JP6403057B2 - β−Ga2O3結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
最近になって、M.Higashiwakiらによる、β-Ga2O3単結晶を用いたパワ−デバイス用FET実現の報告がなされ(非特許文献11)、パワ−デバイス用ワイドギャップ半導体基板実現のための高品質、大形、低価格単結晶製造に強い関心が寄せられている。
これらの結晶成長方法のうち、FZ法は、その結晶成長原理からして、原料融液を保持するための容器が不要であるため、原料を融解する高温度(融点)までの加熱する手段は比較的容易に実現が可能であり、これまでにも多くの研究がされている(非特許文献1〜3、5、7、8)。しかし、FZ法は、その成長原理・温度環境から考察しても、転位等構造欠陥を抑制した高品質結晶の大形化には技術的な限界があり、過去10数年間に多くの検討がされてはいるものの(非特許文献1〜3、5、7、8、特許文献6)、デバイス応用に十分応えられている状況にはないと言える。
しかしながら、Mo及びWは、1800℃を超える高温下で、るつぼ中にβ-Ga2O3を融解した場合、るつぼ材であるMoまたはWの酸化力が大きく、β-Ga2O3を分解して酸素を奪って酸化してしまうことから、るつぼには全く適用できないことが分かっている。その結果、CZ法るつぼ及びEFG法るつぼ及びダイ材料に適用できる高融点金属はIrのみであると認識される。実際に参考論文文献におけるCZ法(非特許文献4、10)、EFG法(非特許文献9)に適用されているるつぼ材は全てIrであることからもこの認識は理解される。
すなわち、Irは1800℃を越える高温炉内で数%を越える酸素分圧下では、Irの酸化反応が進み、安定なるつぼ材料としては適用が困難になることが判明した。一方、β-Ga2O3は、1800℃を越える高温中では10wt%以下の酸素分圧下では酸素を失う分解反応が進行し、安定なβ-Ga2O3融液としては存在が困難な状況になることも判明した。
前記結晶を育成する際、前記るつぼに入れたβ-Ga 2 O 3 原料をβ-Ga 2 O 3 の融点以上で1850℃未満の温度まで加熱して融解した後、前記るつぼ内温度を徐々に降下させるようにするとよい。
また本発明に係るβ-Ga 2 O 3 結晶の製造装置は、VB法またはHB法を適用して、大気中でβ-Ga 2 O 3 結晶を製造する製造装置であって、るつぼが内部に配置されるアダプタと、該アダプタを支持する支持具と、上部が閉止された円筒状をなし、前記アダプタおよび該アダプタ内に配置された前記るつぼを覆う発熱体と、該発熱体を覆う保温材と、前記発熱体を加熱する加熱部とを具備し、
前記るつぼは、Rh含有量10〜20wt%のPt-Rh系合金るつぼであり、前記支持具に貫通孔が設けられ、該貫通孔内に熱電対が配置され、該熱電対の先端が前記るつぼの底面に接触し、前記熱電対の他端が温度検知器に接続されていることを特徴とする。
本発明者は、これらの既存のデータと、発明者による、β-Ga2O3についての精密な融解実験、結晶育成実験結果に基づき、β-Ga2O3結晶の製造に用いるるつぼ材料としては、白金(Pt)とロジウム(Rh)の合金が最も適切であることを見出した。
なお、Pt/Rh合金の融点についての測定実験は、空気中(約20%の酸素分圧)で行ったものであるが、酸素分圧10〜50%のアルゴン(Ar)ガス雰囲気及び酸素分圧10〜20%の窒素(N2)ガス雰囲気下においても、図2に示す結果に大きな相違がないことが確認されている。
結晶育成方法によって、るつぼの局所的な変質・融解あるいは全融解などのトラブルを防止して、安定な結晶成長工程を実現するために必要なるつぼの融点に相違があるのは、各々の結晶育成方法を特徴づけるものであり、特にVB法に適用するるつぼのPt/Rh合金のRh組成が、CZ法、EFG法のるつぼのRh組成と比較して小さいのは、VB法は結晶が直径制御をする必要のない結晶成長方法であることに関係し、妥当な結果であると言える。
本発明に係るβ-Ga2O3結晶の製造方法においては、β-Ga2O3結晶の育成に使用するるつぼ材料として、Irとは異なるるつぼ材料、具体的には、白金(Pt)とロジウム(Rh)の合金材料を使用する。
図3は、β-Ga2O3結晶を育成する育成炉の構成例を示す。この育成炉は酸素雰囲気中(大気中)においてβ-Ga2O3結晶を育成するものである。
るつぼ10とアダプタ12の外側には加熱用の発熱体20が配置される。発熱体20は白金とロジウムの合金(Pt/Rh:70/30wt%)からなる。発熱体20はるつぼ10とアダプタ12の外周囲を覆う大きさで、上部が閉止された円筒状に形成されている。
第1、第2、第3の保温材22、24、26は、効率的な加熱がなされるように設けている。これらの保温材には、ジルコニア、アルミナといった耐熱材が用いられる。
貫通孔の中途の段差部に熱電対のヘッド16がセットされる。熱電対の先端は、アダプタ12にるつぼ10をセットした状態で、るつぼ10の底面に接触するように配置される。熱電対の線材の他端は支持具14の内部を通過して温度検知器まで引き出される。
図3に示す育成炉(加熱炉)を使用し、図4に示すように、るつぼ10にβ-Ga2O3原料を入れてβ-Ga2O3の融解実験を行った。るつぼには、Pt/Rh合金(Pt/Rh:90/10wt%)容器を使用した。
図5に示した温度プロフィールは、室温から一定の温度上昇率を示しているグラフが、1789.2℃において、温度上昇率がいったん鈍化して温度上昇が停滞し、その後、1793.5℃から、再び元の温度上昇率に復帰していることを示す。すなわち、温度上昇率が停滞しはじめた1789.2℃がβ-Ga2O3の材料が融解開始した温度であり、元の温度上昇率に復帰した1793.5℃が、るつぼ中でβ-Ga2O3の材料が完全に融解した温度である。
β-Ga2O3の融点については、従来、1650℃〜1800℃の範囲で種々の値が報告されている。上記融解実験に基づくβ-Ga2O3の融解温度1789.2℃は、β-Ga2O3の融解温度を初めて正確に特定したものである。また、上記融解実験は、1793.5℃(約1795℃)において、るつぼ中でβ-Ga2O3が完全に融解することを示している。したがって、このβ-Ga2O3の融解温度に基づいて、るつぼ材料を選択すること、結晶育成のための温度制御等を行うことにより、確実にβ-Ga2O3の結晶を育成することが可能である。
図8はβ-Ga2O3の他の融解実験例を示す。この融解実験はPt/Rh:70/30wt%からなるPt/Rh合金をるつぼ容器に使用してβ-Ga2O3を融解した実験である。
図8(a)は実験に使用したβ-Ga2O3の原料を示す。原料には、β-Ga2O3の円柱状の焼結体を使用した。
図8(b)はるつぼに、β-Ga2O3の原料を投入した状態(β-Ga2O3原料を立てて収容している)である。
図8(c)は、るつぼ温度を1800〜1860℃程度まで加熱し、室温まで降温させた後のるつぼの状態である。β-Ga2O3の原料が完全に融解され、固化している。
また、前述した融解実験Iとこの融解実験IIは、ともに、大気中(酸化雰囲気中)において実験したものである。これらの実験結果は、Pt/Rh合金からなるるつぼ容器を用いることにより、β-Ga2O3の結晶育成を大気中において行うことができることを示している。
前述した育成炉を使用して、β-Ga2O3の融解実験を行った。るつぼには、Pt/Rh:90/10wt%からなるPt/Rh合金容器を使用した。この融解実験はるつぼを加熱する温度をβ-Ga2O3の融解温度よりもかなり高温域まで上げたときの状態を調べたものである。
図9(a)は、るつぼにβ-Ga2O3の塊状の焼結体を収容した、加熱前の状態を示す。図9(b)は、るつぼをβ-Ga2O3の融解温度以上に加熱した後、室温まで降温させた状態を示す。
この実験では、るつぼが1800〜1860℃程度まで昇温したと推定され、β-Ga2O3の原料が完全に融解する一方、るつぼも部分的に融解する結果となった。
るつぼが部分的に融解した理由は、るつぼの温度が、Pt/Rh合金(Pt/Rh:90/10wt%)の融点である1850℃を超えたためと考えられる。
上述したβ-Ga2O3の融解実験は、いずれも、図3に示す育成路を用いて、大気中(酸化雰囲気中)においてβ-Ga2O3の原料を融解した実験である。比較例として、アルゴンガス雰囲気の育成炉を用いてβ-Ga2O3の原料を融解する実験を行った。
アルゴンガス雰囲気の結晶育成炉としては、るつぼの外側にカーボン発熱体を配置し、るつぼとるつぼを支持する支持具の一部とを、カーボン発熱体と保温材とにより気密に遮蔽し、るつぼが収容されている領域にアルゴンガスを流しながらるつぼを加熱する炉を使用した。
図10(a)に、β-Ga2O3原料をるつぼに入れた状態を示す。図10(b)は、アルゴンガス雰囲気中において、るつぼを1700℃まで加熱した後、室温まで降温した状態を示す。
図10(b)に示すように、β-Ga2O3原料が消失し、るつぼ容器が融解している。これは、アルゴンガス雰囲気中でるつぼを1700℃に加熱したことにより、Ga2O3が還元分解され、Ga金属がるつぼのPt/Rh合金と合金化して融点が低下し、1700℃で融解してしまったことを示す。
この実験結果は、β-Ga2O3原料をるつぼに入れて融解する場合は、β-Ga2O3が融解する高温域ではGa2O3の還元分解反応が進むため、β-Ga2O3が安定した融液として存在することが困難であり、β-Ga2O3の結晶育成には酸化雰囲気中において結晶育成する必要があることを示す。
12 アダプタ
12a セット部
14 支持具
16 ヘッド
20 発熱体
22、24、26 保温材
28 高周波コイル
Claims (2)
- るつぼ容器として、Rh含有量10〜20wt%のPt-Rh系合金るつぼを使用し、大気中において、VB法またはHB法を適用してβ-Ga2O3の結晶を育成することを特徴とするβ-Ga2O3結晶の製造方法。
- VB法またはHB法を適用して、大気中でβ-Ga 2 O 3 結晶を製造する製造装置であって、
るつぼが内部に配置されるアダプタと、
該アダプタを支持する支持具と、
上部が閉止された円筒状をなし、前記アダプタおよび該アダプタ内に配置された前記るつぼを覆う発熱体と、
該発熱体を覆う保温材と、
前記発熱体を加熱する加熱部とを具備し、
前記るつぼは、Rh含有量10〜20wt%のPt-Rh系合金るつぼであり、
前記支持具に貫通孔が設けられ、該貫通孔内に熱電対が配置され、該熱電対の先端が前記るつぼの底面に接触し、前記熱電対の他端が温度検知器に接続されていることを特徴とするβ-Ga2O3結晶の製造装置。
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