JP6397804B2 - 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
(1)電界強度の最大値が半導体基板1の外周端部に位置しないこと。
(2)絶縁性フィルム9の外形は半導体基板1の外形より大きいこと。
(3)接着層10の膜厚と絶縁性フィルム9の膜厚との合計は100μm以上であること。
(4)絶縁性フィルム9は光の透過性に優れたポリイミド系の樹脂であること。
(実施の形態5)
(実施の形態6)
Claims (11)
- 主表面上に、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むターミネーション領域とを含む半導体基板と、
少なくとも前記ターミネーション領域を覆う、熱硬化性の接着層と、
前記接着層を介して前記ターミネーション領域に接着される平板状の絶縁性フィルムと、
を備え、
前記接着層は、前記主表面の外側まで延びており、前記半導体基板の側面の少なくとも一部を覆う、
半導体装置。 - 前記半導体基板の主表面に平行な方向において、前記絶縁性フィルムの外形は、前記半導体基板の主表面の外形より大きい、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記接着層の膜厚と前記絶縁性フィルムの膜厚との合計は、100μm以上である、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記絶縁性フィルムは、可撓性を有する、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記絶縁性フィルムは、ポリイミド系の樹脂であり、光を透過する、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板は、第1導電型を有し、
前記アクティブ領域内に、第2導電型拡散層が形成され、
前記ターミネーション領域は、
前記第2導電型拡散層を囲み前記第2導電型拡散層から離れている複数のガードリングと、
前記半導体基板の端部に位置し前記複数のガードリングから離れている前記複数のガードリングを囲むチャネルストッパと、
前記複数のガードリング及び前記チャネルストッパに夫々接続される複数のフィールドプレート電極と、
を含む、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ターミネーション領域のうち電界強度が最大となる位置は、前記チャネルストッパより内側である、
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記接着層は、前記半導体基板の裏面から離れている、
請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の裏面は、半田層を介して絶縁基板上の配線パターンに接続され、
前記接着層は、前記半導体基板の側面を覆う、
請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
主表面上に、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むターミネーション領域とを含む半導体基板に対し、熱硬化性の接着剤を前記ターミネーション領域上に載せ、
平板状の絶縁性フィルムと前記ターミネーション領域で前記接着剤を挟むことで、前記接着剤の一部を前記主表面の外側へ押し出し、
熱により前記接着剤を硬化させる、
ことを含む製造方法。 - 一対の直流端子と、
前記一対の直流端子の間に接続され、直列接続された複数の半導体スイッチング素子を含む直列接続回路と、
前記直列接続回路内の二つの半導体スイッチング素子の間に接続される交流端子と、
を備え、
前記半導体スイッチング素子は、
主表面上に、アクティブ領域と、前記アクティブ領域を囲むターミネーション領域とを含む半導体基板と、
少なくとも前記ターミネーション領域を覆う、熱硬化性の接着層と、
前記接着層を介して前記ターミネーション領域に接着される平板状の絶縁性フィルムと、
を含み、
前記接着層は、前記主表面の外側まで延びており、前記半導体基板の側面の少なくとも一部を覆う、
電力変換装置。
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