JP6369263B2 - ワークの研磨装置およびワークの製造方法 - Google Patents
ワークの研磨装置およびワークの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6369263B2 JP6369263B2 JP2014195326A JP2014195326A JP6369263B2 JP 6369263 B2 JP6369263 B2 JP 6369263B2 JP 2014195326 A JP2014195326 A JP 2014195326A JP 2014195326 A JP2014195326 A JP 2014195326A JP 6369263 B2 JP6369263 B2 JP 6369263B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- workpiece
- slurry
- plate
- annular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 128
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 86
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 10
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
そこで、本発明の目的は、研磨工程におけるワークの表面品質の低下を防止することができるワークの研磨装置およびワークの製造方法を提案することにある。
(1)表面に研磨パッドが取り付けられた少なくとも下定盤を有する回転定盤と、前記下定盤の下方にて前記研磨パッドに供給された研磨スラリーを回収する受け盤とを備え、前記研磨パッド上に載置されたワークに研磨スラリーを供給して前記ワークを研磨する装置であって、前記下定盤と前記受け盤との間に前記下定盤の回転機構に研磨スラリーが侵入するのを抑制する遮蔽構造を有し、かつ該遮蔽構造内に侵入した研磨スラリーを排出するスラリー排出口が前記遮蔽構造内に設けられた、ワークの研磨装置において、前記遮蔽構造に侵入した研磨スラリーが固着するのを防止するための固着防止液を前記遮蔽構造内に供給する固着防止液供給手段が設けられていることを特徴とするワークの研磨装置。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図1および2と同じ構成には同じ符号が付されており、説明を省略する。本発明に係るワークの研磨装置は、図1に示した研磨装置100と同様に、表面に研磨パッド12aが取り付けられた少なくとも下定盤12を有する回転定盤10と、下定盤12の下方にて研磨パッド12aに供給された研磨スラリーSを回収する受け盤13とを備える。また、下定盤12と受け盤13との間に、下定盤12の回転機構(図示せず)に研磨スラリーSが侵入するのを抑制する遮蔽構造Lを有し、かつ該遮蔽構造L内に侵入した研磨スラリーSを排出するスラリー排出口23が遮蔽構造L内に設けられている。
次に、本発明に係るワークの製造方法について説明する。本発明のワークの製造方法は、ワークの研磨工程において、上述したワークの研磨装置を用いて研磨処理を施すことを特徴としている。従って、上記それ以外の製造条件は一切限定されない。以下、図5を参照して、ワークがシリコンウェーハである場合を例に本発明に係るワークの製造方法について説明する。
なお、ラッピング処理を行う研磨装置がラビリンス構造を有し、シリコンウェーハを回転させる回転機構を有している場合には、この研磨装置にも本発明を適用することができる。
11 上定盤
11a,12a 研磨パッド
12 下定盤
12b 第1環状壁
13 受け盤
13a 底板
13b 第2環状壁
14 スラリータンク
15 ポンプ
16,18 フィルター
17,23 スラリー排出口
21,22 環状領域
24 固着防止液供給手段
25 液位センサー
100 両面研磨装置
L 遮蔽構造
S 研磨スラリー
W ワーク
Claims (6)
- 表面に研磨パッドが取り付けられた少なくとも下定盤を有する回転定盤と、前記下定盤の下方にて前記研磨パッドに供給された研磨スラリーを回収する受け盤とを備え、前記研磨パッド上に載置されたワークに研磨スラリーを供給して前記ワークを研磨する装置であって、前記下定盤と前記受け盤との間に前記下定盤の回転機構に研磨スラリーが侵入するのを抑制する遮蔽構造を有し、かつ該遮蔽構造内に侵入した研磨スラリーを排出するスラリー排出口が前記遮蔽構造内に設けられた、ワークの研磨装置において、
前記遮蔽構造に侵入した研磨スラリーが固着するのを防止するための固着防止液を前記遮蔽構造内に供給する固着防止液供給手段が設けられており、
前記下定盤は、前記受け盤側の表面に、前記回転定盤の周縁に同心円状に配置された少なくとも2つの第1環状壁を有し、
前記受け盤は、前記下定盤よりも大きな径を有する円盤状の底板と、該底板の前記下定盤側の表面に該底板の周縁に同心円状に配置された少なくとも3つの第2環状壁とを有し、
前記遮蔽構造は、前記下定盤の前記少なくとも2つの第1環状壁を、前記受け盤の前記底板および前記少なくとも3つの第2環状壁で区画される環状領域に差し込み配置されてなり、前記スラリー排出口は前記環状領域内に設けられており、
前記環状領域内における前記固着防止液の液位を感知するセンサーを更に備えることを特徴とするワークの研磨装置。 - 前記底板の前記下定盤側の表面は、前記環状領域内において前記スラリー排出口側に向かって傾斜している、請求項1に記載のワークの研磨装置。
- 前記固着防止液は水である、請求項1または2に記載のワークの研磨装置。
- 前記回転定盤は上定盤を更に有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のワークの研磨装置。
- ワークの研磨工程において、請求項1〜4に記載のワークの研磨装置を用いて研磨処理を施すことを特徴とするワークの製造方法。
- 前記ワークはシリコンインゴットから切り出されたシリコンウェーハである、請求項5に記載のワークの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014195326A JP6369263B2 (ja) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014195326A JP6369263B2 (ja) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016064478A JP2016064478A (ja) | 2016-04-28 |
JP6369263B2 true JP6369263B2 (ja) | 2018-08-08 |
Family
ID=55803867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014195326A Active JP6369263B2 (ja) | 2014-09-25 | 2014-09-25 | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6369263B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102379162B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2022-03-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 랩핑 장치 및 그를 이용한 슬러리 재생 방법 |
US20190299360A1 (en) * | 2018-04-02 | 2019-10-03 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and substrate processing apparatus |
JP7050560B2 (ja) * | 2018-04-18 | 2022-04-08 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び基板処理装置 |
CN110788699A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-02-14 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 抛光盘及抛光*** |
JP7218731B2 (ja) * | 2020-01-09 | 2023-02-07 | 信越半導体株式会社 | ラッピング装置の洗浄装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2523892A1 (fr) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Procedes Equip Sciences Ind | Perfectionnements aux machines de polissage a plateau tournant |
US6203412B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-03-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Submerge chemical-mechanical polishing |
JP2010052090A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Epson Toyocom Corp | 研磨装置および研磨方法 |
-
2014
- 2014-09-25 JP JP2014195326A patent/JP6369263B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016064478A (ja) | 2016-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6369263B2 (ja) | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 | |
JP5916513B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
CN101022082A (zh) | 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法 | |
JP6327329B1 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法およびシリコンウェーハの製造方法 | |
JP2007204286A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2009302410A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2013247132A (ja) | 板状物の加工方法 | |
EP1155777A1 (en) | Work polishing method and work polishing device | |
US20090042390A1 (en) | Etchant for silicon wafer surface shape control and method for manufacturing silicon wafers using the same | |
US20100021688A1 (en) | Wafer manufacturing method and wafer obtained through the method | |
JP6065802B2 (ja) | 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法 | |
CN108290268B (zh) | 晶圆的双面研磨方法 | |
TWI515782B (zh) | Silicon wafer grinding method and abrasive | |
JP2004343126A (ja) | 半導体ウェハの前面および裏面を同時にポリッシングする方法 | |
JP3651440B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液 | |
JP2006269960A (ja) | 半導体基板の洗浄方法、および半導体基板の製造方法 | |
TW202046429A (zh) | 多晶矽棒之切斷方法、多晶矽棒的切割棒之製造方法、多晶矽棒的塊晶之製造方法以及多晶矽棒的切割裝置 | |
KR20100052831A (ko) | 반도체 웨이퍼용 래핑 후 세정 방법 및 장치 | |
EP3442008B1 (en) | Protective film forming method for semiconductor substrate | |
JP6683277B1 (ja) | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 | |
JP5500249B2 (ja) | ウェーハの汚染防止方法、検査方法および製造方法 | |
JP5578409B2 (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 | |
TW201812947A (zh) | 矽鑄錠的切斷方法、矽晶圓的製造方法及矽晶圓 | |
KR20120134523A (ko) | 에칭 처리 장치 | |
JP2003347257A (ja) | 半導体ウエーハのラッピング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6369263 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |