JP6394836B2 - Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本開示は、ＥＳＤ保護デバイスおよびその製造方法に関する。
ＥＳＤ（Electro-Static Discharge：静電気放電）とは、帯電した導電性の物体（人体等）が、他の導電性の物体（電子機器等）に接触、あるいは充分接近したときに、激しい放電が発生する現象である。ＥＳＤにより電子機器の損傷や誤作動等の問題が発生する。これを防ぐために使用されるのがＥＳＤ保護デバイスであり、放電時に発生する過大な電圧が電子機器の回路に加わらないようにする役割を果たしている。
例えば、特許文献１には、ＥＳＤ保護デバイスの放電補助電極が、シェル部の少なくとも一部に空孔が存在するコアシェル構造を有する複数の金属粒子の集合体から構成されることが記載されている。これによれば、絶縁性に対する信頼性を高くすることができるとともに、放電開始電圧を低くすることが可能である。
しかしながら、絶縁性に対する高い信頼性を維持しながら、放電開始電圧をさらに低下することの可能なＥＳＤ保護デバイスに対するニーズが存在している。
そこで、本開示は、絶縁性に対する高い信頼性を有し、放電開始電圧を低下させることの可能なＥＳＤ保護デバイスを提供することを目的とした。
上記課題を解決するため、本開示の一態様に係るＥＳＤ保護デバイスは、
絶縁性基体の表面または内部に、互いに一部が対向するように形成された第１放電電極および第２放電電極と、前記第１放電電極および前記第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有し、
前記放電補助電極が、第１の金属粒子と、第２の金属粒子と、結合剤とを含み、
第１の金属粒子が、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし少なくとも一部に空隙を有するシェル部とからなるコアシェル構造を有し、
第２の金属粒子が、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし空隙のないシェル部とからなるコアシェル構造を有することを特徴とする。
絶縁性基体の表面または内部に、互いに一部が対向するように形成された第１放電電極および第２放電電極と、前記第１放電電極および前記第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有し、
前記放電補助電極が、第１の金属粒子と、第２の金属粒子と、結合剤とを含み、
第１の金属粒子が、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし少なくとも一部に空隙を有するシェル部とからなるコアシェル構造を有し、
第２の金属粒子が、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし空隙のないシェル部とからなるコアシェル構造を有することを特徴とする。
上記の態様によれば、絶縁性に対する高い信頼性を有するとともに、放電開始電圧を低下させることの可能なＥＳＤ保護デバイスを提供できる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの一実施形態においては、前記第１の金属粒子のシェル部の厚さが５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である。これにより、絶縁性に対する信頼性と放電特性をさらに向上させることができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記第２の金属粒子のシェル部の厚さが１ｎｍ以上５０ｎｍ未満である。これにより、電界集中し易くなり、放電開始電圧をさらに低下させることができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記結合剤がガラス質含有物質である。これにより、ガラス質含有物質で金属粒子間を結合させることで、絶縁性に対する信頼性をさらに向上させることができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記第２の金属は、前記第１の金属よりも酸化されやすい。これにより、十分な厚さと均一性を有するシェル部を有するコアシェル構造の金属粒子を製造することができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記第１の金属は、銅または銅を主成分とした銅系合金である。これにより、安価で、絶縁性に対する信頼性をさらに向上できるＥＳＤ保護デバイスを提供することができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記第２の金属の酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウムおよび酸化ニッケルからなる群から選択される少なくとも１種である。これらの金属酸化物は高絶縁性であるため、絶縁性に対する信頼性をさらに向上させることができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記コア部は、副成分として前記第２の金属を含む。これにより、絶縁性に対する信頼性をさらに向上させることができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記金属粒子全体に対する第２の金属粒子の含有率が、２体積％以上３５体積％以下である。これにより、絶縁性に対する信頼性をさらに向上させることができるとともに、放電開始電圧をさらに低下させることができる。
また、本開示のＥＳＤ保護デバイスの別の実施形態においては、前記絶縁性基体の内部に形成された空洞部を有し、前記第１放電電極および前記第２放電電極が前記空洞部を介して互いに一部が対向するように形成される一方、前記放電補助電極は前記空洞部に少なくとも一部が露出するように形成され、さらに前記第１および第２放電電極にそれぞれ電気的に接続される、第１および第２の外部端子電極をさらに有する。空洞部を有しているので、放電開始電圧をより低くすることができる。
また、本開示の一態様に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法は、
第１放電電極および第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有するＥＳＤ保護デバイスの製造方法であって、
第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末と、第１の金属を主成分とするコア部が第２の金属の酸化物を主成分とするシェル部で被覆された金属粒子を含む第２の金属粉末とを含む放電補助電極用ペーストを用いて前記放電補助電極を形成して焼成し、前記第２の金属を前記合金粒子の表面に移動させ、移動した前記第２の金属を酸化させることを含む、ことを特徴とするものである。
第１放電電極および第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有するＥＳＤ保護デバイスの製造方法であって、
第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末と、第１の金属を主成分とするコア部が第２の金属の酸化物を主成分とするシェル部で被覆された金属粒子を含む第２の金属粉末とを含む放電補助電極用ペーストを用いて前記放電補助電極を形成して焼成し、前記第２の金属を前記合金粒子の表面に移動させ、移動した前記第２の金属を酸化させることを含む、ことを特徴とするものである。
上記の態様の製造方法によれば、第１の金属粉末からはシェル部に空隙を有する金属粒子を形成することができ、第２の金属粉末からはシェル部に空隙のない金属粒子を形成することができる。これにより、絶縁性に対する高い信頼性を有するとともに、放電開始電圧を低下させることの可能なＥＳＤ保護デバイスを提供できる。
また、本開示の製造方法の一実施形態においては、前記第２の金属粉末は、メカノフュージョン法により、第１の金属を主成分とする金属粒子を第２の金属の酸化物で被覆して製造される。これにより、より均一な厚さのシェル部を有するコアシェル構造の金属粒子を製造することができる。
また、本開示の製造方法の別の実施形態においては、前記第１の金属粉末は、アトマイズ法により製造される。これにより、比較的広範な組成比の合金を安価に製造できるとともに、高充填な放電補助電極を形成することができるため、放電特性を向上させることができる。
また、本開示の製造方法の別の態様においては、前記ＥＳＤ保護デバイスが、絶縁性基体を有し、該絶縁性基体の内部に、互いに一部が対向するように前記第１放電電極および前記第２放電電極が形成されてなるＥＳＤ保護デバイスであって、
第１および第２のセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを用意し、
前記放電補助電極、前記第１放電電極および前記第２放電電極を第１のセラミックグリーンシート上に形成し、
形成した前記第１放電電極および前記第２放電電極のギャップを覆うように焼失層を形成し、
形成した前記放電補助電極、前記第１放電電極、前記第２放電電極、および前記焼失層を覆うように前記第１のセラミックグリーンシート上に前記第２のセラミックグリーンシートを積層し、
積層後の前記第１放電電極および前記第２放電電極のそれぞれに電気的に接続される、第１外部端子電極および第２の外部端子電極を形成し、
さらに、前記の焼成時に前記焼失層を焼失させて、前記絶縁性基体の内部に空洞部を形成する、ことを含む。空洞部を形成することにより、放電開始電圧をより低くすることができる。
第１および第２のセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを用意し、
前記放電補助電極、前記第１放電電極および前記第２放電電極を第１のセラミックグリーンシート上に形成し、
形成した前記第１放電電極および前記第２放電電極のギャップを覆うように焼失層を形成し、
形成した前記放電補助電極、前記第１放電電極、前記第２放電電極、および前記焼失層を覆うように前記第１のセラミックグリーンシート上に前記第２のセラミックグリーンシートを積層し、
積層後の前記第１放電電極および前記第２放電電極のそれぞれに電気的に接続される、第１外部端子電極および第２の外部端子電極を形成し、
さらに、前記の焼成時に前記焼失層を焼失させて、前記絶縁性基体の内部に空洞部を形成する、ことを含む。空洞部を形成することにより、放電開始電圧をより低くすることができる。
本開示によれば、絶縁性に対する高い信頼性を有した、放電開始電圧をより低下させることの可能なＥＳＤ保護デバイスを提供できる。
以下、本開示の実施の形態を図面を参照して、詳細に説明する。
図１は、本実施の形態に係るＥＳＤ保護デバイスの構造の一例を示す模式縦断面図である。ＥＳＤ保護デバイスＡは、絶縁性基体１の内部に形成された空洞部２と、空洞部２を介して互いに一部が対向するように形成された第１放電電極３および第２放電電極４と、少なくとも一部が空洞部２に露出するとともに、第１放電電極３および第２放電電極４と電気的に接続するように形成された放電補助電極５と、絶縁性基体１の外表面に分離して形成された第１外部端子電極８と第２外部端子電極９を有し、第１外部端子電極８は第１放電電極３に電気的に接続され、第２外部端子電極９は第２放電電極４に電気的に接続されている。放電補助電極５は、導電材料６と、導電材料６同士を結合する結合剤７を含んでいる。導電材料６は、第１の金属粒子６ａと第２の金属粒子６ｂを含んでいる。
絶縁性基体１を構成する材料には、セラミックス材料、例えば、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを主成分として含む低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）を用いることができる。絶縁性基体１は、アルカリ金属成分およびホウ素成分のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。またガラス成分を含んでいてもよい。
第１放電電極３と第２放電電極４の形状は特に限定されないが、例えば帯状形状を用いることができる。第１放電電極３および第２放電電極４は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗやそれらの少なくとも一種を含む合金などの材料で構成することができる。
放電補助電極５は、空洞部２に少なくとも一部が露出するとともに、第１放電電極３および第２放電電極４と電気的に接続するように形成されている。放電補助電極５は、導電材料６と、導電材料６同士を結合する結合剤７を含み、導電材料６は、第１の金属粒子６ａと第２の金属粒子６ｂを含んでいる。第１の金属粒子６ａは、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし少なくとも一部に空隙を有するシェル部とからなるコアシェル構造を有している。また、第２の金属粒子６ｂが、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし空隙のないシェル部とからなるコアシェル構造を有している。
コアシェル構造について、図２の第１の金属粒子の模式断面図を用いて説明する。第１の金属粒子６ａは、コア部６１ａとシェル部６２ａとから構成されている。本発明においては、絶縁性に対する信頼性を実質的に損なわない限り、コア部６１ａの表面にシェル部６２ａにより被覆されていない、未被覆部６２１ａがわずかに存在してもよい。
さらに、本開示におけるシェル部の空隙とは、シェル部内の金属酸化物が存在しない部分であり、コア部６１ａとシェル部６２ａの界面における非接触部６２２ａと、シェル部６２ａ内の空洞６２３ａを含む。第１の金属粒子は、シェル部の少なくとも一部に、上記の非接触部６２２ａおよび空洞６２３ａの少なくともいずれかを、１つまたは複数含んでいる。一方、第２の金属粒子においては、シェル部には非接触部６２２ａと空洞６２３ａは存在しない。ここで、シェル部の空隙の有無は、ＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡）観察により行うことができる。本開示において、シェル部に空隙が存在しないとは、ＳＴＥＭ観察により得られた写真において、金属粒子１００個の断面で、シェル部において、最大幅が１０ｎｍ以上の空隙が１個以下であることをいう。
コア部を構成する第１の金属としては、銅、銀、アルミニウム、モリブデン、タングステン、およびそれらの合金を挙げることができるが、好ましくは、銅または銅を主成分とする銅系合金である。安価で、絶縁性に対する信頼性をさらに向上できるからである。
シェル部の金属酸化物を構成する第２の金属としては、アルミニウム、ニッケル、ビスマス、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、マグネシウム、リン、ケイ素、錫等を挙げることができる。
また、第２の金属としては、第１の金属よりも酸化されやすいものが好ましい。十分な厚さと均一性を有するシェル部を有するコアシェル構造の金属粒子を製造することができる。例えば、第１の金属に銅を用いた場合、第２の金属にはアルミニウムを用いることが好ましい。
また、第２の金属の酸化物は、特に、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウムおよび酸化ニッケルからなる群から選択される少なくとも１種の酸化物であることが好ましい。これらの酸化物は、絶縁性が高いため、放電時の絶縁信頼性をより向上させることができるからである。
また、コア部には、第１の金属に加えて第２の金属を含んでもよい。第１の金属と第２の金属との比率を変化させることで、第２の金属の酸化物により形成されるシェル部の厚さを制御することができるので、絶縁性に対する信頼性をさらに向上させることができるからである。例えば、第１の金属に銅を用いた場合、第２の金属にはアルミニウムを用いることが好ましい。
なお、第１の金属として、銅または銅系金属が用いられ、放電補助電極５が絶縁性基体１と共焼成される場合には、絶縁性基体１はＬＴＣＣから構成されることが好ましい。
また、第２の金属粒子の平均粒径（例えばＤ５０）が、第１の金属粒子の平均粒径よりも小さいことが好ましい。放電補助電極中の第２の金属粒子の含有量を増加させることが可能になり、絶縁性に対する信頼性を確保しながら、放電開始電圧をさらに低下させることが可能となる。
また、第１の金属粒子のシェル部の厚さが５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であることが好ましい。絶縁性に対する信頼性と放電特性をさらに向上させることができる。
また、第２の金属粒子のシェル部の厚さは、第１の金属粒子のシェル部の厚さより薄いことが好ましく、例えば１ｎｍ以上５０ｎｍ未満であることが好ましい。電界集中し易くなり、放電開始電圧をさらに低下させることができる。
また、金属粒子全体に対する第２の金属粒子の含有率が、２体積％以上３５体積％以下、好ましくは２体積％以上２５体積％以下、より好ましくは７体積％以上２５体積％以下である。絶縁性に対する高い信頼性を維持し、放電開始電圧をさらに低下させることができる。
結合剤には、ガラス質含有物質を用いることができる。ガラス質含有物質で前記金属粒子間を結合させることで、絶縁性に対する信頼性をさらに向上させることができるからである。ガラス質含有物質としては、ケイ酸塩ガラス、例えば、ＳｉＯ２−ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＭｎＯ ２ 系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＣａＯ系ガラス等を挙げることができる。
第１外部端子電極８および第２外部端子電極９には、例えば、Ｃｕ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗやそれらの少なくとも一種を含む合金などの材料を用いることができる。
なお、従来のＥＳＤ保護デバイスの放電ギャップ（第１放電電極と第２放電電極の対向部分の間の距離）は、１０μｍ以上５０μｍ以下であるが、本発明では、５μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは６μｍ以上１３μｍ以下の値を用いることができる。
本実施の形態に係るＥＳＤ保護デバイスによれば、第１の金属粒子がシェル部に空隙を有しているので、空隙部分のシェル部の厚さが薄くなる結果、放電開始電圧を低下させることが可能となる。一方、シェル部に空隙を有することで、放電時において空隙が内部放電の起点になる場合があり、特性劣化のおそれがある。そこで、シェル部に空隙のない第２の金属粒子を含有させることで、金属粒子間の短絡を抑制しながら金属粒子の量を増加させることができ、また、絶縁性に対する高い信頼性を確保しながら放電開始電圧をさらに低下させることが可能となる。
次に、本実施の形態に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法について説明する。
本実施の形態に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法は、第１放電電極および第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有するＥＳＤ保護デバイスの製造方法であって、第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末と、第１の金属を主成分とするコア部が第２の金属の酸化物を主成分とするシェル部で被覆された金属粒子を含む第２の金属粉末とを含む放電補助電極用ペーストを用いて前記放電補助電極を形成して焼成し、前記第２の金属を前記合金粒子の表面に移動させ、移動した前記第２の金属を酸化させることを含む、ことを特徴とする。
本実施の形態に係るＥＳＤ保護デバイスの製造方法は、第１放電電極および第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有するＥＳＤ保護デバイスの製造方法であって、第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末と、第１の金属を主成分とするコア部が第２の金属の酸化物を主成分とするシェル部で被覆された金属粒子を含む第２の金属粉末とを含む放電補助電極用ペーストを用いて前記放電補助電極を形成して焼成し、前記第２の金属を前記合金粒子の表面に移動させ、移動した前記第２の金属を酸化させることを含む、ことを特徴とする。
本開示の製造方法によれば、第１の金属粉末からはシェル部に空隙を有する金属粒子（上記の第１の金属粒子に相当する）を形成することができ、第２の金属粉末からはシェル部に空隙のない金属粒子（上記の第２の金属粒子に相当する）を形成することができる。上述のように、絶縁性に対する高い信頼性を確保しながら、放電開始電圧をさらに低下させることが可能なＥＳＤ保護デバイスを製造することができる。
ＥＳＤ保護デバイスの製造例について、図３Ａ〜図３Ｆを用いて説明する。
放電補助電極を形成するため、第１の金属および第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属を含む合金粒子からなる第１の金属粉末を用意する。第１の金属粉末は、アトマイズ法を用いて製造することができる。アトマイズ法によれば、合金の組成の制御が容易である。第１の金属粉末の平均粒径は、メジアン径Ｄ５０を用いると、０．１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。Ｄ５０は、レーザー回折式粒度分布法により求めることができる。
次に、第１の金属を主成分とするコア部が第２の金属の酸化物を主成分とするシェル部で被覆された金属粒子を含む第２の金属粉末を用意する。第２の金属粉末は、コアとなる金属粒子を金属酸化物で被覆する方法、例えばメカノフュージョン法を用いて作製することができる。第２の金属粉末の平均粒径は、メジアン径Ｄ５０を用いると、０．１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上４μｍ以下である。
放電補助電極作製用ペーストを、上記の第１の金属粒子、第２の金属粒子、結合剤、および有機ビヒクルを所定の比率で混合して調製する。
次に、絶縁性基体となる複数のセラミックグリーンシートを用意する。
次に、図３Ａに示すように、第１のセラミックグリーンシート１１上に、上記の放電補助電極用ペーストを用いて、所定寸法の未焼成の放電補助電極１２を形成する。
次に、放電電極用の金属粉末と有機ビヒクルを用いて放電電極用ペーストを調製する。この放電電極用ペーストを、第１のセラミックグリーンシート１１上に、未焼成の放電補助電極１２と一部重なるように塗布して、図３Ｂに示すように、未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４を形成する。未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４は、未焼成の放電補助電極１２上で、所定のギャップＧを隔てて互いに対向する。
次に、図３Ｃに示すように、未焼成の第１放電電極１３と第２放電電極１４との対向ギャップＧを覆うようにして焼失層用樹脂ビーズペーストを塗布して、所定寸法の未焼成の焼失層１５を形成する。未焼成の焼失層１５は、後述する焼成工程において焼失し、後述する空洞部２２を絶縁性基体の内部に残すものである。
なお、上記の第１放電電極１３、第２放電電極１４、放電補助電極１２、および焼失層１５を形成するためのペーストは、対象物上に直接塗布されても、あるいは、転写法などを用いて間接的に塗布されてもよい。
次に、図３Ｄに示すように、第１のセラミックグリーンシート１１上に、ペーストが塗布されていない第２のセラミックグリーンシート１６を積層・圧着して、グリーンシート積層体を得る。ここで、第２のセラミックグリーンシート１６は１枚でも複数枚でもよい。
次に、グリーンシート積層体を所定寸法にカットし、その外表面上に外部端子電極用ペーストを塗布し、未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４にそれぞれ接続される未焼成の外部端子電極１７，１８を形成する。このようにして、図３Ｅに示す未焼成のＥＳＤ保護デバイス１９を得る。
次に、焼成により、図３Ｆに示すＥＳＤ保護デバイス２０が得られる。ＥＳＤ保護デバイス２０は、第１および第２のセラミックグリーンシートが焼結されてなる絶縁性基体２１と、焼結された第１放電電極２３、第２放電電極２４、放電補助電極２５、および外部端子電極２６，２７を有し、さらに焼失層１５が焼失して、空洞部２２が絶縁性基体２１の内部に形成される。
ここで、本開示では、放電補助電極層を形成するため、焼成は、「コアシェル構造形成工程」、「コア部とシェル部との接合形成工程」、「シェル部の空隙形成工程」の３つの工程を含んでいる。以下、各工程について説明する。
（コアシェル構造形成工程）
この工程では、第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末を構成する各金属粒子において、第２の金属を当該金属粒子の表面に向かって移動させ、第１の金属を主成分とするコア部を形成するとともに、第２の金属が金属粒子の表面に達した時点で第２の金属を酸化して、第２の金属の酸化物からなるシェル部を形成する。この工程における温度は特に限定されないが、５００℃以上９００℃以下で行うことが好ましい。５００℃未満の温度では合金粒子表面への第２の金属の移動が緩慢となり、十分な厚みと均一性を有するシェル部が形成できない場合があるからである。また、９００℃を超える温度では、合金粒子表面への金属の移動が不均一化し、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない場合があるからである。この工程における酸素濃度は、合金粒子を構成する第１の金属が酸化せず、第２の金属が酸化する酸素濃度に設定する必要がある。この条件を満たす酸素濃度であれば、特に限定されない。なお、酸素濃度は、酸素を含む混合ガス、例えばＨ２／Ｈ２Ｏ／Ｎ２の混合ガスにより調整することができる。第１の金属が酸化する酸素濃度に設定すると、第１の金属自体が酸化して第２の金属の合金粒子表面への移動が阻害され、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない。また、第１の金属及び第２の金属の両方が酸化しない酸素濃度に設定すると、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない。この工程における温度保持時間は、５００℃以上９００℃以下の範囲で３０分以上８００分以下に設定することが好ましい。３０分未満の場合、合金粒子表面への第２の金属の移動が不十分となり、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない場合があるからである。また、８００分を超える場合、生産性が著しく低下する場合があるからである。
この工程では、第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末を構成する各金属粒子において、第２の金属を当該金属粒子の表面に向かって移動させ、第１の金属を主成分とするコア部を形成するとともに、第２の金属が金属粒子の表面に達した時点で第２の金属を酸化して、第２の金属の酸化物からなるシェル部を形成する。この工程における温度は特に限定されないが、５００℃以上９００℃以下で行うことが好ましい。５００℃未満の温度では合金粒子表面への第２の金属の移動が緩慢となり、十分な厚みと均一性を有するシェル部が形成できない場合があるからである。また、９００℃を超える温度では、合金粒子表面への金属の移動が不均一化し、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない場合があるからである。この工程における酸素濃度は、合金粒子を構成する第１の金属が酸化せず、第２の金属が酸化する酸素濃度に設定する必要がある。この条件を満たす酸素濃度であれば、特に限定されない。なお、酸素濃度は、酸素を含む混合ガス、例えばＨ２／Ｈ２Ｏ／Ｎ２の混合ガスにより調整することができる。第１の金属が酸化する酸素濃度に設定すると、第１の金属自体が酸化して第２の金属の合金粒子表面への移動が阻害され、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない。また、第１の金属及び第２の金属の両方が酸化しない酸素濃度に設定すると、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない。この工程における温度保持時間は、５００℃以上９００℃以下の範囲で３０分以上８００分以下に設定することが好ましい。３０分未満の場合、合金粒子表面への第２の金属の移動が不十分となり、十分な厚みと均一性を有するシェルが形成できない場合があるからである。また、８００分を超える場合、生産性が著しく低下する場合があるからである。
（コア部とシェル部との接合工程）
この工程では、第１の金属を主成分とするコア部と第２の金属の酸化物からなるシェル部とを接合させる。この工程における温度は特に限定されないが、第１の金属の融点以下で行う必要がある。第１の金属の融点を超えると、コア部が溶融することでコアシェル構造が破壊され、ＥＳＤ保護デバイスの特性が確保できなくなるからである。また、この工程における酸素濃度は、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定する必要がある。第１の金属が酸化せず、第２の金属が酸化する酸素濃度に設定することが好ましい。第２の金属が還元される酸素濃度に設定すると、シェル部が破壊され、ＥＳＤ保護デバイスの特性が劣化するからである。第１の金属が酸化されず、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定すると、コア部とシェル部が接合し、かつ、シェル部内の酸化物同士の焼結も適度な焼結となり、続くシェル部の空隙形成工程において空隙を有するシェル部を形成し易くなる。なお、酸素濃度は、酸素を含む混合ガス、例えばＨ２／Ｈ２Ｏ／Ｎ２の混合ガスによって調整することができる。この工程における温度保持時間は、１０分〜３００分に設定することが好ましい。１０分未満の場合、コア部とショル部との接合が確保できなくなる場合があるからである。また、３００分を超えると、シェル部内の金属酸化物同士が過剰に焼結し、続くシェル部の空隙形成工程において空隙を有するシェルを形成し難くなるからである。
この工程では、第１の金属を主成分とするコア部と第２の金属の酸化物からなるシェル部とを接合させる。この工程における温度は特に限定されないが、第１の金属の融点以下で行う必要がある。第１の金属の融点を超えると、コア部が溶融することでコアシェル構造が破壊され、ＥＳＤ保護デバイスの特性が確保できなくなるからである。また、この工程における酸素濃度は、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定する必要がある。第１の金属が酸化せず、第２の金属が酸化する酸素濃度に設定することが好ましい。第２の金属が還元される酸素濃度に設定すると、シェル部が破壊され、ＥＳＤ保護デバイスの特性が劣化するからである。第１の金属が酸化されず、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定すると、コア部とシェル部が接合し、かつ、シェル部内の酸化物同士の焼結も適度な焼結となり、続くシェル部の空隙形成工程において空隙を有するシェル部を形成し易くなる。なお、酸素濃度は、酸素を含む混合ガス、例えばＨ２／Ｈ２Ｏ／Ｎ２の混合ガスによって調整することができる。この工程における温度保持時間は、１０分〜３００分に設定することが好ましい。１０分未満の場合、コア部とショル部との接合が確保できなくなる場合があるからである。また、３００分を超えると、シェル部内の金属酸化物同士が過剰に焼結し、続くシェル部の空隙形成工程において空隙を有するシェルを形成し難くなるからである。
（シェル部の空隙形成工程）
この工程では、空隙を有するシェル部を形成する。この工程では、酸化物が主成分のシェル部よりも金属からなるコア部の方をより大きく収縮させる。その際に、コア部に接合したシェル部のみがコア部に接合した状態で収縮することにより、シェル部内で構造破壊が起き、空隙を有するシェル部が形成される。この工程における温度は、コア部とシェル部との接合工程よりも低温であれば、特に限定されるものではない。より好ましくは、コア部とシェル部との接合工程よりも１００℃以上低くすることが好ましい。１００℃未満の場合、コア部の収縮量が小さく、十分な大きさの空隙を形成できない場合があるからである。この工程における酸素濃度は、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定する必要がある。第１の金属が酸化せず、第２の金属が酸化する酸素濃度に設定することが好ましい。第２の金属が還元される酸素濃度に設定すると、シェル部が破壊され、ＥＳＤ保護デバイスの特性が劣化するからである。なお、第１の金属及び第２の金属が酸化される酸素濃度に設定すると、酸素分子がシェル部を通過して第１の金属を酸化し、その第１の金属の酸化膨張によってシェル部が破損する場合があるので、好ましくない。第１の金属が酸化されず、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定すると、空隙を有するシェル部が形成され易くなる。なお、酸素濃度は、酸素を含む混合ガス、例えばＨ２／Ｈ２Ｏ／Ｎ２の混合ガスによって調整することができる。この工程における温度保持時間は、３０分以上に設定することが好ましい。３０分未満の場合、空隙を有するシェル部が形成し難くなる傾向があるからである。
この工程では、空隙を有するシェル部を形成する。この工程では、酸化物が主成分のシェル部よりも金属からなるコア部の方をより大きく収縮させる。その際に、コア部に接合したシェル部のみがコア部に接合した状態で収縮することにより、シェル部内で構造破壊が起き、空隙を有するシェル部が形成される。この工程における温度は、コア部とシェル部との接合工程よりも低温であれば、特に限定されるものではない。より好ましくは、コア部とシェル部との接合工程よりも１００℃以上低くすることが好ましい。１００℃未満の場合、コア部の収縮量が小さく、十分な大きさの空隙を形成できない場合があるからである。この工程における酸素濃度は、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定する必要がある。第１の金属が酸化せず、第２の金属が酸化する酸素濃度に設定することが好ましい。第２の金属が還元される酸素濃度に設定すると、シェル部が破壊され、ＥＳＤ保護デバイスの特性が劣化するからである。なお、第１の金属及び第２の金属が酸化される酸素濃度に設定すると、酸素分子がシェル部を通過して第１の金属を酸化し、その第１の金属の酸化膨張によってシェル部が破損する場合があるので、好ましくない。第１の金属が酸化されず、第２の金属が還元されない酸素濃度に設定すると、空隙を有するシェル部が形成され易くなる。なお、酸素濃度は、酸素を含む混合ガス、例えばＨ２／Ｈ２Ｏ／Ｎ２の混合ガスによって調整することができる。この工程における温度保持時間は、３０分以上に設定することが好ましい。３０分未満の場合、空隙を有するシェル部が形成し難くなる傾向があるからである。
上記の製造例では、第１放電電極、第２放電電極および放電補助電極が絶縁性基体の内部に形成した例を示したが、第１放電電極、第２放電電極および放電補助電極を絶縁性基体の表面に形成することもできる。その場合、焼失層は不要である。
以下、実施例を用いて本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
＜ＥＳＤ保護デバイスの作製＞
（１）放電補助電極用ペーストの調製
（導電材料）
本実施例では、第１の金属にＣｕを用い、第２の金属にＡｌを用いた例について説明する。第１の金属粒子を作製するための出発原料としては、アトマイズ法で作製したＣｕＡｌ合金を用いた。また、第２の金属粒子は、湿式合成法によって作製したＣｕ粉末を、メカノフュージョン法によりナノサイズのアルミナ粉末で被覆した、アルミナ被覆銅粉を用いた。メカノフュージョン法は、循環型メカノヒュージョンシステムを用いて行った。表１に、用いたＣｕＡｌ合金およびアルミナ被覆銅粉の組成と平均粒径を示す。平均粒径には、レーザー回折式粒度分布法により求めたメジアン径Ｄ５０を用いた。また、「Ａｌ量」と「アルミナ量」はＩＣＰ-ＡＥＳ法（誘導結合プラズマ発光分析）により求めた。
（１）放電補助電極用ペーストの調製
（導電材料）
本実施例では、第１の金属にＣｕを用い、第２の金属にＡｌを用いた例について説明する。第１の金属粒子を作製するための出発原料としては、アトマイズ法で作製したＣｕＡｌ合金を用いた。また、第２の金属粒子は、湿式合成法によって作製したＣｕ粉末を、メカノフュージョン法によりナノサイズのアルミナ粉末で被覆した、アルミナ被覆銅粉を用いた。メカノフュージョン法は、循環型メカノヒュージョンシステムを用いて行った。表１に、用いたＣｕＡｌ合金およびアルミナ被覆銅粉の組成と平均粒径を示す。平均粒径には、レーザー回折式粒度分布法により求めたメジアン径Ｄ５０を用いた。また、「Ａｌ量」と「アルミナ量」はＩＣＰ-ＡＥＳ法（誘導結合プラズマ発光分析）により求めた。
（結合剤）
表２に、結合剤に用いた酸化物粉末の組成、平均粒径、比表面積の値を示す。なお、この酸化物粉末は、基板成分と同一組成である。
表２に、結合剤に用いた酸化物粉末の組成、平均粒径、比表面積の値を示す。なお、この酸化物粉末は、基板成分と同一組成である。
（有機ビヒクル）
表３に、ペーストの作製に用いた有機ビヒクルの組成を示す。重量平均分子量が５×１０４のエトセル樹脂と重量平均分子量が８×１０３のアルキッド樹脂とをターピネオールに溶解することによって有機ビヒクルを得た。
表３に、ペーストの作製に用いた有機ビヒクルの組成を示す。重量平均分子量が５×１０４のエトセル樹脂と重量平均分子量が８×１０３のアルキッド樹脂とをターピネオールに溶解することによって有機ビヒクルを得た。
上記の第１の金属粒子、第２の金属粒子、結合剤、および有機ビヒクルを、表４に示す比率で調合し、３本ロールにて分散処理して、放電補助電極用ペーストＰ−１〜Ｐ−１０を調製した。
（２）放電電極用ペーストの調製
平均粒径Ｄ５０が１μｍのＣｕ粉末４０重量％と、平均粒径Ｄ５０が３μｍのＣｕ粉末４０重量％と、エチルセルロースをターピネオールに溶解して作製した有機ビヒクル２０重量％とを調合し、３本ロールにより分散処理して、放電電極用ペーストを調製した。
平均粒径Ｄ５０が１μｍのＣｕ粉末４０重量％と、平均粒径Ｄ５０が３μｍのＣｕ粉末４０重量％と、エチルセルロースをターピネオールに溶解して作製した有機ビヒクル２０重量％とを調合し、３本ロールにより分散処理して、放電電極用ペーストを調製した。
（３）焼失層用樹脂ビーズペーストの調製
焼成時に焼失して空洞となる焼失層を形成するために樹脂ビーズペーストを調製した。平均粒径Ｄ５０が１μｍの架橋アクリル樹脂ビーズ３８重量％と、エチルセルロースをジヒドロターピニルアセテートに溶解して作製した有機ビヒクル６２重量％とを調合し、３本ロールにて分散処理して、焼失層用樹脂ビーズペーストを調製した。
焼成時に焼失して空洞となる焼失層を形成するために樹脂ビーズペーストを調製した。平均粒径Ｄ５０が１μｍの架橋アクリル樹脂ビーズ３８重量％と、エチルセルロースをジヒドロターピニルアセテートに溶解して作製した有機ビヒクル６２重量％とを調合し、３本ロールにて分散処理して、焼失層用樹脂ビーズペーストを調製した。
（４）外部端子電極用ペーストの調製
平均粒径Ｄ５０が約１μｍのＣｕ粉末８０重量％と、転移点６２０℃、軟化点７２０℃で平均粒径Ｄ５０が約１μｍのホウケイ酸アルカリ系ガラスフリット５重量％と、エチルセルロースをターピネオールに溶解して作製した有機ビヒクル１５重量％とを調合し、３本ロールにて分散処理して、外部端子電極用ペーストを調製した。
平均粒径Ｄ５０が約１μｍのＣｕ粉末８０重量％と、転移点６２０℃、軟化点７２０℃で平均粒径Ｄ５０が約１μｍのホウケイ酸アルカリ系ガラスフリット５重量％と、エチルセルロースをターピネオールに溶解して作製した有機ビヒクル１５重量％とを調合し、３本ロールにて分散処理して、外部端子電極用ペーストを調製した。
（５）各ペーストの印刷
図３Ａに示すように、第１のセラミックグリーンシート１１の一方の主面上に放電補助電極用ペーストを塗布することによって、１５０μｍ×１００μｍの寸法の未焼成の放電補助電極１２を形成した。放電補助電極用ペーストには、表４に示した放電補助電極用ペーストＰ−１〜Ｐ−１０のいずれかを用いた。
図３Ａに示すように、第１のセラミックグリーンシート１１の一方の主面上に放電補助電極用ペーストを塗布することによって、１５０μｍ×１００μｍの寸法の未焼成の放電補助電極１２を形成した。放電補助電極用ペーストには、表４に示した放電補助電極用ペーストＰ−１〜Ｐ−１０のいずれかを用いた。
次いで、第１のセラミックグリーンシート１１の上記主面上に、未焼成の放電補助電極１２と一部重なるように、放電電極用ペーストを塗布した。これにより、図３Ｂに示すように、未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４を形成した。未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４は、未焼成の放電補助電極１２上で、２０μｍのギャップＧを隔てて互いに対向している。なお、対向部の幅Ｗは１００μｍとした。
次いで、図３Ｃに示すように、未焼成の第１放電電極１３と第２放電電極１４との対向ギャップＧを覆うようにして焼失層用樹脂ビーズペーストを塗布して、１４０μｍ×１５０μｍの寸法の未焼成の焼失層１５を形成した。
（６）積層および圧着
未焼成の放電補助電極１２、未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４、並びに未焼成の焼失層１５を形成した第１のセラミックグリーンシート１１の主面上に、ペーストが塗布されていない第２のセラミックグリーンシート１６を積層・圧着し、図３Ｄに示すグリーンシート積層体を得た。この積層体は、焼成後の厚みが０．３ｍｍになるように調整した。
未焼成の放電補助電極１２、未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４、並びに未焼成の焼失層１５を形成した第１のセラミックグリーンシート１１の主面上に、ペーストが塗布されていない第２のセラミックグリーンシート１６を積層・圧着し、図３Ｄに示すグリーンシート積層体を得た。この積層体は、焼成後の厚みが０．３ｍｍになるように調整した。
（７）カットおよび外部端子電極ペーストの印刷
積層体を、焼成後において１．０ｍｍ×０．５ｍｍの平面寸法となるように、マイクロカッターにてカットした。なお、図３Ｂに示した寸法および図３Ａ〜図３Ｄに示したセラミックグリーンシート１１等の外形状は、このカット工程後の寸法と外形状に相当する。
積層体を、焼成後において１．０ｍｍ×０．５ｍｍの平面寸法となるように、マイクロカッターにてカットした。なお、図３Ｂに示した寸法および図３Ａ〜図３Ｄに示したセラミックグリーンシート１１等の外形状は、このカット工程後の寸法と外形状に相当する。
次いで、グリーンシート積層体の外表面上に外部端子電極用ペーストを塗布し、未焼成の第１放電電極１３および第２放電電極１４第にそれぞれ接続される未焼成の外部端子電極１７，１８を形成した。このようにして、図３Ｅに示す未焼成のＥＳＤ保護デバイス１９を得た。
（８）焼成
焼成により、図３Ｆに示すＥＳＤ保護デバイス２０を得た。ＥＳＤ保護デバイス２０は、第１および第２のセラミックグリーンシートが焼結されてなる絶縁性基体２１と、焼結された第１放電電極２３、第２放電電極２４、放電補助電極２５、および外部端子電極２６，２７を有し、さらに焼失層１５が焼失して空洞部２２が絶縁性基体２１の内部に形成されている。
焼成により、図３Ｆに示すＥＳＤ保護デバイス２０を得た。ＥＳＤ保護デバイス２０は、第１および第２のセラミックグリーンシートが焼結されてなる絶縁性基体２１と、焼結された第１放電電極２３、第２放電電極２４、放電補助電極２５、および外部端子電極２６，２７を有し、さらに焼失層１５が焼失して空洞部２２が絶縁性基体２１の内部に形成されている。
用いた焼成時の温度プロファイルを図４に示す。各工程の酸素濃度はＡｌが酸化しＣｕが酸化しない濃度になるようにＮ２／Ｈ２／Ｈ２Ｏの比率を変更して制御した。また、各金属が温度Ｔ（Ｋ）において酸化する酸素分圧は、以下の式により算出した。
ｌｎ（ＣｕＰＯ２）＞｛-３３８９０４＋（-３３ＴｌｏｇＴ）＋２４７Ｔ｝／（８．３１４Ｔ）
ｌｎ（ＡｌＰＯ２）＞｛-１１１７９９３＋（-１１ＴｌｏｇＴ）＋２４４Ｔ｝／（８．３１４Ｔ）
ｌｎ（ＣｕＰＯ２）＞｛-３３８９０４＋（-３３ＴｌｏｇＴ）＋２４７Ｔ｝／（８．３１４Ｔ）
ｌｎ（ＡｌＰＯ２）＞｛-１１１７９９３＋（-１１ＴｌｏｇＴ）＋２４４Ｔ｝／（８．３１４Ｔ）
＜特性評価＞
放電補助電極用ペーストＰ１〜Ｐ１０を用いて、上記の方法により作製した各ＥＳＤ保護デバイスについて、特性を評価した。
放電補助電極用ペーストＰ１〜Ｐ１０を用いて、上記の方法により作製した各ＥＳＤ保護デバイスについて、特性を評価した。
（１）放電補助電極中に含まれる金属粒子構造特性
各ＥＳＤ保護デバイスを、エポキシ樹脂に埋め、硬化させた。硬化後、研磨によって、長さ方向に延びる辺と厚み方向に延びる辺とによって規定されるＬＴ面を露出させた。なお、研磨は、幅方向寸法の１／２に達するまで行なった。次いで、研磨によって露出した放電補助電極に対して、ＦＩＢ（収束イオンビーム）加工を行なった。ＦＩＢ加工によってサンプリングした放電補助電極に対して、ＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡）観察および各種金属と酸素についてのＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）による分析を行なった。なお、ＳＴＥＭ観察は加速電圧５ｋＶで５０００倍と２５０００倍で行った。このＳＴＥＭ観察およびＥＤＳ分析から、放電補助電極の金属粒子が「金属酸化物のシェル部を有するコア-シェル構造金属粒子であるのか」、「シェル部に空隙を有するのか」、「コアシェル構造金属粒子がガラス質含有物質で結合されているのか」、の判定を行なった。
各ＥＳＤ保護デバイスを、エポキシ樹脂に埋め、硬化させた。硬化後、研磨によって、長さ方向に延びる辺と厚み方向に延びる辺とによって規定されるＬＴ面を露出させた。なお、研磨は、幅方向寸法の１／２に達するまで行なった。次いで、研磨によって露出した放電補助電極に対して、ＦＩＢ（収束イオンビーム）加工を行なった。ＦＩＢ加工によってサンプリングした放電補助電極に対して、ＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡）観察および各種金属と酸素についてのＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析装置）による分析を行なった。なお、ＳＴＥＭ観察は加速電圧５ｋＶで５０００倍と２５０００倍で行った。このＳＴＥＭ観察およびＥＤＳ分析から、放電補助電極の金属粒子が「金属酸化物のシェル部を有するコア-シェル構造金属粒子であるのか」、「シェル部に空隙を有するのか」、「コアシェル構造金属粒子がガラス質含有物質で結合されているのか」、の判定を行なった。
表５に評価結果を示す。表５中、「コアシェル構造」の欄において、金属酸化物のシェル部が認められたものを「○」と表示し、金属酸化物のシェル部が認められなかったものを「×」と表示した。なお、この評価においてシェルが確認されなかったものに関しては、以降のシェル部の解析を行わなかった。
また、ＳＴＥＭ観察視野の内、少なくとも２個以上の金属粒子において、シェル部内に空隙が認められたものを「○」と表示し、シェル部内に空隙が認めらなかったものを「×」と表示した。
さらに、金属酸化物のシェル部が認められたものについて、金属酸化物の種類を分析するとともに、画像解析からシェル部の厚みを算出した。これらの結果も、表５に示す。
さらに、放電補助電極における複数の金属粒子間がガラス質含有物質で結合されているかを調べた。すなわち、ある特定の金属粒子とこれに隣接する金属粒子との間に存在する接合部を電子線回折装置により解析し、電子線回折パターンが見られない場合を、金属粒子間がガラス質含有物質で結合されていると判定した。表５中の「ガラス質含有物質との結合性」の欄において、金属粒子間がガラス質含有物質で結合されていると判定したものを「○」と表示し、結合されていないと判定したものを「×」と表示した。
(２）初期ショート特性
各ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間に５０Ｖの直流電圧を印加して、絶縁抵抗を測定した。１０８Ω以上の絶縁抵抗を示したものを初期ショート特性が良好であると判定し、表５中の「初期ショート」の欄に「○」と表示し、１０８Ω未満の絶縁抵抗を示したものを初期ショート特性が不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。なお、初期ショート特性が不良と判定されたＥＳＤ保護デバイスについては、実用に供し得ないと判定し、以降の特性評価（ショート耐性、２ｋＶ放電率）を実施しなかった。
各ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間に５０Ｖの直流電圧を印加して、絶縁抵抗を測定した。１０８Ω以上の絶縁抵抗を示したものを初期ショート特性が良好であると判定し、表５中の「初期ショート」の欄に「○」と表示し、１０８Ω未満の絶縁抵抗を示したものを初期ショート特性が不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。なお、初期ショート特性が不良と判定されたＥＳＤ保護デバイスについては、実用に供し得ないと判定し、以降の特性評価（ショート耐性、２ｋＶ放電率）を実施しなかった。
(３）ショート耐性
各ＥＳＤ保護デバイスに対して、０．２ｋＶ印加を１０回→０．４ｋＶ印加を１０回→０．６ｋＶ印加を１０回→１ｋＶ印加を１０回→２ｋＶ印加を１０回→４ｋＶ印加を１０回順次実施した。印加毎に各ＥＳＤ保護デバイスの絶縁抵抗を測定し、１度も１０８Ω未満の抵抗値が測定されなかったものをショート耐性が最も優れていると判定し、表５中の「ショート耐性」の欄に「◎」と表示し、１度でも１０６Ω以上１０８Ω以下の抵抗値が測定されたものをショート耐性がより良好であると判定し、同欄に「○」と表示し、１度でも１０８Ω未満の抵抗値が測定されたものをショート耐性が不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。
各ＥＳＤ保護デバイスに対して、０．２ｋＶ印加を１０回→０．４ｋＶ印加を１０回→０．６ｋＶ印加を１０回→１ｋＶ印加を１０回→２ｋＶ印加を１０回→４ｋＶ印加を１０回順次実施した。印加毎に各ＥＳＤ保護デバイスの絶縁抵抗を測定し、１度も１０８Ω未満の抵抗値が測定されなかったものをショート耐性が最も優れていると判定し、表５中の「ショート耐性」の欄に「◎」と表示し、１度でも１０６Ω以上１０８Ω以下の抵抗値が測定されたものをショート耐性がより良好であると判定し、同欄に「○」と表示し、１度でも１０８Ω未満の抵抗値が測定されたものをショート耐性が不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。
(４）２ｋＶにおける動作率
２ｋＶにおける動作率は、国際電気標準会議（ＩＥＣ）の定める規格ＩＥＣ６１０００−４−２に基づいて、接触放電法により評価した。ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間に２ｋＶの電圧を印加してピーク電圧値（Ｖｐｅａｋ）を測定し、Ｖｐｅａｋ≦５００Ｖの場合、放電電極間で放電が開始した、即ちＥＳＤ保護デバイスが動作したと判定した。この操作を、各例につき１００個のＥＳＤ保護デバイスに対して行い、１００個のうち放電が開始したＥＳＤ保護デバイスの割合を２ｋＶにおける動作率（％）とした。２ｋＶにおける動作率が８０%以上であるものを放電特性が最も優れていると判定し、表５中の「２ｋＶ動作率」の欄に「◎」と表示し、２ｋＶにおける動作率が７０％以上８０％未満であるものを放電特性が優れていると判定し、同欄に「○」と表示し、動作率が７０％未満のものを放電特性が不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。
２ｋＶにおける動作率は、国際電気標準会議（ＩＥＣ）の定める規格ＩＥＣ６１０００−４−２に基づいて、接触放電法により評価した。ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間に２ｋＶの電圧を印加してピーク電圧値（Ｖｐｅａｋ）を測定し、Ｖｐｅａｋ≦５００Ｖの場合、放電電極間で放電が開始した、即ちＥＳＤ保護デバイスが動作したと判定した。この操作を、各例につき１００個のＥＳＤ保護デバイスに対して行い、１００個のうち放電が開始したＥＳＤ保護デバイスの割合を２ｋＶにおける動作率（％）とした。２ｋＶにおける動作率が８０%以上であるものを放電特性が最も優れていると判定し、表５中の「２ｋＶ動作率」の欄に「◎」と表示し、２ｋＶにおける動作率が７０％以上８０％未満であるものを放電特性が優れていると判定し、同欄に「○」と表示し、動作率が７０％未満のものを放電特性が不良であると判定し、同欄に「×」と表示した。
(５）信頼性
以下に説明する手順で信頼性試験を行った。１２５℃の温度条件の下で、ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間に１２．６Ｖの電圧を６５時間印加し、ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間の抵抗値ＩＲを測定した。このＩＲ測定をｎ＝２０個のＥＳＤ保護デバイスに関して行い、その平均値がｌｏｇＩＲ＜６であったものを信頼性に問題なしと評価し、表５において「○」で示した。平均値がｌｏｇＩＲ＜６であったものは、信頼性に問題ありと評価し、表５において「×」で示した。
以下に説明する手順で信頼性試験を行った。１２５℃の温度条件の下で、ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間に１２．６Ｖの電圧を６５時間印加し、ＥＳＤ保護デバイスの外部端子電極間の抵抗値ＩＲを測定した。このＩＲ測定をｎ＝２０個のＥＳＤ保護デバイスに関して行い、その平均値がｌｏｇＩＲ＜６であったものを信頼性に問題なしと評価し、表５において「○」で示した。平均値がｌｏｇＩＲ＜６であったものは、信頼性に問題ありと評価し、表５において「×」で示した。
(６）総合評価
上記「初期ショート」および「ショート耐性」および「２ｋＶ放電特性」および「信頼性」の評価において、「初期ショート」および「ショート耐性」が「○」と評価された試料の内、「ショート耐性」および「２ｋＶ放電特性」ともに「◎」と評価された試料については、表５の「総合評価」の欄に「◎」と表示し、いずれか一方が「◎」で他方が「○」と評価された試料については、同欄に「○」と表示した。上記「初期ショート」および「ショート耐性」および「２ｋＶ放電特性」および「信頼性」の評価において、少なくともどれかに「×」と評価された試料については、同欄に「×」と表示した。
上記「初期ショート」および「ショート耐性」および「２ｋＶ放電特性」および「信頼性」の評価において、「初期ショート」および「ショート耐性」が「○」と評価された試料の内、「ショート耐性」および「２ｋＶ放電特性」ともに「◎」と評価された試料については、表５の「総合評価」の欄に「◎」と表示し、いずれか一方が「◎」で他方が「○」と評価された試料については、同欄に「○」と表示した。上記「初期ショート」および「ショート耐性」および「２ｋＶ放電特性」および「信頼性」の評価において、少なくともどれかに「×」と評価された試料については、同欄に「×」と表示した。
＜結果＞
ＥＳＤ保護デバイス１〜７は、優れたＥＳＤ保護特性（初期ショート特性、ショート耐性、２ｋＶ動作率、信頼性）を有していた。一方、放電補助電極が第２の金属粒子を含まないＥＳＤ保護デバイス８は２ｋＶ動作率が不良であった。また、放電補助電極が第１の金属粒子を含まないＥＳＤ保護デバイス９は、絶縁性が低下し、初期ショートが発生した。また、シェル部を有していない第２の金属粒子を用いたＥＳＤ保護デバイス１０は、２ｋＶでの放電は確認できたが、絶縁性が低下し、耐ショート性，信頼性が低下した。
ＥＳＤ保護デバイス１〜７は、優れたＥＳＤ保護特性（初期ショート特性、ショート耐性、２ｋＶ動作率、信頼性）を有していた。一方、放電補助電極が第２の金属粒子を含まないＥＳＤ保護デバイス８は２ｋＶ動作率が不良であった。また、放電補助電極が第１の金属粒子を含まないＥＳＤ保護デバイス９は、絶縁性が低下し、初期ショートが発生した。また、シェル部を有していない第２の金属粒子を用いたＥＳＤ保護デバイス１０は、２ｋＶでの放電は確認できたが、絶縁性が低下し、耐ショート性，信頼性が低下した。
本開示は、半導体装置をはじめとする種々の機器や装置の保護のために用いられるＥＳＤ保護デバイスの分野に広く適用することが可能である。
１，２１ 絶縁性基体
２，２２ 空洞部
３，２３ 第１放電電極
４，２４ 第２放電電極
５，２５ 放電補助電極
６ 導電材料
６ａ 第１の金属粒子
６ｂ 第２の金属粒子
６１ａ コア部
６２ａ シェル部
６２１ａ 未被覆部
６２２ａ 非接触部
６２３ａ 空洞
７ 結合剤
８，２６ 第１外部端子電極
９，２７ 第２外部端子電極
１１ 第１のセラミックグリーンシート
１２ 未焼成の放電補助電極
１３ 未焼成の第１放電電極
１４ 未焼成の第２放電電極
１５ 未焼成の焼失層
１６ 第２のセラミックグリーンシート
１７ 未焼成の第１外部端子電極
１８ 未焼成の第２外部端子電極
１９ 未焼成のＥＳＤ保護デバイス
２０，Ａ ＥＳＤ保護デバイス
２，２２ 空洞部
３，２３ 第１放電電極
４，２４ 第２放電電極
５，２５ 放電補助電極
６ 導電材料
６ａ 第１の金属粒子
６ｂ 第２の金属粒子
６１ａ コア部
６２ａ シェル部
６２１ａ 未被覆部
６２２ａ 非接触部
６２３ａ 空洞
７ 結合剤
８，２６ 第１外部端子電極
９，２７ 第２外部端子電極
１１ 第１のセラミックグリーンシート
１２ 未焼成の放電補助電極
１３ 未焼成の第１放電電極
１４ 未焼成の第２放電電極
１５ 未焼成の焼失層
１６ 第２のセラミックグリーンシート
１７ 未焼成の第１外部端子電極
１８ 未焼成の第２外部端子電極
１９ 未焼成のＥＳＤ保護デバイス
２０，Ａ ＥＳＤ保護デバイス
Claims (14)
- 絶縁性基体の表面または内部に、互いに一部が対向するように形成された第１放電電極および第２放電電極と、前記第１放電電極および前記第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有し、
前記放電補助電極が、第１の金属粒子と、第２の金属粒子と、結合剤とを含み、
第１の金属粒子が、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし少なくとも一部に空隙を有するシェル部とからなるコアシェル構造を有し、
第２の金属粒子が、第１の金属を主成分とするコア部と、第２の金属の酸化物を主成分とし空隙のないシェル部とからなるコアシェル構造を有する、ＥＳＤ保護デバイス。 - 前記第１の金属粒子のシェル部の厚さが５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である請求項１記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記第２の金属粒子のシェル部の厚さが１ｎｍ以上５０ｎｍ未満である請求項１または２のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記結合剤がガラス質含有物質である請求項１〜３のいずれ１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記第２の金属は、前記第１の金属よりも酸化されやすい、請求項１〜４のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記第１の金属は、銅または銅を主成分とした銅系合金である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記第２の金属の酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウムおよび酸化ニッケルからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記コア部は、副成分として前記第２の金属を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記金属粒子全体に対する第２の金属粒子の含有率が、２体積％以上３５体積％以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 前記絶縁性基体の内部に形成された空洞部を有し、前記第１放電電極および前記第２放電電極が前記空洞部を介して互いに一部が対向するように形成される一方、前記放電補助電極は前記空洞部に少なくとも一部が露出するように形成され、さらに前記第１および第２放電電極にそれぞれ電気的に接続される、第１および第２の外部端子電極をさらに有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護デバイス。
- 第１放電電極および第２放電電極と電気的に接続するように形成された放電補助電極を有するＥＳＤ保護デバイスの製造方法であって、
第１の金属と、前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属との合金粒子からなる第１の金属粉末と、第１の金属を主成分とするコア部が第２の金属の酸化物を主成分とするシェル部で被覆された金属粒子を含む第２の金属粉末とを含む放電補助電極用ペーストを用いて前記放電補助電極を形成して焼成し、前記第２の金属を前記合金粒子の表面に移動させ、移動した前記第２の金属を酸化させることを含む、該ＥＳＤ保護デバイスの製造方法。 - 前記第２の金属粉末は、メカノフュージョン法により、第１の金属を主成分とする金属粒子を第２の金属の酸化物で被覆して製造される、請求項１１に記載の製造方法。
- 前記第１の金属粉末は、アトマイズ法により製造される、請求項１１に記載の製造方法。
- 前記ＥＳＤ保護デバイスが、絶縁性基体を有し、該絶縁性基体の内部に、互いに一部が対向するように前記第１放電電極および前記第２放電電極が形成されてなるＥＳＤ保護デバイスであって、
第１および第２のセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを用意し、
前記放電補助電極、前記第１放電電極および前記第２放電電極を第１のセラミックグリーンシート上に形成し、
形成した前記第１放電電極および前記第２放電電極のギャップを覆うように焼失層を形成し、
形成した前記放電補助電極、前記第１放電電極、前記第２放電電極、および前記焼失層を覆うように前記第１のセラミックグリーンシート上に前記第２のセラミックグリーンシートを積層し、
積層後の前記第１放電電極および前記第２放電電極のそれぞれに電気的に接続される、第１外部端子電極および第２の外部端子電極を形成し、
さらに、前記の焼成時に前記焼失層を焼失させて、前記絶縁性基体の内部に空洞部を形成する、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の製造方法。
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