JP6411466B2 - スロットダイコーティング方法及び装置 - Google Patents
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Description
基板表面を有する前記基板を提供することと、
流出開口であって、使用時に塗布液を当該流出開口から流出させ、使用時に当該流出開口が前記基板表面の上でスリット方向に配置されるスリットを形成する、流出開口を有するスロットダイコーティングヘッドを提供することと、
前記スリット方向に対して横方向のコーティング方向に沿った前記流出開口と前記基板表面との相対運動を制御することと、
前記スロットダイコーティングヘッドから前記基板表面上への前記塗布液の断続的な転送(transfer)を制御して、前記断続的な転送によって、未塗布領域によって分離された前記基板表面上の塗布領域を提供することと、を含み、
ここで、前記基板表面は高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域とからなる事前パターン形成層を含み、前記基板表面上での前記塗布液の接触角は、前記低表面エネルギー領域におけるよりも前記高表面エネルギー領域において小さく、前記低表面エネルギー領域と前記高表面エネルギー領域との間の境界は、前記スリット方向に沿って配置され、
当該方法は、さらに、
前記断続的な転送を、前記低表面エネルギー領域と前記高表面エネルギー領域との間の前記境界の上を通る前記流出開口の通過と同期させることであって、前記転送は、前記流出開口が高表面エネルギー領域を通過するときに有効にされ、前記転送は、前記流出開口が低表面エネルギー領域を通過するときに無効にされる、当該同期させること、を含む。
基板表面を有する前記基板を提供するために配置された基板キャリアと、
流出開口であって、使用時に塗布液を当該流出開口から流出させ、使用時に当該流出開口が前記基板表面の上でスリット方向に配置されるスリットを形成する、流出開口を有するスロットダイコーティングヘッドと、
前記スリット方向に対して横方向のコーティング方向に沿った前記流出開口と前記基板表面との相対運動を制御するために配置されたコントローラと、を含み、
ここで、前記コントローラは、さらに、前記スロットダイコーティングヘッドから前記基板表面上への前記塗布液の断続的な転送を制御して、前記断続的な転送によって、未塗布領域によって分離された前記基板表面上の塗布領域を提供するために配置され、
使用時に、前記基板表面は高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域とからなる事前パターン形成層を含み、前記基板表面上での前記塗布液の接触角は、前記低表面エネルギー領域におけるよりも前記高表面エネルギー領域において小さく、前記低表面エネルギー領域と前記高表面エネルギー領域との間の境界は、前記スリット方向に沿って配置され、
当該装置は、さらに、
前記流出開口に対する前記低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域との間の前記境界を判別するために配置されたシンクロナイザを含み、前記シンクロナイザは、前記断続的な転送を、前記低表面エネルギー領域と前記高表面エネルギー領域との間の前記境界上を通る前記流出開口の通過と同期させるための前記コントローラに動作可能に接続され、前記転送は、前記流出開口が高表面エネルギー領域を通過するときに有効にされ、前記転送は、前記流出開口が低表面エネルギー領域を通過するときに無効にされる。
前記スロットダイコーティングヘッドは、流出開口であって、使用時に塗布液を当該流出開口から流出させ、使用時に当該流出開口が前記基板表面の上でスリット方向に配置されるスリットを形成する、流出開口を有し、
前記基板表面は、高表面エネルギー領域及び低表面エネルギー領域からなる事前パターン形成層を有し、前記基板表面上での前記塗布液の接触角は、前記低表面エネルギー領域におけるよりも前記高表面エネルギー領域において小さく、前記低表面エネルギー領域と高表面エネルギー領域との間の境界は、前記スリット方向に沿って配置され、
前記パターン形成コーティング層の塗布領域は、前記高表面エネルギー領域を覆い、
前記パターン形成コーティング層の未塗布領域は、前記塗布領域を分離する前記低表面エネルギー領域に形成される。
(付記)
(付記1)
基板(1)上にパターン形成コーティング層(3)を製造するためのスロットダイコーティング方法であって、当該方法は、
基板表面(1s)を有する前記基板(1)を提供することと、
流出開口(2a)であって、使用時に塗布液(3f)を当該流出開口(2a)から流出させ、使用時に当該流出開口(2a)が前記基板表面(1s)の上でスリット方向(Y)に配置されるスリットを形成する、流出開口(2a)を有するスロットダイコーティングヘッド(2)を提供することと、
前記スリット方向(Y)に対して横方向のコーティング方向(X)に沿った前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との相対運動を制御することと、
前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)上への前記塗布液(3f)の断続的な転送(T)を制御して、前記断続的な転送(T)によって、未塗布領域3uによって分離された前記基板表面(1s)上の塗布領域(3c)を提供することと、を含み、
前記基板表面(1s)は高表面エネルギー領域(4h)と低表面エネルギー領域(4l)とからなる事前パターン形成層(4)を含み、前記基板表面(1s)上での前記塗布液(3f)の接触角は、前記低表面エネルギー領域(4l)におけるよりも前記高表面エネルギー領域(4h)において小さく、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の境界(4hl、4lh)は、前記スリット方向(Y)に沿って配置され、
当該方法は、さらに、
前記断続的な転送(T)を、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の前記境界(4hl、4lh)の上を通る前記流出開口(2a)の通過と同期させることであって、前記転送は、前記流出開口(2a)が高表面エネルギー領域(4h)を通過するときに有効にされ(T=1)、前記転送は、前記流出開口(2a)が低表面エネルギー領域(4l)を通過するときに無効にされる(T=0)、当該同期させること、を含む、
ことを特徴とする方法。
(付記2)
前記断続的な転送(T)を同期させることは、
前記転送が中断される(T=1から0)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、高表面エネルギー領域(4h)から低表面エネルギー領域(4l)への境界(4hl)との間に第1オフセット(Xhl)を設定すること、及び/又は、
前記転送が再開される(T=0から1)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、低表面エネルギー領域(4l)から高表面エネルギー領域(4h)への境界(4lh)との間に第2オフセット(Xlh)を設定すること、を含む、
ことを特徴とする、付記1に記載の方法。
(付記3)
前記第1オフセット及び/又は前記第2オフセット(Xlh、Xhl)が、前記塗布領域(3c)の層の厚さのばらつきを最小化するように調節される、
ことを特徴とする、付記2に記載の方法。
(付記4)
前記転送は、前記流出開口(2a)が低表面エネルギー領域(4l)から高表面エネルギー領域(4h)への境界(4lh)を通過する直前又は通過した直後に再開される(T=0から1)ように設定される、
ことを特徴とする、付記1乃至3のいずれか1つに記載の方法。
(付記5)
前記転送は、前記流出開口(2a)が高表面エネルギー領域(4h)から低表面エネルギー領域(4l)への境界(4hl)を通過する直前又は通過した直後に中断される(T=1から0)ように設定される、
ことを特徴とする、付記1乃至3のいずれか1つに記載の方法。
(付記6)
前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)上への前記塗布液(3f)の前記断続的な転送(T)は、
前記転送を中断する(T=1から0)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を増加させること、及び、
前記転送を再開する(T=0から1)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を減少させること、
によって制御されることを特徴とする、付記1乃至5のいずれか1つに記載の方法。
(付記7)
前記スロットダイコーティングヘッド(2)は、
重力方向(G)に対して平面角で90°より大きい角度(θ)を有する流出方向(3x)に、前記流出開口(2a)からの流出を提供するための角度だけ傾けられている、
ことを特徴とする、付記1乃至6のいずれか1つに記載の方法。
(付記8)
前記事前パターン形成層(4)が、前記コーティング方向(X)に沿って高表面エネルギー領域(4h)と平行な境界(4s)を有する低表面エネルギー領域(4l)を含み、
1以上のシム(2s)が、前記流出開口(2a)を複数のスリット(2as)に分割するように、前記流出開口(2a)に配置され、
前記1以上のシム(2s)が、前記コーティング方向(X)に沿って高表面エネルギー領域4hと平行な境界(4s)を有する前記低表面エネルギー領域(4l)において、前記塗布液(3f)が前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)への転送(T)を阻止するように前記平行な境界(4s)と整合している、
ことを特徴とする、付記1乃至7のいずれか1つに記載の方法。
(付記9)
前記パターン形成コーティング層は、第1のパターン形成コーティング層(3)を形成し、
第2のパターン形成コーティング層(13)は、前記第1のパターン形成コーティング層(3)上に塗布され、
前記第2のパターン形成コーティング層(13)の塗布液(13f)は、前記基板表面(1s)の前記未塗布領域(3u)におけるよりも前記第1のパターン形成コーティング層(3)の前記塗布領域(3c)において小さい接触角を有する、
ことを特徴とする、付記1乃至8のいずれか1つに記載の方法。
(付記10)
太陽電池アレイを製造する方法であって、
付記8に記載の前記スロットダイコーティング方法を用いることと、
前記太陽電池アレイを形成するパターン形成された多層スタックを作成するために、複数のパターン形成コーティング層であって、先にコーティングされた層の上部に、それぞれの次のコーティング層を有する複数のパターン形成コーティング層を繰り返し製造することと、を含み、
それぞれの次のコーティング層(23)の塗布液(23f)は、前記基板表面(1s)の前記未塗布領域(3u)におけるよりも前記先にコーティングされた層(13)において小さい接触角を有する、
ことを特徴とする、太陽電池アレイを製造する方法。
(付記11)
基板(1)上にパターン形成コーティング層(3)を製造するためのスロットダイコーティング装置(10)であって、当該装置は、
基板表面(1s)を有する前記基板(1)を提供するために配置された基板キャリア(6)と、
流出開口(2a)であって、使用時に塗布液(3f)を当該流出開口(2a)から流出させ、使用時に当該流出開口(2a)が前記基板表面(1s)の上でスリット方向(Y)に配置されるスリットを形成する、流出開口(2a)を有するスロットダイコーティングヘッド(2)と、
前記スリット方向(Y)に対して横方向のコーティング方向(X)に沿った前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との相対運動を制御するために配置されたコントローラ(5)と、を含み、
前記コントローラ(5)は、さらに、前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)上への前記塗布液(3f)の断続的な転送(T)を制御して、前記断続的な転送(T)によって、未塗布領域(3u)によって分離された前記基板表面(1s)上の塗布領域(3c)を提供するために配置され、
使用時に、前記基板表面(1s)は高表面エネルギー領域(4h)と低表面エネルギー領域(4l)とからなる事前パターン形成層(4)を含み、前記基板表面(1s)上での前記塗布液(3f)の接触角は、前記低表面エネルギー領域(4l)におけるよりも前記高表面エネルギー領域(4h)において小さく、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の境界(4hl、4lh)は、前記スリット方向(Y)に沿って配置され、
当該装置は、さらに、
前記流出開口(2a)に対する前記低表面エネルギー領域(4l)と高表面エネルギー領域(4h)との間の前記境界(4hl、4lh)を判別するために配置されたシンクロナイザ(7)を含み、前記シンクロナイザ(7)は、前記断続的な転送(T)を、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の前記境界(4hl、4lh)上を通る前記流出開口(2a)の通過と同期させるための前記コントローラ(5)に動作可能に接続され、前記転送は、前記流出開口(2a)が高表面エネルギー領域(4h)を通過するときに有効にされ(T=1)、前記転送は、前記流出開口(2a)が低表面エネルギー領域(4l)を通過するときに無効にされる(T=0)、
ことを特徴とする装置。
(付記12)
前記断続的な転送(T)を同期させることは、
前記転送が中断される(T=1から0)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、高表面エネルギー領域(4h)から低表面エネルギー領域(4l)への境界(4hl)との間に第1オフセット(Xhl)を設定すること、及び/又は、
前記転送が再開される(T=0から1)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、低表面エネルギー領域(4l)から高表面エネルギー領域(4h)への境界(4lh)との間に第2オフセット(Xlh)を設定すること、を含む、
ことを特徴とする、付記11に記載の装置。
(付記13)
前記装置は、モータを含み、且つ、前記コントローラ(5)は、前記モータを制御して、
前記転送を中断する(T=1から0)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を増加させる、及び、
前記転送を再開する(T=0から1)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を減少させる、
ために配置される、
ことを特徴とする、付記11又は12に記載の装置。
(付記14)
1以上のシム(2s)が、前記流出開口(2a)を複数のスリットに分割するように、前記流出開口(2a)に配置され、使用時に、
前記1以上のシム(2s)が、前記コーティング方向(X)に沿って平行な境界(4s)を有する前記低表面エネルギー領域(4l)において、前記塗布液(3f)が前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)への転送(T)を阻止するように前記平行な境界(4s)と整合している、
ことを特徴とする、付記11又は12に記載の装置。
(付記15)
スロットダイコーティングヘッド(2)から基板表面(1s)への塗布液(3f)の断続的な転送によって得られるパターン形成コーティング層(3)を有する基板(1)であって、
前記スロットダイコーティングヘッド(2)は、流出開口(2a)であって、使用時に塗布液(3f)を当該流出開口(2a)から流出させ、使用時に当該流出開口(2a)が前記基板表面(1s)の上でスリット方向(Y)に配置されるスリットを形成する、流出開口(2a)を有し、
前記基板表面(1s)は、高表面エネルギー領域(4h)及び低表面エネルギー領域(4l)からなる事前パターン形成層(4)を有し、前記基板表面(1s)上での前記塗布液(3f)の接触角は、前記低表面エネルギー領域(4l)におけるよりも前記高表面エネルギー領域(4h)において小さく、前記低表面エネルギー領域(4l)と高表面エネルギー領域(4h)との間の境界(4hl、4lh)は、前記スリット方向(Y)に沿って配置され、
前記パターン形成コーティング層(3)の塗布領域(3c)は、前記高表面エネルギー領域(4h)を覆い、
前記パターン形成コーティング層(3)の未塗布領域(3u)は、前記塗布領域(3c)を分離する前記低表面エネルギー領域(4l)に形成される、
ことを特徴とする基板(1)。
Claims (14)
- 基板(1)上にパターン形成コーティング層(3)を製造するためのスロットダイコーティング方法であって、当該方法は、
基板表面(1s)を有する前記基板(1)を提供することと、
流出開口(2a)であって、使用時に塗布液(3f)を当該流出開口(2a)から流出させ、使用時に当該流出開口(2a)が前記基板表面(1s)の上でスリット方向(Y)に配置されるスリットを形成する、流出開口(2a)を有するスロットダイコーティングヘッド(2)を提供することと、
前記スリット方向(Y)に対して横方向のコーティング方向(X)に沿った前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との相対運動を制御することと、
前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)上への前記塗布液(3f)の断続的な転送(T)を制御して、前記断続的な転送(T)によって、未塗布領域(3u)によって分離された前記基板表面(1s)上の塗布領域(3c)を提供することと、を含み、
前記基板表面(1s)は高表面エネルギー領域(4h)と低表面エネルギー領域(4l)とからなる事前パターン形成層(4)を含み、前記基板表面(1s)上での前記塗布液(3f)の接触角は、前記低表面エネルギー領域(4l)におけるよりも前記高表面エネルギー領域(4h)において小さく、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の境界(4hl、4lh)は、前記スリット方向(Y)に沿って配置され、
当該方法は、さらに、
前記断続的な転送(T)を、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の前記境界(4hl、4lh)の上を通る前記流出開口(2a)の通過と同期させることであって、前記転送は、前記流出開口(2a)が高表面エネルギー領域(4h)を通過するときに有効にされ(T=1)、前記転送は、前記流出開口(2a)が低表面エネルギー領域(4l)を通過するときに無効にされる(T=0)、当該同期させること、を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記断続的な転送(T)を同期させることは、
前記転送が中断される(T=1から0)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、高表面エネルギー領域(4h)から低表面エネルギー領域(4l)への境界(4hl)との間に第1オフセット(Xhl)を設定すること、及び/又は、
前記転送が再開される(T=0から1)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、低表面エネルギー領域(4l)から高表面エネルギー領域(4h)への境界(4lh)との間に第2オフセット(Xlh)を設定すること、を含む、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記第1オフセット及び/又は前記第2オフセット(Xlh、Xhl)が、前記塗布領域(3c)の層の厚さのばらつきを最小化するように調節される、
ことを特徴とする、請求項2に記載の方法。 - 前記転送は、前記流出開口(2a)が低表面エネルギー領域(4l)から高表面エネルギー領域(4h)への境界(4lh)を通過する直前又は通過した直後に再開される(T=0から1)ように設定される、
ことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記転送は、前記流出開口(2a)が高表面エネルギー領域(4h)から低表面エネルギー領域(4l)への境界(4hl)を通過する直前又は通過した直後に中断される(T=1から0)ように設定される、
ことを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)上への前記塗布液(3f)の前記断続的な転送(T)は、
前記転送を中断する(T=1から0)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を増加させること、及び、
前記転送を再開する(T=0から1)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を減少させること、
によって制御されることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。 - 前記スロットダイコーティングヘッド(2)は、
重力方向(G)に対して平面角で90°より大きい角度(θ)を有する流出方向(3x)に、前記流出開口(2a)からの流出を提供するための角度だけ傾けられている、
ことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記事前パターン形成層(4)が、前記コーティング方向(X)に沿って高表面エネルギー領域(4h)と平行な境界(4s)を有する低表面エネルギー領域(4l)を含み、
1以上のシム(2s)が、前記流出開口(2a)を複数のスリット(2as)に分割するように、前記流出開口(2a)に配置され、
前記高表面エネルギー領域(4h)と前記低表面エネルギー領域(4l)との境界(4s)は、前記コーティング方向(X)と平行であり、
前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)内の前記低表面エネルギー領域(4l)への前記塗布液(3f)の転送(T)を阻止するため、前記スリット方向(Y)において前記スリット(2as)の端が前記境界(4s)に対応する位置に前記1以上のシム(2s)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。 - 前記パターン形成コーティング層は、第1のパターン形成コーティング層(3)を形成し、
第2のパターン形成コーティング層(13)は、前記第1のパターン形成コーティング層(3)上に塗布され、
前記第2のパターン形成コーティング層(13)の塗布液(13f)は、前記基板表面(1s)の前記未塗布領域(3u)におけるよりも前記第1のパターン形成コーティング層(3)の前記塗布領域(3c)において小さい接触角を有する、
ことを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。 - 太陽電池アレイを製造する方法であって、
請求項8に記載の前記スロットダイコーティング方法を用いることと、
前記太陽電池アレイを形成するパターン形成された多層スタックを作成するために、複数のパターン形成コーティング層であって、先にコーティングされた層の上部に、それぞれの次のコーティング層を有する複数のパターン形成コーティング層を繰り返し製造することと、を含み、
それぞれの次のコーティング層(23)の塗布液(23f)は、前記基板表面(1s)の前記未塗布領域(3u)におけるよりも前記先にコーティングされた層(13)において小さい接触角を有する、
ことを特徴とする、太陽電池アレイを製造する方法。 - 基板(1)上にパターン形成コーティング層(3)を製造するためのスロットダイコーティング装置(10)であって、当該装置は、
基板表面(1s)を有する前記基板(1)を提供するために配置された基板キャリア(6)と、
流出開口(2a)であって、使用時に塗布液(3f)を当該流出開口(2a)から流出させ、使用時に当該流出開口(2a)が前記基板表面(1s)の上でスリット方向(Y)に配置されるスリットを形成する、流出開口(2a)を有するスロットダイコーティングヘッド(2)と、
前記スリット方向(Y)に対して横方向のコーティング方向(X)に沿った前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との相対運動を制御するために配置されたコントローラ(5)と、を含み、
前記コントローラ(5)は、さらに、前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)上への前記塗布液(3f)の断続的な転送(T)を制御して、前記断続的な転送(T)によって、未塗布領域(3u)によって分離された前記基板表面(1s)上の塗布領域(3c)を提供するために配置され、
使用時に、前記基板表面(1s)は高表面エネルギー領域(4h)と低表面エネルギー領域(4l)とからなる事前パターン形成層(4)を含み、前記基板表面(1s)上での前記塗布液(3f)の接触角は、前記低表面エネルギー領域(4l)におけるよりも前記高表面エネルギー領域(4h)において小さく、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の境界(4hl、4lh)は、前記スリット方向(Y)に沿って配置され、
当該装置は、さらに、
前記スロットダイコーティングヘッド(2)に対する前記事前パターン形成層の前記高表面エネルギー領域及び前記低表面エネルギー領域の位置を判別するためのセンサを含むシンクロナイザ(7)を含み、前記シンクロナイザ(7)は、前記断続的な転送(T)を、前記低表面エネルギー領域(4l)と前記高表面エネルギー領域(4h)との間の前記境界(4hl、4lh)上を通る前記流出開口(2a)の通過と同期させるための前記コントローラ(5)に動作可能に接続され、前記転送は、前記流出開口(2a)が高表面エネルギー領域(4h)を通過するときに有効にされ(T=1)、前記転送は、前記流出開口(2a)が低表面エネルギー領域(4l)を通過するときに無効にされる(T=0)、
ことを特徴とする装置。 - 前記断続的な転送(T)を同期させることは、
前記転送が中断される(T=1から0)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、高表面エネルギー領域(4h)から低表面エネルギー領域(4l)への境界(4hl)との間に第1オフセット(Xhl)を設定すること、及び/又は、
前記転送が再開される(T=0から1)位置であって前記コーティング方向(X)に沿って前記基板表面(1s)上の前記流出開口(2a)の位置と、低表面エネルギー領域(4l)から高表面エネルギー領域(4h)への境界(4lh)との間に第2オフセット(Xlh)を設定すること、を含む、
ことを特徴とする、請求項11に記載の装置。 - 前記装置は、モータを含み、且つ、前記コントローラ(5)は、前記モータを制御して、
前記転送を中断する(T=1から0)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を増加させる、及び、
前記転送を再開する(T=0から1)ために、前記流出開口(2a)と前記基板表面(1s)との距離(Z)を減少させる、
ために配置される、
ことを特徴とする、請求項11又は12に記載の装置。 - 1以上のシム(2s)が、前記流出開口(2a)を複数のスリット(2as)に分割するように、前記流出開口(2a)に配置され、使用時に、
前記高表面エネルギー領域(4h)と前記低表面エネルギー領域(4l)との境界(4s)は、前記コーティング方向(X)と平行であり、
前記スロットダイコーティングヘッド(2)から前記基板表面(1s)内の前記低表面エネルギー領域(4l)への前記塗布液(3f)の転送(T)を阻止するため、前記スリット方向(Y)において前記スリット(2as)の端が前記境界(4s)に対応する位置に前記1以上のシム(2s)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項11又は12に記載の装置。
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