JP6393397B2 - リソグラフィ装置の照射線量決定方法、検査装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
(a)リソグラフィプロセスを用いて製造される第1および第2構造を備える基板を受け取るステップと、
(b)第1構造を放射で照明する間に散乱放射を検出して第1スキャトロメータ信号を取得するステップと、
(c)第2構造を放射で照明する間に散乱放射を検出して第2スキャトロメータ信号を取得するステップと、
(d)第1および第2スキャトロメータ信号を用いて、前記第1および第2構造を製造するために使用される照射線量値を決定するステップと、を備え、第1構造は、空間的特徴を備える第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備えるさらに少なくとももう一つの第2の周期的特徴とを有し、第2構造は、空間的特徴を備える第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備えるさらに少なくとももう一つの第2の周期的特徴とを有し、照射線量は、第1および第2構造の照射線量の影響を受ける空間的特徴に異なる方法で影響を及ぼす。本発明は、リソグラフィプロセスを用いて基板上に第1構造を製造することであって、第1構造が、少なくとも第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備える第2の周期的特徴とを有することと、リソグラフィプロセスを用いて基板上に第2構造を製造することであって、第2構造が、少なくとも第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備える第2の周期的特徴とを有することと、をさらに備え、照射線量は、第1および第2構造の照射線量の影響を受ける空間的特徴に異なる方法で影響を及ぼす。
Claims (12)
- 基板へのリソグラフィプロセスで用いられるリソグラフィ装置の照射線量を決定する方法であって、
(a)リソグラフィプロセスを用いて製造される第1および第2構造を備える基板を受け取るステップと、
(b)第1構造を放射で照明する間に散乱放射を検出して第1スキャトロメータ信号を取得するステップと、
(c)第2構造を放射で照明する間に散乱放射を検出して第2スキャトロメータ信号を取得するステップと、
(d)第1および第2スキャトロメータ信号を用いて、前記第1および第2構造を製造するために使用される照射線量値を決定するステップと、を備え、
第1構造は、空間的特徴を備える第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備えるさらに少なくとももう一つの第2の周期的特徴とを有し、
第2構造は、空間的特徴を備える第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備えるさらに少なくとももう一つの第2の周期的特徴とを有し、
照射線量は、第1および第2構造の照射線量の影響を受ける空間的特徴に異なる方法で影響を及ぼし、
散乱放射を検出するステップは、ゼロ次散乱放射を高次散乱放射から分離することと、高次散乱放射を検出して各スキャトロメータ信号を取得することとを備える、方法。 - リソグラフィプロセスを用いて基板上に第1構造を製造するステップであって、第1構造が、少なくとも第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備える第2の周期的特徴とを有するステップと、リソグラフィプロセスを用いて基板上に第2構造を製造するステップであって、第2構造が、少なくとも第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備える第2の周期的特徴とを有するステップと、をさらに備え、照射線量は、第1および第2構造の照射線量の影響を受ける空間的特徴に異なる方法で影響を及ぼす、請求項1に記載の方法。
- 第1および第2構造の第1の周期的特徴または第2の周期的特徴は、格子を含むメトロロジターゲットのピッチである、請求項1または2に記載の方法。
- 第1および第2スキャトロメータ信号を用いて前記第1および第2構造を製造するために用いられる照射線量値を決定するステップは、第1および第2の測定スキャトロメータ信号のそれぞれに対応する第1および第2の測定強度間の差分を用いることを備える、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 第1および第2スキャトロメータ信号を用いて前記第1および第2構造を製造するために用いられる照射線量値を決定するステップは、正規化ステップを備える、請求項4に記載の方法。
- 正規化因子は、第1および第2の測定スキャトロメータ信号のそれぞれに対応する強度の和である、請求項5に記載の方法。
- 基板へのリソグラフィプロセスで用いられるリソグラフィ装置の照射線量を決定する検査装置であって、
基板上にリソグラフィプロセスを用いて製造される第1および第2構造を放射で照明するよう構成される照明系と、
第1構造の照明から生じる散乱放射を検出して第1スキャトロメータ信号を取得するよう構成されるとともに、第2構造の照明から生じる散乱放射を検出して第2スキャトロメータ信号を取得するよう構成される検出系と、
第1および第2スキャトロメータ信号を用いて、第1構造を製造するために使用される照射線量値を決定するよう構成されるプロセッサと、を備え、
第1構造は、空間的特徴を備える第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備えるさらに少なくとももう一つの第2の周期的特徴とを有し、
第2構造は、空間的特徴を備える第1の周期的特徴と、照射線量の影響を受けるよう設計された空間的特徴を備えるさらに少なくとももう一つの第2の周期的特徴とを有し、
照射線量は、第1および第2構造の照射線量の影響を受ける空間的特徴に異なる方法で影響を及ぼし、
検出系は、ゼロ次散乱放射を高次散乱放射から分離することと、高次散乱放射を検出して各スキャトロメータ信号を取得することとにより、散乱放射を検出するよう構成される、検査装置。 - 第1および第2構造の第1の周期的特徴または第2の周期的特徴は、格子を含むメトロロジターゲットのピッチである、請求項7に記載の検査装置。
- プロセッサは、第1および第2の測定スキャトロメータ信号のそれぞれに対応する第1および第2の測定強度間の差分を計算することに基づいて、第1および第2スキャトロメータ信号を用いて前記第1および第2構造を製造するために用いられる照射線量値を決定するよう構成される、請求項7に記載の検査装置。
- 第1および第2スキャトロメータ信号を用いて前記第1および第2構造を製造するために用いられる照射線量値を決定するステップは、正規化ステップを備える、請求項9に記載の検査装置。
- 正規化因子は、第1および第2の測定スキャトロメータ信号のそれぞれに対応する強度の和である、請求項10に記載の検査装置。
- デバイスパターンがリソグラフィプロセスを用いて一連の基板に付与されるデバイス製造方法であって、請求項1から6のいずれかに記載の方法を用いて少なくとも一つの基板を用いてリソグラフィ装置の照射線量を決定することと、照射線量の決定方法の結果に従って、後の基板に対するリソグラフィプロセスを制御することとを含む、デバイス製造方法。
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