JP6379072B2 - ビームスキャナ - Google Patents

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本発明は、ビームスキャナの製造を容易にする技術に関する。
従来、漏れ波ビームスキャナは、周波数可変によりスキャニング角を広くとるために、広帯域の周波数帯を使用する必要があった。近年、伝送路アプローチによる左手系メタマテリアルの進展により、複合右手/左手系の概念から、バックファイアとエンドファイアの両方への偏角を実現した漏れ波アンテナが報告されている。また、メタマテリアルを利用したビームスキャナは、伝送路アプローチによりバラクタダイオードを用いた電気的な掃引を用いた漏れ波ビームスキャナ(非特許文献1)や周波数掃引による導波管型の漏れ波ビームスキャナ(非特許文献2)がある。
図9に周波数掃引による漏れ波導波管型ビームスキャナを示す。このようなビームスキャナは金属切削により導波管や周期的なショートスタブを作成する方法、もしくは導波管やショートスタブを形成した後に電鋳により作成する方法が挙げられる。また周期的なアイリスの作製法としては、別途作成したアイリス層をスタブと交互に配置する方法がある。その他には、金属切削により周期的なアイリスを作成する方法、周期的なアイリスの型を形成した後に電鋳により作成する方法等があり、いずれもショートスタブやアイリスの互いの位置関係やサイズに高い寸法精度が求められる。特に、スロットをミリ波やテラヘルツ波帯では波長がサブミリのオーダとなるため、導波管も同等のサイズとなる他、スタブの場合は、溝の深さが浅くなり、ピッチ間隔が狭くなる。そのような漏れ波導波管型アンテナを製造するには、数十μmオーダの高い寸法精度が求められる。
Sungjoon Lim, Christophe Caloz, and Tatsuo Itoh, "Metamaterial-Based Electronically Controlled Transmission-Line Structure as a Novel Leaky-Wave Antenna With Tunable Radiation Angle and Beamwidth", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 53, NO. 1, JANUARY 2005 Takaoki Ikeda, Kunio Sakakibara, Toru Matsui, Nobuyoshi Kikuma, and Hiroshi Hirayama, "Beam-Scanning Performance of Leaky-Wave Slot-Array Antenna on Variable Stub-Loaded Left-Handed Waveguide", IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION, VOL. 56, NO. 12, DECEMBER 2008
しかしながら、ビームスキャナの周期的なスタブやアイリスを構成するには、高度な位置精度を要する製造技術が必要なため、製造が難しく安価に製造できなかった。
本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、製造の容易なビームスキャナを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のビームスキャナは、導波路を形成するための孔を有する誘電体基板が積層されたビームスキャナであって、前記導波路の周方向における第1部分においては、複数のビアが貫通する1以上の前記誘電体基板とビアが貫通しない1以上の前記誘電体基板が交互に積層されており、前記第1部分以外の第2部分においては、積層された前記誘電体基板を複数のビアが貫通しており、前記ビアが貫通する前記各誘電体基板には導体層が形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、ビアが貫通しない誘電体基板がスロットとして機能し、誘電体基板の積層技術を用いて製造できるので、ビームスキャナを容易に製造できる。
本実施の形態に係わるビームスキャナの斜視図である。 図1のA線における断面を示す斜視図である。 図1のA線における断面図である 図3の符号Mの方向を見た図である。 図3の符号Nの方向に見た図である。 変形例のビームスキャナについて、図3の符号Nの方向に見た図である。 ビームスキャナにおけるアンテナ利得(Directivity(dBi))の分布についての周波数依存性の一例を示す図である。 スロット/漏れ波導波路層の周期pと1つのスロット/漏れ波導波路層における誘電体基板1の層数slotとアンテナ偏向角(Direction)に対するアンテナ利得(Directivity(dBi))を示す図である。 従来の周波数掃引による漏れ波導波管型ビームスキャナを示す図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態に係わるビームスキャナの斜視図である。図2は、図1のA線における断面を示す斜視図である。図3は、図1のA線における断面図である。
ビームスキャナは、誘電体基板1を積層したものであり、積層方向に導波路2が貫通する。導波路2の開口形状は長方形であり、最も手前の誘電体基板1には、図示しない導波管を導波路2と接続するための導波管接続口21が取り付けられている。
誘電体基板1の材料はセラミックスやガラスフィラーを混入したセラミックス混合材料、ポリイミド等のポリマー材料でも良いが、誘電損失が小さい材料が望ましい。
誘電体基板1の総数は、例えば、10〜40層程度である。これを多くすることで、導波路2を長くできる。
導波路2の高さHは、例えば、250μmあり、幅Wは、例えば、500μmである。導波管接続口21の縦の長さは、例えば、864μm、横幅は、例えば、432μmである。
ビームスキャナは,太線で示す導体層3が形成された誘電体基板1をz方向に積層することにより形成する。誘電体基板1の厚さは、例えば、数十〜数百μmである。誘電体基板1には、導波路2の開口形状と同じサイズの孔が予め形成され、積層することにより、開口面積と形状が一定の導波路2を形成する。
ビームスキャナは、導波路2の中心軸周りの方向(周方向)における第1部分1Aと、残りの第2部分1Bとに分かれる。
(第1部分1A)
第1部分1Aは、例えば、導波路2の2つの長辺のうちの1つとビームスキャナの外部空間に接する。第1部分1Aは、例えば、導波路2の一方端から他方端に渡り設けられる。
第1部分1Aでは、複数のビア4が貫通する1以上の誘電体基板1とビア4が貫通しない1以上の誘電体基板1が交互に積層されている。ビア4が貫通しない1以上の誘電体基板1の部分を漏れ波導波路層(符号1a)という。
ビア4は、金属が充填されたものであり、例えば、円柱状であり、所定の間隔をもって複数配置される。なお、ビア4の形状は四角柱等でも良く、間隔は必ずしも同一である必要はない。以下、ビア4について同様である。
導波路2に導入された電磁波の一部は、漏れ波導波路層1aを通り、外部に放出する。すなわち、この部分は、スロットとして機能する。
誘電体基板1の総数を多くすることで、スロットも多くなり、アンテナ利得を高くできる。
一方、導波路2に導入された電磁波の一部は、ビア4が貫通する誘電体基板1の部分に進入するがビア4、導体層3によって反射し、導波路2に戻る。
ビア4の間から電磁波が漏れるのを抑制するため、ビア4の間隔は、所望帯域の周波数から決まる波長の1/4以下であることが望ましい。
図では、ビア4が貫通する1層の誘電体基板1と漏れ波導波路層1aが交互に積層されている。ビア4が貫通する誘電体基板1の数は2層以上でもよい。例えば、図3の最も左側の誘電体基板1は2層であり、最も右側も2層であり、このように部分的に層数を変えてもよい。漏れ波導波路層1aにおける誘電体基板1の数は、1層又は3層以上でもよい。
第1部分1Aにおいて、ビア4が貫通する各誘電体基板1の一方の表面には、ビア4の位置を除き全面に導体層3(太線)が形成される。その裏面(導体層3がない面)に対向する、漏れ波導波路層1aの誘電体基板1の表面にも全面に渡り、導体層3(太線)が形成される。一方、漏れ波導波路層1aの誘電体基板1間には導体層3は形成されない。
導体層3の厚さは、例えば、数〜数十μmであり、シルクスクリーン印刷やメッキ処理により形成する。導体層3の材料は、金、銀、タングステン、銅でも良い。導体層3は、誘電体基板1の表や裏の面において、ビア4から導波路2までを覆うことで、導波路2の内壁を同電位とするだけでなく、波長以下のコルゲート構造を実効的に形成することができる。
漏れ波導波路層1aの厚さ(誘電体基板1の合計の厚さ)は、短いほど誘電損の影響を受けないので、可能な限り短くすることが好ましい。例えば、合計の厚さは1000μm(1mm)である。
(第2部分1B)
第2部分1Bは、導波路2の残りの長辺及び2つの短辺とビームスキャナの外部空間に接する。第2部分1Bは、例えば、導波路2の一方端から他方端にまで渡り設けられる。
第2部分1Bでは、積層された誘電体基板1を複数のビア4が貫通し、その各誘電体基板1には一方の表面全面に渡り、導体層3が形成されている。
導波路2に導入された電磁波の一部は、第2部分1Bの誘電体基板1に進入するがビア4や導体層3によって反射し、導波路2に戻る。
よって、ビア4の間隔は、所望帯域の周波数から決まる波長の1/4以下であることが望ましい。
導波路2に最も近いビア4から導波路2までの誘電体基板1の部分は、スタブ(後述する図4の符号2A)やアイリス(後述する図4の符号2B)として機能し、容量性または誘導性インピーダンスを生じる。そのため、アンテナ特性の設計に重要な因子であるため、所望の帯域や偏向角に対して所望の距離に設定する必要がある。
例えば、一般に金属導波管と誘電体積層基板による給電部におけるインピーダンス整合のためには、導波路2に最も近いビア4の中心から導波路2の内壁までの距離は、所定の中心周波数に対応する波長の1/2に設定する。この距離は、コルゲート構造の溝深さに等価的に対応すると考えられる。
実際には、電磁波の実効的な反射点はビア4の間隔やビア4の径にも依存しており、数値計算によって距離を計算する。
例えば、誘電体基板1の誘電率が6.8で、厚さが100μm、ビア4の径が100μmの場合、中心周波数を300GHzとすると、誘電体基板1の実効誘電率は、εeff=(1+εr)/2、誘電体基板1の中の波長は、λeff=λ/εeff 0.5であるから、スタブにおけるビア4の中心から導波路2の内壁までの距離は、λeff/2よりも若干大きく、250μm程度である。
導波路2に最も近いビア4の中心から導波路2の内壁までの最短距離は、誘電体基板1の機械的特性(強度)に鑑み、製造上適した距離に決定される。バックファイアとエンドファイアの両方への偏角を実現した漏れ波アンテナを構成するために、所望の周波数帯域において、実効的な位相定数が正負反転(複合右手/左手系の構成)となるように、スタブにおけるビア4の中心から導波路2の内壁までの距離を設定する。
図4は、図3の符号Mの方向を見た図であり、図5は、図3の符号Nの方向に見た図である。図4において、スタブは符号2A、アイリスは符号2Bで示す。
図4においては、第1部分1Aの誘電体基板1は見えておらず、導体層3が見えているのに対し、図5においては、第1部分1Aの誘電体基板1の部分が見えている。第1部分1Aにおける導波路2から外部空間までの長さLが短いほど誘電損の影響を少なくでき、好ましい。長さLは、例えば、1000μm(1mm)である。
(変形例)
図5は、変形例のビームスキャナについて、図3の符号Nの方向に見た図である。
第1部分1Aにおいて、ビア4が貫通しない誘電体基板1(漏れ波導波路層/スロット)には空気孔5が形成されており、空気孔5には誘電体基板1の材料が存在しない。これにより、誘電体基板1の材料による誘電損をより低減できる。
本実施の形態に係わるビームスキャナによれば、課題すなわち、高周波において誘電体基板1の材料の誘電損失が増大し、伝搬損失が大きくなり、アンテナ効率が低下するという課題を解決できる。
そのためには、例えば上記のように、導波路2の高さHを250μm、幅Wを500μmとする。例えば、スタブを110μm、アイリスを100μmとする。スタブやアイリスは、所望の電磁波放射パターンや帯域特性が得られるように適宜調整するパラメータであり、必ずしも全ての誘電体基板1の層で一定である必要はない。
本実施の形態に係わるビームスキャナの効果を図表を用いて解説する。上記のように、導波路2の高さHを250μm、幅Wを500μm、スタブを110μm、アイリスを100μm、誘電体基板1の総数を30層とする。
図7は、このようなビームスキャナにおけるアンテナ利得(Directivity(dBi))の分布についての周波数依存性を示す図である。この分布は計算により求めた結果である。図に示すように、250GHz〜340GHzで±30度以上の偏向特性が得られていることが分かる。
また、図8は、スロット/漏れ波導波路層の周期pと1つのスロット/漏れ波導波路層における誘電体基板1の層数slotとアンテナ偏向角(Direction)に対するアンテナ利得(Directivity)を示す図である。図に示すように、1つのスロット/漏れ波導波路層における誘電体基板1の層数slotを多く設計することで、どの周期p、どのアンテナ偏向角であっても、高いアンテナ利得を得ることができる。
本実施の形態に係わるビームスキャナは、基本的には、誘電体基板の積層技術で製造でき、導波路2、スタブ、アイリス、スロット等の構成部品を一括で容易に製造できる。よって、ビームスキャナを安価に製造できる。
また、誘電体基板1に予め形成した孔により導波路2を形成することで、高周波における誘電体基板1の材料の誘電損失を低減し、アンテナ利得を向上させることができる。
また、ビア4が貫通する誘電体基板1の部分において、導波路2に最も近いビア4の中心と導波路2の内壁の距離を所定の距離にすることで、ビームスキャナに接続される外部の金属導波管とのインピーダンス整合を行い、所望の通過帯域を中心帯域として合わせることができる。
また、漏れ波導波路層1aを周期的に設けることで、周期的なスロットを構成でき、ビームスキャナの利得特性を広帯域化できる。
1 誘電体基板
2 導波路
3 導体層
4 ビア
1A (ビームスキャナの)第1部分
1B (ビームスキャナの)第2部分
1a 漏れ波導波路層(スロット)

Claims (2)

  1. 導波路を形成するための孔を有する誘電体基板が積層されたビームスキャナであって、
    前記導波路の周方向における第1部分においては、複数のビアが貫通する1以上の前記誘電体基板とビアが貫通しない1以上の前記誘電体基板が交互に積層されており、
    前記第1部分以外の第2部分においては、積層された前記誘電体基板を複数のビアが貫通しており、
    前記ビアが貫通する前記各誘電体基板には導体層が形成されている
    ことを特徴とするビームスキャナ。
  2. 前記ビアが貫通しない前記各誘電体基板には空気孔が形成されている
    ことを特徴とする請求項1記載のビームスキャナ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP3464107B2 (ja) * 1996-12-25 2003-11-05 京セラ株式会社 誘電体導波管スロットアンテナ
EP1135827A1 (en) * 1998-10-16 2001-09-26 Paratek Microwave, Inc. Voltage tunable laminated dielectric materials for microwave applications
US7151499B2 (en) * 2005-04-28 2006-12-19 Aramais Avakian Reconfigurable dielectric waveguide antenna
US7808439B2 (en) * 2007-09-07 2010-10-05 University Of Tennessee Reserch Foundation Substrate integrated waveguide antenna array
US9054406B2 (en) * 2011-02-25 2015-06-09 National University Corporation Kyoto Institute Of Technology Nonreciprocal transmission line apparatus having asymmetric structure of transmission line
JP5616927B2 (ja) * 2012-05-25 2014-10-29 日本電信電話株式会社 ホーンアンテナ一体型mmicパッケージ及びアレーアンテナ

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