JP6406977B2 - 光電変換装置、撮像システム - Google Patents

光電変換装置、撮像システム Download PDF

Info

Publication number
JP6406977B2
JP6406977B2 JP2014224750A JP2014224750A JP6406977B2 JP 6406977 B2 JP6406977 B2 JP 6406977B2 JP 2014224750 A JP2014224750 A JP 2014224750A JP 2014224750 A JP2014224750 A JP 2014224750A JP 6406977 B2 JP6406977 B2 JP 6406977B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
photoelectric conversion
conversion element
transfer gate
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014224750A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016092595A (ja
JP2016092595A5 (ja
Inventor
和男 山崎
和男 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014224750A priority Critical patent/JP6406977B2/ja
Priority to CN201510732280.XA priority patent/CN105578086B/zh
Priority to US14/930,510 priority patent/US9456161B2/en
Publication of JP2016092595A publication Critical patent/JP2016092595A/ja
Publication of JP2016092595A5 publication Critical patent/JP2016092595A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6406977B2 publication Critical patent/JP6406977B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/67Focus control based on electronic image sensor signals
    • H04N23/672Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/704Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745Circuitry for generating timing or clock signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/7795Circuitry for generating timing or clock signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/67Focus control based on electronic image sensor signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Focusing (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の駆動方法に関する。
位相差検出方式の焦点検出に利用可能な信号を出力する光電変換装置として、1つのマイクロレンズに対して1対の光電変換素子を配置した画素を有する光電変換装置が提案されている。
このような光電変換装置において、特許文献1では、焦点検出情報と画像情報の両方を取得する領域と、画像情報のみを取得する領域とを設定している。焦点検出情報と画像情報の両方を取得する領域の画素からは、1対の光電変換素子のうちの一方のみに基づく信号(A信号)と、1対の光電変換素子の双方で生じた電荷に基づく信号(A+B信号)とを読み出す。また、画像情報のみを取得する領域の画素からは、A信号の読み出しは行わずにA+B信号のみを読み出すことで、読み出し時間の短縮化が図られている。
特開2013−211833号公報
しかしながら、特許文献1に記載の2つのA+B信号は、読み出し方法の違いにより生じる転送特性の違いや、生じるノイズの量の違いにより、画像用の信号にばらつきが生じる可能性がある。
本発明の目的は、2つの異なる読み出し方法で取得される画像用の信号の間におけるばらつきを低減することが可能な光電変換装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明の光電変換装置は、第1光電変換素子と、第2光電変換素子と、入力ノードを有し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を読み出すための増幅部と、前記第1光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードへ転送する第1転送ゲートと、前記第2光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードへ転送する第2転送ゲートと、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子に入射光を集光する1つのマイクロレンズと、をそれぞれが含む第1画素および第2画素を有する光電変換装置であって、前記第1画素において、前記第1転送ゲートをオンにすることによって前記入力ノードに前記第1光電変換素子にて生じた電荷を転送し、前記第1光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力し、前記入力ノードに転送された前記第1光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードが保持した状態で、前記第1転送ゲート、及び前記第2転送ゲートをオンにすることによって、前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードに転送し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力する第1動作と、前記第2画素において、前記第1転送ゲートをオンにすることによって前記入力ノードに前記第1光電変換素子にて生じた電荷を転送し、前記第1光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力せず、前記入力ノードに転送された前記第1光電変換素子にて生じた電荷を保持した状態で、前記第1転送ゲート、及び前記第2転送ゲートをオンにすることによって、前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードに転送し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力する第2動作を行うことを特徴とする
本発明によれば、2つの異なる読み出し方法で取得される画像用の信号の間におけるばらつきを低減することが可能となる。
第1実施形態の光電変換装置の構成を模式的に示す回路図である。 第1実施形態の光電変換装置の画素を示す平面模式図及び断面模式図である。 第1実施形態の光電変換装置の画素アレイを説明する模式図である。 第1実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。 第1実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。 第2実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。 第3実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。 第3実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。 第4実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。 撮像システムの構成を示す概略図である。
本発明の光電変換装置は、複数の画素のそれぞれが、複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子のそれぞれ電荷を転送するための複数の転送ゲートと、入力ノードを有する増幅部と、複数の光電変換素子に入射光を集光するマイクロレンズと、を有する。本発明の光電変換装置は、異なる読み出し方法を行う第1動作と、第2動作を有する。第1動作では、複数の画素の1つから第1光電変換素子の電荷に基づく第1信号と、第1光電変換素子と第2光電変換素子の電荷に基づく第2信号を読み出す。第2動作では、複数の画素の1つから第1光電変換素子と第2光電変換素子の電荷に基づく第2信号を読み出す。つまり、第1動作では第1読み出し方法が行われ、第2動作では第1読み出し方法と異なる第2読み出し方法が行われる。
第1動作では、第1転送ゲートをオンし第1信号を読み出した後に、入力ノードに転送された第1光電変換素子にて生じた電荷を保持した状態で、画素から第1転送ゲート及び第2転送ゲートをオンにして第2信号を読み出す。そして、第2動作では、第1転送ゲートをオンし入力ノードに転送された第1光電変換素子にて生じた電荷を保持した状態で、第1転送ゲート及び第2転送ゲートをオンにして第2信号を読み出す。
このような動作によって、いずれの読み出し方法においても、第2信号を読み出す際に、入力ノードには第1光電変換素子の電荷が保持された状態となる。よって、2つの読み出し方法における第2信号を読み出す際の転送動作における状態を近づけることができる。ここで、転送動作における状態とは、電荷を転送する際のフローティングディフュージョン領域(以下、FD領域)の電位の違いや、転送ゲートをオンする回数や、転送ゲートをオンしている時間などである。以上の方法によって、2つの異なる読み出し方法で取得される画像用の信号の間における信号ばらつきを低減することが可能となる。なお、読み出すとは、第1信号と第2信号が画素から出力され使用可能な状態となることを意味する。
以下、本発明の光電変換装置について、実施形態を用いて説明する。各実施形態は、適宜変更ができ、適宜組み合わせることもできる。
(第1実施形態)
本実施形態の光電変換装置及びその駆動方法について、図1〜図5を用いて説明する。各図において、同一の構成あるいは信号には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。まず、本実施形態の光電変換装置の構成の概略について、図1を用いて説明する。図1は、光電変換装置の構成を模式的に示す回路図である。
光電変換装置100は、画素アレイ10、信号処理回路40、垂直走査回路12、水平走査回路13、タイミングジェネレータ(以下、TG)14、ランプ信号発生回路15を有している。
画素アレイ10は、行方向及び列方向に沿って2次元マトリクス状に配列された複数の画素20を有している。図1には図面の簡略化のために2行2列の画素アレイ10を示しているが、行方向及び列方向に配置される画素20の数は特に限定されるものではない。それぞれの画素20は、複数の光電変換素子と、複数の転送ゲートを有する。例えば、光電変換素子と転送ゲートは1対1で対応している。複数の光電変換素子は、例えば、フォトダイオード(以下、PD)22、26であり、複数の転送ゲートは、転送トランジスタ24、28のゲートである。更に、それぞれの画素20は、リセットトランジスタ30と、増幅トランジスタ32と、選択トランジスタ34とを有しているが、これには限定されない。例えば、画素20は、選択トランジスタ34を有していなくてもよく、電荷を保持する容量や隣接するFD領域36を接続するスイッチを有していてもよい。ここで、増幅トランジスタ32は増幅部とも称し、リセットトランジスタ30はリセット部とも称する。各トランジスタは、例えば、MOSトランジスタである。
第1光電変換素子を構成するPD22のアノードは接地電圧線に接続され、カソードは転送トランジスタ24のソースに接続されている。第2光電変換素子を構成するPD26のアノードは接地電圧線に接続され、カソードは転送トランジスタ28のソースに接続されている。転送トランジスタ24、28のドレインは、リセットトランジスタ30のソース及び増幅トランジスタ32のゲートに接続されている。転送トランジスタ24、28のドレイン、リセットトランジスタ30のソース及び増幅トランジスタ32のゲートの接続ノードは、FD領域36を構成する。ここで、接続ノードは、増幅部の入力ノードとも言える。リセットトランジスタ30及び増幅トランジスタ32のドレインは、電源電圧線に接続されている。増幅トランジスタ32のソースは、選択トランジスタ34のドレインに接続されている。転送トランジスタ24、28と、リセットトランジスタ30と、増幅トランジスタ32と、選択トランジスタ34は、PD22、26において生成された電荷に基づく信号を読み出すための画素の読み出し部を構成する。なお、読み出し部は少なくとも増幅トランジスタ32を含めばよい。
図1において、画素アレイ10の各行には、行方向に延在して、信号線TX1、信号線TX2、信号線RES、信号線SELが、それぞれ配置されている。信号線TX1は、行方向に並ぶ画素20の転送トランジスタ24のゲートにそれぞれ接続され、信号線TX2は、行方向に並ぶ画素20の転送トランジスタ28のゲートにそれぞれ接続されている。信号線RESは、行方向に並ぶ画素20のリセットトランジスタ30のゲートにそれぞれ接続され、信号線SELは、行方向に並ぶ画素20の選択トランジスタ34のゲートにそれぞれ接続されている。信号線TX1、TX2、RES、SELのそれぞれは、各行方向に並ぶ画素20の各素子に対して、共通の信号線(1本の信号線)である。図1では、各信号線の名称に、行番号に対応した番号をそれぞれ付記している。N行目の各信号線は、RES(N)、SEL(N)、TX1(N)、TX2(N)とし、1行目の各信号線は、RES(1)、SEL(1)、TX1(1)、TX2(1)と示す。
垂直走査回路12は、TG14からのタイミング信号に基づいて画素20を行ごとに選択して、画素20から信号を出力させるものである。信号線TX、RES、SELは、垂直走査回路12に接続されている。信号線TX1、TX2には、垂直走査回路12から、転送トランジスタ24、28を駆動するための制御信号が供給される。信号線RESには、垂直走査回路12から、リセットトランジスタ30を駆動するための制御信号が供給される。信号線SELには、垂直走査回路12から、選択トランジスタを駆動するための制御信号が供給される。
画素アレイ10の各列には、列方向に延在して、垂直信号線38がそれぞれ配置されている。垂直信号線38は、列方向に並ぶ画素20のそれぞれの選択トランジスタ34のソースに接続され、複数の画素20に共通に設けられた信号線である。各列の垂直信号線38には、信号処理回路40と電流源42とが、それぞれ接続されている。電流源42は、例えば、電流値が切り替え可能な電流源であってもよく、定電流源であってもよい。電流源42は、増幅トランジスタ32とソースフォロワ回路を構成する。
信号処理回路40は、画素アレイ10から出力された信号を処理するためのものである。信号処理回路40は、クランプ動作のための容量C0、C3、C4と、フィードバック容量である容量C2と、スイッチSW1〜SW3と、オペアンプ44と、比較回路46と、カウンタ回路48と、メモリ50とをそれぞれ有している。オペアンプ44の反転入力端子は、容量C0を介して垂直信号線38に接続されている。オペアンプ44の正転入力端子には、基準電圧Vrefが与えられている。オペアンプ44の反転入力端子と出力端子との間には、容量C2とスイッチSW1とが並列に接続されている。オペアンプ44の出力端子は、容量C3を介して比較回路46の一方の入力端子に接続されている。容量C3と比較回路46との接続ノードと、固定電圧線(例えば、電源電圧線)との間には、スイッチSW2が接続されている。比較回路46の他方の入力端子には、容量C4を介してランプ信号発生回路15が接続されている。ランプ信号発生回路15は、TG14からのタイミング信号に基づいて、信号処理回路40における信号の処理の際に用いられるランプ信号を発生するための回路である。容量C4と比較回路46との接続ノードと、固定電圧線(例えば、電源電圧線)との間には、スイッチSW3が接続されている。スイッチSW1〜SW3には、これらスイッチのオン、又はオフを切り替えるための制御信号が、信号線(不図示)によってそれぞれ印加される。比較回路46の出力端子には、カウンタ回路48が接続されている。カウンタ回路48には、TG14とメモリ50とが接続されている。メモリ50には、水平走査回路14が接続されている。
次に、図2を用いて、画素20の構造について説明する。図2(a)は、画素20を示す平面模式図であり、図2(b)は画素20を示す断面模式図である。図1と同一の構成に対しては、同一の符号を付し、説明を省略する。
図2(a)は、4つの画素20を含む画素アレイ10の平面模式図である。ここで、平面模式図とは、任意の構成をある平面に投影した正射影図とも言える。図2(b)は、図2(a)のA−A′線における断面模式図である。図1に示す回路構成の画素アレイ10は、例えば図2(a)に示す平面レイアウトによって実現することができる。図2(a)において点線で囲まれた単位領域が、画素20である。各画素20に対して、マイクロレンズ(ML)60がそれぞれ配置されている。つまり、光電変換装置100には、複数のML60からなるMLアレイが設けられている。各画素20には、PD22、26が設けられており、上述の複数のトランジスタ24、28、30、32、34がPD22、26に対応して設けられている。ここで、図2(a)における符号24、28、30、32、34は、図1の各トランジスタ24、28、30、32、34のゲートを指している。ゲートと隣接する領域がソースあるいはドレインである。FD領域36は、転送トランジスタ24、28のドレインと、増幅トランジスタ32のゲートと、リセットトランジスタ30のソースがコンタクトプラグと配線によって接続されることによって構成されている。
各画素20は、図2(b)に示すように、PD22、26とML60との間に、1つの色に対応した(単色の)カラーフィルタ62を有している。ここで、面P1はPD22、26の受光面であり、例えば、シリコン半導体基板の表面である。面P1とカラーフィルタ62との間には、半導体の配線構造が設けられていてもよく、面P1と反対側の面P2に配線構造が設けられていてもよい。
ここで、1つの画素20が有する複数の光電変換素子、ここではPD22、26を一括して示す際は、「受光部」と表記するものとする。1つのML60は、1つの受光部を覆うように配置され、光束を受光部に集光する。つまり、1つのML60は1つの受光部に対応して設けられている。また、1つのML60によって集光された光は、1つのML60に対応して設けられた受光部の複数の光電変換素子に入射する。本実施形態では、受光部は2つの光電変換素子を含むが、より多くの光電変換素子を含んでいてもよい。
ここで、位相差検出方式について説明する。光電変換装置は、受光部に対して1つのML60が割り当てられた構成を有する。この構成によって、撮影レンズの瞳における互いに異なる領域を通過した光を該複数の光電変換素子で検出することができる。撮像レンズとは、光電変換装置の撮像面に被写体の像を形成するためのレンズである。この撮影レンズの瞳における互いに異なる領域を第1領域、第2領域とする。第1領域を通過した光は第1光電変換素子で検出される。第1光電変換素子で検出された信号をA信号とする。そして、第2領域を通過した光は第2光電変換素子で検出される。第2光電変換素子で検出された信号をB信号とする。各画素20におけるA信号から第1像が形成され、各画素20におけるB信号から第2像が形成される。第1像と第2像のずれから、撮影レンズによって形成される像と光電変換装置の撮像面とのずれ量(即ちデフォーカス量)または被写体までの距離を検出することができる。このような方式は、位相差検出方式と呼ばれる。ここで、通常の画像信号としては、1つのML60の下にある全ての光電変換素子の信号が加算され、本実施形態では、第1光電変換素子で検出された信号と第2光電変換素子で検出された信号を加算した信号(以下、A+B信号)が用いられる。
次に、本実施形態の光電変換装置の駆動方法について図3〜図5を用いて説明する。まず、図3及び図4を用いて、画素20の2つの駆動方法について説明する。図3は、画素アレイ10を説明する模式図である。図4は、駆動方法を示すタイミング図である。
図3は、画素アレイ10の一部を模式的に示した図であり、画素20が16行16列で配列した様子を示している。ここで、水平方向に並ぶ数字は列番号を示し、垂直方向に並ぶ数字は行番号を示す。図3において、3、6、9、12、15行目のそれぞれには、少なくとも1つの焦点検出用の信号を読み出すための画素20が配されている。これらの行を焦点検出用の画素行とする。その他の行の画素は、画像用の信号を読み出すための画素20が配されている。その他の行を画像用の画素行とする。焦点検出用の信号を読み出すための画素20からは、上述のA信号と、A+B信号とを読み出し、A+B信号からA信号を差し引くことでB信号を取得する。画像用の信号を読み出すための画素20からは、上述のA+B信号を読み出す。つまり、本実施形態における2つの異なる読み出し方法とは、焦点検出用の信号と画像用の信号の両方を取得する読み出し方法(期間101)と、画像用の信号のみを取得する読み出し方法(期間102)である。なお、期間101の読み出し方法の動作を第1動作とし、期間102の読み出し方法の動作を第2動作とする。第1動作を行うステップを第1ステップとし、第2動作を行うステップを第2ステップとする。
図4を用いて、焦点検出用の信号を読み出すための画素20と、画像用の信号を読み出すための画素20の読み出し方法を説明する。図4は、この画素アレイ10における行ごとの動作順序を示したタイミング図である。図4において、横軸は時間を示しており、縦方向は図3に示す画素アレイ10の行の番号に対応している。図4において、信号の読み出しは、信号VDと信号HDによって制御され、1行目から16行目まで順次行われる。信号VDは垂直同期信号や、フレーム識別信号等と称され、Hレベルになると垂直走査が始まり、1行目から次の行へと信号読み出し動作が開始される。信号HDは水平同期信号とも称し、Hレベルになると各行の信号読み出し動作が開示され、再び、Hレベルになると次の行の信号読み出しに移行する。例えば、時刻t50で信号HDがHレベルになると、1行目の信号の読み出しが始まり、時刻t51で信号HDがHレベルとなると3行目の信号の読み出しが始まり、時刻t52で信号HDがHレベルとなると4行目の信号の読み出しが始まる。図4において、各期間101と102は重なっておらず、順次、信号の読み出しが行われる。ここで、信号VDがHレベルとなった時刻t50から、再びHレベルになる時刻t53までの期間は、1垂直走査期間であり、1フレームともいう。なお、期間101における画像用のA+B信号と、期間102における画像用のA+B信号の間で、読み出し方法が異なり、転送動作の状態が異なると、重畳するノイズの量に差が生じてしまい、画像に横縞が生じてしまう。読み出し方法の状態とは、具体的には、転送トランジスタやリセットトランジスタの駆動回数や、転送ゲートのオンオフの回数や、オンの期間や、FD領域36の電位の状態である。
次に、期間101及び期間102の読み出し方法について説明するために、図5を用いて、詳細な駆動方法を説明する。図5は、第1実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。図5(a)は、期間101の読み出し方法(第1読み出し方法)を説明するための図であり、図5(b)は、期間102の読み出し方法(第2読み出し方法)を説明するための図である。期間101は、図5(a)の時刻t11以降〜時刻t28の期間であり、期間102は、図5(b)の時刻t31〜時刻t44の期間である。以下の説明において、転送トランジスタ24、28、リセットトランジスタ30、選択トランジスタ34、スイッチSW1〜SW3は、供給される各制御信号に応じて次のように動作するものとする。制御信号として、Highレベル(以下、Hレベル)の信号が印加されると、トランジスタ、又はスイッチは導通(オン)状態となる。また、制御信号としてLowレベル(以下、Lレベル)の信号が印加されると、トランジスタ、又はスイッチが非導通(オフ)状態となる。
図5(a)は、縦軸に信号HD、信号PRES、信号PSEL、信号PSW1〜PSW3、信号PTX1、信号PTX2、信号V1、信号VRAMP、信号LAT、信号VSIGOUTをとり、横軸に時間をとっている。信号PRES、信号PSEL、信号PTX1、信号PTX2は、それぞれ図1の信号線RES、SEL、TX1、TX2に供給される制御信号である。信号PSW1〜PSW3は、それぞれ図1のスイッチSW1〜SW3に供給される制御信号である。信号V1はオペアンプ44の出力信号であり、信号VRAMPはランプ信号発生回路52から出力されるランプ信号であり、信号LATは比較回路46から出力されるラッチ信号である。信号VSIGOUTは、信号線SIGOUTから出力される信号である。
まず、時刻t11において、信号HDがHレベルとなり、図4に示す1行目の画素20からの読み出し動作が開始される。同じく時刻t11において、Hレベルの信号HDによって、垂直走査回路12は信号線RESにHレベルの信号PRESを供給することで、リセットトランジスタ30がオンする。これにより、入力ノードであるFD領域36がリセットトランジスタ30を介して電源電圧線に電気的に接続され、FD領域36がリセットレベルの電位にリセットされる。また、時刻t11において、垂直走査回路12は、信号線SELにHレベルの信号PSELを供給することで、選択トランジスタ34がオンする。これにより、増幅トランジスタ32のソースには、垂直信号線38及び選択トランジスタ34を介して電流源42からバイアス電流が供給され、増幅トランジスタ32がソースフォロワ回路として機能する。そして、FD領域36がリセットレベルの電位であるときの信号が、選択トランジスタ34を介して垂直信号線38に出力される。また、時刻t11において、信号PSW1〜PSW3がHレベルであることで、スイッチSW1〜SW3がオンする。スイッチSW1がオンすることで、オペアンプ44の出力端子と入力端子とが短絡状態となり、オペアンプ44がリセットされる。それと同時に、SW2、SW3がオンすることで、容量C3、C4がリセットされる。
次いで、時刻t12において、信号PRESをLレベルにする。この時、リセットトランジスタ30がオフとなる。信号PRESがHレベルからLレベルに変わるとき、リセットトランジスタ30で生じるチャージインジェクションによって増幅トランジスタ32の入力ノードの電位が変化する。これにより、垂直信号線38に出力される信号の信号レベルも変化する。
また、同じく時刻t12において、信号PSW1〜PSW3をLレベルにする。これにより、容量C0、C3、C4には、信号PSW1〜PSW3がLレベルになる前の垂直信号線38に出力された画素20からの信号に基づく信号が、それぞれ保持される。垂直信号線38の信号は、容量C0を介してオペアンプ44の反転入力端子に入力される。これにより、オペアンプ44は、信号を増幅し、容量C3に出力する。ここで、オペアンプ44の帰還経路には容量C2が接続されているため、容量C0と容量C2との比によってゲインが決定される。容量C3に出力される信号は、オペアンプ44にて増幅された信号に、オペアンプ44のオフセット信号Voffが重畳された信号である。そして、比較回路46に、オペアンプ44から出力された信号が容量C3を介して入力される。
次に、時刻t13にて、ランプ信号発生回路52によって、信号VRAMPの値を増大させ始める。ランプ信号発生回路52は、容量C4を介して比較回路46へ信号VRAMPを供給する。ここで、信号VRAMPとは、時間に依存して電圧値が徐々に変化(増大)するランプ信号を含み、比較回路46においてアナログ信号と比較される参照信号の一例である。
比較回路46は、容量C3を介してオペアンプ44から入力された信号と、容量C4を介してランプ信号発生回路52から供給された信号VRAMPとの比較動作を開始する。比較回路46は、比較結果に基づく信号である信号LATをカウンタ回路48に出力する。具体的には、比較回路46は、比較する2つの信号の大小関係が逆転したときに、信号LATをLレベルからHレベルに変化させる。
カウンタ回路48には、TG14からクロックパルスである信号CLKが入力される。カウンタ回路48は、ランプ信号発生回路52が信号VRAMPの電圧値を増加させることを開始すると同時に信号CLKの計数を開始し、計数結果であるカウント信号をメモリ50に出力する。そして、信号LATがHレベルに変化したとき、カウンタ回路48は信号CLKの計数を終了し、メモリ50は信号LATが変化したときのカウント信号を保持する。
図5(a)においては、時刻t14において、容量C3を介してオペアンプ44から入力された信号と、容量C4を介して入力された信号VRAMPとの大小関係が逆転する。そして、比較回路46がカウンタ回路48にHレベルの信号LATを出力する。このHレベルの信号LATを受けたカウンタ回路48は、カウント信号のメモリ50への出力を停止し、メモリ50がこの時刻t14でのカウント信号を保持する。ランプ信号発生回路52は、時刻t15で信号VRAMPを増大させることを終了する。なお、本例では、Hレベルの信号LATを受けたカウンタ回路48は、カウント信号のメモリ50への出力を停止するが、カウンタ回路48がカウント動作を停止するように構成しても良い。以下で説明する同様の動作についても出力を停止するほかに、動作を停止するように変更することができる。
この時刻t13〜時刻t15において行われる比較回路46、カウンタ回路48、メモリ50の動作によって、オペアンプ44から容量C3を介して出力されたアナログ信号は、デジタル信号に変換(デジタル変換)される。この得られたデジタル信号がN信号である。N信号には、リセットトランジスタ30がリセッットした際のノイズ信号、オペアンプ44のオフセット信号Voff、及び比較回路46のオフセット信号などの少なくとも1つ信号が含まれうる。
次いで、時刻t16にて、垂直走査回路12は、Hレベルの信号PTX1を出力し、転送トランジスタ24をオンする。これにより、PD22において生成された電荷がFD領域36に転送される。そして、垂直信号線38には、PD22から転送された電荷の量に応じたFD領域36の電位に基づく信号が、選択トランジスタ34を介して出力され、容量C0に保持される。
時刻t17において、信号PTX1をLレベルにする。オペアンプ44は、画素20から容量C0を介して入力される信号を増幅し、容量C3を介して比較回路46に出力する。そして、時刻t18において、ランプ信号発生回路52は、容量C4を介して比較回路46へ供給する信号VRAMPを増加させ、比較回路46は、オペアンプ44から容量C3を介して入力された信号と信号VRAMPとの比較動作を開始する。また、カウンタ回路48も、先のN信号の場合と同様に、信号VRAMPの信号レベルを増加させるのと同時に信号CLKの計数を開始する。
図5(a)においては、時刻t19において、容量C3を介してオペアンプ44から入力された信号と、容量C4を介して入力された信号VRAMPとの大小関係が、逆転する。この動作の後は、時刻t14、t15と同様の動作が行われる。つまり、Hレベルの信号LATにより、メモリ50は、この時刻t19におけるカウント信号を保持し、ランプ信号発生回路52は、時刻t20信号VRAMPを増加させることを終了する。
この時刻t18から時刻t20までにおいて行われる比較回路46、カウンタ回路48、メモリ50の動作によって、オペアンプ44から容量C3を介して出力されたアナログ信号が、デジタル変換される。この得られたデジタル信号がS信号であり、A信号である。つまり、S信号は、画像用、及び焦点検出用の信号であり、例えば、1つのPD22において生じた電荷に基づく信号がA信号である。S信号には、更に、信号リセットトランジスタ30がリセットした際のノイズ信号、オペアンプ44のオフセット信号Voff、及び比較回路46のオフセット信号などの少なくとも1つの信号が含まれうる。なお、S信号には、このA信号と、後述するA+B信号とがある。本実施形態による光電変換装置の駆動方法では、A信号とA+B信号とを時分割で出力する。
次いで、時刻t21において、メモリ50に保持されたN信号及びA信号を、出力信号SIGOUTとして、メモリ50から光電変換装置の外部へ転送する。ここで、光電変換装置の外部とは、例えば後述の撮像システム1000の映像信号処理部1300(図10参照)が該当する。なお、映像信号処理部1300は、光電変換装置の一部、すなわち、光電変換装置と同一のチップ上に配置されていてもよい。水平走査回路13は、TG14からのタイミング信号に基づいて各列のメモリ50を順次選択し、各列のメモリ50が保持しているN信号及びA信号を、映像信号処理部1300へ順次転送する。
なお、本実施形態では、N信号及びA信号の光電変換装置の外部への転送を時刻t20から行っているが、後述する時刻t21の動作と順番が前後してもよい。A信号及びN信号の転送は、後述するA+B信号がデジタル変換される処理が終了する時刻t26までに終了することが好ましい。これにより、後述するA+B信号及びN信号の転送をA+B信号のデジタル変換の終了後に直ちに行うことができるため、読み出し時間を短くすることができる。
次いで、時刻t22において、垂直走査回路12は、信号線TX11、TX12にHレベルの信号PTX1、PTX2を供給し、転送トランジスタ24、28をオンにする。これにより、PD22、26における光電変換によって生成された電荷がFD領域36に転送され、FD領域36はPD22、26の両方からの電荷を保持する。そしてその結果、垂直信号線38には、PD22、26の電荷の総量に応じたFD領域36の電位に基づく信号が、選択トランジスタ34を介して出力される。なお、時刻t22の前には、時刻t16の動作によってPD22にて生じた電荷がFD領域36に転送された状態である。
画素20が垂直信号線38を介して信号を容量C0に出力した後、時刻t23において、信号PTX1と信号PTX2をLレベルにする。オペアンプ44は、画素20から容量C0を介して入力される信号を増幅し、容量C3を介して比較回路46に出力する。そして、時刻t24において、ランプ信号発生回路52は、容量C4を介して比較回路46へ供給する信号VRAMPを増大させ、比較回路46は、オペアンプ44から容量C3を介して入力された信号と信号VRAMPとの比較動作を開始する。また、カウンタ回路48も、先のN信号の場合と同様に、信号VRAMPの信号レベルを増加させるのと同時に信号CLKの計数を開始する。
図5(a)においては、時刻t25において、容量C3を介してオペアンプ44から入力された信号と、容量C4を介して入力された信号VRAMPとの大小関係が、逆転する。すると、比較回路46は、カウンタ回路48にHレベルの信号LATを出力する。この信号LATを受けたカウンタ回路48は、カウント信号のメモリ50への出力を停止する。メモリ50は、この時刻t25でのカウント信号を保持する。ランプ信号発生回路52は、時刻t26で信号VRAMPを増大させることを終了する。
この時刻t24から時刻t26までにおいて行われる比較回路46、カウンタ回路48、メモリ50の動作によって、オペアンプ44から容量C3を介して出力されたアナログ信号が、デジタル変換される。この得られたデジタル信号がS信号であり、A+B信号である。上述のように少なくとも2つのPD22、26において生じた電荷に基づく信号がA+B信号である。
なお、N信号、S信号のためのデジタル変換のうち、N信号のデジタル変換の期間はS信号のそれよりも短い。それは、一般的に、N信号はノイズ成分やオフセット成分が主であるので、N信号の信号範囲がS信号の信号範囲よりも狭いためである。この時、信号VRAMPを変化させる期間を短くすることができるため、1行の画素20の信号の読み出し期間を短縮することができる。
次いで、時刻t27において、N信号と、A+B信号とを、出力信号SIGOUTとして、時刻t21と同様に、メモリ50から光電変換装置の外部へ転送する。光電変換装置の外部とは、例えば、図10に示すような撮像システム1000の映像信号処理部1300が該当する。映像信号処理部1300で行われる処理は、後述する。このようにして、PD22において生成された電荷に基づく信号(A信号)、PD26において生成された電荷に基づく信号(B信号)、PD22、26において生成された電荷に基づく信号(A+B信号)が取得できる。
この後、時刻t28において、信号HDがHレベルとなり、上述の手順と同様にして2行目以降の画素20からの読み出し動作が開始される。
次に、図5(b)を用いて、期間102の読み出し方法について説明する。図5(b)も、縦軸に信号HD、信号PRES、信号PSEL、信号PSW1〜PSW3、信号PTX1、信号PTX2、信号V1、信号VRAMP、信号LAT、信号VSIGOUTをとり、横軸に時間をとっている。図5(a)と同一の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
ここで、図5(b)の時刻t31〜時刻t35までの期間は、図5(a)の時刻t11〜15までの期間とそれぞれの時刻において同一の動作を行っており、同一のN信号の読み出し動作を行っている。また、図5(b)の時刻t38〜時刻t44までの期間は、図5(a)の時刻t22〜時刻t28までの期間とそれぞれの時刻において同一の動作を行っており、同一のA+B信号の読み出し動作を行っている。
ここで、図5(b)では、図5(a)の時刻t16〜時刻t21までの期間の動作(A信号の読み出し動作)を行っていない。そして、図5(b)では、時刻t36にて信号PTX1をHレベルにし、時刻t37においてLレベルにする動作を行っている。まず、時刻t36において、転送パルス信号PTX1をHレベルにし、転送トランジスタ24をオンする。これにより、PD22において光電変換によって生成された電荷が、増幅トランジスタ32の入力ノード、すなわちFD領域36に転送される。その結果、垂直信号線38には、PD22の電荷の総量に応じた増幅トランジスタ32の入力ノードの電位に基づく信号、すなわちA信号が、選択トランジスタ34を介して出力される。その後、時刻t37で信号PTX1をLレベルにする。つまり、時刻t38の動作の前には、増幅トランジスタ32のゲート電圧及び、垂直信号線38には、PD22の電荷の総量に応じた電位となっており、これらの状態は、図5(a)の時刻t22の動作の前と同一の状態となっている。このような動作によって、転送動作の状態を近づけることができるため、期間101の読み出し動作と、期間102の読み出し動作の間で、ばらつきの少ない画像用の信号を読み出すことができる。
なお、図5(b)の時刻t36〜時刻t37の間の動作は、転送動作の状態を合わせるために行っている動作であるため、この動作に伴って出力される信号を光電変換装置の外部へ読み出す必要はない。
このような図5(a)及び図5(b)の読み出し動作を、図4に示す期間101、102にそれぞれ行うことで、画像用の信号及び焦点検出用の信号を読み出しつつ、画像用の信号のばらつきを低減することができる。
以上のように、本実施例ではA+B信号のみを取得する際、実際に読み出す事の無いA信号の読み出し動作のうち電荷の転送動作を行うことで、2つの動作の間において、FD領域36の電位を同様の状態にすることができる。よって、A+B信号のみを読み出す場合と、A信号とA+B信号とを読み出す場合の画像用の信号のばらつきを低減することができる。
また、転送トランジスタに供給される制御信号の駆動回数(Hレベルへの遷移回数)を、図5(a)における動作と図5(b)における動作で同一にすることが可能となる。具体的には、図5(a)においては、転送トランジスタへ供給される制御信号の駆動回数が信号PTX1の時刻t16と、信号PTX1の時刻t22と、信号PTX2の時刻t22の3回である。図5(b)においては、信号PTX1の時刻t38と、信号PTX2の時刻t38の2回であるところ、信号PTX1の時刻t36の動作が行われているため、3回となる。このような動作を行うことで、例えば、FD領域36への転送トランジスタ24、28のHレベルへの遷移及びLレベルへの遷移において生じるトランジスタのスイッチングによるノイズのばらつきを減らすことが可能となる。第1読み出し方法で取得する第2信号に重畳するノイズと、第2読み出し方法で取得する第2信号に重畳するノイズとの差を小さくすることができる。よって、2つの読み出し方法で取得する画像用の信号のばらつきを低減することができる。
(第2実施形態)
本実施形態における光電変換装置の駆動方法について図6を用いて説明する。図6は光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。図6は、第1実施形態の図4に対応した図面であり、第1実施形態による光電変換装置及びその駆動方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
本実施形態の光電変換装置の駆動方法は、第1実施形態の光電変換装置の駆動方法と異なり、全行(1行目〜16行目)において、期間101の信号読み出しが終了した後、期間102の信号読み出しを行っている。つまり、信号VDがHレベルになる時刻t50から次にHレベルになる時刻t53の間、すなわち1フレーム期間(フレームA)に、焦点検出用の信号を読み出す。そして、時刻t53以降の1フレーム期間(フレームB)に、画像用の信号を読み出す。
画像用の信号の読み出し周期、すなわちフレームBの動作を行うフレームレートは、静止画や動画のコマ速に相当する。動画の場合には、60fps(frames per second)や30fpsという規格で読み出す必要がある。しかしながら、焦点検出用の信号の読み出し周期、すなわちフレームAの動作を行うフレームレートは、オートフォーカスを行う周期であればよいため、フレームBの動作と対応していなくてもよい。このため、フレームBでは期間102の動作を行い、フレームAでは期間101の動作を行うことができる。
このように、別々のフレームとして読み出す場合にも、フレームAにおける画像用の信号と、フレームBにおける画像用の信号にばらつきが生じてしまうと、複数の画像にレベル差が生じてしまう。複数の画像にレベル差が生じてしまうと、静止画や動画の連続性が保たれなくなる。よって、本実施形態においても、フレームBにおいても、図5(b)に示す期間102の読み出し方法を行うことで、異なる読み出し方法で読み出したA+B信号のレベルを合わせることができる。つまり、第1読み出し方法と第2読み出し方法は、1つのフレームの異なる画素のそれぞれに適用することもでき、ある1つの画素の異なるフレームのそれぞれに適用することもできる。
(第3実施形態)
本実施形態における光電変換装置の駆動方法について図7及び図8を用いて説明する。図7は光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。本実施形態において、第1実施形態による光電変換装置及びその駆動方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
図7(a)は、図4に対応した図面であり、光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。図7(a)では、図4の1行目〜6行目を抽出したタイミング図である。本実施形態では、期間101や期間102を有する読み出し期間の前に、期間103や期間104のリセット期間を有する点が第1実施形態と異なる。リセット期間において、1、2、4、5行目では期間104のリセット動作を行い、3、6行目では期間103のリセット動作を行っている。その後、時刻t74以降において図4の時刻t50あるいは時刻t53の動作を行っている。リセット期間と読み出し期間は、例えば、時刻t72〜時刻t82に示すように同時に設けることができる。
図7(b)は、図7(b)の各期間における転送トランジスタ24、28の動作を示すタイミング図である。図7(b)における符号Aは、信号PTX1に対応し、符号A+Bは、信号PTX1及び信号PTX2に対応する。図7(b)に示すように、例えば、時刻t70〜時刻t73までの1つの期間104においては、時刻t71においてAがHレベルとなり、時刻t72においてA+BがHレベルとなる。つまり、時刻t71において信号PTX1がHレベルとなり、時刻t72において信号PTX1及び信号PTX2がHレベルとなる。そして、時刻t74〜時刻t77の1つの期間102においては、時刻t75においてAがHレベルとなり、時刻t76においてA+BがHレベルとなる。つまり、時刻t75において信号PTX1がHレベルとなり、時刻t76において信号PTX1及び信号PTX2がHレベルとなる。なお、1行目のA+B信号の蓄積時間は、時刻t72〜時刻t76のHレベルがLレベルに遷移した時刻である。また、時刻t78〜時刻t81までの1つの期間103においては、時刻t79においてAがHレベルとなり、時刻t80においてA+BがHレベルとなる。つまり、時刻t79において信号PTX1がHレベルとなり、時刻t80において信号PTX1及び信号PTX2がHレベルとなる。そして、時刻t82〜時刻t85の1つの期間101においては、時刻t83においてAがHレベルとなり、時刻t84においてA+BがHレベルとなる。つまり、時刻t83において信号PTX1がHレベルとなり、時刻t84において信号PTX1及び信号PTX2がHレベルとなる。なお、3行目のA+B信号の蓄積時間は、時刻t80のHレベルがLレベルに遷移した時刻から時刻t84のHレベルがLレベルに遷移した時刻である。ここで、期間103は期間104よりも長い期間を有する。それは、期間101における信号の読み出しに必要な時間と同等のタイミングで期間103のリセット動作を行うためである。
また、リセット期間においてAとA+Bのうち、A+Bを行えばリセット動作は可能である。しかし、本実施形態においては、期間103においてもAをHレベル、すなわち信号PTX1をHレベルにし、転送トランジスタ24のゲートをオンさせる。期間103において期間101と同様のゲートの駆動を行うことで、FD領域36の状態を異なる期間で近づけることや、S信号に重畳するゲートの駆動によって生じるノイズ成分を、N信号にも与えることができる。よって、S信号とN信号の差分を取る際に、ノイズばらつきを低減することができ、信号ばらつきを低減することができる。更に、期間104においても期間102と同様に、AをHレベルにしている。この動作によって、期間101と期間102のばらつきを低減することに加えて、期間102に取得するS信号と期間104に取得するN信号の差分を取る際における、ノイズのばらつきを低減することができる。
このように、リセット期間と読み出し期間においても、転送トランジスタ24、28の駆動回数を合わせることで、S信号に重畳するノイズとN信号のノイズのばらつきを低減できる。また、N信号同士のばらつきを低減することができる。
次に、期間103と期間104の動作について、図8を用いて詳細に説明する。図8は、第3実施形態の光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。図8(a)は、期間103のリセット方法を説明するためのタイミング図であり、図8(b)は、期間104のリセット方法を説明するためのタイミング図である。図8は、図5と対応した図であり、同一の符号を用いているため、それらの説明を省略する。
図5(a)において、時刻t801にて信号HDがHレベルとなり、図7(a)の1行目の画素20の読み出し動作が開始される。同じく時刻t801において、信号PRESがHレベルとなり、時刻t806までHレベルを維持する。時刻t802において信号PTX1がHレベルとなり、時刻t803において信号PTX1がLレベルとなる。この動作によって、PD22がリセットされる。次に、時刻t804において信号PTX1及び信号PTX2がHレベルとなり、時刻t805において信号PTX1及び信号PTX2がLレベルとなる。この動作によって、PD22、26がリセットされる。このような動作が期間103に行われることで、PD22、26、及びFD領域36がリセットされる。
次に、図5(b)においても同様に、時刻t811にて信号HDがHレベルとなり、図7(a)の1行目の画素20の読み出し動作が開始される。同じく時刻t811において、信号PRESがHレベルとなり、時刻t816までHレベルを維持する。時刻t812において信号PTX1がHレベルとなり、時刻t813において信号PTX1がLレベルとなる。この動作によって、PD22がリセットされる。次に、時刻t814において信号PTX1及び信号PTX2がHレベルとなり、時刻t815において信号PTX1及び信号PTX2がLレベルとなる。この動作によって、PD22、26がリセットされる。このような動作が期間104に行われることによって、PD22、26、及びFD領域36がリセットされる。
このように、読み出し期間の間にリセット期間を設ける動作においても、焦点検出情報と画像情報の両方を取得する場合の画像情報と、画像情報のみを取得する場合の画像情報の画像レベル差を低減することが可能となる。
(第4実施形態)
本実施形態における光電変換装置の駆動方法について図9を用いて説明する。図9は光電変換装置の駆動方法を示すタイミング図である。図9は、図5(b)に対応したタイミング図で、信号PTX1の動作が異なる。本実施形態において、第1実施形態による光電変換装置及びその駆動方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。
図5(b)では、信号PTX1が時刻t36と時刻t38の2回、Hレベルへ遷移している。しかし、図9では、時刻t90において、信号PTX1がHレベルへ遷移し、時刻t40までHレベルを維持する。信号PTX2がHレベルへ遷移する時刻t39の前に、信号PTX1がHレベルになることで、FD領域36の電位の状態を図5(a)の時刻t22の前の状態と同等にすることができる。よって、時刻t38における光電変換素子の電荷の転送動作における転送特性を図5(a)の読み出し方法と同等にすることができる。また、図9の時刻t90〜時刻t40の間の期間と、図5(a)の時刻t16〜時刻t17、及び時刻t22〜時刻t24の間の期間の長さを同等にすることで、信号PTX1がHレベルの時に生じるノイズの量を同等にすることができる。よって、図9の動作によって、図5(a)の読み出し方法の時に生じる転送パルスに依るノイズを同等にすることができる。
本実施形態の読み出し方法によっても、焦点検出用の信号と画像用の信号を読み出す読み出し方法と画像用の信号を読み出す読み出し方法とが混在した場合にも、均質な画像用の信号を取得することが可能となる。
(撮像システムの説明)
図10は、撮像システムの構成を示す概略図である。撮像システムは、例えば、カメラや距離測定装置などであり、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置(例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末)も含まれる。
本実施形態による撮像システム1000は、例えば、光学部1100、光電変換装置100、映像信号処理部1300、記録・通信部1400、タイミング制御部1500、システム制御部1600、及び再生・表示部1700を含む。レンズ等の光学系である光学部1100は、被写体からの光を光電変換装置100の、複数の画素20が2次元マトリクス状に配列された画素アレイ10に結像させ、被写体の像を形成する。光電変換装置100は、タイミング制御部1500からの信号に基づくタイミングで、画素アレイ10に結像された光に応じた信号を出力する。光電変換装置100から出力された信号は、映像信号処理部1300に入力され、映像信号処理部1300が、プログラム等によって定められた方法に従って信号処理を行う。映像信号処理部1300での処理によって得られた信号は画像データとして記録・通信部1400に送られる。記録・通信部1400は、画像を形成するための信号を再生・表示部1700に送り、再生・表示部1700に動画や静止画像を再生・表示させる。記録・通信部1400は、また、映像信号処理部1300からの信号を受けて、システム制御部1600と通信を行うほか、不図示の記録媒体に、画像を形成するための信号を記録する動作も行う。
映像信号処理部1300では、各実施形態において読み出されたN信号、A信号、A+B信号を用いて、次のような処理を行うことができる。例えば、A信号とN信号との差分処理、A+B信号とN信号との差分処理、A+B信号とA信号との差分からB信号を得る処理などである。ここで、B信号とは、PD26のみが保持する電荷の量に応じたFD領域36の電位に基づくデジタル信号である。更に、映像信号処理部1300は、A信号とB信号を用いて、位相差検出方式の焦点検出や、A+B信号を用いて画像を形成することができる。また、A信号、A+B信号に重畳されているノイズ成分は、A信号とA+B信号のそれぞれからN信号を差し引くこと(相関二重サンプリング)によって低減することができる。このノイズ成分は、画素20の転送動作やリセット動作、オペアンプ44のリセット動作やオフセットなどである。
システム制御部1600は、撮像システムの動作を統括的に制御するものであり、光学部1100、タイミング制御部1500、記録・通信部1400、及び再生・表示部1700の駆動を制御する。また、システム制御部1600は、例えば記録媒体である不図示の記憶装置を備え、ここに撮像システムの動作を制御するのに必要なプログラム等が記録される。また、システム制御部1600は、例えばユーザの操作に応じて読み出し方法を切り替える信号を撮像システム内に供給する。具体的な例としては、読み出す行やリセットする行の変更、電子ズームに伴う画角の変更や、電子防振に伴う画角のずらしや、第1〜第4実施形態に記載の読み出し方法の切り替えである。また、システム制御部1600は、光電変換装置100の操作において焦点検出用の信号の読み出しを行う、あるいは画像用の信号のみの読み出しを行う等の制御を行う。タイミング制御部1500は、システム制御部1600による制御に基づいて光電変換装置100及び映像信号処理部1300の駆動タイミングを制御する。
このようにして、第1〜第4実施形態による光電変換装置を用いて撮像システムを構成することにより、高性能の撮像システムを実現することができる。また、撮像システムにおいて説明した映像信号処理部1300やタイミング制御部1500などは、光電変換装置に搭載されていてもよい。
100 光電変換装置
10 画素アレイ
20 画素
12 垂直走査回路
13 水平走査回路
14 タイミングジェネレータ(TG)
15 ランプ信号発生回路
22、26 フォトダイオード(PD)
24、28 転送トランジスタ
36 フローティングディフュージョン領域(FD領域)
60 マイクロレンズ

Claims (11)

  1. 第1光電変換素子と、
    第2光電変換素子と、
    入力ノードを有し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を読み出すための増幅部と、
    前記第1光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードへ転送する第1転送ゲートと、前記第2光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードへ転送する第2転送ゲートと、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子に入射光を集光する1つのマイクロレンズと、をそれぞれが含む第1画素および第2画素を有する光電変換装置であって、
    前記第1画素において、前記第1転送ゲートをオンにすることによって前記入力ノードに前記第1光電変換素子にて生じた電荷を転送し、前記第1光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力し、前記入力ノードに転送された前記第1光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードが保持した状態で、前記第1転送ゲート、及び前記第2転送ゲートをオンにすることによって、前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードに転送し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力する第1動作と、
    前記第2画素において、前記第1転送ゲートをオンにすることによって前記入力ノードに前記第1光電変換素子にて生じた電荷を転送し、前記第1光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力せず、前記入力ノードに転送された前記第1光電変換素子にて生じた電荷を保持した状態で、前記第1転送ゲート、及び前記第2転送ゲートをオンにすることによって、前記第1光電変換素子および前記第2光電変換素子にて生じた電荷を前記入力ノードに転送し、前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を前記光電変換装置が出力する第2動作を行うことを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記第2動作では、前記第1転送ゲートをオンにした後、且つ、前記第1転送ゲートと前記第2転送ゲートをオンにする前に、前記第1転送ゲートをオフすることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
  3. 前記第1動作における前記第1転送ゲートと前記第2転送ゲートのオンの回数の和が、前記第2動作における前記第1転送ゲートと前記第2転送ゲートのオンの回数の和と等しいことを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
  4. 前記第2動作において、前記第1転送ゲートをオンにした後、前記第1転送ゲートをオンの状態で維持し、前記第2転送ゲートをオンすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  5. 前記第1動作と前記第2動作は、1つのフレーム期間に行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  6. 第1フレーム期間に前記第1動作を行い、
    前記第1フレーム期間とは別の第2フレーム期間に前記第2動作が行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  7. 前記第1動作によって読み出された前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号と、前記第2動作によって読み出された前記第1光電変換素子と前記第2光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号は、1つの画像を構成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  8. 前記第1画素と前記第2画素のそれぞれは、更にリセット部を有し、
    前記リセット部をオンにし維持しながら、前記第1転送ゲートをオンにした後に、前記第1転送ゲートと前記第2転送ゲートをオンするリセット動作を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  9. 前記増幅部が出力する信号が入力される信号処理回路をさらに有し、
    前記第2動作において、前記第1転送ゲートをオンにし前記第1光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号が前記増幅部から前記信号処理回路に出力され、
    前記信号処理回路が前記第1転送ゲートをオンにし前記第1光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を保持しないことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  10. 前記第1画素と前記第2画素のそれぞれは、前記第1光電変換素子、及び第2光電変換素子と、前記マイクロレンズとの間に、単色のカラーフィルタを有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  11. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置からの信号を処理する処理部と、を有する撮像システム。
JP2014224750A 2014-11-04 2014-11-04 光電変換装置、撮像システム Active JP6406977B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014224750A JP6406977B2 (ja) 2014-11-04 2014-11-04 光電変換装置、撮像システム
CN201510732280.XA CN105578086B (zh) 2014-11-04 2015-11-02 光电转换装置以及摄像***
US14/930,510 US9456161B2 (en) 2014-11-04 2015-11-02 Photoelectric conversion apparatus, image pickup system, and driving method of the photoelectric conversion apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014224750A JP6406977B2 (ja) 2014-11-04 2014-11-04 光電変換装置、撮像システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016092595A JP2016092595A (ja) 2016-05-23
JP2016092595A5 JP2016092595A5 (ja) 2017-11-30
JP6406977B2 true JP6406977B2 (ja) 2018-10-17

Family

ID=55854158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014224750A Active JP6406977B2 (ja) 2014-11-04 2014-11-04 光電変換装置、撮像システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9456161B2 (ja)
JP (1) JP6406977B2 (ja)
CN (1) CN105578086B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9961271B2 (en) * 2013-11-26 2018-05-01 Nikon Corporation Electronic device, imaging device, and imaging element
TWI717450B (zh) * 2016-02-18 2021-02-01 日商新力股份有限公司 固體攝像裝置、固體攝像裝置之驅動方法、及電子機器
CN114567740A (zh) * 2017-04-05 2022-05-31 株式会社尼康 摄像元件及摄像装置
JP6643291B2 (ja) 2017-09-22 2020-02-12 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
US10630897B2 (en) * 2018-06-01 2020-04-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with charge overflow capabilities
JP7116599B2 (ja) * 2018-06-11 2022-08-10 キヤノン株式会社 撮像装置、半導体装置及びカメラ
US11521996B2 (en) * 2018-07-20 2022-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging panel comprising a photoelectric conversion element and a first pixel circuit, and imaging device
JP2021166354A (ja) * 2020-04-07 2021-10-14 キヤノン株式会社 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置
JP2021176211A (ja) * 2020-05-01 2021-11-04 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換システム
JP7403506B2 (ja) 2021-08-05 2023-12-22 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像装置、機器及び光電変換装置の駆動方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7989749B2 (en) * 2007-10-05 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing shared pixel architecture
JP5080218B2 (ja) * 2007-11-28 2012-11-21 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP5203913B2 (ja) * 2008-12-15 2013-06-05 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の駆動方法
JP2011015219A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP5564874B2 (ja) * 2009-09-25 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5644177B2 (ja) * 2010-05-07 2014-12-24 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
EP2590413A4 (en) * 2010-07-02 2017-03-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid-state image capture element and image capture device comprising said solid-state image capture element, and image capture control method and image capture control program
JP5821315B2 (ja) * 2011-06-21 2015-11-24 ソニー株式会社 電子機器、電子機器の駆動方法
JP5508356B2 (ja) * 2011-07-26 2014-05-28 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、固体撮像装置の製造方法、並びに電子情報機器
JP5888914B2 (ja) * 2011-09-22 2016-03-22 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
JP5755111B2 (ja) * 2011-11-14 2015-07-29 キヤノン株式会社 撮像装置の駆動方法
JP2013157883A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP2013172210A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Canon Inc 撮像装置
JP6004665B2 (ja) * 2012-02-17 2016-10-12 キヤノン株式会社 撮像装置、および撮像システム。
JP5893572B2 (ja) * 2012-03-01 2016-03-23 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法
JP5968146B2 (ja) * 2012-07-31 2016-08-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6099904B2 (ja) * 2012-09-03 2017-03-22 キヤノン株式会社 撮像装置
JP6222915B2 (ja) * 2012-10-29 2017-11-01 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の駆動方法、プログラム及び記録媒体
EP2738812B8 (en) * 2012-11-29 2018-07-18 ams Sensors Belgium BVBA A pixel array
JP6099373B2 (ja) * 2012-11-29 2017-03-22 オリンパス株式会社 固体撮像装置および電子カメラ
JP6346439B2 (ja) * 2013-01-07 2018-06-20 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
KR102007277B1 (ko) * 2013-03-11 2019-08-05 삼성전자주식회사 3차원 이미지 센서의 거리 픽셀 및 이를 포함하는 3차원 이미지 센서
JP2014222863A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 キヤノン株式会社 撮像装置
JP2014225536A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6294648B2 (ja) * 2013-12-06 2018-03-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6442261B2 (ja) * 2014-06-05 2018-12-19 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置、及びその制御方法
JP6254048B2 (ja) * 2014-06-05 2017-12-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR102286109B1 (ko) * 2014-08-05 2021-08-04 삼성전자주식회사 이미지 픽셀, 이를 포함하는 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템
JP6525539B2 (ja) * 2014-10-08 2019-06-05 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105578086A (zh) 2016-05-11
US20160127669A1 (en) 2016-05-05
JP2016092595A (ja) 2016-05-23
CN105578086B (zh) 2018-10-30
US9456161B2 (en) 2016-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6406977B2 (ja) 光電変換装置、撮像システム
US20220329748A1 (en) Comparator, ad converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of controlling comparator
JP6482186B2 (ja) 撮像装置及びその駆動方法
JP6688165B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
US8411157B2 (en) Solid-state image pickup device and image pickup device
JP6120091B2 (ja) 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
US20150215561A1 (en) Solid state imaging apparatus and imaging system
JP2016201649A (ja) 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
US20140320735A1 (en) Image capturing apparatus and method of controlling the same
JP2014039159A (ja) 固体撮像装置および駆動方法、並びに電子機器
JP6445866B2 (ja) 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
US8896736B2 (en) Solid-state imaging device, imaging apparatus and signal reading method having photoelectric conversion elements that are targets from which signals are read in the same group
JP6478718B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
CN108282601B (zh) 图像传感器和摄像设备
JP2017147700A (ja) 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法
TWI401950B (zh) Solid-state imaging elements and camera systems
US9036066B2 (en) Solid-state image pickup device, method of controlling solid-state image pickup device, and image pickup device
JP6702869B2 (ja) イメージセンサ、電子機器、及び、制御方法
US10531018B2 (en) Image sensor for suppressing readout time of image signal and focus detection signal, control method therefor, and image capturing apparatus
JP5177198B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
US11528436B2 (en) Imaging apparatus and method for controlling imaging apparatus
WO2017085848A1 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
WO2023080180A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP6053321B2 (ja) 固体撮像装置
JP7111810B2 (ja) 固体撮像装置および撮像システム

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171018

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180821

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180918

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6406977

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151