JP6408577B2 - エレクトロクロミック装置の接触 - Google Patents

Description

本発明は、概して、エレクトロクロミック装置に関し、詳細には、エレクトロクロミック装置の接触に関する。

エレクトロクロミック装置は、昨今、光の透過を制御可能とするために、広範囲にわたる様々な応用分野で使用されている。包括的な例は、ヘルメットのバイザー、建物または自動車の窓、鏡、およびゴーグルである。典型的な非自己消去型のエレクトロクロミック装置では、導電層、エレクトロクロミック層、および電解質層を組み込んだ薄箔の積層が使用される。ある実施形態では、これらの層は、エレクトロクロミック装置の主構造体として機能する２つの基材薄板間に設けられている。この装置の透過率を変更するために、２つの電子伝導層間に電圧が印加される。この電圧は、エレクトロクロミック装置を充電し、ひいては透過率の変化をもたらす。透過率レベルは、電圧が除去されても保たれる。

エレクトロクロミック装置を製造するうえでの重要な工程は、電子伝導層の接触である。エレクトロクロミック装置は、概して、とても薄いので、電子伝導層も薄くなる。エレクトロクロミック装置の側面からの接触は、事実上不可能となるか、多かれ少なかれ自動化された方式では、少なくとも実行するのはかなり難しくなる。接触を促進する典型的な手法は、関連付けられた電子伝導層を備える一方の基材薄板を、概して板状のエレクトロクロミック装置の延長上に沿った方向に、もう一方の基材薄板の外側に突出させることである。もう一方の基材薄板およびもう一方の電子伝導層は、典型的には、装置の別の部分で突出する。それゆえ電子伝導層の接触は、これらの突出した部分で実行され得る。

接触する形状は、よって、前もって決定されていなければならない。エレクトロクロミック層または対向電極層の成膜は、かかる領域から除外されなければならない。さらには、この積層工程の間、接触用の領域が被覆されないことを確実にするために、基材の位置調整が実行されなければならない。しかも、積層されたＥＣの積層物が、実際に接触が実行される前に移送されてしまうと、暴露された領域は、適切に保護されていない限り損傷されてしまうおそれがある。

また、様々な応用事例において、多様な幾何的形状のエレクトロクロミック装置が必要とされ得る。最終的な形状は、実際の組み立て直前までわからないことさえもある。このような場合、正確な形状を備えるエレクトロクロミック装置の半製品を事前に提供することは困難であり得、エレクトロクロミック装置の最終的な形状が、エレクトロクロミック層状構造体の大きな薄板から切り出され得ると有益であろう。このような場合、接触に適した突出部を提供することはいっそう難しくなる。

本発明の全体的な目的は、エレクトロクロミック装置の接触を促進することである。

本発明の目的は、添付した独立請求項による方法および装置により達成される。好ましい実施形態は、従属請求項により規定される。概して、第１の態様では、エレクトロクロミック装置を作製する方法は、エレクトロクロミック層状構造体を提供するステップを含む。エレクトロクロミック層状構造体は、第１の基材薄板と、第２の基材薄板と、第１の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層と、第２の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層と、第１の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層と、第２の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆する対向電極層と、第１のエレクトロクロミック層と対向電極層との間に積層され、第１のエレクトロクロミック層および対向電極層を少なくとも部分的に被覆する電解質層とを有する。エレクトロクロミック層状構造体は、エレクトロクロミック層が、電解質層に被覆されていない第１の領域、および／または、対向電極層が、電解質層に被覆されていない第２の領域を有する。電極は、第１の領域でエレクトロクロミック層を通って第１の電子伝導層に、または、第２の領域で対向電極層を通って第２の電子伝導層に、超音波はんだを使用してはんだ付けされる。

第２の態様では、エレクトロクロミック装置は、エレクトロクロミック層状構造体を含む。エレクトロクロミック層状構造体は、第１の基材薄板と、第２の基材薄板と、第１の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層と、第２の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層と、第１の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層と、第２の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆する対向電極層と、第１のエレクトロクロミック層と対向電極層との間に積層され、第１のエレクトロクロミック層および対向電極層を少なくとも部分的に被覆する電解質層とを有する。エレクトロクロミック層状構造体は、エレクトロクロミック層が、電解質層に被覆されていない第１の領域、および／または、対向電極層が、電解質層に被覆されていない第２の領域も有する。第１の電極は、第１の領域でエレクトロクロミック層を通って第１の電子伝導層にはんだ付けされる、および／または、第２の電極は、第２の領域で対向電極層を通って第２の電子伝導層にはんだ付けされる。

本発明の１つの有利性は、適応性のある製造を可能とすることである。本発明の別の有利性は、大量生産に良好に適合される製造方法を提示することである。他の有利性は、以下にさらに提示される様々な実施形態と関連してさらに論じられる。

本発明は、本発明のさらなる目的および有利性と共に、添付の図面とあわせて以下の説明を参照することにより最も良く理解され得る。

エレクトロクロミック化合物により部分的に被覆されたＩＴＯ表面の図である。 超音波はんだを上部に備える、エレクトロクロミック化合物により部分的に被覆されたＩＴＯ表面の図である。 エレクトロクロミック装置を作製する方法の実施形態のステップのフロー図である。 図３による方法により作製されたエレクトロクロミック装置の実施形態の概略図である。

図面を通して、類似の要素または対応する要素に同じ参照番号が使用される。

先行技術における問題を解決するための１つの手法は、第１に、接触用の露出された領域が備わっていないエレクトロクロミック層状構造体を製造し、次いで実際の接触と関連し、一方の半電池および下層の電解質の一部分を除去し、反対側の半電池の内表面を暴露することである。「半電池」とは、ここでは、基材薄板、電子伝導層、およびエレクトロクロミック層または対向電極層のいずれかによって構成される部分的構造体（ｐａｒｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）であると理解される。反対側の半電池の暴露された内表面は、よって、エレクトロクロミック層または対向電極層のいずれかで被覆された表面を表す。これらの材料は、典型的には、多孔質酸化物、例えば、ＷＯまたはＮｉＯであり、典型的には、導電性が低い。

エレクトロクロミック層または対向電極層のいずれかの暴露された領域は、締付けなどの単純な機械的手段による電極の接触には適していない。また、表面張力に起因し、はんだは、エレクトロクロミック層または対向電極層の表面に濡れ広がるのみであり、エレクトロクロミック層または対向電極層を使用した電子伝導は全く不十分なため、熱的はんだによる結果も良くない。

しかしながら、エレクトロクロミック層または対向電極層は、典型的には、電子伝導層、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）上に、スパッタリング技法により、薄い層で成膜されるため、少なくともマクロ的視点では、下層の電子伝導層に大きな損傷を与えずにエレクトロクロミック層または対向電極層を除去することはとても煩雑である。接触工程と関連して実行するには、機械的な除去技法は、一般的には、粗すぎており、化学的な方法は、典型的に非現実的であり、通常は、装置の残りの部分を保護する追加的な保護手段を要する。

図１は、エレクトロクロミック酸化物１０６で部分的に被覆されたＩＴＯ表面１００の一部を拡大して例示する。図面をよりわかりやすくするために、酸化物の垂直部分１０２は、図面内で不規則な網掛けにより強調され、ＩＴＯ表面１００は、線状の網掛けで示される。この酸化物は、多孔質であり、酸化物の表面には、亀裂１０４が存在する。この酸化物の導電性は低い。同一の状態が対向電極層に存在する。

エレクトロクロミック酸化物などの材料へ超音波はんだを施すことにより、その性質にもかかわらず、すなわち、導電性の低い酸化物を通って、電気的接触が確立され得るということが今や見出されている。これを可能にする根拠と工程については、まだ完全な理解にいたっていない。例えば、基材またははんだと、エレクトロクロミック酸化物との厚さ寸法比がとても大きいので、かかるシステムを調査し検証しようとする試みは、経験的に困難である。しかしながら、比較的十分に裏付けされた理論が明らかになっている。

図１を参照すると、エレクトロクロミック層または対向電極層の酸化物内の亀裂１０４は、典型的には、酸化物層１０２を通って、伝導性のＩＴＯ １００の表面に至るまで貫通する。亀裂１０４の典型的な幅は、５０ｎｍまでである。しかしながら、かかる亀裂１０４は、概して狭すぎるため、熱的はんだ工程からのはんだは、表面張力の影響により侵入することができない。これに対して、超音波はんだ処理中には、表面張力が低減されるように思える。表面張力上の理由で、熱的に溶解された金属で充填されるには小さすぎる空洞は、超音波はんだを使用することで充填可能となる。はんだ材の表面張力が十分小さくなると、狭い亀裂の毛細管力が、亀裂１０４および孔を通って、導電性のＩＴＯ １００に至るまではんだを引き始める。おそらく、超音波はんだ機器からの音波も、はんだを亀裂１０４内に積極的に押し下げることに貢献する。

電子伝導経路が、それにより、エレクトロクロミック酸化物を通って生成される。それぞれの亀裂または孔は、典型的にはとても小さいが、多数の孔および亀裂が一緒になって、適度に低抵抗の電気的な接続を形成する。よって、エレクトロクロミック酸化物全体を除去せずに、超音波はんだにより、エレクトロクロミック酸化物を通ってＩＴＯ層を接触させることが可能となる。

その結果が、図２に概略的に例示される。超音波はんだにより、エレクトロクロミック酸化物の上部に、はんだ材１０８の層がもたらされる。はんだ材の垂直部分１０９は、図面内で点による網掛けで強調される。ここで、亀裂は、１１０で示すようにはんだで充填され、エレクトロクロミック酸化物１０２を通るとぎれのない導電経路を構成する。

超音波それ自体が、エレクトロクロミック酸化物または対向電極酸化物の追加的な亀裂の発生に、追加的に貢献することも可能である。かかる作用は、酸化物を通る、可能性のある導電路の数を増やし、それにより、全体的な導電性が向上することになる。また、この工程自体から発せられる熱および機械的操作による応力（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｈａｎｄｌｉｎｇ ｓｔｒｅｓｓｅｓ）も、追加的な亀裂の発生に貢献し得る。

図３は、エレクトロクロミック装置を作製する方法の実施形態のステップのフロー図である。この手順は、ステップ２００で始まる。ステップ２１０では、エレクトロクロミック層状構造体が提供される。エレクトロクロミック層状構造体は、第１の基材薄板と、第２の基材薄板と、第１の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層と、第２の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層と、第１の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層と、第２の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆する対向電極層と、第１のエレクトロクロミック層と対向電極層との間に積層され、第１のエレクトロクロミック層および対向電極層を少なくとも部分的に被覆する電解質層とを有する。このようなエレクトロクロミック層の構造体の提供は、従来技術から知られている。製造がどのようになされているかに関する詳細は、概して、本発明の発想にとって特に重要ではない。したがって、本開示の発想にとって特に重要な部分についてのみさらに論じられる。エレクトロクロミック層状構造体は、エレクトロクロミック層が、電解質層に被覆されていない第１の領域、および／または、前記対向電極層が、前記電解質層に被覆されていない第２の領域を有する。ステップ２２０では、電極が、第１の領域でエレクトロクロミック層を通って第１の電子伝導層に、または、第２の領域で対向電極層を通って第２の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けされる。この手順は、ステップ２９９で終了する。

このようなエレクトロクロミック層の構造体の提供は、従来技術から知られている。エレクトロクロミック層の構造体は、種々多様であり得、例えば、ガラス基材または高分子基材を基にしてもよい。エレクトロクロミック層の構造体は、例えば、様々な種類のガラス板製品に積層されてもよい。以下でさらに別途論じられなければ、実際のエレクトロクロミック層の構造体の製造がどのようになされているかに関する詳細は、概して、本発明の発想にとって特に重要ではない。しかしながら、製造に関する情報を完全なものにするために、エレクトロクロミック層の構造体の提供を達成する方法の、可能性のある一例を以下に示す。しかしながら、本発明の発想が、この特定のエレクトロクロミック層の構造体に限定されるものではなく、エレクトロクロミック層の構造体を提供する代替的な方法にも適用可能であるということを当業者は認識する。

ＰＥＴの基材薄板が提供される。ＰＥＴの薄板は、スパッタ成膜によりＩＴＯで被覆され、それにより、導電層を備える基材を提供する。ＩＴＯで被覆されたＰＥＴは、２つの部品に分割される。一方の部品は、連続的なスパッタリング工程において、対向電極として使用されるエレクトロクロミックＮｉＯの層をＩＴＯ上にスパッタリングするように配置されたスパッタ機器を通って移動される。もう一方の部品のＩＴＯは、連続的なスパッタリング工程において、今度はエレクトロクロミックＷＯの層をＩＴＯ上にスパッタリングするように配置されたスパッタ機器を通って移動される。これら２つのスパッタリング工程は、２つの並列工程ラインにおいて同時に実行されることも可能である。ＰＥＴ上がＩＴＯで被覆された２つの実在物が、こうして作製され、それぞれが、エレクトロクロミック層状構造体の半電池として適する。この半電池の実在物は、積層装置へと供給される。被覆されたＰＥＴ基材と被覆されたＰＥＴ基材との間の空間に、電解質が電解質源から供給され、電解質は共に積層され、エレクトロクロミック層状構造体を生成する。積層後に、例えば、構造体支持機能、硬化、および／または封止などを提供する後処理が続いてもよい。

エレクトロクロミック層の構造体にわたる印加電圧により、エレクトロクロミック層に電流を提供するために、両方の電子伝導層に電極が必要である。電極は、様々な方法で取り付けられ得る。しかしながら、好ましい実施形態では、電極は、エレクトロクロミック層、対向電極層双方の下方のそれぞれの電子伝導層にそれぞれはんだ付けされる。言い換えれば、はんだ付けするステップは、電極を、第１の領域でエレクトロクロミック層を通って第１の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップと、電極を、第２の領域で対向電極層を通って第２の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップとを含む。

好ましい実施形態では、電極の少なくとも１つが、導電テープを含む。

１つの実施形態では、エレクトロクロミック層状構造体の非被覆領域は、主要なエレクトロクロミック層状構造体の積層後に生成される。言い換えれば、第１の領域と、第２の領域とが備わっていないエレクトロクロミック層状構造体が、まず提供される。その後、第１の領域および／または第２の領域が生成される。言い換えれば、第２の基材薄板、第２の電子伝導層、対向電極層、および電解質の一部が除去され、それにより、第１の領域を露出させる、および／または、第１の基材薄板、第１の電子伝導層、エレクトロクロミック層、および電解質の一部が除去され、それにより、第２の領域を露出させる。

それぞれの半電池の部分の実際の除去は、様々な手法で実行され得る。１つの実施形態では、除去は、主に機械的なものである。半電池の横方向部分の周囲に、半電池を通って電解質層に至るまで切削が施され、電解質層によりもたらさせる付着には限界があるため、半電池の切削部分は容易に除去される。この切削は、例えば、ドクターブレードを高精度に制御することにより実行され得る。残存するいかなる電解質も、それから、例えば、布で拭き取ることにより、および／または、溶媒で洗うことにより洗浄される。代替的な実施形態では、同様の切削が、様々な手法で、例えば、レーザーアブレーションまたはレーザー切削を使用することにより実行され得る。さらに別の代替的な実施形態では、様々な種類のエッチングが実行され得る。

図４は、上記で提示された発想に従って製造されたエレクトロクロミック装置１の実施形態の概略図を例示する。エレクトロクロミック装置１は、エレクトロクロミック層状構造体１０を含む。エレクトロクロミック層状構造体１０は、第１の基材薄板２１と、第２の基材薄板２２とを有する。第１の電子伝導層２３は、第１の基材薄板２１を少なくとも部分的に被覆する。第２の電子伝導層２４は、第２の基材薄板２２を少なくとも部分的に被覆する。エレクトロクロミック層２５は、第１の電子伝導層２３を少なくとも部分的に被覆する。対向電極層２６は、第２の電子伝導層２４を少なくとも部分的に被覆する。対向電極層２６は、特定の実施形態では、エレクトロクロミック材料を含んでもよい。第１の基材薄板２１、第１の電子伝導層２３、およびエレクトロクロミック層２５は、共に、エレクトロクロミック構造体１０の第１の半電池１１を形成する。第２の基材薄板２２、第２の電子伝導層２４、および対向電極層２６は、共に、エレクトロクロミック構造体１０の第２の半電池１２を形成する。電解質層３０は、第１の半電池１１と第２の半電池１２との間に積層される。言い換えれば、電解質層３０は、第１のエレクトロクロミック層２５と対向電極層２６との間に積層され、第１のエレクトロクロミック層２５および対向電極層２６を少なくとも部分的に被覆する。

図４の実施形態では、エレクトロクロミック層状構造体１０は、エレクトロクロミック層２５が、電解質層３０によって被覆されていない第１の領域５１を有する。同様に、エレクトロクロミック層状構造体１０は、対向電極層２６が、電解質層３０によって被覆されていない第２の領域５２を有する。第１の電極４１は、第１の領域５１で、充填された亀裂４３として示されるように、エレクトロクロミック層２５を通って第１の電子伝導層２３にはんだ付けされる。第２の電極４２は、第２の領域５２で、充填された亀裂４４として示されるように、対向電極層２６を通って第２の電子伝導層２４にはんだ付けされる。

１つの代替的な実施形態では、第１の領域のみ存在する。第１の電極は、よって、上述のように取り付けられ得る。第２の電極は、かかる実施形態では、別の方法で第２の電子伝導層に取り付けられる。別の実施形態では、第２の領域のみ存在する。第２の電極は、よって、上述のように取り付けられ得る。第１の電極は、かかる実施形態では、別の方法で第１の電子伝導層に取り付けられる。

本発明の工程での使用に対し、超音波はんだに典型的に使用されるいくつかの様々なはんだが調査されてきた。検査された全てのはんだで、エレクトロクロミック層を通した接触が確立され得た。しかしながら、容認できる接触を達成するために、出力、周波数などのはんだのパラメータの適合が行われなければならない場合もあった。かかる適合は、当業者にとっては通常の手順であるため、これ以上は論じられない。一般的な傾向として、最適なパラメータまたは少なくとも容認できるパラメータを見つけることは、良好な濡れ特性を有するはんだの方が簡単であるように思えた。検査されたはんだの群の中での最も有利なはんだの選択は、Ｉｎを含むはんだ、好ましくは、Ｉｎを１０重量％を超えて含むはんだであった。

上述の実施形態は、本発明の２、３例であると理解されるべきである。本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正、組み合わせ、および変更が実施形態に対してなされ得るということを当業者は理解するであろう。特に、様々な実施形態における様々な部分的解決策が、技術的に可能である他の構成において組み合わされ得る。本発明の範囲は、しかしながら、添付の特許請求の範囲により規定される。
［形態１］
第１の基材薄板と、第２の基材薄板と、前記第１の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層と、前記第２の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層と、前記第１の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層と、前記第２の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆する対向電極層と、前記第１のエレクトロクロミック層と前記対向電極層との間に積層され、前記第１のエレクトロクロミック層および前記対向電極層を少なくとも部分的に被覆する電解質層とを有するエレクトロクロミック層状構造体を提供するステップ（２１０）であって、
前記エレクトロクロミック層状構造体が、
− 前記エレクトロクロミック層が、前記電解質層に被覆されていない第１の領域、
− 前記対向電極層が、前記電解質層に被覆されていない第２の領域
の少なくとも１つを有するステップ（２１０）と、
− 電極を、前記第１の領域で前記エレクトロクロミック層を通って前記第１の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップ（２２０）、
− 電極を、前記第２の領域で前記対向電極層を通って前記第２の電子伝導層に、超音波
はんだによりはんだ付けするステップ（２２０）
の少なくとも１つのステップとを含む、エレクトロクロミック装置を作製する方法。
［形態２］
形態１に記載の方法において、前記はんだ付けするステップ（２２０）が、電極を、前記第１の領域で前記エレクトロクロミック層を通って前記第１の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップと、電極を、前記第２の領域で前記対向電極層を通って前記第２の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップとを含むことを特徴とする方法。
［形態３］
形態１または２に記載の方法において、前記はんだ付けするステップ（２２０）が、Ｉｎを含むはんだを使用して実行されることを特徴とする方法。
［形態４］
形態３に記載の方法において、前記はんだが、１０質量％を超える量のＩｎを含むことを特徴とする方法。
［形態５］
形態１から４のいずれか一項に記載の方法において、前記電極の少なくとも１つが、導電テープを含むことを特徴とする方法。
［形態６］
形態１から５のいずれか一項に記載の方法において、前記エレクトロクロミック層状構造体を提供するステップ（２１０）が、
前記第１の領域と、前記第２の領域とが備わっていないエレクトロクロミック層状構造体を提供するステップと、
前記第２の基材薄板、前記第２の電子伝導層、前記対向電極層、および前記電解質の一部を除去し、それにより前記第１の領域を露出させるステップ、
前記第１の基材薄板、前記第１の電子伝導層、前記エレクトロクロミック層、および前記電解質の一部を除去し、それにより前記第２の領域を露出させるステップ
の少なくとも１つのステップとを含むことを特徴とする方法。
［形態７］
第１の基材薄板（２１）と、
第２の基材薄板（２２）と、
前記第１の基材薄板（２１）を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層（２３）と、
前記第２の基材薄板（２２）を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層（２４）と、
前記第１の電子伝導層（２３）を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層（２５）と、
前記第２の電子伝導層（２４）を少なくとも部分的に被覆する対向電極層（２６）と、
前記第１のエレクトロクロミック層（２５）と前記対向電極層（２６）との間に積層され、前記第１のエレクトロクロミック層（２５）および前記対向電極層（２６）を少なくとも部分的に被覆する電解質層（３０）と
を有するエレクトロクロミック層状構造体（１０）であって、
− 前記エレクトロクロミック層（２５）が、前記電解質層（３０）によって被覆されていない第１の領域（５１）、
− 前記対向電極層（２６）が、前記電解質層（３０）によって被覆されていない第２の領域（５２）
の少なくとも１つを有するエレクトロクロミック層状構造体（１０）と、
− 前記第１の領域（５１）で前記エレクトロクロミック層（２５）を通って前記第１の電子伝導層（２３）にはんだ付けされた第１の電極（４１）、
− 前記第２の領域（５２）で前記対向電極層（２６）を通って前記第２の電子伝導層（２４）にはんだ付けされた第２の電極（４２）の少なくとも１つと
を含むエレクトロクロミック装置（１）。
［形態８］
形態７に記載のエレクトロクロミック装置において、前記第１の領域（５１）で前記エレクトロクロミック層（２５）を通って前記第１の電子伝導層（２３）にはんだ付けされた第１の電極（４１）、および前記第２の領域（５２）で前記対向電極層（２６）を通って前記第２の電子伝導層（２４）にはんだ付けされた第２の電極（４２）を特徴とするエレクトロクロミック装置。
［形態９］
形態７または８に記載のエレクトロクロミック装置において、前記第１および第２の電極（４１、４２）の少なくとも１つが、Ｉｎを含むはんだによりはんだ付けされることを特徴とするエレクトロクロミック装置。
［形態１０］
形態９に記載のエレクトロクロミック装置において、前記はんだが、１０質量％を超える量のＩｎを含むことを特徴とするエレクトロクロミック装置。
［形態１１］
形態７から１０のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置において、前記第１の電極（４１）、前記第２の電極（４２）の少なくとも１つが、導電テープを含むことを特徴とするエレクトロクロミック装置。

Claims (11)

1. 第１の基材薄板と、第２の基材薄板と、前記第１の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層と、前記第２の基材薄板を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層と、前記第１の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層と、前記第２の電子伝導層を少なくとも部分的に被覆する対向電極層と、前記第１のエレクトロクロミック層と前記対向電極層との間に積層され、前記第１のエレクトロクロミック層および前記対向電極層を少なくとも部分的に被覆する電解質層とを有するエレクトロクロミック層状構造体を提供するステップ（２１０）であって、
   前記エレクトロクロミック層状構造体が、
   − 前記エレクトロクロミック層が、前記電解質層に被覆されていない第１の領域、
   − 前記対向電極層が、前記電解質層に被覆されていない第２の領域
   の少なくとも１つを有するステップ（２１０）と、
   − 電極を、前記第１の領域で前記エレクトロクロミック層上に配置した状態で、前記エレクトロクロミック層の亀裂を通るはんだを介して、前記第１の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップ（２２０）、
   − 電極を、前記第２の領域で前記対向電極層上に配置した状態で、前記対向電極層の亀裂を通るはんだを介して、前記第２の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップ（２２０）
   の少なくとも１つのステップとを含む、エレクトロクロミック装置を作製する方法。
2. 請求項１に記載の方法において、前記はんだ付けするステップ（２２０）が、電極を、前記第１の領域で前記エレクトロクロミック層上に配置した状態で、前記エレクトロクロミック層の亀裂を通るはんだを介して、前記第１の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップと、電極を、前記第２の領域で前記対向電極層上に配置した状態で、前記対向電極層の亀裂を通るはんだを介して、前記第２の電子伝導層に、超音波はんだによりはんだ付けするステップとを含むことを特徴とする方法。
3. 請求項１または２に記載の方法において、前記はんだ付けするステップ（２２０）が、Ｉｎを含むはんだを使用して実行されることを特徴とする方法。
4. 請求項３に記載の方法において、前記はんだが、１０質量％を超える量のＩｎを含むことを特徴とする方法。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の方法において、前記電極の少なくとも１つが、導電テープを含むことを特徴とする方法。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の方法において、前記エレクトロクロミック層状構造体を提供するステップ（２１０）が、
   前記第１の領域と、前記第２の領域とが備わっていないエレクトロクロミック層状構造体を提供するステップと、
   前記第２の基材薄板、前記第２の電子伝導層、前記対向電極層、および前記電解質の一部を除去し、それにより前記第１の領域を露出させるステップ、
   前記第１の基材薄板、前記第１の電子伝導層、前記エレクトロクロミック層、および前記電解質の一部を除去し、それにより前記第２の領域を露出させるステップ
   の少なくとも１つのステップとを含むことを特徴とする方法。
7. 第１の基材薄板（２１）と、
   第２の基材薄板（２２）と、
   前記第１の基材薄板（２１）を少なくとも部分的に被覆する第１の電子伝導層（２３）と、
   前記第２の基材薄板（２２）を少なくとも部分的に被覆する第２の電子伝導層（２４）と、
   前記第１の電子伝導層（２３）を少なくとも部分的に被覆するエレクトロクロミック層（２５）と、
   前記第２の電子伝導層（２４）を少なくとも部分的に被覆する対向電極層（２６）と、
   前記第１のエレクトロクロミック層（２５）と前記対向電極層（２６）との間に積層され、前記第１のエレクトロクロミック層（２５）および前記対向電極層（２６）を少なくとも部分的に被覆する電解質層（３０）と
   を有するエレクトロクロミック層状構造体（１０）であって、
   − 前記エレクトロクロミック層（２５）が、前記電解質層（３０）によって被覆されていない第１の領域（５１）、
   − 前記対向電極層（２６）が、前記電解質層（３０）によって被覆されていない第２の領域（５２）
   の少なくとも１つを有するエレクトロクロミック層状構造体（１０）と、
   − 前記第１の領域（５１）で前記エレクトロクロミック層（２５）上に配置され、前記エレクトロクロミック層（２５）の亀裂を通るはんだにより前記第１の電子伝導層（２３）にはんだ付けされた第１の電極（４１）、
   − 前記第２の領域（５２）で前記対向電極層（２６）上に配置され、前記対向電極層（２６）の亀裂を通るはんだにより前記第２の電子伝導層（２４）にはんだ付けされた第２の電極（４２）の少なくとも１つと
   を含むエレクトロクロミック装置（１）。
8. 請求項７に記載のエレクトロクロミック装置において、前記第１の領域（５１）で前記エレクトロクロミック層（２５）上に配置され、前記エレクトロクロミック層（２５）の亀裂を通るはんだにより前記第１の電子伝導層（２３）にはんだ付けされた第１の電極（４１）、および前記第２の領域（５２）で前記対向電極層（２６）上に配置され、前記対向電極層（２６）の亀裂を通るはんだにより前記第２の電子伝導層（２４）にはんだ付けされた第２の電極（４２）を特徴とするエレクトロクロミック装置。
9. 請求項７または８に記載のエレクトロクロミック装置において、前記第１および第２の電極（４１、４２）の少なくとも１つが、Ｉｎを含むはんだによりはんだ付けされることを特徴とするエレクトロクロミック装置。
10. 請求項９に記載のエレクトロクロミック装置において、前記はんだが、１０質量％を超える量のＩｎを含むことを特徴とするエレクトロクロミック装置。
11. 請求項７から１０のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック装置において、前記第１の電極（４１）、前記第２の電極（４２）の少なくとも１つが、導電テープを含むことを特徴とするエレクトロクロミック装置。

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