in opening and the carry-out opening,
The carry-in opening and the exhaust part are connected via one low conductance channel extending in the vertical direction, and the carry-out opening and the exhaust part are connected via another low conductance channel extending in the vertical direction. You may make it the structure which is.

この構成によれば、搬入開口部から搬入された帯状基材、搬出開口部から搬出される帯状基材それぞれに対して独立した基材走行経路部を設けたため、基材走行経路部の開口面積を帯状基材の断面積に極力近い値に設定することが可能になる。したがって、基材走行経路部に２本以上の帯状基材が走行する場合に比べて、基材走行経路部の開口面積を小さく設定することができるため、基材走行経路部における圧損が大きくなり、クロスコンタミネーションを抑えることができる。また、排気部が搬入開口部及び搬出開口部よりも下側に配置されていることにより、低コンダクタンス流路が鉛直方向下向きに排気されるため、仮に低コンダクタンス流路に異物が混入した場合には排気部から排出されやすくなり隣接するチャンバに異物が再度侵入するのを抑えることができる。 According to this configuration, since the independent base material travel path portion is provided for each of the belt-like base material carried in from the carry-in opening and the belt-like base material carried out from the carry-out opening, the opening area of the base material travel route portion is provided. Can be set to a value as close as possible to the cross-sectional area of the belt-like substrate. Therefore, since the opening area of the base material travel path part can be set smaller than when two or more belt-like base materials travel on the base material travel path part, the pressure loss in the base material travel path part increases. , Cross contamination can be suppressed. In addition, since the exhaust part is disposed below the carry-in opening and the carry-out opening, the low conductance channel is exhausted downward in the vertical direction. Becomes easy to be discharged from the exhaust portion, and can prevent foreign matter from entering the adjacent chamber again.

また、前記基材走行経路部は、ケース本体部と、このケース本体部に対して開閉動作可能なカバー部とで形成されており、カバー部が閉状態の場合に前記ケース本体部と前記カバー部とによって前記基材走行経路部が形成され、カバー部が開状態の場合に、前記基材走行経路部が帯状基材の搬送方向と直交する方向に開口する構成にしてもよい。 Further, the substrate travel path section includes a case main body portion, said cover being formed by the closing operable cover, the cover portion and the case main body when in the closed state with respect to the case main body portion The base material travel path portion may be formed by a portion and the base material travel path portion may be opened in a direction orthogonal to the transport direction of the belt-shaped base material when the cover portion is in an open state.

この構成によれば、カバー部を開状態にすることにより、基材走行経路部全体を開口状体にすることができるため、段取替え等の際、帯状基材を基材走行経路部に沿って通す通紙作業を容易にすることができる。 According to this configuration, by opening the cover portion, the entire base material travel route portion can be made into an open body, so that the belt-like base material is moved along the base material travel route portion at the time of setup change or the like. It is possible to facilitate the paper passing operation.

また、前記基材走行経路部と前記排気部とによって形成される差動排気ユニットが複数連結されることによって形成されており、隣接する差動排気ユニットの前記開口部同士を連結することにより、最上流側の差動排気ユニットから最下流側の差動排気ユニットまでの各差動排気ユニットの前記基材走行経路部が連続して接続されている構成にしてもよい。 Moreover, it is formed by connecting a plurality of differential exhaust units formed by the base material traveling path part and the exhaust part, and by connecting the openings of adjacent differential exhaust units, The base material travel path portion of each differential exhaust unit from the most upstream differential exhaust unit to the most downstream differential exhaust unit may be connected continuously.

この構成によれば、容易に差動排気ユニットを増加させてクロスコンタミネーションを調整することができる。 According to this configuration, it is possible to easily adjust the cross contamination by increasing the number of differential exhaust units.

本発明の差動排気システムによれば、ロールトゥロールタイプの搬送製膜装置であっても、帯状基材の接触を回避しつつクロスコンタミネーションを抑えることができる。 According to the differential exhaust system of the present invention, even a roll-to-roll type transport film-forming apparatus can suppress cross-contamination while avoiding contact with a belt-shaped substrate.

本発明の一実施形態における差動排気システムを適用したロールトゥロールタイプの搬送製膜装置を示す図である。It is a figure which shows the roll to roll type conveyance film forming apparatus to which the differential exhaust system in one Embodiment of this invention is applied. 上記差動排気システムを示す図であり、（ａ）は、カバー部を開状態にして搬送方向と直交方向から見た図であり、（ｂ）は、カバー部を閉状態にして搬送方向から見た図である。It is a figure which shows the said differential exhaust system, (a) is the figure which opened the cover part and was seen from the orthogonal direction with the conveyance direction, (b) is a state which closed the cover part from the conveyance direction. FIG. 差動排気ユニットを複数連結させた状態を示す図である。It is a figure which shows the state which connected the several differential exhaust unit. 搬送製膜装置によって形成される太陽電池モジュールを示す図であり、（ａ）は、太陽電池モジュールを示す図であり、（ｂ）は太陽電池セルを示す図である。It is a figure which shows the solar cell module formed with a conveyance film forming apparatus, (a) is a figure which shows a solar cell module, (b) is a figure which shows a photovoltaic cell. 従来の搬送製膜装置を示す図である。It is a figure which shows the conventional conveyance film forming apparatus. 従来の差動排気システムを示す図である。It is a figure which shows the conventional differential exhaust system.

次に、本発明の差動排気システムの実施の形態について説明する。ここで、図１は、本実施形態における差動排気システムを使用した搬送製膜装置を示す概略図であり、図２は、差動排気システムを示す図であり、図４は搬送製膜装置によって形成される太陽電池モジュールを示す図である。なお、本実施形態では、太陽電池モジュールの製膜形成に適用した例として説明する。 Next, an embodiment of the differential exhaust system of the present invention will be described. Here, FIG. 1 is a schematic view showing a transport film forming apparatus using the differential exhaust system in the present embodiment, FIG. 2 is a view showing a differential exhaust system, and FIG. 4 is a transport film forming apparatus. It is a figure which shows the solar cell module formed by these. In addition, this embodiment demonstrates as an example applied to film forming formation of a solar cell module.

図１に示すように、搬送製膜装置は、送出リール部１０と、巻取リール部２０と、複数のチャンバ３０とを有しており、送出リール部１０に巻回された帯状基材Ｗがチャンバ３０を通過することにより基材Ｗ上に太陽電池セル４を形成する表面処理が行われ（製膜処理が行われ）、巻取リール部２０に巻き取られることにより、ロール状の太陽電池セル母材４’が形成される。すなわち、送出リール部１０から巻取リール部２０に帯状基材Ｗ（以下、単に基材Ｗともいう）が連続的に搬送されるといういわゆるロールトゥロールにより、基材Ｗ上に太陽電池に必要な薄膜が積層されて太陽電池セル母材４’が形成される。なお、この太陽電池セル母材４’は、後工程である切断工程により、図４（ｂ）に示す短冊状の太陽電池セル４が形成され、さらに接合工程を経ることにより、太陽電池セル４同士が短手方向に配列して接合された太陽電池モジュール１が形成される（図４（ａ））。 As shown in FIG. 1, the transport film forming apparatus includes a delivery reel unit 10, a take-up reel unit 20, and a plurality of chambers 30, and a belt-like substrate W wound around the delivery reel unit 10. Is passed through the chamber 30, surface treatment for forming the solar cells 4 on the substrate W is performed (film formation processing is performed), and the film is wound on the take-up reel unit 20, whereby the roll-shaped sun is formed. Battery cell base material 4 'is formed. That is, it is necessary for the solar cell on the substrate W by so-called roll-to-roll in which the belt-like substrate W (hereinafter also simply referred to as the substrate W) is continuously conveyed from the delivery reel unit 10 to the take-up reel unit 20. A thin film is laminated to form a solar cell base material 4 ′. In addition, this solar cell base material 4 'forms the strip-shaped solar cell 4 shown in FIG.4 (b) by the cutting process which is a post process, and also passes through a joining process, and the solar cell 4 A solar cell module 1 is formed in which the two are aligned and joined in the short direction (FIG. 4A).

なお、本実施形態では、送出リール部１０側を上流側とし、基材Ｗが処理される後工程側、すなわち、巻取リール部２０側を下流側として説明を進めることにする。 In the present embodiment, the description will proceed with the delivery reel unit 10 side as the upstream side and the subsequent process side where the substrate W is processed, that is, the take-up reel unit 20 side as the downstream side.

送出リール部１０は、基材Ｗを下流側に供給するためのものである。送出リール部１０は、基材Ｗを巻き付ける送出リール１１を有しており、この送出リール１１を駆動制御することにより基材Ｗを送り出すことができるようになっている。すなわち、図示しない制御装置により送出リール１１の回転が制御されることにより、基材Ｗの送出量を増加及び減少させることができる。具体的には、基材Ｗが下流側から引張力を受けた状態で送出リール１１を回転させることにより基材Ｗが下流側に送り出され、適宜、送出リール１１にブレーキをかけることにより基材Ｗが一定速度で送り出されるようになっている。 The delivery reel unit 10 is for supplying the substrate W to the downstream side. The delivery reel unit 10 includes a delivery reel 11 around which the base material W is wound, and the base material W can be sent out by controlling the drive of the delivery reel 11. That is, when the rotation of the delivery reel 11 is controlled by a control device (not shown), the delivery amount of the substrate W can be increased and decreased. Specifically, the base material W is sent to the downstream side by rotating the delivery reel 11 in a state where the base material W receives a tensile force from the downstream side, and the base material is applied by braking the delivery reel 11 as appropriate. W is sent out at a constant speed.

ここで、基材Ｗは、帯状の長尺体であり、厚み０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍ、幅５ｍｍ〜５０ｍｍの平板形状を有する長尺体が適用される。また、材質として、特に限定しないが、ステンレス、銅等が好適に用いられる。 Here, the base material W is a strip-like long body, and a long body having a flat plate shape with a thickness of 0.01 mm to 0.2 mm and a width of 5 mm to 50 mm is applied. Moreover, although it does not specifically limit as a material, Stainless steel, copper, etc. are used suitably.

巻取リール部２０は、供給された基材Ｗを巻き取るものである。巻取リール部２０は、送出リール部１０と同様に、巻取リール２１を有しており、この巻取リール２１を駆動制御することにより基材Ｗを巻き取ることができるようになっている。すなわち、図示しない制御装置により巻取リール２１の回転が制御されることにより、基材Ｗの巻取量を増加及び減少させることができる。具体的には、巻取リール２１の回転が調節されることにより、基材Ｗに必要以上の張力がかからないように巻き取られるようになっている。そして、本実施形態では、送出リール部１０を出た基材Ｗが一定速度で搬送され、巻取リール部２０に巻き取られるように駆動制御されている。なお、これら送出リール部１０と巻取リール部２０は、真空環境を形成するチャンバー（破線で示す）内に配置されている。 The take-up reel unit 20 takes up the supplied base material W. The take-up reel unit 20 has a take-up reel 21 as in the case of the delivery reel unit 10, and the substrate W can be taken up by controlling the drive of the take-up reel 21. . That is, the amount of winding of the substrate W can be increased and decreased by controlling the rotation of the winding reel 21 by a control device (not shown). Specifically, the rotation of the take-up reel 21 is adjusted so that the substrate W is wound so that an unnecessary tension is not applied. In this embodiment, the base material W that has exited the delivery reel unit 10 is transported at a constant speed and is controlled to be taken up by the take-up reel unit 20. The delivery reel unit 10 and the take-up reel unit 20 are arranged in a chamber (shown by a broken line) that forms a vacuum environment.

また、送出リール部１０と巻取リール部２０との間には、複数のチャンバ３０が設けられており、チャンバ３０内で基材Ｗ上に太陽電池に必要な薄膜が形成される（製膜される）。本実施形態では、複数のチャンバ３０が、送出リール部１０と巻取リール部２０との間に直線状に配置されており、送出リール部１０から送り出された基材Ｗが各チャンバ３０を走行して通過することにより基材Ｗ上に順次薄膜が形成される。 A plurality of chambers 30 are provided between the delivery reel unit 10 and the take-up reel unit 20, and a thin film necessary for the solar cell is formed on the substrate W in the chamber 30 (film formation). ) In the present embodiment, the plurality of chambers 30 are linearly arranged between the delivery reel unit 10 and the take-up reel unit 20, and the base material W fed from the delivery reel unit 10 travels through each chamber 30. As a result, the thin film is sequentially formed on the substrate W.

これらのチャンバ３０内には、リール３１が設けられており、チャンバ３０に搬送された基材Ｗがこのリール３１に巻付けられた後、下流側に搬送される。そして、リール３１に巻付けられた基材Ｗに原料ガスが供給されることにより、搬送する基材Ｗ上に薄膜が形成される。具体的には、これらのチャンバ３０は、ＣＶＤ、スパッタ、又は蒸着装置等で構成されており、チャンバ３０内に搬送された基材Ｗ上に所定の薄膜が形成されるようになっている。すなわち、チャンバ３０には、形成する薄膜に応じた原料ガスが供給される原料ガス供給部３２が設けられており、原料ガス供給部３２から供給された原料ガスが、例えばチャンバ３０内でプラズマ処理されることにより製膜粒子となり、この製膜粒子が基材Ｗ上に堆積することにより、基材Ｗ上に所定の薄膜が形成される。そして、基材Ｗが上流側のチャンバ３０から下流側のチャンバ３０を順に通過することにより、基材Ｗの表面側から下部電極層３ａ、光電変換層３ｂ、上部電極層３ｃ等の薄膜がこの順に製膜されるようになっている。 In these chambers 30, reels 31 are provided, and the substrate W conveyed to the chamber 30 is wound around the reels 31 and then conveyed downstream. Then, the raw material gas is supplied to the substrate W wound around the reel 31, whereby a thin film is formed on the substrate W to be conveyed. Specifically, these chambers 30 are configured by a CVD, sputtering, vapor deposition apparatus, or the like, and a predetermined thin film is formed on the substrate W transported into the chamber 30. That is, the chamber 30 is provided with a source gas supply unit 32 to which a source gas corresponding to the thin film to be formed is supplied, and the source gas supplied from the source gas supply unit 32 is plasma-treated in the chamber 30, for example. As a result, film-forming particles are formed, and the film-forming particles are deposited on the substrate W, whereby a predetermined thin film is formed on the substrate W. Then, as the base material W passes through the upstream chamber 30 and the downstream chamber 30 in order, thin films such as the lower electrode layer 3a, the photoelectric conversion layer 3b, and the upper electrode layer 3c are formed from the surface side of the base material W. The film is formed in order.

また、これらのチャンバ３０には、チャンバ３０内を排気する排気口（不図示）が設けられており、この排気口と真空ポンプとが配管で接続されている。この真空ポンプを作動させることによりチャンバ２内を所定の真空度に調節できるようになっており、製膜粒子の形成時（薄膜形成時）には、真空ポンプを作動させることにより、各チャンバ３０を製膜条件に応じた所定の真空環境に調節されるようになっている。 In addition, these chambers 30 are provided with exhaust ports (not shown) for exhausting the interior of the chambers 30, and the exhaust ports and the vacuum pump are connected by piping. By operating this vacuum pump, the inside of the chamber 2 can be adjusted to a predetermined degree of vacuum. When forming the film forming particles (at the time of forming the thin film), each chamber 30 is operated by operating the vacuum pump. Is adjusted to a predetermined vacuum environment according to the film forming conditions.

また、各チャンバ３０同士の間には、差動排気システム４０が設けられている。この差動排気システム４０は、隣り合うチャンバ３０間を間仕切りするものであり、隣り合うチャンバ３０間の圧力差を維持しつつ、チャンバ３０の原料ガス（製膜粒子を含む）が隣り合うチャンバ３０に混入するのを抑えるものである。そして、上流側のチャンバ３０で製膜処理された基材Ｗが差動排気システムを通過して下流側のチャンバ３０に搬送されることにより、上流側のチャンバ３０で基材Ｗ上に形成された薄膜が大気に触れることなく下流側のチャンバ３０に搬送される。 Further, a differential exhaust system 40 is provided between the chambers 30. The differential exhaust system 40 partitions the adjacent chambers 30, and maintains the pressure difference between the adjacent chambers 30, while the chamber 30 adjacent to the source gas (including film forming particles) of the chambers 30. It suppresses mixing in. Then, the base material W formed in the upstream chamber 30 passes through the differential exhaust system and is transported to the downstream chamber 30 to be formed on the base material W in the upstream chamber 30. The thin film is conveyed to the downstream chamber 30 without being exposed to the atmosphere.

差動排気システム４０は、ボックス形状を有しており、隣り合う上流側及び下流側のチャンバ３０同士の間に配置されている。この差動排気システム４０は、上流側及び下流側にそれぞれ開口する開口部５１を有し、帯状基材Ｗを走行させる基材走行経路部５０と、この基材走行経路部５０を排気する排気部４１とを備えている。そして、上流側の開口部５１が上流側のチャンバ３０と接続され、下流側の開口部５１が下流側のチャンバ３０と接続されることにより、上流側の開口部５１から搬入された基材Ｗが基材走行経路部５０を走行し、下流側の開口部５１から搬出される。すなわち、上流側のチャンバ３０で製膜処理されることにより基材Ｗ上に形成された薄膜は差動排気システム４０を通過することにより大気に触れることなく下流側のチャンバ３０に搬送されるようになっている。 The differential exhaust system 40 has a box shape and is disposed between adjacent upstream and downstream chambers 30. The differential exhaust system 40 includes openings 51 that are opened on the upstream side and the downstream side, respectively, and a base material travel path unit 50 that travels the belt-shaped base material W, and an exhaust gas that exhausts the base material travel path unit 50. Part 41. The upstream opening 51 is connected to the upstream chamber 30, and the downstream opening 51 is connected to the downstream chamber 30, whereby the substrate W carried from the upstream opening 51 is loaded. Travels along the substrate travel path section 50 and is unloaded from the opening 51 on the downstream side. That is, the thin film formed on the base material W by the film formation process in the upstream chamber 30 passes through the differential exhaust system 40 and is conveyed to the downstream chamber 30 without being exposed to the atmosphere. It has become.

基材走行経路部５０は、帯状基材Ｗを走行させるための開口通路であり、帯状基材Ｗが通過できる開口面積を有し、上流側から下流側に連続的に連通して形成されている。本実施形態では、差動排気システム４０は、図２に示すように、ケース本体部４２とカバー部４３とを有しており、基材走行経路部５０は、ケース本体部４２とカバー部４３とで形成されている。具体的には、カバー部４３は、ケース本体部４２に対して開閉動作可能に形成されており、ケース本体部４２には、図２（ａ）に示すように、基材走行経路部５０が基材Ｗの搬送方向と直交する方向（図２（ａ）において紙面裏面から表面に貫通する方向）に開口する開口溝として形成されている。そして、カバー部４３は、ケース本体部４２と対向する面が平面状に形成されている。したがって、カバー部４３が閉状態になると、ケース本体部４２とカバー部４３とによって基材走行経路部５０が形成されるようになっている。このように、カバー部４３がケース本体部４２に対して閉じた場合に基材走行経路部５０が形成され、開いた場合に基材走行経路部５０が開口溝として現れる構成を取ることにより、カバー部４３を開くだけで基材走行経路部５０が開口しているので、初期の準備作業や、段取り替え作業において、基材走行経路部５０に帯状基材Ｗを通す作業（通紙作業）を容易にすることができる。 The base material travel path portion 50 is an opening passage for traveling the belt-like base material W, has an opening area through which the belt-like base material W can pass, and is continuously connected from the upstream side to the downstream side. Yes. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the differential exhaust system 40 includes a case main body portion 42 and a cover portion 43, and the base material travel path portion 50 includes the case main body portion 42 and the cover portion 43. And is formed. Specifically, the cover 43 is formed to be openable and closable with respect to the case body 42, and the base body travel path 50 is provided on the case body 42 as shown in FIG. It is formed as an opening groove that opens in a direction orthogonal to the conveyance direction of the substrate W (a direction penetrating from the back surface to the front surface in FIG. 2A). The cover 43 has a flat surface facing the case body 42. Therefore, when the cover part 43 is closed, the base body traveling path part 50 is formed by the case main body part 42 and the cover part 43. In this way, by taking a configuration in which the base material travel path portion 50 is formed when the cover portion 43 is closed with respect to the case main body portion 42 and the base material travel path portion 50 appears as an opening groove when opened. Since the base material travel route section 50 is opened simply by opening the cover portion 43, the work of passing the belt-shaped base material W through the base material travel route section 50 in the initial preparation work or setup change work (paper passing work). Can be made easier.

また、基材走行経路部５０は、上流側の開口部５１である搬入開口部５１１と、下流側の開口部５１である搬出開口部５１２と、低コンダクタンス流路５３とを有しており、搬入開口部５１１から低コンダクタンス流路５３を経て搬出開口部５１２が連結されることによって形成されている。そして、この基材走行経路部５０により、クロスコンタミネーションを抑えることができるようになっている。なお、本実施形態では、搬入開口部５１１と搬出開口部５１２を区別なく示す場合には単に開口部５１ということもある。 In addition, the base material travel route section 50 includes a carry-in opening 511 that is an upstream opening 51, a carry-out opening 512 that is a downstream opening 51, and a low conductance flow path 53. It is formed by connecting the carry-out opening 512 from the carry-in opening 511 through the low conductance channel 53. The base material travel path 50 can suppress cross contamination. In the present embodiment, when the carry-in opening 511 and the carry-out opening 512 are shown without distinction, they may be simply referred to as the opening 51.

搬入開口部５１１は、基材Ｗの搬送方向上流側に形成されており、水平方向に貫通して形成されている。すなわち、上流側のチャンバ３０の出口３５と同じ高さ位置に形成されており、搬送される帯状基材Ｗが水平な搬送姿勢を保った状態で搬入できるように形成されている。具体的には、基材走行経路部５０における上流側のチャンバ３０と接続される部分には、他の基材走行経路部５０と比べて容量が大きい上流開口室５４が形成されており、搬入開口部５１１から搬入された帯状基材Ｗが基材走行経路部５０の壁面に接触することなく搬入できるようになっている。すなわち、搬入開口部５１１は、製膜処理中に張力が低下して帯状基材Ｗ全体が重力方向下向きに弛みが生じた場合であっても、帯状基材Ｗが基材走行経路部５０の（鉛直方向下側の）壁面に接触するのを回避できる程度の開口寸法を有するように形成されている。また、上流開口室５４には、帯状基材Ｗの搬送方向を９０°変更するコロ５４１が収容されている。このコロ５４１が設けられていることにより、搬入開口部５１１から搬入された帯状基材Ｗは、搬送姿勢を水平方向から鉛直方向下向きに変更され、低コンダクタンス流路５３に導かれるようになっている。 The carry-in opening 511 is formed on the upstream side in the conveyance direction of the base material W, and is formed so as to penetrate in the horizontal direction. In other words, it is formed at the same height as the outlet 35 of the upstream chamber 30 so that the belt-like substrate W to be conveyed can be loaded while maintaining a horizontal conveying posture. Specifically, an upstream opening chamber 54 having a larger capacity than other base material travel path portions 50 is formed in a portion connected to the upstream chamber 30 in the base material travel path portion 50, and The belt-like substrate W carried in from the opening 511 can be carried in without contacting the wall surface of the substrate traveling path unit 50. In other words, even if the carry-in opening 511 is a case where the tension is lowered during the film forming process and the entire belt-like substrate W is slackened downward in the direction of gravity, the belt-like substrate W is formed on the substrate travel path 50. It is formed to have an opening size that can avoid contact with the wall surface (below in the vertical direction). The upstream opening chamber 54 accommodates a roller 541 that changes the transport direction of the belt-like substrate W by 90 °. By providing this roller 541, the belt-like base material W carried in from the carry-in opening 511 is changed in conveying posture from the horizontal direction to the vertically downward direction and guided to the low conductance channel 53. Yes.

また、搬出開口部５１２は、基材Ｗの搬送方向下流側に形成されており、水平方向に貫通して形成されている。すなわち、下流側のチャンバ３０の入口３６と同じ高さ位置に形成されており、搬送される帯状基材Ｗが水平な搬送姿勢を保った状態で搬出されるように形成されている。具体的には、基材走行経路部５０における下流側のチャンバ３０と接続される部分には、上流開口室５４と同様に他の基材走行経路部５０と比べて容量が大きい下流開口室５５が形成されており、基材走行経路部５０から搬出される帯状基材Ｗが基材走行経路部５０の壁面に接触することなく搬出されるようになっている。すなわち、搬出開口部５１２は、製膜処理中に張力が低下して帯状基材Ｗ全体が重力方向下向きに弛みが生じた場合であっても、帯状基材Ｗが基材走行経路部５０の（鉛直方向下側の）壁面に接触するのを回避できる程度の開口寸法を有するように形成されている。また、下流開口室５５には、帯状基材Ｗの搬送方向を９０°変更するコロ５５１が収容されている。このコロ５５１が設けられていることにより、低コンダクタンス流路５３を経た帯状基材Ｗは、搬送姿勢を鉛直方向上向きから水平方向に変更され、搬出開口部５１２を経て下流側のチャンバ３０に搬出されるようになっている。 Further, the carry-out opening 512 is formed on the downstream side in the transport direction of the base material W, and is formed so as to penetrate in the horizontal direction. That is, it is formed at the same height position as the inlet 36 of the downstream chamber 30 so that the belt-like substrate W to be conveyed is carried out while maintaining a horizontal conveying posture. Specifically, in the portion connected to the downstream chamber 30 in the base material travel path portion 50, the downstream opening chamber 55 having a larger capacity than the other base material travel route portions 50, similarly to the upstream opening chamber 54. Is formed, and the belt-like base material W carried out from the base material travel path section 50 is transported out without contacting the wall surface of the base material travel path section 50. That is, even if the unloading opening 512 is a case where the tension is lowered during the film forming process and the entire belt-like substrate W is slackened downward in the direction of gravity, the belt-like substrate W is formed on the substrate running path 50. It is formed to have an opening size that can avoid contact with the wall surface (below in the vertical direction). The downstream opening chamber 55 accommodates a roller 551 that changes the transport direction of the belt-like substrate W by 90 °. By providing this roller 551, the belt-like base material W that has passed through the low conductance flow path 53 is changed from a vertically upward direction to a horizontal direction, and unloaded to the downstream chamber 30 via the unloading opening 512. It has come to be.

また、搬入開口部５１１と搬出開口部５１２よりも鉛直方向下側には、排気部４１と連通する排気室５６が形成されている。この排気室５６は、大きな空間に形成されており、排気部４１が連結されている。すなわち、排気部４１は、真空ポンプＰを有しており、この真空ポンプＰと排気室５６とが配管によって連結されている。したがって、真空ポンプＰを作動させると排気室５６が排気されることにより、基材走行経路部５０に排気室５６に向かう吸引力が発生する。これにより、搬入開口部５１１及び搬出開口部５１２から接続されるチャンバ３０から原料ガスが侵入した場合であっても、その原料ガスが排気室５６を通過して異なるチャンバ３０に侵入することが防止される。また、排気室５６は、他の基材走行経路部５０と比べて鉛直方向寸法が大きい寸法に形成されている。すなわち、製膜処理中に張力が低下して帯状基材Ｗ全体が重力方向下向きに弛みが生じた場合であっても、帯状基材Ｗが排気室５６の（鉛直方向下側の）壁面に接触するのを回避できる程度の開口寸法を有するように形成されている。そして、排気室５６には、帯状基材Ｗの搬送方向を１８０°変更するコロ５６１が収容されている。すなわち、搬入開口部５１１から搬入され低コンダクタンス流路５３を鉛直方向下向きに走行する帯状基材Ｗが、排気室５６のコロ５６１により走行方向が１８０°変更され、別の低コンダクタンス流路５３を鉛直方向上向きに走行し搬出開口部５１２から搬出されるようになっている。このように、排気室５６が搬入開口部５１１と搬出開口部５１２よりも鉛直方向下側に配置されていることにより、上流開口室５４、下流開口室５５及び排気室５６のそれぞれのコロ５４１、５５１、５６１に接触しつつ基材Ｗが走行することで、仮にパーティクルが発生した場合でも、排気部４１により吸引力が発生しているため、パーティクルが低コンダクタンス流路５３を経てチャンバに侵入するのを抑えることができる。 Further, an exhaust chamber 56 communicating with the exhaust unit 41 is formed below the carry-in opening 511 and the carry-out opening 512 in the vertical direction. The exhaust chamber 56 is formed in a large space and is connected to the exhaust part 41. That is, the exhaust part 41 has a vacuum pump P, and the vacuum pump P and the exhaust chamber 56 are connected by a pipe. Therefore, when the vacuum pump P is operated, the exhaust chamber 56 is exhausted, so that a suction force toward the exhaust chamber 56 is generated in the base material travel path 50. Thereby, even when the raw material gas enters from the chamber 30 connected from the carry-in opening 511 and the carry-out opening 512, the raw material gas is prevented from entering the different chambers 30 through the exhaust chamber 56. Is done. Further, the exhaust chamber 56 is formed in a dimension that is larger in the vertical dimension than the other base material travel path portion 50. That is, even when the tension is reduced during the film forming process and the entire belt-like substrate W is slackened downward in the direction of gravity, the belt-like substrate W is placed on the wall surface (lower side in the vertical direction) of the exhaust chamber 56. It is formed so as to have an opening size enough to avoid contact. The exhaust chamber 56 accommodates a roller 561 that changes the transport direction of the belt-shaped substrate W by 180 °. That is, the belt-like base material W that is carried in from the carry-in opening 511 and travels downward in the vertical direction in the low conductance flow path 53 is changed in travel direction by 180 ° by the roller 561 in the exhaust chamber 56, and another low conductance flow path 53 is The vehicle travels upward in the vertical direction and is unloaded from the unloading opening 512. As described above, the exhaust chamber 56 is arranged vertically below the carry-in opening 511 and the carry-out opening 512, so that the rollers 541 of the upstream opening chamber 54, the downstream opening chamber 55, and the exhaust chamber 56, Even when particles are generated by the base material W traveling while being in contact with 551 and 561, since the suction force is generated by the exhaust part 41, the particles enter the chamber through the low conductance flow channel 53. Can be suppressed.

低コンダクタンス流路５３は、流体の流れを規制するための流路である。この低コンダクタンス流路５３は、上流開口室５４及び下流開口室５５と排気室５６とを連結し、鉛直方向に延びる形状に形成されている。本実施形態では、上流開口室５４と排気室５６とが１本の鉛直方向に延びる低コンダクタンス流路５３で連結され、下流開口室５５と排気室５６とが他の１本の鉛直方向に延びる低コンダクタンス流路５３で連結されている。すなわち、基材走行経路部５０は、搬入開口部５１１、上流開口室５４、低コンダクタンス流路５３、排気室５６、低コンダクタンス流路５３、下流開口室５５、搬出開口部５１２がこの順に連結されてることにより構成されている。 The low conductance channel 53 is a channel for regulating the flow of fluid. The low conductance channel 53 connects the upstream opening chamber 54, the downstream opening chamber 55, and the exhaust chamber 56, and is formed in a shape extending in the vertical direction. In the present embodiment, the upstream opening chamber 54 and the exhaust chamber 56 are connected by a single low conductance channel 53 extending in the vertical direction, and the downstream opening chamber 55 and the exhaust chamber 56 extend in the other vertical direction. They are connected by a low conductance channel 53. That is, the base material traveling route section 50 includes a carry-in opening 511, an upstream opening chamber 54, a low conductance flow path 53, an exhaust chamber 56, a low conductance flow path 53, a downstream open chamber 55, and a carry-out opening 512 in this order. It is configured by.

この低コンダクタンス流路５３は、基材Ｗが通過できる程度に極めて狭い開口面積で形成されており、この低コンダクタンス流路５３によりクロスコンタミネーションを抑えることができるようになっている。すなわち、開口部５１の開口面積を小さく形成することにより圧損が大きくなるため、チャンバ３０内の原料ガス（製膜粒子含む。以下原料ガス等という）等が搬入開口部５１１及び搬出開口部５１２を通じて基材走行経路部５０に侵入し隣接するチャンバ３０に混入するのを抑えることができるようになっている。すなわち、隣り合うチャンバ３０の設定圧力が異なることにより設定圧力の高いチャンバ３０から少量の原料ガスが開口部５１を通じて上流開口室５４（又は下流開口室５５）に侵入する。一方、排気部４１の真空ポンプＰによる排気により基材走行経路部５０が排気されているが、低コンダクタンス流路５３が極めて狭い開口面積であり、かつ、経路長も長く形成されていることから、低コンダクタンス流路５３のコンダクタンスが小さくなっている。そのため、侵入した原料ガスがそのまま低コンダクタンス流路５３に侵入しにくくなり、上流開口室５４（又は下流開口室５５）で滞留する。仮に低コンダクタンス流路５３に侵入し排気室５６に到達しても、排気部４１により排気されるため、侵入が困難な低コンダクタンス流路５３を通過してチャンバに戻る原料ガスはほぼ皆無となる。そして、本実施形態では、搬入開口部５１１から搬入された帯状基材Ｗ、搬出開口部５１２から搬出される帯状基材Ｗそれぞれに対して独立した基材走行経路部５０を設けていることにより、基材走行経路部５０の開口面積を帯状基材Ｗの断面積に極力近い値に設定することが可能になる。したがって、チャンバの気体が基材走行経路部５０に侵入しづらくなるため、効果的にクロスコンタミネーションを抑えることができる。 The low conductance channel 53 is formed with an extremely small opening area that allows the substrate W to pass through, and the low conductance channel 53 can suppress cross contamination. That is, since the pressure loss is increased by forming the opening 51 with a small opening area, the source gas (including the film-forming particles; hereinafter referred to as source gas) and the like in the chamber 30 passes through the carry-in opening 511 and the carry-out opening 512. It is possible to suppress entry into the base material traveling route section 50 and mixing into the adjacent chamber 30. That is, when the set pressures of the adjacent chambers 30 are different, a small amount of source gas enters the upstream opening chamber 54 (or the downstream opening chamber 55) through the opening 51 from the chamber 30 having a high set pressure. On the other hand, although the base material travel path | route part 50 is exhausted by the exhaust_gas | exhaustion by the vacuum pump P of the exhaust_gas | exhaustion part 41, since the low conductance flow path 53 is a very narrow opening area and long path length is formed. The conductance of the low conductance channel 53 is small. Therefore, the source gas that has entered does not easily enter the low conductance channel 53 as it is, and stays in the upstream opening chamber 54 (or the downstream opening chamber 55). Even if the gas enters the low conductance channel 53 and reaches the exhaust chamber 56, the exhaust gas is exhausted by the exhaust part 41, so that almost no source gas passes through the low conductance channel 53, which is difficult to enter, and returns to the chamber. . And in this embodiment, by providing the base material travel path | route part 50 independent with respect to each of the strip | belt-shaped base material W carried in from the carrying-in opening part 511, and the strip | belt-shaped base material W carried out from the carrying-out opening part 512, it is. It is possible to set the opening area of the base material travel path portion 50 to a value as close as possible to the cross-sectional area of the belt-like base material W. Therefore, it becomes difficult for the gas in the chamber to enter the base material travel path portion 50, so that cross contamination can be effectively suppressed.

また、低コンダクタンス流路５３は、鉛直方向に延びる形状に形成されている。具体的には、鉛直方向上側にある上流開口室５４（又は下流開口室５５）と鉛直方向下側にある排気室５６とを直線的に連結するように形成されている。これにより、低コンダクタンス流路５３を走行する基材Ｗが壁面に接触するのを抑えることができる。すなわち、搬入開口部５１１から水平方向に搬入された帯状基材Ｗは、上流開口室５４のコロ５４１を経由することにより９０°向きを変え、低コンダクタンス流路５３を鉛直方向下向きに排気室５６に向かって走行する。一方、排気室５６で１８０°向きを変えられた帯状基材Ｗは低コンダクタンス流路５３を鉛直上向きに下流開口室５５に向かって走行する。すなわち、低コンダクタンス流路５３を走行する帯状基材Ｗは、鉛直方向に延びる姿勢を維持したまま走行するため、仮に製膜処理中に張力が低下して帯状基材Ｗ全体が重力方向下向きに弛みが生じた場合であっても、帯状基材Ｗが水平方向に広がらず、排気室５６において鉛直方向下向きに弛みが形成されることにより、帯状基材Ｗが低コンダクタンス流路５３に接触することを抑えることができる。したがって、低コンダクタンス流路５３の開口面積を走行する帯状基材Ｗが通過できる極めて細い流路に形成することができるため、低コンダクタンス流路５３のコンダクタンスを極力小さく設定することが可能になる。したがって、帯状基材Ｗの接触を回避しつつ差動排気システム４０のクロスコンタミネーションを極力抑えることができる。 Further, the low conductance flow channel 53 is formed in a shape extending in the vertical direction. Specifically, the upstream opening chamber 54 (or the downstream opening chamber 55) on the upper side in the vertical direction and the exhaust chamber 56 on the lower side in the vertical direction are linearly connected. Thereby, it can suppress that the base material W which drive | works the low-conductance flow path 53 contacts a wall surface. That is, the belt-like substrate W carried in from the carry-in opening 511 in the horizontal direction changes its direction by 90 ° by passing through the roller 541 in the upstream opening chamber 54, and the low conductance flow path 53 is directed vertically downward in the exhaust chamber 56. Drive towards. On the other hand, the belt-like substrate W whose direction has been changed by 180 ° in the exhaust chamber 56 travels in the low conductance channel 53 vertically upward toward the downstream opening chamber 55. That is, since the belt-like substrate W traveling in the low conductance flow path 53 travels while maintaining the posture extending in the vertical direction, the tension is lowered during the film forming process and the entire belt-like substrate W is lowered downward in the gravity direction. Even if the slack occurs, the belt-shaped substrate W does not spread in the horizontal direction, and the slack is formed in the exhaust chamber 56 in the downward direction in the vertical direction, so that the belt-shaped substrate W contacts the low conductance channel 53. That can be suppressed. Therefore, since it can form in the very thin channel which can pass the strip | belt-shaped base material W which travels the opening area of the low conductance channel 53, it becomes possible to set the conductance of the low conductance channel 53 as small as possible. Therefore, the cross contamination of the differential exhaust system 40 can be suppressed as much as possible while avoiding the contact of the belt-shaped substrate W.

このように、上記実施形態における差動排気システム４０によれば、基材走行経路部５０に低コンダクタンス流路５３が形成されており、この低コンダクタンス流路５３が鉛直方向に延びて形成されているため、帯状基材Ｗが基材走行経路部５０の壁面に接触することなくクロスコンタミネーションを抑えることができる。すなわち、開口面積を小さくして流体の流れを規制する低コンダクタンス流路５３が鉛直方向に延びて形成されていることにより、開口部５１から搬入された帯状基材Ｗは、基材走行経路部５０を走行し、開口面積が小さくなる低コンダクタンス流路５３では、鉛直方向に走行する。そのため、仮に製膜処理中に張力が低下して帯状基材Ｗ全体が重力方向下向きに弛みが生じる場合であっても、低コンダクタンス流路５３の壁面が鉛直方向には存在しないため、帯状基材Ｗの弛みが低コンダクタンス流路５３の壁面に接触するのを回避することができる。したがって、この低コンダクタンス流路５３により隣接するチャンバ３０の気体が基材走行経路部５０に侵入しにくく、隣り合うチャンバ３０間の圧力差を維持するという機能を損なうことなく、ロールトゥロールタイプの搬送製膜装置であっても、帯状基材Ｗの接触を回避しつつクロスコンタミネーションを抑えることができる。 Thus, according to the differential exhaust system 40 in the above-described embodiment, the low conductance flow path 53 is formed in the base material travel path portion 50, and the low conductance flow path 53 is formed to extend in the vertical direction. Therefore, the cross contamination can be suppressed without the belt-like base material W coming into contact with the wall surface of the base material travel path portion 50. That is, the low-conductance flow path 53 that restricts the flow of the fluid by reducing the opening area is formed to extend in the vertical direction, so that the belt-like base material W carried from the opening 51 has the base material travel path portion. In the low conductance channel 53 that travels 50 and has a small opening area, it travels in the vertical direction. Therefore, even if the tension is lowered during the film forming process and the entire belt-like substrate W is slackened downward in the direction of gravity, the wall surface of the low conductance channel 53 does not exist in the vertical direction. It is possible to avoid the slack of the material W from coming into contact with the wall surface of the low conductance channel 53. Therefore, the low conductance flow path 53 makes it difficult for the gas in the adjacent chamber 30 to enter the base material travel path portion 50, and without damaging the function of maintaining the pressure difference between the adjacent chambers 30. Even in the case of a transport film forming apparatus, cross contamination can be suppressed while avoiding contact with the belt-like substrate W.

また、上記実施形態では、搬入開口部５１１、上流開口室５４、低コンダクタンス流路５３、排気室５６、低コンダクタンス流路５３、下流開口室５５、搬出開口部５１２がこの順に連結されることにより構成される基材走行経路部５０と排気部４１とによって形成される差動排気ユニット６０が１つである差動排気システム４０について説明したが、前記差動排気ユニット６０が複数連結される差動排気システム４０であってもよい。すなわち、図３に示すように、隣りに配置される差動排気ユニット６０の開口部５１同士（搬出開口部５１２と搬入開口部５１１）を連結することにより、最上流側に位置する差動排気ユニット６０から最下流側の差動排気ユニット６０まで各基材走行経路部５０が連続して接続される構成にしてもよい。すなわち、本発明における差動排気システム４０は、低コンダクタンス流路５３が鉛直方向に延びて形成されているため、従来のように低コンダクタンス流路５３が水平方向に延びて形成される場合に比べて、差動排気ユニット６０が搬送方向に複数連結する構成を省スペースで容易に形成することができる。 In the above embodiment, the carry-in opening 511, the upstream opening chamber 54, the low conductance channel 53, the exhaust chamber 56, the low conductance channel 53, the downstream opening chamber 55, and the carry-out opening 512 are connected in this order. Although the differential exhaust system 40 having one differential exhaust unit 60 formed by the base material traveling path unit 50 and the exhaust unit 41 described above has been described, a difference in which a plurality of the differential exhaust units 60 are connected. The dynamic exhaust system 40 may be used. That is, as shown in FIG. 3, the differential exhaust located on the most upstream side is connected by connecting the openings 51 (the carry-out opening 512 and the carry-in opening 511) of the differential exhaust units 60 arranged adjacent to each other. Each base material travel path portion 50 may be continuously connected from the unit 60 to the differential exhaust unit 60 on the most downstream side. That is, in the differential exhaust system 40 according to the present invention, the low conductance flow channel 53 is formed to extend in the vertical direction, so that the low pressure conductance flow channel 53 is formed to extend in the horizontal direction as in the prior art. Thus, a configuration in which a plurality of differential exhaust units 60 are connected in the transport direction can be easily formed in a space-saving manner.

また、上記実施形態では、ケース本体部４２に基材走行経路部５０が開口した状態で形成され、ケース本体部４２の対向面が平坦に形成されたカバー部４３を閉じることにより基材走行経路部５０が形成される例について説明したが、ケース本体部４２に基材走行経路部５０の一部分が形成され、カバー部４３に基材走行経路部５０の残りの部分が形成されており、カバー部４３を閉じることより基材走行経路部５０が形成されるものであってもよい。また、ケース本体部４２とカバー部４３を分けることなく一体的なブロック状部材に基材走行経路部５０が形成されるものであってもよい。 Further, in the above embodiment, the base material travel path 50 is formed in the case main body portion 42 with the base material travel path portion 50 opened, and the cover portion 43 in which the opposing surface of the case main body portion 42 is formed flat is closed. Although the example in which the portion 50 is formed has been described, a part of the base material travel route portion 50 is formed in the case main body portion 42, and the remaining portion of the base material travel route portion 50 is formed in the cover portion 43. The base material travel path part 50 may be formed by closing the part 43. Moreover, the base material travel path | route part 50 may be formed in an integral block-shaped member, without dividing the case main-body part 42 and the cover part 43. FIG.

３０チャンバ
４０差動排気システム
４１排気部
４２ケース本体部
４３カバー部
５０基材走行経路部
５１開口部
５１１搬入開口部
５１２搬出開口部
５３低コンダクタンス流路
５４上流開口室
５５下流開口室
５６排気室
６０差動排気ユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 30 Chamber 40 Differential exhaust system 41 Exhaust part 42 Case main-body part 43 Cover part 50 Base material travel path part 51 Opening part 511 Carry-in opening part 512 Carry-out opening part 53 Low conductance flow path 54 Upstream opening room 55 Downstream opening room 56 Exhaust room 60 Differential exhaust unit

Claims

送出側から巻取側に可撓性を有する帯状基材を複数のチャンバに通過させて前記帯状基材に所定の処理を行う基材処理装置の前記チャンバ間に設けられる差動排気システムであって、
前記差動排気システムは、帯状基材が搬送される搬送方向上流側及び下流側にそれぞれ開口する開口部を有し、帯状基材を走行させる基材走行経路部と、
前記基材走行経路部に連通し、前記基材走行経路部を排気する排気部と、
を備えており、
前記基材走行経路部は、
前記開口部と連結され、前記帯状基材が重力方向下向きに弛みが生じた場合でも前記帯状基材が接触するのを回避できる程度に、前記基材走行経路部と比べて容量が大きく形成された開口室と、
前記排気部と連通して前記開口部よりも鉛直方向下側に形成され、前記帯状基材が重力方向下向きに弛みが生じた場合でも前記帯状基材が接触するのを回避できる程度に、前記基材走行経路部と比べて鉛直方向寸法が大きい寸法に形成される排気室と、
前記開口室及び排気室よりも開口面積が小さく形成されることにより、流体の流れを規制する低コンダクタンス流路を有しており、この低コンダクタンス流路は、前記開口部に連結される開口室と排気部に連通される前記排気室との間に配置され、鉛直方向に延びて形成されていることを特徴とする差動排気システム。 A differential evacuation system provided between the chambers of a substrate processing apparatus that performs a predetermined treatment on the band-shaped substrate by passing a flexible band-shaped substrate from a delivery side to a winding side through a plurality of chambers. And
The differential exhaust system has an opening that opens on the upstream side and the downstream side in the transport direction in which the belt-shaped substrate is transported, and a base material traveling path unit that travels the belt-shaped base material,
An exhaust part communicating with the base material travel path part and exhausting the base material travel path part;
With
The base material travel path part is
Even when the belt-like base material is connected to the opening and the belt-like base material is slackened downward in the direction of gravity, the capacity is formed larger than the base material travel path part to the extent that the belt-like base material can be prevented from contacting. Open room,
To the extent that it is possible to avoid contact with the strip-shaped base material even when the strip-shaped base material is formed in the vertical direction lower than the opening in communication with the exhaust portion and the strip-shaped base material is slackened downward in the gravitational direction. An exhaust chamber formed in a dimension having a large vertical dimension as compared with the base material travel path part;
The opening area is smaller than that of the opening chamber and the exhaust chamber, thereby having a low conductance channel that regulates the flow of fluid, and the low conductance channel is connected to the opening. A differential exhaust system, wherein the differential exhaust system is disposed between the exhaust chamber and the exhaust chamber communicated with the exhaust portion and extends in a vertical direction.

前記基材走行経路部の開口部は、水平方向に開口し基材が搬入される搬入開口部と、水平方向に開口し基材が搬出される搬出開口部であって、前記排気部は、これら搬入開口部及び搬出開口部よりも鉛直方向下側に配置されており、
前記搬入開口部と前記排気部とが鉛直方向に延びる一の低コンダクタンス流路を経て連結され、前記搬出開口部と前記排気部とが鉛直方向に延びる他の低コンダクタンス流路を経て連結されていることを特徴とする請求項１に記載の差動排気システム。 The opening part of the base material travel path part is a carry-in opening part that opens in the horizontal direction and the base material is carried in, and a carry-out opening part that opens in the horizontal direction and the base material is carried out, wherein the exhaust part is It is arranged in the vertical direction lower than these carry-in opening and carry-out opening,
The carry-in opening and the exhaust part are connected via one low conductance channel extending in the vertical direction, and the carry-out opening and the exhaust part are connected via another low conductance channel extending in the vertical direction. The differential exhaust system according to claim 1, wherein:

前記基材走行経路部は、ケース本体部と、このケース本体部に対して開閉動作可能なカバー部とで形成されており、カバー部が閉状態の場合に前記ケース本体部と前記カバー部とによって前記基材走行経路部が形成され、カバー部が開状態の場合に、前記基材走行経路部が帯状基材の搬送方向と直交する方向に開口することを特徴とする請求項１又は２に記載の差動排気システム。 The base material travel path portion is formed of a case main body portion and a cover portion that can be opened and closed with respect to the case main body portion. When the cover portion is in a closed state, the case main body portion and the cover portion The base material travel path is formed in a direction perpendicular to the transport direction of the belt-shaped base material when the base material travel path part is formed by the cover and the cover part is in an open state. Differential exhaust system as described in.

前記基材走行経路部と前記排気部とによって形成される差動排気ユニットが複数連結されることによって形成されており、隣接する差動排気ユニットの前記開口部同士を連結することにより、最上流側の差動排気ユニットから最下流側の差動排気ユニットまでの各差動排気ユニットの前記基材走行経路部が連続して接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の差動排気システム。 It is formed by connecting a plurality of differential exhaust units formed by the base material traveling path part and the exhaust part, and by connecting the openings of adjacent differential exhaust units, the most upstream The base material travel path portion of each differential exhaust unit from the differential exhaust unit on the side to the differential exhaust unit on the most downstream side is continuously connected. Differential exhaust system as described in.