JP6387944B2 - 研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
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Description
コロイダルシリカを含有し、ベースアルカリとして水酸化リチウムのみを含有し、
前記水酸化リチウムの濃度が、前記研磨剤の全質量に対して0.02wt%以上0.05wt%未満のものであることを特徴とする研磨剤を提供する。
前記研磨剤として、コロイダルシリカを含有し、ベースアルカリとして水酸化リチウムのみを用いたものを使用し、
前記水酸化リチウムの濃度を、前記研磨剤の全質量に対して0.02wt%以上0.05wt%未満とすることを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法を提供する。
そして、図2に示すような研磨装置21において、研磨ヘッド26でシリコンウェーハWを保持し、研磨剤供給機構25から研磨布22上に、上述したような本発明の研磨剤24を供給するとともに、定盤23と研磨ヘッド26をそれぞれ回転させて、シリコンウェーハWの表面を研磨布22に押圧、摺接させることにより、シリコンウェーハWの研磨を行うことができる。
上述したような、ベースアルカリとして、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を用いて行った調査の結果(比較例1−8)に加え、水酸化リチウムをベースアルカリとし、一次粒子径、シリカ濃度を振って、片面研磨機を用いて研磨を行った。このとき、水酸化リチウムの濃度を0.02wt%以上0.05wt%未満の範囲で変化させた場合を実施例1−7とし、水酸化リチウムの濃度を0.10wt%の場合を比較例9−10とした。また、水酸化リチウムの濃度を0.01wt%の場合を比較例11とした。そして、実施例及び比較例における研磨剤の条件と、研磨レート差と研磨レートを測定した結果をまとめたものを表1に示した。
6…インターナルギア、 7…キャリア、8…研磨剤供給機構、
9…スラリーチューブ、 21…片面研磨装置、 22…研磨布、 23…定盤、
24…研磨剤、 25…研磨剤供給機構、 26…研磨ヘッド、
W…シリコンウェーハ。
Claims (2)
- シリコンウェーハの研磨に用いられる研磨剤であって、
コロイダルシリカを含有し、ベースアルカリとして水酸化リチウムのみを含有し、
前記水酸化リチウムの濃度が、前記研磨剤の全質量に対して0.02wt%以上0.05wt%未満のものであることを特徴とする研磨剤。 - 定盤に貼り付けられた研磨布に研磨剤を供給しながら、前記研磨布にシリコンウェーハを摺接させることによりシリコンウェーハの研磨を行う方法であって、
前記研磨剤として、コロイダルシリカを含有し、ベースアルカリとして水酸化リチウムのみを用いたものを使用し、
前記水酸化リチウムの濃度を、前記研磨剤の全質量に対して0.02wt%以上0.05wt%未満とすることを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。
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