JP2011034741A - Gas analyzer, and inspection device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置等の検査を行う検査装置内の気体を分析する技術に関する。 The present invention relates to a technique for analyzing a gas in an inspection apparatus that inspects a semiconductor device or the like.
走査電子顕微鏡を用いて観察を行った際には、電子線を照射した部分、すなわち観察部分に汚染物質が堆積することがよく知られている。試料汚染物質堆積の原因となるのは、試料上や装置内雰囲気中に存在する、有機系分子等が考えられている。この様な有機系分子は、電子線エネルギーを受けることにより固体化し、試料上の堆積することが報告されている。 このような試料汚染現象は、電子顕微鏡形状観察の精度を低下させる。 When observation is performed using a scanning electron microscope, it is well known that contaminants are deposited on a portion irradiated with an electron beam, that is, an observation portion. It is considered that organic contaminants or the like existing on the sample or in the atmosphere of the apparatus cause the sample contaminant deposition. It has been reported that such organic molecules are solidified by receiving electron beam energy and are deposited on a sample. Such a sample contamination phenomenon reduces the accuracy of electron microscope shape observation.
このような走査型電子顕微鏡における、試料汚染物質堆積の防止に関する従来技術としては、特許文献1や、特許文献2に開示されたものがある。
特許文献1では、冷却板を断熱体とバネを介して対物レンズに取り付け、対物レンズ下面および試料自体から放出されたガスを冷却板で吸着しトラップするものである。冷却により試料汚染を防止するという方法は現在最も一般的な方法であり、試料近傍のガスをトラップする、すなわち試料近傍に存在するガス分子の数を減少させることによって、試料汚染を防止するというものである。
Conventional techniques relating to the prevention of sample contaminant deposition in such a scanning electron microscope include those disclosed in Patent Document 1 and
In Patent Document 1, a cooling plate is attached to an objective lens through a heat insulator and a spring, and gas emitted from the lower surface of the objective lens and the sample itself is adsorbed and trapped by the cooling plate. The method of preventing sample contamination by cooling is the most common method at present, and traps the gas in the vicinity of the sample, that is, prevents the sample contamination by reducing the number of gas molecules present in the vicinity of the sample. It is.
また、特許文献2では、電子ビーム照射によって試料から発生したハイドロカーボン系のガス等が鏡体内に蓄積して、試料汚染堆積の原因となるので、鏡体と試料観察室の間を真空的に隔絶するような隔離膜を設けて試料汚染を防止している。
Further, in
関連発明として、電子線観察装置内における汚染物質(炭化水素分子など)を除去する方法が、特許文献3で開示されている。また,試料観察室のクリーニングを効率よく実施するために、質量分析計を用いて試料観察室内の有機分子をモニターする技術は特許文献4に開示されている。
As a related invention,
電子ビームを観察試料上に走査して、観察した試料から発生する二次電子または反射電子により、試料上に形成したパターン形状、あるいは寸法を測定・観察する電子ビーム検査装置は、半導体素子の微細化が進むにつれて、その役割の重要性が増している。
試料表面に汚染物質が堆積した場合、観察試料表面は真の形状を表しているわけではなく、汚染物質堆積後の表面形状を表している。観察中に寸法,形状が変化することは致命的な問題となってしまう。また、半導体のパターン寸法計測を行う電子ビーム検査装置では、測定誤差の問題だけではなく、観察時の汚染物質の堆積により、コンタクトホール径が小さくなり、場合によってはコンタクトホールが塞がってしまうという問題や、配線幅の増加により素子短絡も起こるため、製品の不良の原因にもなる。
近年、半導体の微細化が進み、サブミクロンオーダーのパターンやコンタクトホールの寸法計測,形状観察が行われるようになり、倍率を数万〜十数万倍の高倍率で観察する場合が多い。高倍率で観察した場合、汚染物の堆積量はパターンの10%程度に、例えば、0.5 μmのパターンに対して数十nmというレベルになることもある。
An electron beam inspection device that scans an electron beam over an observation sample and measures and observes the pattern shape or dimensions formed on the sample by secondary electrons or reflected electrons generated from the observed sample Its role is becoming more important as it becomes more advanced.
When a contaminant is deposited on the sample surface, the observed sample surface does not represent a true shape, but represents a surface shape after the contaminant deposition. Changing dimensions and shapes during observation is a fatal problem. In addition, in an electron beam inspection apparatus that measures semiconductor pattern dimensions, not only the measurement error problem, but also the problem that the contact hole diameter becomes smaller due to the accumulation of contaminants during observation, and in some cases the contact hole is blocked. In addition, an increase in the wiring width causes a short circuit of the element, which may cause a product defect.
In recent years, semiconductors have been miniaturized, and submicron-order patterns and contact hole dimension measurement and shape observation have been performed. In many cases, the magnification is observed at a high magnification of tens of thousands to several tens of thousands of times. When observed at a high magnification, the amount of contaminants deposited may be about 10% of the pattern, for example, several tens of nanometers for a 0.5 μm pattern.
今後、さらに半導体の微細化が進むと、より高い寸法計測の精度が要求され、汚染物の堆積量も数nm以下に抑制しなければならない。また、半導体デバイスの高度化、高性能化に伴い、試料観察室導入時の気相から微量の汚染物質吸着が、観測対象の半導体デバイスの電気的性能やプロセス歩留りに悪影響及ぼすことが懸念されている。 If semiconductors are further miniaturized in the future, higher dimensional measurement accuracy will be required, and the amount of contaminants deposited must be kept below several nanometers. As semiconductor devices become more sophisticated and sophisticated, there is a concern that the adsorption of trace amounts of contaminants from the gas phase when the sample observation room is introduced will adversely affect the electrical performance and process yield of the semiconductor devices to be observed. Yes.
上記課題を解決するためには、より厳密な微量汚染管理が必要となる。電子ビーム検査装置の試料観察室その他の真空容器内の汚染を極限まで低減しなければならない。その場合、特に問題となるのが、高分子量有機分子である。高分子量のため真空ポンプで排気しにくく、電子ビーム検査装置内に最後まで残留する。また、高分子量有機物は、試料表面に吸着しやすく、極微量でも試料表面に吸着し表面汚染の原因となる。 In order to solve the above problems, more strict trace contamination management is required. Contamination in the sample observation room and other vacuum vessels of the electron beam inspection equipment must be reduced to the utmost limit. In that case, high molecular weight organic molecules are particularly problematic. Due to its high molecular weight, it is difficult to exhaust with a vacuum pump, and it remains in the electron beam inspection apparatus until the end. Further, the high molecular weight organic substance is easily adsorbed on the sample surface, and even a very small amount adsorbs on the sample surface and causes surface contamination.
厳密な微量汚染管理のためには、汚染検出、モニター手段が重要となる。特許文献4には単純な気相成分の質量分析によるモニター手段が記述されている。しかしながら、問題となる微量の高分子量有機物の検出には感度不足であるという課題があった。 For strict trace contamination control, contamination detection and monitoring means are important. Patent Document 4 describes a monitoring means based on mass analysis of a simple gas phase component. However, there is a problem in that the sensitivity is insufficient to detect a trace amount of high molecular weight organic matter.
本発明の目的は、微量の高分子量有機成分の高感度な分析技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a highly sensitive analysis technique for a small amount of a high molecular weight organic component.
上記課題を解決するために、本発明の検査装置においては、微量汚染管理が必要となる試料観察室に予め吸着体を用意し、吸着体に吸着した成分を加熱脱離させ、質量分析計で検出する機構を設ける。 In order to solve the above-described problems, in the inspection apparatus of the present invention, an adsorbent is prepared in advance in a sample observation room that requires trace contamination control, and the components adsorbed on the adsorbent are heated and desorbed. A detection mechanism is provided.
本発明によれば、観察室中の微量の高分子量有機物を高感度に検出可能とすることが可能になる。 According to the present invention, it is possible to detect a very small amount of high molecular weight organic matter in an observation room with high sensitivity.
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明に関わる、実施例1の電子ビーム検査装置の概略構成を示している。図1において、電子銃室1,コンデンサレンズ室2,試料観察室3が縦方向に配置され、コンデンサレンズ室2と試料観察室3の間には中間室4が設けられている。また、試料観察室3に隣接して予備排気室5が配置され、この予備排気室5の上部には試料交換室6が設けられている。
電子銃室1には、電子銃7,引出電極8,加速電極9および固定絞り10が、コンデンサレンズ室2にはコンデンサレンズ11が、中間室4には偏向コイル12,対物レンズ13および対物レンズ固定絞り14が各々設けられている。また、試料観察室3には試料ホルダ15が設けられ、この試料ホルダ15の上に試料16が設置される。試料観察室3と予備排気室5との間にはゲートバルブ17を設置し、このゲートバルブ17の開閉によって、試料観察室3と予備排気室5間を試料ホルダが移動する。予備排気室5と試料交換室6との間にはゲートバルブ18を設置し、このゲートバルブ18の開閉によって、試料交換室6と予備排気室5間を試料ホルダが移動する。
電子銃室1には真空ポンプ19,20が、コンデンサレンズ室2には真空ポンプ21がそれぞれ接続され、鏡体が電子源7から安定した電子線を得るために真空ポンプ19,20,21で差動排気され、これによって、電子銃室1およびコンデンサレンズ室2は10-7Pa以下の圧力に減圧されている。
FIG. 1 shows a schematic configuration of an electron beam inspection apparatus according to a first embodiment related to the present invention. In FIG. 1, an electron gun chamber 1, a
The electron gun chamber 1 has an
A
試料観察室3には真空ポンプ22が接続され、10-3Pa以下に真空排気されている。さらに予備排気室5には真空ポンプ23が接続され、予備排気室5は10-2Pa以下に真空排気されている。
また、中間室4には、電子銃7からの電子ビームB1を試料16に照射したときに、試料16表面からの二次電子または反射電子B2を検出する反射電子・二次電子検出器24が取り付けられている。また、25は試料観察室3と中間室4とを連結する排気バイパスである。
試料16を観察するため試料観察室3まで搬送する場合は、以下の手順によって行う。試料交換室6を粗引きポンプで排気する。次に試料ホルダ15を下降と共に下降させ、予備排気室5まで搬送される。予備排気室5内が10-2Pa以下に真空排気された後、ゲートバルブ17を開けて、試料16を上面に載せた状態で試料ホルダ15を、ゲートバルブ17を介して、試料観察室3に搬送する。試料観察室3内では試料ホルダ15は電子銃7のほぼ真下に位置させる。その後、ゲートバルブ17を閉じ、真空ポンプ22によって試料観察室3内を10-3Pa以下に真空排気する。
試料観察室3内が10-3Pa以下に真空排気されたら、電子銃7から電子ビームB1が、引出電極8に印加された電圧により引き出され、その引き出された電子ビームB1は加速電極9に印加された加速電圧により所望のエネルギーに調整される。さらに、電子ビームB1は固定絞り10を通過した後、コンデンサレンズ11,対物レンズ13により試料16上に収束される。収束された電子ビームB1は変更コイル12により試料16上を走査する。このとき、試料16表面からは二次電子および反射電子B2が発生し、これら二次電子および反射電子B2は反射電子・二次電子検出器24によって検出され、試料像を得ることができる。
A
The intermediate chamber 4 has a reflected electron /
When transporting to the
When the inside of the
試料16が試料観察室3に導入されると、有機物主体の残留ガス成分の試料への吸着が起こる。そこへ電子線B1を照射することにより、吸着した残留ガス成分が電子線からエネルギーを受け、試料16の表面に徐々に堆積する。堆積は、気相からの残留ガスの入射及び吸着した成分の表面拡散の両方の寄与で起こる。いずれにしても残留ガス成分が多くなると堆積量は増える。堆積量が増えると寸法計測誤差が大きくなり、正確な計測が不可能となる。従って、正確な計測の実現には、有機物残留ガス分子を的確に低減することが必要である。
When the
電子銃室1あるいは試料観察室3内のガスが存在することが問題となる。電子銃室1、試料観察室3に存在するガスには、試料観察室3の内壁に付着していることが原因で放出するガスや、試料観察室を構成する部品からの放出ガス、さらには、持ち込んだ試料表面、あるいは裏面からの放出ガスがある。当然、測定試料が増加するに従い、試料から発生したガスは試料観察室に蓄積することになる。
There is a problem that the gas in the electron gun chamber 1 or the
上記のプロセスで試料観察室3内に蓄積したガス成分は、試料観察室3に試料16を導入すると、試料16に吸着して問題をひき起こす。これを抑制するためには何らかのクリーニング手段を設ける必要がある。ただし、的確なクリーニングのためには、試料観察室3内のガス成分を検出・モニターし、最適なタイミングでクリーニングする機構が必須である。
When the
この場合に、ガス成分のモニター上の課題となるのが、分子量200以上の高分子量有機物の検出である。高分子量有機物は存在量が極微量でもウエハ表面に吸着する。従って、問題をおこすポテンシャルが高い。それでありながら、高分子量有機物はターボ分子ポンプで排気することが困難で、真空槽内に残留しやすい。 In this case, a problem in monitoring the gas component is detection of a high molecular weight organic substance having a molecular weight of 200 or more. High molecular weight organic substances are adsorbed on the wafer surface even in a very small amount. Therefore, the potential for causing problems is high. Nevertheless, high molecular weight organic matter is difficult to evacuate with a turbo molecular pump and tends to remain in the vacuum chamber.
一方、高分子量有機物は、従来のモニター手段である、単純な気相の質量分析法では検出することが困難である。これは蒸気圧が極めて低く、気相における存在量が非常に微量となるためである。 On the other hand, high molecular weight organic substances are difficult to detect by simple gas phase mass spectrometry, which is a conventional monitoring means. This is because the vapor pressure is extremely low and the amount in the gas phase is very small.
本実施例では、基板に吸着した成分を検出することにより、試料観察室3、電子銃室1、試料交換室6と予備排気室5に存在するガス成分をモニターする。
In this embodiment, the gas components present in the
本実施例のモニター方式を試料観察室3のガス成分モニターに適用した実施例1を図1で説明する。
A first embodiment in which the monitoring method of this embodiment is applied to a gas component monitor in the
この実施例1では、試料観察室3内部に、モニター用の基板100を備える。モニター用基板100は伝導体で、ワイヤー101が溶接され、ワイヤーは試料観察室3外部に設置されている電源102に接続されている。また試料観察室内部に質量分析計103を備える。
In the first embodiment, a
モニター用基板100は試料観察室内3の雰囲気に曝されると、その表面にガス成分が吸着される。一定時間暴露されたのち、電源102よりワイヤー101を通してモニター用基板100に通電する。通電することによりモニター基板100は急速昇温され、吸着した成分が脱離、試料観察室内に放出され、質量分析計103で検出される。その後、モニター基板100は自然冷却し常温に戻る。このサイクルを繰り返すことにより、試料観察室内のガス成分の時間変化をモニターする。すなわち、モニター基板100昇温と質量分析計103の測定を同期させて行う。
When the
図2にそのサイクルを示す。モニター基板100を、真空排気された試料観察室内3の気体に常温で曝す(ステップ201)。この間に、試料観察室3の気体の分子がモニター基板100の表面にファンデルワールス力により物理吸着される。そして、所定の時間が経過したら、または外部からの指示により、試料観察室内3の気体の分析を開始する。分析に当たっては、常温であったモニター基板3に通電を行うことにより、約1000℃に加熱する(ステップ202)。このとき、モニター基板100に物理吸着されていた気体の分子が熱エネルギーにより脱着し、試料観察室3内(特にモニター基板100の周囲)の気体密度が一時的に上がる。このときに、質量分析器103は、気体の検出を行う(ステップ203)。気体の検出を行った後は、モニター基板100の加熱を止めることにより、モニタ基板100が冷却され室温になり、気体を吸着しやすい温度となる(ステップ204)。
FIG. 2 shows the cycle. The
ここでポイントとなるのはモニター基板100を1000℃程度まで数秒程度(本実施例では7秒)で急速に昇温することである。これにより、吸着した高分子量有機物を、瞬間的に試料観察室3内に放出し、試料観察室3内部の高分子量有機物の分圧を瞬間的に高め、質量分析計103で検出しやすくする。すなわち、モニター基板100を試料観察室の壁から離して配置することで、急速昇温を行うことができる。ここでいう急速昇温とは、室温(100℃以下)から800℃以上へ60秒以内に温度が上がれば十分である。
The point here is that the temperature of the
モニター基板100の暴露時間は長ければ長いほど吸着量が増加し、結果的に感度は向上する。しかしながら、単位時間あたりのモニター回数は少なくなる。本実施例では、暴露時間を30分から1時間とした。
As the exposure time of the
また、モニター基板の表面の材料としては、気体の吸着及び脱着のしやすさ、加熱のしやすさを考慮すると、ニッケル、タングステン、タンタル、銅、金、シリコン等が適している。 In addition, as a material for the surface of the monitor substrate, nickel, tungsten, tantalum, copper, gold, silicon, or the like is suitable in consideration of ease of gas adsorption and desorption and ease of heating.
図3に例として、測定結果を示す。横軸は検出された分子のイオンの質量を示し、縦軸はその検出量を示している。ここには、通常の気相の質量分析では検出困難な、高分子量有機物であるジオクチルフタレート(以後、DOPと称す)に起因する質量数149が明確に観測されている。このDOPは、例えば、電子ビーム検査装置の測定対象である半導体の表面に付着し、性能劣化をもたらす。他にも、有機シリコンと見られるピークが質量数73、221に観測されている。これらはいずれも、通常の気相の質量分析では検出できなかった。 FIG. 3 shows the measurement results as an example. The horizontal axis indicates the mass of ions of the detected molecule, and the vertical axis indicates the detected amount. Here, a mass number 149 caused by dioctyl phthalate (hereinafter referred to as DOP) which is a high molecular weight organic substance, which is difficult to detect by ordinary gas phase mass spectrometry, is clearly observed. This DOP, for example, adheres to the surface of a semiconductor that is a measurement target of an electron beam inspection apparatus, resulting in performance degradation. In addition, a peak that appears to be organic silicon is observed at mass numbers 73 and 221. None of these could be detected by normal gas phase mass spectrometry.
さらに本発明の実施例の電子ビーム検査装置には試料観察室3に酸素活性種生成装置104が取り付けられている。ここで酸素活性種を生成する手段は、例えば、本実施例では、試料観察室3内にリークバルブ150を通して酸素を導入し、その後、プラズマを発生させることによって生成するが、他の方法によってもよい。生成した酸素活性種は有機物の結合に作用し、有機物を分解する。これにより試料観察室3内の有機物を除去することが可能となる。
Further, in the electron beam inspection apparatus according to the embodiment of the present invention, an oxygen active
ただし、酸素活性種の導入中は電子ビーム検査装置を動作させることはできないので、この導入回数は必要最小限で適切なタイミングで行うことが重要である。本実施例では、前記モニター基板100を用いた方式により、有機物をモニターすることにより、試料観察室3内の有機物量を適切に把握することが可能である。それにより最適なタイミングでクリーニングすることが可能である。
However, since the electron beam inspection apparatus cannot be operated during the introduction of the oxygen active species, it is important that the number of introductions be the minimum necessary and performed at an appropriate timing. In the present embodiment, it is possible to appropriately grasp the amount of organic matter in the
図4は、本発明の実施例であるプラズマによる酸素活性種を用いた場合の汚染低減効果を示したものである。前述した図3の例では、汚染除去処理を行っていないが、本例と比較すると、雰囲気中の炭化水素系ガスが明らかに低減していることが判る。 FIG. 4 shows the effect of reducing contamination when oxygen-activated species by plasma is used as an embodiment of the present invention. In the example of FIG. 3 described above, the decontamination treatment is not performed, but it can be seen that the hydrocarbon gas in the atmosphere is clearly reduced as compared with this example.
なお、本実施例では、気体を分析するのに質量分析計を用いたが、これに限られるものではなく、電離真空計やB-Aゲージを用いてもよい。 In this embodiment, the mass spectrometer is used to analyze the gas. However, the present invention is not limited to this, and an ionization vacuum gauge or a B-A gauge may be used.
次に別の形態の実施例2について説明する。実施例1と基本構成は同じであるが、モニター基板100の代わりに、ワイヤー105を使用した点が特徴である。
Next, another embodiment of the second embodiment will be described. Although the basic configuration is the same as that of the first embodiment, a feature is that a
図5は実施例2のモニター方式を試料観察室3のガス成分モニターに適用したものである。実施例2では、試料観察室3内部に、モニター用の線状ワイヤー105を備える。線状ワイヤー105は電気伝導体で、ワイヤーは試料観察室3外部に設置されている電源102に接続されている。また試料観察室3内部に質量分析計103を備える。
FIG. 5 shows a case where the monitoring method of the second embodiment is applied to a gas component monitor in the
以下の手順は実施例1とほぼ同様である。ワイヤー105は試料観察室103内の雰囲気に曝されると、その表面にガス成分が吸着される。一定時間曝されたのち、電源102よりワイヤー105に通電する。通電することによりワイヤー105は急速昇温され、吸着した成分が脱離、試料観察室内に放出され、質量分析計103で検出される。その後、ワイヤー105は自然冷却し常温に戻る。このサイクルを繰り返すことにより、試料観察室内のガス成分の時間変化をモニターする。
The following procedure is almost the same as in the first embodiment. When the
実施例2は特別なモニター基板を用意せず、線状ワイヤー105を使用するので、作りやすく、信頼性も高い利点がある。一方、単純な線状ワイヤーでは。表面積が充分でなく、吸着量を稼げない可能性もある。それに関しては図6に示すように折りたたみ状ワイヤー106として表面積を増加させることが有効である。
Since the second embodiment uses a
図7に実施例2の構成で試料観察室2にモニターしたスペクトルを示す。実施例1同様にDOPシロキサン起源のピークが明確に観測される。
FIG. 7 shows a spectrum monitored in the
次に別の形態の実施例3について説明する。実施例1と基本構成は同じであるが、雰囲気の成分を吸着する吸着体にモニター基板100の代わりに、表面積の大きい多孔質体を用いたことが特徴である。
Next, another embodiment of Example 3 will be described. Although the basic configuration is the same as that of the first embodiment, a feature is that a porous body having a large surface area is used instead of the
図8を使い実施例3について説明する。図9は実施例3のモニター方式を試料観察室3のガス成分モニターに適用したものである。
実施例3では、試料観察室3内部に、多孔質体107及びそれを支持する支持体108、多孔質体107を加熱するヒーター109よりなる。ヒーターに通電するためのワイヤー110は試料観察室3外部に設置されている電源102に接続されている。また試料観察室3内部に質量分析計103を備える。
In Example 3, the
以下の手順は実施例1とほぼ同様である。多孔質体107は試料観察室103内の雰囲気に曝されると、その表面にガス成分が吸着される。一定時間曝されたのち、電源102よりヒーター109に通電する。通電することによりヒーター109は急速昇温され、吸着した成分が脱離、試料観察室内に放出され、質量分析計103で検出される。その後、多孔質体107は自然冷却し常温に戻る。このサイクルを繰り返すことにより、試料観察室内のガス成分の時間変化をモニターする。
The following procedure is almost the same as in the first embodiment. When the
実施例3は表面積の大きい多孔質体107を使用するため、雰囲気中のガス成分をより多く吸着することが可能である。多孔質としては、活性炭、シリカゲル、ポーラスポリマー、あるいは微粒子等を使うことができる。
Since the
図9に実施例3の構成で試料観察室2にモニターしたスペクトルを示す。実施例1、2同様にDOP、シロキサン起源のピークが明確に観測される。また検出感度は10倍程度であり、より高感度な検出が可能であった。
FIG. 9 shows a spectrum monitored in the
なお、各実施例では、試料観察室3を例に記述したが、汚染の問題は試料観察室3のみではなく電子銃室1、試料交換室6と予備排気室5でも共通の問題であり、各実施例で示した手段は、電子銃室1、試料交換室6と予備排気室5いずれにも適用できる。
In each embodiment, the
上記、各実施例で示した手段を講じることによって、電子ビーム検査装置の汚染状態を観察するだけではなく、汚染状態に応じて、汚染除去を実施することで、常時、測定障害を限りなく低減した測定環境を提供することが可能となる。 By taking the measures shown in the above-mentioned embodiments, not only observing the contamination state of the electron beam inspection apparatus, but also removing contamination according to the contamination state, the measurement trouble is always reduced as much as possible. It is possible to provide a measurement environment.
1…電子銃室、2…コンデンサレンズ室、3…試料観察室、4…中間室、5…予備排気室、6…試料交換室、7…電子銃、8…引出電極、9…加速電極、10…固定絞り、11…コンデンサレンズ、12…偏向コイル、13…対物レンズ、14…対物レンズ可動絞り、15…試料ホルダ、16…試料、17,18…ゲートバルブ、19〜23…真空ポンプ、24…反射電子・二次電子検出器、25…排気バイパス、100…モニター用基板、101…ワイヤー、100…モニター用基板、102…電源、103…質量分析計、104…酸素活性種生成装置、105…ワイヤー、106…折りたたみワイヤー、107…多孔質体、108…支持体、109…ヒーター、110…ワイヤー。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron gun chamber, 2 ... Condenser lens chamber, 3 ... Sample observation chamber, 4 ... Intermediate chamber, 5 ... Preliminary exhaust chamber, 6 ... Sample exchange chamber, 7 ... Electron gun, 8 ... Extraction electrode, 9 ... Acceleration electrode, DESCRIPTION OF
Claims (20)
前記試料観察室内を真空排気する排気手段と、
前記試料観察室に格納された試料を検査する検査手段と、
前記試料観察室内の気体成分を分析する気体分析手段とを備えた検査装置において、
前記試料観察室内に設けられた吸着手段と、
前記吸着手段を加熱可能な加熱手段を設けたことを特徴とする検査装置。 A sample observation room;
An exhaust means for evacuating the sample observation chamber;
Inspection means for inspecting the sample stored in the sample observation room;
In an inspection apparatus comprising a gas analyzing means for analyzing a gas component in the sample observation chamber,
Adsorption means provided in the sample observation chamber;
An inspection apparatus provided with heating means capable of heating the adsorption means.
前記吸着手段は、前記試料観察室の壁から離れて設けられていることを特徴とする検査装置。 In claim 1,
2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the adsorption means is provided apart from the wall of the sample observation chamber.
前記吸着手段は、金属であり、
前記加熱手段は、当該金属への通電により加熱を行うことを特徴とする検査装置。 In claim 1,
The adsorption means is a metal;
The said heating means heats by the electricity supply to the said metal, The inspection apparatus characterized by the above-mentioned.
前記加熱手段による前記吸着手段の加熱と、前記気体分析手段の検査が同期して行われることを特徴とする検査装置。 In claim 1,
The inspection apparatus characterized in that heating of the adsorption means by the heating means and inspection of the gas analysis means are performed in synchronization.
前記金属は、ニッケル、タングステン、タンタル、銅、金であることを特徴とする検査装置。 In claim 3,
The inspection apparatus according to claim 1, wherein the metal is nickel, tungsten, tantalum, copper, or gold.
清浄化手段を備え、
前記気体分析手段の分析結果に基づいて、前記清浄化手段を稼動させることを特徴とする検査装置。 In claim 1,
With cleaning means,
An inspection apparatus, wherein the cleaning means is operated based on an analysis result of the gas analysis means.
前記吸着手段は、板状の金属であることを特徴とする検査装置。 In claim 3,
The inspection device, wherein the adsorption means is a plate-like metal.
前記吸着手段は、ワイヤ状であることを特徴とする検査装置。 In claim 3,
2. The inspection apparatus according to claim 1, wherein the suction means is wire-shaped.
前記吸着手段により、前記観察室内の気体を吸着し、
前記加熱手段の加熱により、前記吸着した気体を脱着し、
前記気体分析手段が、当該脱着した気体を分析することを特徴とする検査装置。 In claim 1,
The adsorption means adsorbs the gas in the observation chamber,
The adsorbed gas is desorbed by heating the heating means,
The gas analyzer is configured to analyze the desorbed gas.
前記気体分析手段として質量分析装置を備えることを特徴とした検査装置。 In claim 1,
An inspection apparatus comprising a mass spectrometer as the gas analyzing means.
前記気体分析手段として、電離真空計を用いることを特徴とした検査装置。 In claim 1,
An inspection apparatus using an ionization vacuum gauge as the gas analyzing means.
前記気体分析手段として、B-Aゲージを用いることを特徴とした電子ビーム検査装置。 In claim 1,
An electron beam inspection apparatus using a BA gauge as the gas analysis means.
前記吸着手段は、多孔質体であることを特徴とする電子ビーム検査装置。 In claim 1,
The electron beam inspection apparatus, wherein the adsorption means is a porous body.
前記清浄化手段は、酸素活性種を導入する手段であることを特徴とした電子ビーム検査装置。 In claim 6,
2. The electron beam inspection apparatus according to claim 1, wherein the cleaning means is means for introducing oxygen active species.
前記酸素活性種を導入する手段がプラズマであることを特徴とする検査装置。 In claim 10,
An inspection apparatus characterized in that the means for introducing oxygen active species is plasma.
気体を吸着させる吸着手段と、
前記吸着手段を加熱する加熱手段と、
気体を分析する分析手段とを備えたことを特徴とする分析装置。 In the analyzer that analyzes the gas in the sample observation chamber of the inspection device held in vacuum,
Adsorption means for adsorbing gas;
Heating means for heating the adsorption means;
An analysis device comprising an analysis means for analyzing a gas.
前記吸着体は、前記加熱により、前記吸着した気体を脱着し、
前記分析手段は、前記脱着した気体を分析することを特徴とする分析装置。 In claim 16,
The adsorbent desorbs the adsorbed gas by the heating,
The analyzing device analyzes the desorbed gas.
前記加熱と前記分析は、同期して行われることを特徴とする分析装置。 In claim 16,
The heating apparatus and the analysis are performed in synchronization with each other.
前記吸着体を加熱する工程と、
前記加熱と同期して、気体を分析する分析工程とを含む気体分析方法。 Exposing the adsorbent to the gas to be analyzed;
Heating the adsorbent;
A gas analysis method including an analysis step of analyzing a gas in synchronization with the heating.
前記吸着体は、前記分析対象の気体を吸着するとともに、
前記加熱により、前記吸着した気体を脱着することを特徴とする気体分析方法。 In claim 19,
The adsorbent adsorbs the gas to be analyzed,
A gas analysis method, wherein the adsorbed gas is desorbed by the heating.
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