JP6392604B2 - ゲートドライバ - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 76
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 64
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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Description
第一、第二、及び第三のプッシュプル回路を含み、各々の前記プッシュプル回路は二つのトランジスタを直列接続した構成を有し、
前記第一のプッシュプル回路の出力端は前記第一のトランジスタのゲートに接続され、
前記第二のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第二のトランジスタのゲートに接続され、
前記第三のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第三のトランジスタのゲートに接続されている構成としている(第1の構成)。
前記第二のプッシュプル回路の、前記第二のトランジスタに接続されていない第一の電気端子は前記接続点に接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第一の電気端子とは異なる第二の電気端子と、前記第一の電気端子の間にはコンデンサが接続され、
前記第二の電気端子と、前記第三のトランジスタに接続された前記第三のプッシュプル回路との間には、前記第三のプッシュプル回路から前記第二のプッシュプル回路に向かう向きが順方向となるようにダイオードが接続されていることとしてもよい(第9の構成)。
Cbs×Vb>Ciss×5[V]
但し、Vb:前記第二のプッシュプル回路に印加される電圧、Ciss:第二のトランジスタの入力容量
Ron≦Va×Ton/Qg
但し、Va:前記第一のプッシュプル回路に印加される電圧、Qg:前記第一のトランジスタのゲート電荷、Ton:前記第一のトランジスタをONする時間
本発明の一実施形態に係るゲートドライバの回路構成を図1に示す。図1に示すゲートドライバ100は、駆動対象となるSiC MOSFET150(第一のトランジスタの一例)を駆動する回路である。電力変換器に用いられるSiC MOSFET150は、電圧駆動型のSiCパワーデバイスである。なお、図1では、SiC MOSFET150を入力容量の形式で表記している。
次に、ゲートドライバ100の動作について説明する。駆動制御信号VsigAがLowレベルの場合、第3プッシュプル回路3においてp型MOSFET31が導通し、電源電圧Vbによって下段のGaN HEMT12が導通する。このとき、駆動制御信号VsigBはHighレベルであるので、第2プッシュプル回路2のn型MOSFET22が導通し、上段のGaN HEMT11は非導通となる。またこのとき、接続点Pはグランド電位となるため、逆阻止ダイオードDbsは順バイアスとなって導通し、電源電圧VbによってブートストラップコンデンサCbsが充電される。
次に、ゲートドライバ100における回路設定について述べる。まず、上段のGaN HEMT11と下段のGaN HEMT12の各遮断周波数は、駆動対象であるSiC MOSFET150の遮断周波数よりも高くしている。これは、駆動対象となるデバイスよりも速く動くことができるデバイスを駆動用としなければならないためである。GaN HEMTは電子移動度が高いため、SiC MOSFET150の遮断周波数よりも高い遮断周波数を設定することが可能であり、SiC MOSFET150をMHzオーダー以上で高速にスイッチングするために最適なデバイスの一候補となる。
Ron≦Va×Ton/Qg (1)
但し、Va:GaN HEMT11のソースに印加される電圧、Qg:SiC MOSFET150のゲート電荷、Ton:SiC MOSFET150をONする時間である。
Cbs×Vb>Ciss×5[V] (2)
但し、Vb:第2プッシュプル回路2に印加される電源電圧、Ciss:GaN HEMT11の入力容量である。
以上説明した構成のゲートドライバ100によるSiC MOSFET150の駆動実験を行った。駆動実験に際して、図3に示すような抵抗負荷回路200を構成した。図3に示されるゲートドライバ100は、図1に示した構成を有している。なお、本実験で使用したSiC MOSFET150は、トレンチ型構造を有するものを使用した。以下、実験回路の設定、実験における測定対象及び測定系、及び実験結果について述べる。
まず、実験で構成したゲートドライバ100の回路設定について述べる。SiC MOSFET150のゲート駆動電圧はHighレベルで18V、Lowレベルで0Vとした。従って、図1における入力電圧Va=18Vとした。
測定はSiC MOSFET150のスイッチング特性とゲートドライバ100側の動作について行った。
スイッチング周波数1MHzの場合における、Vos1、Vos2、VgLgan、VgHgan の測定結果を図4に示す。また、SiC MOSFET150のスイッチング特性を図5に示す。
スイッチング周波数10MHzの場合における、Vos1、Vos2、VgLgan、VgHganの測定結果を図6に示す。また、SiC MOSFET150のスイッチング特性を図7に示す。
以上のような本発明の実施形態は、次の点で特に優れている。まず、Siパワーデバイスの経験に引きずられず、信号絶縁にはSiパワーデバイスの信号絶縁の技術(信号用RF絶縁回路素子)を適用し、高周波スイッチングのための駆動には、信号レベルでの駆動でパワーレベルでのスイッチングが可能なGaNパワーデバイスを用いたブリッジを適用し、その駆動により目的のSiCパワーデバイスの駆動を実現した点である。
ゲートドライバ100は、上段のGaN HEMT11、下段のGaN HEMT12、第2プッシュプル回路2、第3プッシュプル回路3、小容量セラミックチップコンデンサであるブートストラップコンデンサCbs、及び逆阻止ダイオードDbsといったいずれもモジュール化に適した回路要素から構成される。従って、これらの回路要素を同一の基板上に実装し、ボンディングワイヤなどを介して接続した後、樹脂(絶縁体の一例)によって封止された構造を有したマルチチップモジュール250(図8)を構成してもよい。
本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
150 SiC MOSFET
1 第1プッシュプル回路
11、12 GaN HEMT
2 第2プッシュプル回路
21 p型MOSFET
22 n型MOSFET
3 第3プッシュプル回路
31 p型MOSFET
32 n型MOSFET
Cbs ブートストラップコンデンサ
Dbs 逆阻止ダイオード
Va 入力電圧
Vb 電源電圧
VsigA、VsigB 駆動制御信号
101 ファンクションジェネレータ
102、103 アイソレータ
Claims (17)
- 第一のトランジスタを駆動するためのゲートドライバであって、
前記第一のトランジスタは、SiC(炭化珪素)の電圧駆動型トランジスタであり、
第一、第二、及び第三のプッシュプル回路を含み、各々の前記プッシュプル回路は二つのトランジスタを直列接続した構成を有し、
前記第一のプッシュプル回路の出力端は前記第一のトランジスタのゲートに接続され、
前記第二のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第二のトランジスタのゲートに接続され、
前記第三のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第三のトランジスタのゲートに接続され、
前記第二と第三のトランジスタの遮断周波数は、前記第一のトランジスタの遮断周波数よりも高いことを特徴とするゲートドライバ。 - 前記第一のプッシュプル回路は、同一極性である前記第二と第三のトランジスタが直列に接続されたハーフブリッジ構造を有していることを特徴とする請求項1に記載のゲートドライバ。
- 前記第二と第三のプッシュプル回路は同一構成であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のゲートドライバ。
- 前記第二と第三のプッシュプル回路は、極性の異なるトランジスタが直列に接続された構成を有していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第二と第三のトランジスタの入力容量は、前記第一のトランジスタの入力容量よりも小さいことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第三のトランジスタの出力容量は、前記第一のトランジスタの入力容量よりも小さいことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第二と第三のトランジスタの閾値電圧は5V以下であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第一のプッシュプル回路における前記第二と第三のトランジスタの接続点と前記第一のトランジスタのゲートが接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第二のトランジスタに接続されていない第一の電気端子は前記接続点に接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第一の電気端子とは異なる第二の電気端子と、前記第一の電気端子の間にはコンデンサが接続され、
前記第二の電気端子と、前記第三のトランジスタに接続された前記第三のプッシュプル回路との間には、前記第三のプッシュプル回路から前記第二のプッシュプル回路に向かう向きが順方向となるようにダイオードが接続されていることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載のゲートドライバ。 - 前記コンデンサの容量Cbsは、下記式を満たすように設定されることを特徴とする請求項8に記載のゲートドライバ。
Cbs×Vb>Ciss×5[V]
但し、Vb:前記第二のプッシュプル回路に印加される電圧、Ciss:第二のトランジスタの入力容量 - 前記ダイオードは、前記第二のトランジスタに印加される電圧以上の逆方向耐圧を有すると共に、前記第一のトランジスタのスイッチング周期の1%以下の逆回復時間を有していることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のゲートドライバ。
- 前記第二と第三のトランジスタはいずれも下記式を満たすON抵抗Ronを有していることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
Ron≦Va×Ton/Qg
但し、Va:前記第一のプッシュプル回路に印加される電圧、Qg:前記第一のトランジスタのゲート電荷、Ton:前記第一のトランジスタをONする時間 - 前記第二のプッシュプル回路と前記第二のトランジスタの配線距離と、前記第三のプッシュプル回路と前記第三のトランジスタの配線距離が略等しくなるような配線を備えていることを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第二、第三のトランジスタは、n型FETであることを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第二、第三のトランジスタは、チャネル材料としてGaN(窒化ガリウム)もしくはSiC(炭化珪素)を用いていることを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 前記第一、第二、及び第三のプッシュプル回路が同一の基板上に配置され、その全体が絶縁体で覆われてモジュール化されていることを特徴とする請求項1〜請求項14のいずれか1項に記載のゲートドライバ。
- 第一のトランジスタを駆動するためのゲートドライバであって、
第一、第二、及び第三のプッシュプル回路を含み、各々の前記プッシュプル回路は二つのトランジスタを直列接続した構成を有し、
前記第一のプッシュプル回路の出力端は前記第一のトランジスタのゲートに接続され、
前記第二のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第二のトランジスタのゲートに接続され、
前記第三のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第三のトランジスタのゲートに接続され、
前記第一のプッシュプル回路における前記第二と第三のトランジスタの接続点と前記第一のトランジスタのゲートが接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第二のトランジスタに接続されていない第一の電気端子は前記接続点に接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第一の電気端子とは異なる第二の電気端子と、前記第一の電気端子の間にはコンデンサが接続され、
前記第二の電気端子と、前記第三のトランジスタに接続された前記第三のプッシュプル回路との間には、前記第三のプッシュプル回路から前記第二のプッシュプル回路に向かう向きが順方向となるようにダイオードが接続され、
前記コンデンサの容量Cbsは、下記式を満たすように設定されることを特徴とするゲートドライバ。
Cbs×Vb>Ciss×5[V]
但し、Vb:前記第二のプッシュプル回路に印加される電圧、Ciss:第二のトランジスタの入力容量 - 第一のトランジスタを駆動するためのゲートドライバであって、
第一、第二、及び第三のプッシュプル回路を含み、各々の前記プッシュプル回路は二つのトランジスタを直列接続した構成を有し、
前記第一のプッシュプル回路の出力端は前記第一のトランジスタのゲートに接続され、
前記第二のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第二のトランジスタのゲートに接続され、
前記第三のプッシュプル回路の出力端は前記第一のプッシュプル回路に含まれる第三のトランジスタのゲートに接続され、
前記第一のプッシュプル回路における前記第二と第三のトランジスタの接続点と前記第一のトランジスタのゲートが接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第二のトランジスタに接続されていない第一の電気端子は前記接続点に接続され、
前記第二のプッシュプル回路の、前記第一の電気端子とは異なる第二の電気端子と、前記第一の電気端子の間にはコンデンサが接続され、
前記第二の電気端子と、前記第三のトランジスタに接続された前記第三のプッシュプル回路との間には、前記第三のプッシュプル回路から前記第二のプッシュプル回路に向かう向きが順方向となるようにダイオードが接続され、
前記ダイオードは、前記第二のトランジスタに印加される電圧以上の逆方向耐圧を有すると共に、前記第一のトランジスタのスイッチング周期の1%以下の逆回復時間を有していることを特徴とするゲートドライバ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193487A JP6392604B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | ゲートドライバ |
US14/859,577 US9729135B2 (en) | 2014-09-24 | 2015-09-21 | Gate driver |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193487A JP6392604B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | ゲートドライバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066852A JP2016066852A (ja) | 2016-04-28 |
JP6392604B2 true JP6392604B2 (ja) | 2018-09-19 |
Family
ID=55526724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014193487A Active JP6392604B2 (ja) | 2014-09-24 | 2014-09-24 | ゲートドライバ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9729135B2 (ja) |
JP (1) | JP6392604B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9729122B2 (en) * | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
JP6185032B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-08-23 | シャープ株式会社 | 半導体装置と、それを用いたインバータ、コンバータおよび電力変換装置 |
US10415154B2 (en) * | 2015-12-02 | 2019-09-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device |
US9800132B2 (en) * | 2015-12-29 | 2017-10-24 | General Electric Company | Systems and methods for controlling a plurality of power semiconductor devices |
CN109314457B (zh) | 2016-05-04 | 2021-03-19 | 香港科技大学 | 具有集成的栅极驱动器的功率器件 |
US10394260B2 (en) * | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Synaptics Incorporated | Gate boosting circuit and method for an integrated power stage |
WO2018230196A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | 富士電機株式会社 | 駆動装置及び電力変換装置 |
US11190168B2 (en) * | 2018-02-19 | 2021-11-30 | Cirrus Logic, Inc. | Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver |
US11070203B2 (en) * | 2018-02-19 | 2021-07-20 | Cirrus Logic, Inc. | Dual bootstrapping for an open-loop pulse width modulation driver |
CN108599751B (zh) * | 2018-04-27 | 2021-10-08 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种自举电路 |
US10536070B1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-01-14 | Infineon Technologies Ag | Driver for switching gallium nitride (GaN) devices |
FR3084801B1 (fr) * | 2018-08-06 | 2020-08-28 | Commissariat Energie Atomique | Circuit de commande de bras d'onduleur |
WO2020062962A1 (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 广东百事泰电子商务股份有限公司 | 低成本高性能开关管驱动电路 |
CN109450264B (zh) * | 2018-10-29 | 2021-09-21 | 南京航空航天大学 | 一种推挽谐振型碳化硅功率管驱动电路及其控制方法 |
US10601302B1 (en) * | 2019-04-04 | 2020-03-24 | Navitas Semiconductor, Inc. | Bootstrap power supply circuit |
US10554112B1 (en) | 2019-04-04 | 2020-02-04 | Navitas Semiconductor, Inc. | GaN driver circuit |
US20230024780A1 (en) * | 2020-01-31 | 2023-01-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Class-d power converter |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5543994A (en) | 1995-02-27 | 1996-08-06 | International Rectifier Corporation | MOSFET driver with fault reporting outputs |
JP3914933B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2007-05-16 | エルピーダメモリ株式会社 | レベル変換回路 |
JP5499877B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-05-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
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JP5400968B2 (ja) | 2010-09-21 | 2014-01-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路 |
CN202094794U (zh) * | 2011-05-18 | 2011-12-28 | 南京博兰得电子科技有限公司 | 一种自举型门极驱动控制电路 |
JP6009815B2 (ja) | 2012-05-22 | 2016-10-19 | 株式会社東芝 | ゲート駆動回路 |
JP2014057491A (ja) | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路 |
JP5993749B2 (ja) | 2013-01-30 | 2016-09-14 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置のゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置 |
US9246476B2 (en) * | 2013-05-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit |
-
2014
- 2014-09-24 JP JP2014193487A patent/JP6392604B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-21 US US14/859,577 patent/US9729135B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160087623A1 (en) | 2016-03-24 |
US9729135B2 (en) | 2017-08-08 |
JP2016066852A (ja) | 2016-04-28 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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