JP6390577B2 - シリコン単結晶基板の評価方法 - Google Patents
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Description
前記シリコン単結晶基板の測定面内の抵抗率の勾配の分布を一定の間隔で測定してマップデータを作成する工程と、該マップデータをテキストデータに変換し、該テキストデータから前記シリコン単結晶基板の一方向のデータを抽出する工程と、該抽出したデータから、前記シリコン単結晶基板の前記一方向における第1の幅A毎の移動平均であるシグナルと、前記第1の幅Aの3倍以上の第2の幅B毎の移動平均であるベースラインとをそれぞれ求める工程と、前記シグナルと前記ベースラインの差分を算出する工程と、該算出した差分をストリエーション強度として評価する工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法を提供する。
前記一方向を、前記シリコン単結晶インゴットの半径方向とすることができる。
前記第2の幅Bを、前記測定面内の抵抗率の勾配の分布を測定する間隔の30倍以上とすることが好ましい。
前記第2の幅Bを30mm以下とすることが好ましい。
製造条件を変えて直径200mmシリコン単結晶インゴットを4本引き上げた(結晶A、B、C、D)。このとき、結晶A〜Dの抵抗率や酸素濃度(結晶全体の平均)は同一とした。それぞれの結晶A〜Dから、直胴部の上端からの長さが50cmの位置で、測定対象とするサンプルを切り出した。その後、その表面を高輝度平面研削加工して検査用シリコン単結晶スラブA〜Dとした。
実施例において作成した検査用シリコン単結晶スラブA〜Dの抵抗率の勾配の分布を示すマップデータ(図2〜5)を比較例とした。
Claims (9)
- シリコン単結晶基板の評価方法であって、
前記シリコン単結晶基板の測定面内の抵抗率の勾配の分布を一定の間隔で測定してマップデータを作成する工程と、該マップデータをテキストデータに変換し、該テキストデータから前記シリコン単結晶基板の一方向のデータを抽出する工程と、該抽出したデータから、前記シリコン単結晶基板の前記一方向における第1の幅A毎の移動平均であるシグナルと、前記第1の幅Aの3倍以上の第2の幅B毎の移動平均であるベースラインとをそれぞれ求める工程と、前記シグナルと前記ベースラインの差分を算出する工程と、該算出した差分をストリエーション強度として評価する工程とを有することを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法。 - 評価対象の前記シリコン単結晶基板を、シリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハ又は検査用シリコン単結晶スラブとし、
前記一方向を、前記シリコン単結晶インゴットの半径方向とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。 - 前記測定面内の抵抗率の勾配の分布を測定する間隔を、1μm以上500μm以下の範囲とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。
- 前記第1の幅Aを、前記測定面内の抵抗率の勾配の分布を測定する間隔の10倍以上とし、
前記第2の幅Bを、前記測定面内の抵抗率の勾配の分布を測定する間隔の30倍以上とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。 - 前記第1の幅Aを0.5mm以上とし、
前記第2の幅Bを5mm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。 - 前記第1の幅Aを1mm以上とし、
前記第2の幅Bを10mm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。 - 前記第1の幅Aを10mm以下とし、
前記第2の幅Bを30mm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。 - 前記ストリエーション強度が所望の値以下の前記シリコン単結晶基板を良品と評価することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。
- 前記ストリエーション強度の絶対値の算術平均Raを求め、該求めた算術平均Raを用いて評価することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のシリコン単結晶基板の評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015196046A JP6390577B2 (ja) | 2015-10-01 | 2015-10-01 | シリコン単結晶基板の評価方法 |
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JP2017069492A JP2017069492A (ja) | 2017-04-06 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6390577B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294572A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5029637B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2012-09-19 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
JP5682858B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-03-11 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの評価方法および製造方法 |
JP6211911B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-10-11 | 古河機械金属株式会社 | 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム |
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Publication number | Publication date |
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JP2017069492A (ja) | 2017-04-06 |
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