JP6410176B2 - Scanning electron microscope - Google Patents
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Description
本発明は走査型電子顕微鏡に係り、とくに電子線を試料に対して相対的に走査しながら照射し、前記試料からの2次電子を検出器によって検出し、走査位置に対する2次電子の検出出力から画像を形成するようにした走査型電子顕微鏡に関する。 The present invention relates to a scanning electron microscope, and in particular, irradiates an electron beam while scanning it relative to a sample, detects secondary electrons from the sample by a detector, and outputs secondary electrons detected at the scanning position. The present invention relates to a scanning electron microscope that forms an image from the above.
半導体を製造する場合には、シリコンウエハ上に化学処理を施して配線パターンを形成し、シリコンウエハ上に形成された各素子を上記配線パターンを介して接続する。従って、配線パターンが正しく形成されかつ正しく接続されないと、半導体が正しい動作を行なわない状態が発生し、不良品の発生に繋がる。そこで半導体の製造プロセスにおいて、半導体ウエハ上に形成される描画パターンが正しく形成されているかどうかをチェックするために、例えば特開2006−138864号公報に開示されているように、走査型電子顕微鏡を用いて検査あるいは評価を行なうようにしている。 In the case of manufacturing a semiconductor, a chemical process is performed on a silicon wafer to form a wiring pattern, and each element formed on the silicon wafer is connected via the wiring pattern. Therefore, if the wiring pattern is not correctly formed and properly connected, a state in which the semiconductor does not operate correctly occurs, leading to the generation of defective products. Therefore, in order to check whether or not the drawing pattern formed on the semiconductor wafer is correctly formed in the semiconductor manufacturing process, a scanning electron microscope is used as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-138864. It is used for inspection or evaluation.
このような用途に用いられる走査型電子顕微鏡は、電子線源からの電子ビームを、収束レンズあるいはコンデンサレンズによって集束させるとともに、偏向コイルによって所定の方向に偏向し、この後対物レンズによってステージ上に配された試料から成る半導体ウエハの所定の位置に照射するようにしている。このような構成は、電子光学系と、ステージを有する真空チャンバとを真空にしなければならない。 A scanning electron microscope used for such an application focuses an electron beam from an electron beam source by a converging lens or a condenser lens, deflects it in a predetermined direction by a deflection coil, and then places it on a stage by an objective lens. Irradiation is performed on a predetermined position of the semiconductor wafer made of the arranged sample. In such a configuration, the electron optical system and the vacuum chamber having the stage must be evacuated.
このような要請において、従来の電子顕微鏡においては、機械式の真空ポンプと組合わせてスパッタイオンポンプを用いるようにしていた。ところがスパッタイオンポンプを小型のものにすると、排気系の性能が低下するようになる。このことは、真空性能を低下させないでしかも電子顕微鏡の小型化を図ることを不可能にするものである。一方で熱電解放出型の電子銃から電子線を放出させるためには、10−7Pa台の高真空雰囲気が必要となり、これによってスパッタイオンポンプの小型化が妨げられる結果になっていた。またスパッタイオンポンプを小型化すると、排気速度や到達真空度等の真空性能自体が低下する問題がある。 In order to meet such demands, the conventional electron microscope uses a sputter ion pump in combination with a mechanical vacuum pump. However, if the sputter ion pump is made small, the performance of the exhaust system will decrease. This makes it impossible to reduce the size of the electron microscope without reducing the vacuum performance. On the other hand, in order to emit an electron beam from a thermoelectrolytic emission type electron gun, a high vacuum atmosphere of the order of 10 −7 Pa is required, and this has hindered miniaturization of the sputter ion pump. Further, when the sputter ion pump is downsized, there is a problem that the vacuum performance itself such as the exhaust speed and the ultimate vacuum is lowered.
本願発明の課題は、高い真空性能を有しながら、しかも小型化を可能にした走査型電子顕微鏡を提供することである。 An object of the present invention is to provide a scanning electron microscope that has high vacuum performance and can be miniaturized.
本願発明の別の課題は、小型の真空装置であって、しかも排気速度と到達真空度とがともに十分な性能を有する真空装置を備えた走査型電子顕微鏡を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a scanning electron microscope provided with a vacuum device that is a small vacuum device and has sufficient performance in both exhaust speed and ultimate vacuum.
本願発明のさらに別の課題は、スパッタイオンポンプの排気機能を別の手段によって補うことにより、スパッタイオンポンプの小型化を達成した真空装置を有する走査型電子顕微鏡を提供することである。 Still another object of the present invention is to provide a scanning electron microscope having a vacuum apparatus that achieves miniaturization of the sputter ion pump by supplementing the exhaust function of the sputter ion pump with another means.
本願発明の上記の課題および別の課題は、以下に述べる本願発明の技術的思想、およびその実施の形態によって明らかにされる。 The above-described problems and other problems of the present invention will be made clear by the technical idea of the present invention described below and the embodiments thereof.
本願の主要な発明は、電子線を試料に対して相対的に走査しながら照射し、前記試料からの2次電子を検出器によって検出し、走査位置に対する前記2次電子の検出出力から画像を形成するようにした走査型電子顕微鏡において、
前記電子線を発射する電子光学系の内部を真空にするための真空装置をスパッタイオンポンプとゲッタポンプとの組合わせから構成した走査型電子顕微鏡に関するものである。
In the main invention of the present application, an electron beam is irradiated while being scanned relative to a sample, secondary electrons from the sample are detected by a detector, and an image is obtained from the detection output of the secondary electrons with respect to a scanning position. In a scanning electron microscope designed to form,
The present invention relates to a scanning electron microscope in which a vacuum device for evacuating the inside of an electron optical system that emits the electron beam comprises a combination of a sputter ion pump and a getter pump.
ここで、前記スパッタイオンポンプが、スパッタで生じた金属がガスを吸着して気体を空間からなくすポンプであってよい。また前記ゲッタポンプが気体分子と反応して化合物となる物質を筐体内に配したポンプであってよい。また前記真空装置が筒状の筐体を有し、該筐体の軸線方向の一端の蓋体内に前記スパッタイオンポンプが組込まれていてよい。また前記スパッタイオンポンプが、互いに対向して配される両側のチタン製の陰極間に複数の円筒状の陽極を配したポンプであってよい。また前記ゲッタポンプの気体分子と反応して化合物となる物質が、バナジウムとジルコニアと鉄の合金であってよい。また前記筐体の内側に金網製の2重の筒体が配され、該2重の筒体の間にペレット状に成形された前記気体分子と反応して化合物となる物質が収納されていてよい。 Here, the sputter ion pump may be a pump in which metal generated by sputtering adsorbs a gas and eliminates the gas from the space. Further, the getter pump may be a pump in which a substance that becomes a compound by reacting with gas molecules is arranged in a housing. The vacuum apparatus may have a cylindrical casing, and the sputter ion pump may be incorporated in a lid at one end in the axial direction of the casing. The sputter ion pump may be a pump in which a plurality of cylindrical anodes are arranged between titanium cathodes on both sides arranged opposite to each other. The substance that reacts with the gas molecules of the getter pump to form a compound may be an alloy of vanadium, zirconia, and iron. In addition, a double cylinder made of wire mesh is arranged inside the casing, and a substance that reacts with the gas molecules formed into a pellet shape between the double cylinders and becomes a compound is stored. Good.
なお本願の各請求項に係る発明は、独立行政法人産業技術総合研究所の主導のもとになされた戦略的基盤技術高度化支援事業の中で創出されたものである。 The invention according to each claim of the present application was created in a strategic basic technology advancement support project that was made under the leadership of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology.
本願の主要な発明は、電子線を試料に対して相対的に走査しながら照射し、前記試料からの2次電子を検出器によって検出し、走査位置に対する前記2次電子の検出出力から画像を形成するようにした走査型電子顕微鏡において、前記電子線を発射する電子光学系の内部を真空にするための真空装置をスパッタイオンポンプとゲッタポンプとの組合わせから構成したものである。 In the main invention of the present application, an electron beam is irradiated while being scanned relative to a sample, secondary electrons from the sample are detected by a detector, and an image is obtained from the detection output of the secondary electrons at a scanning position In the scanning electron microscope formed, a vacuum device for evacuating the inside of the electron optical system that emits the electron beam is constituted by a combination of a sputter ion pump and a getter pump.
従ってこのような走査型電子顕微鏡によると、電子光学系の内部をスパッタイオンポンプとゲッタポンプとの組合わせから成る真空装置によって真空にすることが可能になり、とくにスパッタイオンポンプによる排気性能を、ゲッタポンプによって補うことが可能になる。従ってスパッタイオンポンプを小型化しても、排気速度や到達真空度等の性能自体を低下させることがなくなる。これによって、より小型化した走査型電子顕微鏡を提供できるようになる。 Therefore, according to such a scanning electron microscope, the inside of the electron optical system can be evacuated by a vacuum device comprising a combination of a sputter ion pump and a getter pump. Makes it possible to compensate. Therefore, even if the sputter ion pump is downsized, the performance itself such as the exhaust speed and the ultimate vacuum is not lowered. As a result, a more compact scanning electron microscope can be provided.
以下本願発明を図示の実施の形態によって説明する。図1は本実施の形態に係る走査型電子顕微鏡のシステム構成を示すものであって、この走査型電子顕微鏡は電子光学系10を備えている。電子光学系10は、電子を発生させる電子線源を有するとともに、高真空ポンプ11を備え、この高真空ポンプ11によって内部を真空状態に維持するようにしている。そして電子光学系10の下側には真空チャンバ14が配され、この真空チャンバ14の内部であって底面側にステージ15が配されている。
The present invention will be described below with reference to embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows a system configuration of a scanning electron microscope according to the present embodiment, and this scanning electron microscope includes an electron optical system 10. The electron optical system 10 includes an electron beam source that generates electrons, and includes a
真空チャンバ14の側部には搬送系17が設けられ、真空チャンバ14の真空を破ることなく搬送系17から試料16が供給され、ステージ15上に載置されるようになっている。真空チャンバ14は、その下部に配されたダイヤフラムポンプ18とターボ分子ポンプ19とによって真空吸引されて所定の真空度に維持されるようになっている。そして真空チャンバ14が載置台20上に載置されるとともに、とくにダイヤフラムポンプ18とターボ分子ポンプ19とによる振動の影響を受けないように、除振システム21を介して支持されている。
A transport system 17 is provided on the side of the vacuum chamber 14, and the
真空チャンバ14の側部には2次電子検出器23が取付けられている。2次電子検出器23は、試料16に電子光学系10によって電子線を照射したときに発生する2次電子の強度を検出するためのものであって、その検出出力が制御系の中の信号処理系24に供給され、この後信号処理系24で処理された信号が画像処理系25に転送される。画像処理系25は、信号処理系24を介して取り出した2次電子の強度であって、各走査位置における試料16の表面の2次電子の強度から画像を形成し、この画像を表示装置26に出力する。
A secondary electron detector 23 is attached to the side of the vacuum chamber 14. The secondary electron detector 23 is for detecting the intensity of secondary electrons generated when the
制御系は、さらに高圧電源29、レンズ制御系30、ステージ制御系31、真空制御系32を備えている。高圧電源29は、電子光学系10の部分に高圧電源を印加するためのものである。レンズ制御系30は、電子光学系10内の各レンズの制御を行なう。ステージ制御系31は、真空チャンバ14内のステージ15の制御を行ない、試料16を電子光学系10の電子線に対して所定の方向に走査させる。
The control system further includes a high
このような構成に係る走査型電子顕微鏡の各ユニットは、図2Aに示す外筐35内に収納される。なお外筐35はその下部に4つの支持脚36を備えるとともに、外筐35の前面側に凹部37が形成されている。この凹部37には操作子38が設けられている。そして凹部37の上部に上記表示装置26が取付けられている。
Each unit of the scanning electron microscope having such a configuration is housed in an
外筐35内における各ブロックの配置は、図2Bに示すようになっており、最上部には高圧電源29が収納され、その下にレンズ制御系30と信号処理系24とが収納されている。そしてその下側には中間搬送系17が配置されており、その下側に電子光学系10が取付けられている。上記電子光学系10の側部には高真空ポンプ11が接続されている。そして電子光学系10の下側に真空チャンバ14が設けられている。真空チャンバ14は、載置台20上に載置されるとともに、載置台20の下側に防振システム21、ターボ分子ポンプ19、ダイヤフラムポンプ18が収納される構造になっている。
The arrangement of each block in the
次のこの走査型電子顕微鏡の電子光学系10を真空引きするための真空装置11について説明する。真空装置11は、図3〜図5に示すように、ほぼ円筒状を成す外筐42を備えている。そして外筐42の上端側の開口部が上蓋43によって閉塞され、外筐42の下側の部分の開口が下蓋44によって閉塞されるようになっている。そして、外筐42の外側部には円形の連通孔45が形成され、この連通孔45に嵌合される連通管によって電子光学系10の内部と連通されるようになっている。このような外筐内に、スパッタイオンポンプ47とゲッタポンプ48とが収納される。
Next, a
まずスパッタイオンポンプ47について説明すると、図3〜図5に示す上蓋43の上部には上方に突出するように突部51が形成され、この突部51の内側が凹部52になっている。そして凹部52内には、上記スパッタイオンポンプ47が収納されている。スパッタイオンポンプ47は、一対の円筒状陽極53を備えている。そして円筒状陽極53の軸線方向の両端に対向するように、チタンから成る陰極54が配置されている。さらに陰極54の背面側の部分には、直方体状を成す扁平な磁極55が取付けられている。そして一対の円筒状陽極53は取付け金具56によって上蓋43の内側に取付けられている。
First, the
これに対してゲッタポンプ48は、図5に示す保持体60によって保持される。保持体60は、外側の円筒状の金網61と、内側の円筒状の金網62とを同心円状に組合わせたものであって、両側の金網61、62間には、半径方向に所定の隙間が形成されている。そしてこの隙間の部分にペレット状のゲッタ材63が収納保持される。また保持体60には、その外側部に円形孔65が形成され、この円形孔65が、連通孔45と整合されるようになっている。
On the other hand, the
次に以上のような構成に係る走査型電子顕微鏡の概略の動作を、図1および図2によって説明する。電子光学系10の電子線源によって出射された電子線は、この電子光学系10の各ユニットを通過し、対物レンズによって集束されて、ステージ15上に載置された試料16に照射される。ここでステージ15がステージ制御系31によって所定の方向に試料16を移動させるために、対物レンズを通して照射される電子線は、ステージ15上の試料16に対して相対的に所定の方向に走査されることになる。そしてこのときの各走査位置における試料16から出射される2次電子が2次電子検出器23によって検出され、その検出出力が信号処理系24で処理される。処理された信号が画像処理系25に供給され、この画像処理系25によって、各走査位置に応じた2次電子の強度から画像が形成される。画像処理系25で形成された画像は表示装置26によって表示される。
Next, a schematic operation of the scanning electron microscope according to the above configuration will be described with reference to FIGS. The electron beam emitted from the electron beam source of the electron optical system 10 passes through each unit of the electron optical system 10, is focused by the objective lens, and is irradiated onto the
次にこのような走査型電子顕微鏡の電子光学系10および真空チャンバ14の真空動作について説明する。まず全体的な真空動作について説明すると、電子光学系10と真空チャンバ14との間に設けられているシャッタバルブ(図示せず)を開放した状態で、載置台20の下側に配置されているダイヤフラムポンプ18とターボ電子ポンプ19とによって真空チャンバ14内を真空引きする。するとこの真空チャンバ14と連通する電子光学系10の内部も真空吸引され、いわゆる粗引きが行なわれる。
Next, the vacuum operation of the electron optical system 10 and the vacuum chamber 14 of such a scanning electron microscope will be described. First, the overall vacuum operation will be described. The shutter valve (not shown) provided between the electron optical system 10 and the vacuum chamber 14 is opened, and is disposed below the mounting table 20. The inside of the vacuum chamber 14 is evacuated by the
電子光学系10および真空チャンバ14の真空度が10−4Pa程度になった段階で、電子光学系10と真空チャンバ14との間のシャッタバルブを閉じる。そしてこの後は、真空装置11のみによって、電子光学系10の真空引きを行なう。この真空引きの動作は、ゲッタポンプ48を400℃に加熱し、これによってゲッタポンプ48のゲッタ材63を活性化する。これによってゲッタポンプ48は作動状態となる。さらに真空装置11を構成するスパッタイオンポンプ47を稼動し、電子光学系10の筐体内に浮遊する気体分子を吸着除去する。
When the degree of vacuum of the electron optical system 10 and the vacuum chamber 14 is about 10 −4 Pa, the shutter valve between the electron optical system 10 and the vacuum chamber 14 is closed. After that, the electron optical system 10 is evacuated only by the
次にスパッタイオンポンプ47による排気の機構を説明すると、円筒状陽極53に対する電圧の印加に伴って生ずる放電によって図7Aに示すようにイオンが生成される。そして化学的に極めて活性な材料であるチタンで作られた陰極54のイオンによるスパッタが行なわれ、このスパッタされた金属によるガスの吸着によって、内部空間に浮遊する気体分子が除去される。
Next, the exhaust mechanism by the
上記スパッタイオンポンプ47の排気動作を助けるゲッタポンプ48は、ペレット状のゲッタ材63による活性ガスの吸着を用いるものである。ゲッタ材63は、パナジウム、ジルコニア、鉄の合金から構成されており、活性合金であって、昇温による活性化で、表面の不活性層を内部拡散させ、周囲の各種の活性ガスを吸着するようにしたものである。ここで吸着されたガスは、合金と化学結合しており、飽和してもまた再活性することにより何回も再活性が可能になっている。吸着されるガスは、CO、CO2、O2、N2、H2、H2O等のガスである。
The
このように本実施の形態の電子光学系10の真空装置11は、より小型化されたスパッタイオンポンプ47とゲッタポンプ48との組合わせから構成されているために、高い排気速度と到達真空度とを同時に達成するようにしている。すなわちスパッタイオンポンプ47を小型化すると、排気速度と到達真空度がともに低下する。このような排気速度や到達真空度の低下を、併用するゲッタポンプ48によって補うことが可能になり、小型でありながらしかも排気性能を高く維持することが可能になる。
As described above, the
以上本願発明を図示の実施の形態によって説明したが、本願発明は上記実施の形態によって限定されることなく、本願発明の技術的思想の範囲内において各種の変更が可能である。例えば上記実施の形態は、半導体ウエハ上に形成されるパターンの幅等を測定するための測長用の顕微鏡として用いるものであるが、本願発明に係る走査型電子顕微鏡は、その他各種の用途に広く利用することが可能な走査型電子顕微鏡に利用することができる。またスパッタイオンポンプ47とゲッタポンプ48との組合わせから成る真空装置11についても、上記実施の形態および図面に示されたものに限定されることなく、各種の設計変更が可能である。
Although the present invention has been described above with reference to the illustrated embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention. For example, although the above embodiment is used as a length measuring microscope for measuring the width of a pattern formed on a semiconductor wafer, the scanning electron microscope according to the present invention is used for various other purposes. It can be used for a scanning electron microscope that can be widely used. Further, the
本願発明は、測長用顕微鏡、また各種の試料の拡大画像を得るための走査型電子顕微鏡として広く利用することが可能である。 The present invention can be widely used as a measuring microscope and a scanning electron microscope for obtaining enlarged images of various samples.
10 電子光学系
11 真空装置
14 真空チャンバ
15 ステージ
16 試料
17 搬送系
18 ダイヤフラムポンプ
19 ターボ分子ポンプ
20 載置台
21 除振システム
23 2次電子検出器
24 信号処理系
25 画像処理系
26 表示装置
29 高圧電源
30 レンズ制御系
31 ステージ制御系
32 真空制御系
35 外筐
36 支持脚
37 凹部
38 操作子
42 外筐
43 上蓋
44 下蓋
45 連通孔
47 スパッタイオンポンプ
48 ゲッタポンプ
51 突部
52 凹部
53 円筒状陽極
54 陰極(チタン)
55 磁極
56 取付け金具
60 保持体
61 金網(外)
62 金網(内)
63 ゲッタ材(ペレット)
65 円形孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electro-
55
62 Wire mesh (inside)
63 Getter material (pellet)
65 circular holes
Claims (4)
前記電子線を発射する電子光学系の内部を真空にするための真空装置 をスパッタイオンポンプとゲッタポンプとの組合せから構成し,前記スパッタイオンポンプが、スパッタで生じた金属がガスを吸着して気体を空間からなくすポンプであり,前記ゲッタポンプが気体分子と反応して化合物となる物質を筐体内に配したポンプであり,前記真空装置が筒状の筐体を有し、該筐体の軸線方向の一端の蓋体内に前記スパッタイオンポンプが組込まれている走査型電子顕微鏡。A scanning type in which an electron beam is irradiated while scanning relative to a sample, secondary electrons from the sample are detected by a detector, and an image is formed from the detection output of the secondary electrons at a scanning position. In electron microscope,
A vacuum device for evacuating the inside of the electron optical system that emits the electron beam is composed of a combination of a sputter ion pump and a getter pump, and the sputter ion pump absorbs the gas by the gas generated by the sputter. The getter pump is a pump in which a substance that reacts with gas molecules to form a compound is disposed in a casing, and the vacuum device has a cylindrical casing, and the axial direction of the casing A scanning electron microscope in which the sputter ion pump is incorporated in a lid body at one end of the scanning electron microscope.
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