JP6391355B2 - タングステン膜の成膜方法 - Google Patents
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- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
Description
まず第1の実施形態について説明する。
[成膜装置の例]
図1は本発明の第1の実施形態に係るタングステン膜の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す断面図である。
次に、以上のように構成された成膜装置100を用いて行われる第1の実施形態に係る成膜方法について説明する。
最初に、N2ガス供給源61,71からのN2ガスを流したまま、バルブ37,37aを開くことにより、キャリアガスであるN2ガスおよびCl2ガスを成膜原料タンク31内に供給し、これらにより成膜原料タンク31内で昇華したWCl6ガスをチャンバー1内に搬送する(ステップS1)。これにより、ウエハW表面にWCl6が吸着される。このステップS1では、チャンバー1内に、WCl6ガスに加えてキャリアガスとして供給したCl2ガスも供給される。
タングステン原料ガスとして用いるWCl6には、サブクロライドとしてWCl5等が存在するが、WCl6よりもWCl5のほうが蒸気圧が高いことが報告されており(T.P.Chow and A.J.Steckl, "Plasma Etching of Refractory Gates for VLSI Applications", J.Electrochem.Soc.:SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Vol.131, No.10(1984), pp2325-2335の図17を参照)、ALD法におけるWCl6ガス吸着工程では、WCl6ガスとN2ガスのみが供給されるため、以下の(1)式の反応が生じて、それまでに堆積されたタングステン膜がエッチングされてしまう。
5WCl6(g)+W(s)→6WCl5(g) ・・・(1)
このエッチング反応により、WCl6ガスを用いたALD法によりタングステン膜を堆積した場合の見かけの堆積速度が遅くなってしまうのである。
WCl6→WCl5+(1/2)Cl2 ・・・(2)
したがって、WCl6の分解を抑えてタングステンのエッチングを抑制するためには、(1/2)Cl2ガスの分圧を上げればよい。
この際の成膜条件は、特に限定されないが、以下の条件が好適である。
ウエハ温度(サセプタ表面温度):400〜600℃
チャンバー内圧力:1〜80Torr(133〜10640Pa)
キャリアガス流量(N2+Cl2):100〜2000sccm(mL/min)
(WCl6ガス供給量として、5〜100sccm(mL/min))
Cl2ガス流量:1〜100sccm(mL/min)
ステップS1の時間(1回あたり):0.01〜5sec
H2ガス流量:500〜5000sccm(mL/min)
ステップS3の時間(1回あたり):0.1〜5sec
ステップS2、S4の時間(パージ)(1回あたり):0.1〜5sec
成膜原料タンクの加温温度:130〜170℃
次に第2の実施形態について説明する。
[成膜装置の例]
図4は本発明の第2の実施形態に係るタングステン膜の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す断面図である。図4の成膜装置101は、Cl2ガス供給配管81およびCl2ガス供給源82が設けられていない。したがって、WCl6ガスのキャリアガスとしてはN2ガスのみが用いられる。成膜装置101は、この点以外は図1の成膜装置100と全く同一の構成を有している。したがって、この点以外には図1と同一の符号を付して装置構成の説明は省略する。
次に、以上のように構成された成膜装置101を用いて行われる第2の実施形態に係る成膜方法について説明する。
最初に、N2ガス供給源61,71からのN2ガスを流したまま、バルブ37,37aを開くことにより、キャリアガスであるN2ガスを成膜原料タンク31内に供給し、このキャリアガスにより成膜原料タンク31内で昇華したWCl6ガスをチャンバー1内に搬送し、さらに、バルブ45を開いてH2ガス供給源42から所定流量のH2ガスをチャンバー1内に供給する(ステップS11)。これにより、ウエハW表面にWCl6が吸着される。
すなわち、ALD法におけるWCl6ガス吸着工程では、WCl6ガスとN2ガスのみが供給されるため、上記(1)式に示すように、タングステン膜のエッチング反応が生じるが、WCl6ガスとともに還元ガスとして用いるH2ガスを供給することにより、タングステン生成反応が生じ、タングステン膜のエッチングを防ぐことができる。このため、WCl6を成膜原料として用いて、十分に速い堆積速度でタングステン膜を成膜することができる。その結果、フッ素による電気特性の劣化のないタングステン膜を低コストで提供することができる。
この際の成膜条件は、特に限定されないが、以下の条件が好適である。
ウエハ温度(サセプタ表面温度):400〜600℃
チャンバー内圧力:1〜80Torr(133〜10640Pa)
キャリアガス流量:100〜2000sccm(mL/min)
(WCl6ガス供給量として、5〜100sccm(mL/min))
ステップS11の際のH2ガス流量:1〜500sccm(mL/min)
ステップS11の時間(1回あたり):0.01〜5sec
ステップS13の際のH2ガス流量:500〜5000sccm(mL/min)
ステップS13の時間(1回あたり):0.1〜5sec
ステップS12、S14の時間(パージ)(1回あたり):0.1〜5sec
成膜原料タンクの加温温度:130〜170℃
上記第1の実施形態または上記第2の実施形態のタングステン膜の成膜方法を、MOSFETゲート電極、ソース・ドレインとのコンタクト、メモリーのワード線等に用いられるタングステン膜の成膜に用いて半導体装置を製造することにより、高特性の半導体装置を効率よく低コストで製造することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、被処理基板として半導体ウエハを例にとって説明したが、半導体ウエハはシリコンであっても、GaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体でもよく、さらに、半導体ウエハに限定されず、液晶表示装置等のFPD(フラットパネルディスプレイ)に用いるガラス基板や、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
2;サセプタ
5;ヒーター
10;シャワーヘッド
30;ガス供給機構
31;成膜原料タンク
32;キャリアガス配管
33,61,71;N2ガス供給源
36;原料ガス送出配管
42;H2ガス供給源
50;制御部
51;プロセスコントローラ
53;記憶部
81,91;Cl2ガス供給配管
82,92;Cl2ガス供給源
100、100′、101;成膜装置
W;半導体ウエハ
Claims (6)
- 被処理基板が収容され、減圧雰囲気下に保持されたチャンバー内に、タングステン原料ガスとしてのWCl6ガス、水素を含む還元性ガスからなる還元ガス、およびパージガスをシーケンシャルに供給して被処理基板の表面にタングステン膜を成膜するタングステン膜の成膜方法であって、
前記WCl 6 ガスは、原料容器に収容された固体状のWCl 6 を加熱し、前記原料容器にキャリアガスを供給することにより前記チャンバー内に供給され、前記WCl6ガスを供給する際に、同時にエッチング抑制ガスであるCl2ガスを供給することを特徴とするタングステン膜の成膜方法。 - 前記チャンバー内に前記WCl6ガスおよび前記Cl2ガスを供給する第1工程と、
前記チャンバー内をパージする第2工程と、
前記チャンバー内に前記還元ガスを供給する第3工程と、
前記チャンバー内をパージする第4工程と
により、タングステン単位膜を形成し、
前記第1工程から前記第4工程までを複数サイクル繰り返すことにより所望の厚さのタングステン膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のタングステン膜の成膜方法。 - 前記キャリアガスの少なくとも一部としてCl2ガスを用いることにより、WCl6ガスと同時にCl2ガスを前記チャンバーへ供給することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のタングステン膜の成膜方法。
- 被処理基板が収容され、減圧雰囲気下に保持されたチャンバー内に、タングステン原料ガスとしてのWCl6ガス、水素を含む還元性ガスからなる還元ガス、およびパージガスをシーケンシャルに供給して被処理基板の表面にタングステン膜を成膜するタングステン膜の成膜方法であって、
前記WCl 6 ガスは、原料容器に収容された固体状のWCl 6 を加熱し、前記原料容器にキャリアガスを供給することにより前記チャンバー内に供給され、前記WCl6ガスを供給する際に同時に前記還元ガスを供給するか、または前記還元ガスが前記チャンバーに存在している状態で前記WCl6ガスを供給することを特徴とするタングステン膜の成膜方法。 - 前記チャンバー内に前記WCl6ガスおよび前記還元ガスを供給する第1工程と、
前記チャンバー内をパージする第2工程と、
前記チャンバー内に前記還元ガスを供給する第3工程と、
前記チャンバー内をパージする第4工程と
により、タングステン単位膜を形成し、
前記第1工程から前記第4工程までを複数サイクル繰り返すことにより所望の厚さのタングステン膜を形成することを特徴とする請求項4に記載のタングステン膜の成膜方法。 - 前記還元ガスは、H2ガス、SiH4ガス、B2H6ガス、NH3ガスの少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のタングステン膜の成膜方法。
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