JP6354950B2 - Electroless plating base material - Google Patents

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Description

本発明は、ハイパーブランチポリマー、金属微粒子及びアルコキシシランを含む無電解めっき下地剤に関する。  The present invention relates to an electroless plating base material containing a hyperbranched polymer, metal fine particles and alkoxysilane.

無電解めっきは、基材をめっき液に浸漬するだけで、基材の種類や形状に関係なく厚さの均一な被膜が得られ、プラスチックやセラミック、ガラス等の不導体材料にも金属めっき膜を形成できることから、例えば、自動車部品などの樹脂成形体への高級感や美観の付与といった装飾用途や、電磁遮蔽、プリント基板及び大規模集積回路等の配線技術など、種々の分野において幅広く用いられている。
通常、無電解めっきにより基材（被めっき体）上に金属めっき膜を形成する場合、基材と金属めっき膜の密着性を高めるための前処理が行われる。具体的には、まず種々のエッチング手段によって被処理面を粗面化及び／又は親水化し、次いで、被処理面上へのめっき触媒の吸着を促す吸着物質を被処理面上に供給する感受性化処理（sensitization）と、被処理面上にめっき触媒を吸着させる活性化処理（activation）とを行う。典型的には、感受性化処理は塩化第一スズの酸性溶液中に被処理物を浸漬し、これにより、還元剤として作用し得る金属（Ｓｎ２＋）が被処理面に付着する。そして、感受性化された被処理面に対して、活性化処理として塩化パラジウムの酸性溶液中に被処理物を浸漬させる。これにより、溶液中のパラジウムイオンは還元剤である金属（スズイオン：Ｓｎ２＋）によって還元され、活性なパラジウム触媒核として被処理面に付着する。こうした前処理後、無電解めっき液に浸漬して、金属めっき膜を被処理面上に形成する。In electroless plating, a film with a uniform thickness can be obtained by simply immersing the substrate in the plating solution, regardless of the type or shape of the substrate. Metal plating films can also be applied to non-conductive materials such as plastic, ceramic, and glass. For example, it is widely used in various fields such as decorative applications such as imparting a sense of quality and aesthetics to resin moldings such as automobile parts, and wiring technologies such as electromagnetic shielding, printed circuit boards, and large-scale integrated circuits. ing.
Usually, when forming a metal plating film on a base material (to-be-plated body) by electroless plating, the pre-processing for improving the adhesiveness of a base material and a metal plating film is performed. Specifically, first, the surface to be treated is roughened and / or made hydrophilic by various etching means, and then the sensitization of supplying an adsorbing substance that promotes adsorption of the plating catalyst onto the surface to be treated is performed. A treatment (sensitization) and an activation treatment (activation) for adsorbing the plating catalyst on the surface to be treated are performed. Typically, the sensitizing treatment immerses the object to be treated in an acidic solution of stannous chloride, so that a metal (Sn 2+ ) that can act as a reducing agent adheres to the surface to be treated. Then, the object to be treated is immersed in an acidic solution of palladium chloride as an activation treatment for the sensitized surface to be treated. Thereby, the palladium ions in the solution are reduced by the metal (tin ion: Sn 2+ ) as a reducing agent, and adhere to the surface to be processed as active palladium catalyst nuclei. After such pretreatment, it is immersed in an electroless plating solution to form a metal plating film on the surface to be treated.

一方、デンドリティック（樹枝状）ポリマーとして分類されるハイパーブランチポリマーは、積極的に枝分かれを導入しており、最も顕著な特徴として末端基数の多さが挙げられる。この末端基に反応性官能基を付与した場合、上記ポリマーは非常に高密度に反応性官能基を有することになるため、例えば、触媒などの機能物質の高感度捕捉剤、高感度な多官能架橋剤、金属もしくは金属酸化物の分散剤又はコーティング剤としての応用などが期待されている。
例えば、アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマー及び金属微粒子を含む組成物の還元触媒として使用した例が報告されている（特許文献１）。On the other hand, hyperbranched polymers classified as dendritic (dendritic) polymers actively introduce branching, and the most remarkable feature is the large number of terminal groups. When a reactive functional group is added to this end group, the polymer has a reactive functional group at a very high density. For example, a high-sensitivity capture agent for functional substances such as catalysts, a high-sensitivity multifunctional Application as a crosslinking agent, a dispersing agent or a coating agent of a metal or a metal oxide is expected.
For example, an example in which a composition containing a hyperbranched polymer having an ammonium group and metal fine particles is used as a reduction catalyst has been reported (Patent Document 1).

上述したように、従来の無電解めっき処理において、前処理工程で実施される粗面化処理はクロム化合物（クロム酸）が使用されており、また前処理の工程数が非常に多いなど、環境面やコスト面、煩雑な操作性などの種々の改善が求められている。
さらに近年、樹脂筐体の成形技術が向上し、綺麗な筐体面をそのままめっき化できる方法、特に電子回路形成の微細化及び電気信号の高速化に伴い、平滑基板への密着性の高い無電解めっきの方法が求められている。
そこで本発明はこうした課題に着目し、環境に配慮し、少ない工程数で簡便に処理でき、また低コスト化を実現できる、無電解めっきの前処理工程として用いられる新たな下地剤の提供を目的とする。As described above, in the conventional electroless plating process, the roughening process performed in the pretreatment process uses a chromium compound (chromic acid), and the number of pretreatment processes is very large. Various improvements, such as a surface, a cost, and complicated operativity, are calculated | required.
In recent years, the molding technology for resin casings has been improved, and a method that enables plating of a clean casing surface as it is, especially with the miniaturization of electronic circuit formation and the speeding up of electrical signals, is highly electroless. There is a need for a plating method.
Therefore, the present invention pays attention to such problems, and aims to provide a new base material used as a pretreatment process of electroless plating that can be easily processed with a small number of processes and can realize cost reduction in consideration of the environment. And

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、アンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーと金属微粒子及びアルコキシシランとを組み合わせ、これを基材上に塗布して得られる層が無電解金属めっきの下地層としてめっき性並びに密着性に優れることを見出し、本発明を完成させた。  As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have combined a hyperbranched polymer having an ammonium group at the molecular end with metal fine particles and an alkoxysilane, and a layer obtained by coating this on a substrate. Was found to be excellent in plating properties and adhesion as an underlayer for electroless metal plating, and completed the present invention.

すなわち本発明は、第１観点として、基材上に無電解めっき処理により金属めっき膜を形成するための下地剤であって、（ａ）アンモニウム基を分子末端に有し且つ重量平均分子量が５００〜５，０００，０００であるハイパーブランチポリマー、（ｂ）金属微粒子、及び（ｃ）脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、若しくはエポキシ基を有するアルコキシシラン、又はそのオリゴマー、を含む下地剤に関する。
第２観点として、前記（ｂ）金属微粒子に、前記（ａ）ハイパーブランチポリマーのアンモニウム基が付着して複合体を形成している、第１観点に記載の下地剤に関する。
第３観点として、前記（ａ）ハイパーブランチポリマーが、式［１］で表されるハイパーブランチポリマーである、第１観点又は第２観点に記載の下地剤に関する。
（式中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖状、枝分かれ状若しくは環状のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基又は−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｍＲ５（式中、Ｒ５は水素原子又はメチル基を表し、ｍは２〜１００の整数を表す。）を表す（該アルキル基及びアリールアルキル基は、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アンモニウム基、カルボキシル基又はシアノ基で置換されていてもよい。）か、Ｒ２〜Ｒ４のうちの２つの基が一緒になって、直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキレン基を表すか、又はＲ２〜Ｒ４並びにそれらが結合する窒素原子が一緒になって環を形成してもよく、Ｘ−は陰イオンを表し、ｎは繰り返し単位構造の数であって、５〜１００，０００の整数を表し、Ａ１は式［２］で表される構造を表す。）
（式中、Ａ２はエーテル結合又はエステル結合を含んでいてもよい炭素原子数１〜３０の直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキレン基を表し、Ｙ１〜Ｙ４はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。）
第４観点として、前記（ａ）ハイパーブランチポリマーが、式［３］で表されるハイパーブランチポリマーである、第３観点に記載の下地剤に関する。
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは前記と同じ意味を表す。）
第５観点として、前記（ｂ）金属微粒子が、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる群より選択される少なくとも一種の金属の微粒子である、第１観点〜第４観点のうち何れか一項に記載の下地剤に関する。
第６観点として、前記（ｂ）金属微粒子が、パラジウム微粒子である、第５観点に記載の下地剤に関する。
第７観点として、前記（ｂ）金属微粒子が、１〜１００ｎｍの平均粒径を有する微粒子である、第５観点又は第６観点に記載の下地剤に関する。
第８観点として、前記（ｃ）アルコキシシランが式［４］で表される化合物である、第１観点〜第７観点のうち何れか一項に記載の下地剤に関する。
（式中、Ｒ６は炭素原子数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７はそれぞれ独立してメチル基又はエチル基を表し、Ｌはエーテル結合を含んでいてもよい炭素原子数１〜６のアルキレン基を表し、Ｚは脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、又はエポキシ基を表し、ａは０又は１を表す。）
第９観点として、第１観点〜第８観点のうち何れか一項に記載の下地剤を層形成して得られる、無電解めっき下地層に関する。
第１０観点として、第９観点に記載の無電解めっき下地層に無電解めっきすることにより該下地層上に形成される、金属めっき膜に関する。
第１１観点として、基材と、該基材上に形成された第９観点に記載の無電解めっき下地層と、該無電解めっき下地層上に形成された第１０観点に記載の金属めっき膜とを具備する、金属被膜基材に関する。
第１２観点として、下記Ａ工程及びＢ工程を含む、金属被膜基材の製造方法に関する。Ａ工程：第１観点〜第８観点のうち何れか一項に記載の下地剤を基材上に塗布し、下地層を具備する工程
Ｂ工程：下地層を具備した基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成する工程。 That is, as a first aspect, the present invention is a base agent for forming a metal plating film on a substrate by electroless plating, and (a) has an ammonium group at the molecular end and a weight average molecular weight of 500. A base comprising a hyperbranched polymer of ~ 5,000,000, (b) metal fine particles, and (c) an alkoxy group having an amino group optionally substituted with an aliphatic group, or an epoxy group, or an oligomer thereof It relates to the agent.
As a second aspect, the present invention relates to the base agent according to the first aspect, in which the ammonium group of the hyperbranched polymer (a) is attached to the metal fine particles (b) to form a complex.
As a 3rd viewpoint, the said (a) hyperbranched polymer is related with the base agent as described in a 1st viewpoint or a 2nd viewpoint which is a hyperbranched polymer represented by Formula [1].
(In the formula, each R 1 independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and each of R 2 to R 4 independently represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. , An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms or — (CH 2 CH 2 O) m R 5 (wherein R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group, and m represents an integer of 2 to 100). (The alkyl group and the arylalkyl group may be substituted with an alkoxy group, a hydroxy group, an ammonium group, a carboxyl group, or a cyano group), or two groups of R 2 to R 4 may be bonded together. Represents a linear, branched or cyclic alkylene group, or R 2 to R 4 and the nitrogen atom to which they are bonded may form a ring, and X − represents an anion. Where n is simply repeated A number of structures, an integer of 5 to 100,000, A 1 represents a structure represented by the formula [2].)
(In the formula, A 2 represents a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 30 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond, and Y 1 to Y 4 are each independently hydrogen. An atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a nitro group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, or a cyano group.
As a 4th viewpoint, the said (a) hyperbranched polymer is related with the base agent as described in a 3rd viewpoint which is a hyperbranched polymer represented by Formula [3].
(In the formula, R 1 , R 2 and n represent the same meaning as described above.)
As a fifth aspect, the metal fine particles (b) are iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), silver (Ag), tin (Sn), platinum ( It is related with the base agent as described in any one of the 1st viewpoint-the 4th viewpoint which is a fine particle of at least 1 type of metal selected from the group which consists of Pt) and gold | metal | money (Au).
As a sixth aspect, the present invention relates to the base material according to the fifth aspect, wherein the metal fine particles (b) are palladium fine particles.
As a seventh aspect, the present invention relates to the base agent according to the fifth aspect or the sixth aspect, in which the metal fine particles (b) are fine particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm.
As an eighth aspect, the present invention relates to the base agent according to any one of the first aspect to the seventh aspect, in which the (c) alkoxysilane is a compound represented by the formula [4].
(Wherein R 6 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group, R 7 independently represents a methyl group or an ethyl group, and L represents the number of carbon atoms that may contain an ether bond. 1 to 6 alkylene groups, Z represents an amino group which may be substituted with an aliphatic group, or an epoxy group, and a represents 0 or 1.)
As a 9th viewpoint, it is related with the electroless-plating base layer obtained by layer-forming the base agent as described in any one of a 1st viewpoint-an 8th viewpoint.
As a 10th viewpoint, it is related with the metal plating film formed on this base layer by electroless-plating to the electroless plating base layer as described in a 9th viewpoint.
As an eleventh aspect, the base material, the electroless plating base layer according to the ninth aspect formed on the base material, and the metal plating film according to the tenth aspect formed on the electroless plating base layer And a metal-coated substrate.
As a 12th viewpoint, it is related with the manufacturing method of a metal film base material containing the following A process and B process. Step A: Applying the base agent according to any one of the first aspect to the eighth aspect on the base material and providing the base layer Step B: Electroless plating bath for the base material provided with the base layer A step of forming a metal plating film by dipping in a metal.

本発明の下地剤は、基材上に塗布するだけで容易に無電解金属めっきの下地層を形成することができる。また、本発明の下地剤は、基材との密着性に優れる下地層を形成することができる。さらに、本発明の下地剤は、μｍオーダーの細線を描くことができ、各種配線技術にも好適に使用することができる。
また本発明の下地剤から形成された無電解金属めっきの下地層は、無電解めっき浴に浸漬するだけで、容易に金属めっき膜を形成でき、基材と下地層、そして金属めっき膜とを備える金属被膜基材を容易に得ることができる。
そして上記金属めっき膜は、下層の下地層との密着性に優れる。
すなわち、本発明の下地剤を用いて基材上に下地層を形成することにより、いわば基材との密着性に優れた金属めっき膜を形成することができる。The base agent of the present invention can easily form a base layer of electroless metal plating simply by coating on a substrate. Moreover, the base agent of this invention can form the base layer which is excellent in adhesiveness with a base material. Furthermore, the base material of the present invention can draw fine lines on the order of μm and can be suitably used for various wiring techniques.
In addition, the electroless metal plating base layer formed from the base agent of the present invention can be easily formed by simply immersing it in an electroless plating bath, and the substrate, the base layer, and the metal plating film can be formed. The provided metal-coated substrate can be easily obtained.
And the said metal plating film is excellent in adhesiveness with a lower base layer.
That is, by forming the base layer on the base material using the base material of the present invention, it is possible to form a metal plating film having excellent adhesion to the base material.

図１は、合成例１で得られた塩素原子を分子末端に有するハイパーブランチポリマー（ＨＰＳ−Ｃｌ）の１Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。1 is a diagram showing a 1 H NMR spectrum of a hyperbranched polymer (HPS-Cl) having a chlorine atom at the molecular end obtained in Synthesis Example 1. FIG. 図２は、合成例２で得られたトリオクチルアンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマー（ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ）の１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a 13 C NMR spectrum of a hyperbranched polymer (HPS-NOct 3 Cl) having a trioctylammonium group obtained in Synthesis Example 2 at the molecular end. 図３は、合成例４で得られたジメチルオクチルアンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマー（ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ）の１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a 13 C NMR spectrum of a hyperbranched polymer (HPS-N (Me) 2 OctCl) having a dimethyloctylammonium group at the molecular end obtained in Synthesis Example 4. 図４は、実施例２０で得られたＰＩフィルム上の金属めっき膜の電子顕微鏡画像を示す図である。4 is a view showing an electron microscope image of a metal plating film on the PI film obtained in Example 20. FIG. 図５は、実施例２０で得られたＰＩフィルム上の金属めっき膜の断面ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像を示す図である。5 is a view showing a cross-sectional SEM (scanning electron microscope) image of the metal plating film on the PI film obtained in Example 20. FIG.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の下地剤は、（ａ）アンモニウム基を含有し且つ重量平均分子量が５００〜５，０００，０００であるハイパーブランチポリマー、（ｂ）金属微粒子、及び（ｃ）脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、若しくはエポキシ基を有するアルコキシシラン、又はそのオリゴマーを含む下地剤である。
本発明の下地剤は基材上に無電解めっき処理により無電解めっき金属膜（金属めっき膜ともいう）を形成するための下地剤として好適に使用される。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The base agent of the present invention is substituted with (a) a hyperbranched polymer containing an ammonium group and having a weight average molecular weight of 500 to 5,000,000, (b) metal fine particles, and (c) an aliphatic group. It is a base agent containing an alkoxysilane having an amino group or an epoxy group, or an oligomer thereof.
The base agent of the present invention is suitably used as a base agent for forming an electroless plating metal film ( also referred to as a metal plating film ) on a substrate by electroless plating treatment.

［下地剤］
＜（ａ）ハイパーブランチポリマー＞
本発明の下地剤に用いられるハイパーブランチポリマーは、アンモニウム基を分子末端に有し且つ重量平均分子量が５００〜５，０００，０００であるポリマーであり、具体的には下記式［１］で表されるハイパーブランチポリマーが挙げられる。
前記式［１］中、Ｒ１は、それぞれ独立して水素原子又はメチル基を表す。
また、Ｒ２〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基、又は−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｍＲ５（式中、Ｒ５は水素原子又はメチル基を表し、ｍは２〜１００の任意の整数を表す。）を表す。上記アルキル基及びアリールアルキル基は、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アンモニウム基、カルボキシル基又はシアノ基で置換されていてもよい。また、Ｒ２〜Ｒ４のうちの２つの基が一緒になって、直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキレン基を表すか、又はＲ２〜Ｒ４並びにそれらが結合する窒素原子が一緒になって環を形成してもよい。
またＸ−は陰イオンを表し、ｎは繰り返し単位構造の数であって、５〜１００，０００の整数を表す。 [Base material]
<(A) Hyperbranched polymer>
The hyperbranched polymer used in the base agent of the present invention is a polymer having an ammonium group at the molecular end and a weight average molecular weight of 500 to 5,000,000, specifically represented by the following formula [1]. And hyperbranched polymers.
In the above formula [1], R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group independently.
R 2 to R 4 are each independently a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or-( CH 2 CH 2 O) m R 5 (wherein R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group, and m represents an arbitrary integer of 2 to 100). The alkyl group and arylalkyl group may be substituted with an alkoxy group, a hydroxy group, an ammonium group, a carboxyl group, or a cyano group. Further, two groups out of R 2 to R 4 are combined to represent a linear, branched or cyclic alkylene group, or R 2 to R 4 and the nitrogen atom to which they are bonded together To form a ring.
X − represents an anion, and n is the number of repeating unit structures, and represents an integer of 5 to 100,000.

上記Ｒ２〜Ｒ４における炭素原子数１〜２０の直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等が挙げられ、下地剤が無電解めっき液に溶出しにくい点で、炭素原子数８以上の基が好ましく、特にｎ−オクチル基が好ましい。枝分かれ状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。環状のアルキル基としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環構造を有する基等が挙げられる。
またＲ２〜Ｒ４における炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
さらに、Ｒ２〜Ｒ４のうちの２つの基が一緒になった直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基等が挙げられる。枝分かれ状のアルキレン基としては、イソプロピレン基、イソブチレン基、２−メチルプロピレン基等が挙げられる。環状のアルキレン基としては、炭素原子数３〜３０の単環式、多環式、架橋環式の環状構造の脂環式脂肪族基が挙げられる。具体的には、炭素原子数４以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ、ペンタシクロ構造等を有する基を挙げることができる。これらアルキレン基は基中に窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいてもよい。
そして、式［１］で表される構造でＲ２〜Ｒ４並びにそれらと結合する窒素原子が一緒になって形成する環は、環中に窒素原子、硫黄原子又は酸素原子を含んでいても良く、例えばピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、キノリン環、ビピリジル環等が挙げられる。
これらＲ２〜Ｒ４の組合せとしては、例えば、［メチル基、メチル基、メチル基］、［メチル基、メチル基、エチル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−ブチル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−ヘキシル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−オクチル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−デシル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−ドデシル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−テトラデシル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−ヘキサデシル基］、［メチル基、メチル基、ｎ−オクタデシル基］、［エチル基、エチル基、エチル基］、［ｎ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ブチル基］、［ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘキシル基］、［ｎ−オクチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−オクチル基］等が挙げられ、中でも［メチル基、メチル基、ｎ−オクチル基］、［ｎ−オクチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−オクチル基］の組合せが好ましい。
またＸ−の陰イオンとして好ましくはハロゲン原子、ＰＦ６ −、ＢＦ４ −又はパーフルオロアルカンスルホナートが挙げられる。Examples of the linear alkyl group having 1 to 20 carbon atoms in R 2 to R 4 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n -Heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n -Heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group, etc. are mentioned, and a group having 8 or more carbon atoms is preferable in that the base agent is difficult to elute into the electroless plating solution. Octyl groups are preferred. Examples of the branched alkyl group include isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and the like. Examples of the cyclic alkyl group include a cyclopentyl ring and a group having a cyclohexyl ring structure.
Examples of the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms in R 2 to R 4 include a benzyl group and a phenethyl group.
Furthermore, examples of the linear alkylene group in which two of R 2 to R 4 are combined include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an n-butylene group, and an n-hexylene group. It is done. Examples of the branched alkylene group include an isopropylene group, an isobutylene group, and a 2-methylpropylene group. Examples of the cyclic alkylene group include alicyclic aliphatic groups having a monocyclic, polycyclic, or bridged cyclic structure having 3 to 30 carbon atoms. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo, or pentacyclo structure having 4 or more carbon atoms. These alkylene groups may contain a nitrogen atom, a sulfur atom or an oxygen atom in the group.
In the structure represented by the formula [1], the ring formed by combining R 2 to R 4 and the nitrogen atom bonded thereto includes a nitrogen atom, a sulfur atom or an oxygen atom in the ring. Examples thereof include a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a quinoline ring, and a bipyridyl ring.
Examples of the combination of R 2 to R 4 include [methyl group, methyl group, methyl group], [methyl group, methyl group, ethyl group], [methyl group, methyl group, n-butyl group], [methyl group] Group, methyl group, n-hexyl group], [methyl group, methyl group, n-octyl group], [methyl group, methyl group, n-decyl group], [methyl group, methyl group, n-dodecyl group], [Methyl group, methyl group, n-tetradecyl group], [methyl group, methyl group, n-hexadecyl group], [methyl group, methyl group, n-octadecyl group], [ethyl group, ethyl group, ethyl group], [N-butyl group, n-butyl group, n-butyl group], [n-hexyl group, n-hexyl group, n-hexyl group], [n-octyl group, n-octyl group, n-octyl group] Among them, [methyl group, methyl group, n Octyl], [n- octyl group, n- octyl group, a combination of n- octyl group] are preferable.
The X - is preferably a halogen atom anion, PF 6 -, BF 4 - or perfluoroalkane sulfonate and the like.

上記式［１］中、Ａ１は下記式［２］で表される構造を表す。
上記式［２］中、Ａ２はエーテル結合又はエステル結合を含んでいてもよい炭素原子数１〜３０の直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキレン基を表す。
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。 In the above formula [1], A 1 represents a structure represented by the following formula [2].
In the formula [2], A 2 is a straight, branched or cyclic alkylene group having ether bond or an ester bond optionally containing an 1 to 30 carbon atoms also.
Y 1 to Y 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a nitro group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, or a cyano group. Represent.

上記Ａ２のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ヘキシレン基等の直鎖状アルキレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、２−メチルプロピレン基等の枝分かれ状アルキレン基が挙げられる。また環状アルキレン基としては、炭素原子数３〜３０の単環式、多環式及び架橋環式の環状構造の脂環式脂肪族基が挙げられる。具体的には、炭素原子数４以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ、ペンタシクロ構造等を有する基を挙げることができる。例えば、下記に脂環式脂肪族基のうち、脂環式部分の構造例（ａ）〜（ｓ）を示す。
Specific examples of the alkylene group of A 2 include a linear alkylene group such as a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an n-butylene group, and an n-hexylene group, an isopropylene group, an isobutylene group, and 2-methyl. Examples include branched alkylene groups such as propylene groups. Examples of the cyclic alkylene group include alicyclic aliphatic groups having a monocyclic, polycyclic and bridged cyclic structure having 3 to 30 carbon atoms. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo, or pentacyclo structure having 4 or more carbon atoms. For example, structural examples (a) to (s) of the alicyclic portion of the alicyclic aliphatic group are shown below.

また上記式［２］中のＹ１〜Ｙ４の炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。炭素原子数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基等が挙げられる。Ｙ１〜Ｙ４としては、水素原子又は炭素原子数１〜２０のアルキル基が好ましい。Examples of the alkyl group of the formula [2] Y 1 ~Y 4 having 1 to 20 carbon atoms in the methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, a cyclohexyl group, n- pentyl group. Examples of the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, cyclohexyloxy group, n-pentyloxy group and the like. Y 1 to Y 4 are preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

なお、前記Ａ１は下記式［５］で表される構造であることが好ましい。
Incidentally, it is preferable that the A 1 is a structure represented by the following formula [5].

好ましくは、本発明に用いられるハイパーブランチポリマーとしては、下記式［３］で表されるハイパーブランチポリマーが挙げられる。
前記式［３］中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは上記と同じ意味を表す。 Preferably, the hyperbranched polymer used in the present invention includes a hyperbranched polymer represented by the following formula [3].
In said formula [3], R < 1 >, R < 2 > and n represent the same meaning as the above.

本発明で用いる上記アンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーは、例えば、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーにアミン化合物を反応させることによって得ることができる。
なお、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーは、国際公開第２００８／０２９６８８号パンフレットの記載に従い、ジチオカルバメート基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーより製造することができる。該ジチオカルバメート基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーは、市販品を用いることができ、日産化学工業（株）製のハイパーテック（登録商標）ＨＰＳ−２００等を好適に使用可能である。The hyperbranched polymer having an ammonium group at the molecular end used in the present invention can be obtained, for example, by reacting an amine compound with a hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end.
A hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end can be produced from a hyperbranched polymer having a dithiocarbamate group at the molecular end in accordance with the description in WO 2008/029688. As the hyperbranched polymer having a dithiocarbamate group at the molecular end, a commercially available product can be used, and Hypertech (registered trademark) HPS-200 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. can be suitably used.

本反応で使用できるアミン化合物は、第一級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシルアミン、ｎ−ペンタデシルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミン、ｎ−ヘプタデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｎ−ノナデシルアミン、ｎ−エイコシルアミン等の脂肪族アミン；シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂環式アミン；ベンジルアミン、フェネチルアミン等のアラルキルアミン；アニリン、ｐ−ｎ−ブチルアニリン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン、ｐ−ｎ−オクチルアニリン、ｐ−ｎ−デシルアニリン、ｐ−ｎ−ドデシルアニリン、ｐ−ｎ−テトラデシルアニリンなどのアニリン類、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミンなどのナフチルアミン類、１−アミノアントラセン、２−アミノアントラセンなどのアミノアントラセン類、１−アミノアントラキノンなどのアミノアントラキノン類、４−アミノビフェニル、２−アミノビフェニルなどのアミノビフェニル類、２−アミノフルオレン、１−アミノ−９−フルオレノン、４−アミノ−９−フルオレノンなどのアミノフルオレン類、５−アミノインダンなどのアミノインダン類、５−アミノイソキノリンなどのアミノイソキノリン類、９−アミノフェナントレンなどのアミノフェナントレン類等の芳香族アミンが挙げられる。更に、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，２−エチレンジアミン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，３−プロピレンジアミン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，４−ブチレンジアミン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，５−ペンタメチレンジアミン、Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−１，６−ヘキサメチレンジアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）アミン、Ｎ−（３−ヒドロキシプロピル）アミン、Ｎ−（２−メトキシエチル）アミン、Ｎ−（２−エトキシエチル）アミン等のアミン化合物が挙げられる。  The amine compounds that can be used in this reaction include, as primary amines, methylamine, ethylamine, n-propylamine, isopropylamine, n-butylamine, isobutylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, n-pentylamine, n -Hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine, n-undecylamine, n-dodecylamine, n-tridecylamine, n-tetradecylamine, n-pentadecylamine , N-hexadecylamine, n-heptadecylamine, n-octadecylamine, n-nonadecylamine, n-eicosylamine and other aliphatic amines; cyclopentylamine, cyclohexylamine and other alicyclic amines; benzylamine, phenethylamine and the like The Alla Killamine: Anilines such as aniline, pn-butylaniline, p-tert-butylaniline, pn-octylaniline, pn-decylaniline, pn-dodecylaniline, pn-tetradecylaniline , Naphthylamines such as 1-naphthylamine and 2-naphthylamine, aminoanthracenes such as 1-aminoanthracene and 2-aminoanthracene, aminoanthraquinones such as 1-aminoanthraquinone, amino such as 4-aminobiphenyl and 2-aminobiphenyl Aminophenyls such as biphenyls, 2-aminofluorene, 1-amino-9-fluorenone, 4-amino-9-fluorenone, aminoindanes such as 5-aminoindane, aminoisoquinolines such as 5-aminoisoquinoline, 9 -Amino Aromatic amines such as amino-phenanthrene such as phenanthrene and the like. Furthermore, N- (tert-butoxycarbonyl) -1,2-ethylenediamine, N- (tert-butoxycarbonyl) -1,3-propylenediamine, N- (tert-butoxycarbonyl) -1,4-butylenediamine, N -(Tert-butoxycarbonyl) -1,5-pentamethylenediamine, N- (tert-butoxycarbonyl) -1,6-hexamethylenediamine, N- (2-hydroxyethyl) amine, N- (3-hydroxypropyl) ) Amine compounds such as amine, N- (2-methoxyethyl) amine, N- (2-ethoxyethyl) amine.

第二級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、エチルメチルアミン、メチル−ｎ−プロピルアミン、メチル−ｎ−ブチルアミン、メチル−ｎ−ペンチルアミン、エチルイソプロピルアミン、エチル−ｎ−ブチルアミン、エチル−ｎ−ペンチルアミン、メチル−ｎ−オクチルアミン、メチル−ｎ−デシルアミン、メチル−ｎ−ドデシルアミン、メチル−ｎ−テトラデシルアミン、メチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、メチル−ｎ−オクタデシルアミン、エチルイソプロピルアミン、エチル−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ドデシルアミン、ジ−ｎ−ヘキサデシルアミン、ジ−ｎ−オクタデシルアミン等の脂肪族アミン；ジシクロヘキシルアミン等の脂環式アミン；ジベンジルアミン等のアラルキルアミン；ジフェニルアミン等の芳香族アミン；フタルイミド、ピロール、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾール等の窒素含有複素環式化合物が挙げられる。更に、ビス（２−ヒドロキシエチル）アミン、ビス（３−ヒドロキシプロピル）アミン、ビス（２−エトキシエチル）アミン、ビス（２−プロポキシエチル）アミン等が挙げられる。  Secondary amines include dimethylamine, diethylamine, di-n-propylamine, diisopropylamine, di-n-butylamine, diisobutylamine, di-sec-butylamine, di-n-pentylamine, ethylmethylamine, methyl- n-propylamine, methyl-n-butylamine, methyl-n-pentylamine, ethylisopropylamine, ethyl-n-butylamine, ethyl-n-pentylamine, methyl-n-octylamine, methyl-n-decylamine, methyl- n-dodecylamine, methyl-n-tetradecylamine, methyl-n-hexadecylamine, methyl-n-octadecylamine, ethylisopropylamine, ethyl-n-octylamine, di-n-hexylamine, di-n- Octylamine, di-n-dode Aliphatic amines such as diamine, aralkyl amines such as dibenzylamine, aromatic amines such as diphenylamine, phthalimide, pyrrole, Examples thereof include nitrogen-containing heterocyclic compounds such as piperidine, piperazine, and imidazole. Furthermore, bis (2-hydroxyethyl) amine, bis (3-hydroxypropyl) amine, bis (2-ethoxyethyl) amine, bis (2-propoxyethyl) amine and the like can be mentioned.

第三級アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチル−ｎ−ブチルアミン、ジメチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジメチル−ｎ−オクチルアミン、ジメチル−ｎ−デシルアミン、ジエチル−ｎ−デシルアミン、ジメチル−ｎ−ドデシルアミン、ジメチル−ｎ−テトラデシルアミン、ジメチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、ジメチル−ｎ−エイコシルアミン等の脂肪族アミン；ピリジン、ピラジン、ピリミジン、キノリン、１−メチルイミダゾール、４，４’−ビピリジル、４−メチル−４，４’−ビピリジル等の窒素含有複素環式化合物が挙げられる。  Tertiary amines include trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-octylamine, tri-n-dodecyl. Amine, dimethylethylamine, dimethyl-n-butylamine, dimethyl-n-hexylamine, dimethyl-n-octylamine, dimethyl-n-decylamine, diethyl-n-decylamine, dimethyl-n-dodecylamine, dimethyl-n-tetradecyl Aliphatic amines such as amine, dimethyl-n-hexadecylamine, dimethyl-n-octadecylamine, dimethyl-n-eicosylamine; pyridine, pyrazine, pyrimidine, quinoline, 1-methylimidazole, 4,4′-bipyridyl, 4-methyl-4,4 ' Nitrogen-containing heterocyclic compound of bipyridyl, and the like.

これらの反応で使用できるアミン化合物の使用量は、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーのハロゲン原子１モルに対して０．１〜２０モル当量、好ましくは０．５〜１０モル当量、より好ましくは１〜５モル当量であればよい。  The amount of the amine compound that can be used in these reactions is 0.1 to 20 molar equivalents, preferably 0.5 to 10 molar equivalents, based on 1 mol of the halogen atom of the hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end. Preferably, it may be 1 to 5 molar equivalents.

分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーとアミン化合物との反応は、水又は有機溶媒中で、塩基の存在下又は非存在下で行なうことができる。使用する溶媒は、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーとアミン化合物を溶解可能なものが好ましい。さらに、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーとアミン化合物を溶解可能であるが、分子末端にアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを溶解しない溶媒であれば、単離が容易となりさらに好適である。
本反応で使用できる溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、水；イソプロパノール等のアルコール類；酢酸等の有機酸類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチルエーテル等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン等のケトン類；クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化物；ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド類が使用できる。これらの溶媒は１種を用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。また、使用量は、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーの質量に対して０．２〜１，０００倍質量、好ましくは１〜５００倍質量、より好ましくは５〜１００倍質量、最も好ましくは５〜５０倍質量の溶媒を使用することが好ましい。The reaction between the hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end and the amine compound can be carried out in water or an organic solvent in the presence or absence of a base. The solvent to be used is preferably a solvent capable of dissolving a hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end and an amine compound. Furthermore, a hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end and an amine compound can be dissolved, but a solvent that does not dissolve the hyperbranched polymer having an ammonium group at the molecular end is more preferable because it can be easily isolated.
The solvent that can be used in this reaction is not particularly limited as long as it does not significantly inhibit the progress of this reaction. Water; alcohols such as isopropanol; organic acids such as acetic acid; benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, 1,2-di- Aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene; Ethers such as tetrahydrofuran (THF) and diethyl ether; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MIBK) and cyclohexanone; Chloroform, dichloromethane, 1,2-dichloroethane Halides such as n-hexane, n-heptane, cyclohexane, etc .; N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), etc. The amides can be used. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount used is 0.2 to 1,000 times, preferably 1 to 500 times, more preferably 5 to 100 times, most preferably the mass of the hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end. It is preferable to use a solvent having a mass of 5 to 50 times.

好適な塩基としては一般に、アルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物（例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム）、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物（例えば酸化リチウム、酸化カルシウム）、アルカリ金属水素化物及びアルカリ土類金属水素化物（例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム）、アルカリ金属アミド（例えばナトリウムアミド）、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ土類金属炭酸塩（例えば炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム）、アルカリ金属重炭酸塩（例えば重炭酸ナトリウム）等の無機化合物、並びにアルカリ金属アルキル、アルキルマグネシウムハロゲン化物、アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシド、ジメトキシマグネシウム等の有機金属化合物が使用される。特に好ましいのは、炭酸カリウム及び炭酸ナトリウムである。また、使用量は、分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーのハロゲン原子１モルに対して０．２〜１０モル当量、好ましくは０．５〜１０モル当量、最も好ましくは１〜５モル当量の塩基を使用することが好ましい。  Suitable bases generally include alkali metal hydroxides and alkaline earth metal hydroxides (eg sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide), alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides (eg lithium oxide). Calcium oxide), alkali metal hydrides and alkaline earth metal hydrides (eg sodium hydride, potassium hydride, calcium hydride), alkali metal amides (eg sodium amide), alkali metal carbonates and alkaline earth metal carbonates Inorganic compounds such as salts (eg lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, calcium carbonate), alkali metal bicarbonates (eg sodium bicarbonate), and alkali metal alkyls, alkylmagnesium halides, alkali metal alkoxides, alkaline earth metals Alkoxy Organometallic compounds such as dimethoxy magnesium was used. Particularly preferred are potassium carbonate and sodium carbonate. The amount used is 0.2 to 10 molar equivalents, preferably 0.5 to 10 molar equivalents, most preferably 1 to 5 molar equivalents per mole of halogen atoms of the hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end. It is preferable to use the base.

この反応では反応開始前に反応系内の酸素を十分に除去することが好ましく、窒素、アルゴン等の不活性気体で系内を置換するとよい。反応条件としては、反応時間は０．０１〜１００時間、反応温度は０〜３００℃から、適宜選択される。好ましくは反応時間が０．１〜７２時間で、反応温度が２０〜１５０℃である。  In this reaction, it is preferable to sufficiently remove oxygen in the reaction system before starting the reaction, and the system may be replaced with an inert gas such as nitrogen or argon. The reaction conditions are appropriately selected from a reaction time of 0.01 to 100 hours and a reaction temperature of 0 to 300 ° C. The reaction time is preferably 0.1 to 72 hours, and the reaction temperature is 20 to 150 ° C.

第三級アミンを用いた場合、塩基の存在／非存在に関わらず、式［１］で表されるハイパーブランチポリマーを得ることができる。
塩基の非存在下で、第一級アミン又は第二級アミン化合物と分子末端にハロゲン原子を有するハイパーブランチポリマーを反応させた場合、それぞれに対応するハイパーブランチポリマーの末端第二級アミン及び第三級アミンがプロトン化されたアンモニウム基末端のハイパーブランチポリマーが得られる。また、塩基を用いて反応を行った場合においても、有機溶媒中で塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素等の酸の水溶液と混合することにより、対応するハイパーブランチポリマーの末端第二級アミン及び第三級アミンがプロトン化されたアンモニウム基末端のハイパーブランチポリマーが得られる。When a tertiary amine is used, a hyperbranched polymer represented by the formula [1] can be obtained regardless of the presence / absence of a base.
When a hyperbranched polymer having a halogen atom at the molecular end is reacted with a primary amine or secondary amine compound in the absence of a base, the terminal secondary amine and tertiary tertiary of the corresponding hyperbranched polymer are respectively reacted. A hyperbranched polymer having ammonium groups terminated with protonated primary amines is obtained. In addition, even when the reaction is performed using a base, the terminal secondary amine of the corresponding hyperbranched polymer can be obtained by mixing with an aqueous solution of an acid such as hydrogen chloride, hydrogen bromide, or hydrogen iodide in an organic solvent. And a hyperbranched polymer having an ammonium group terminated with a tertiary amine protonated.

前記ハイパーブランチポリマーは、ゲル浸透クロマトグラフィーによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗが５００〜５，０００，０００であり、好ましくは１，０００〜５００，０００であり、より好ましくは２，０００〜２００，０００であり、最も好ましくは３，０００〜１００，０００である。また、分散度Ｍｗ（重量平均分子量）／Ｍｎ（数平均分子量）としては１．０〜７．０であり、好ましくは１．１〜６．０であり、より好ましくは１．２〜５．０である。  The hyperbranched polymer has a weight average molecular weight Mw measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography of 500 to 5,000,000, preferably 1,000 to 500,000, more preferably 2,000. ~ 200,000, most preferably 3,000-100,000. Further, the dispersity Mw (weight average molecular weight) / Mn (number average molecular weight) is 1.0 to 7.0, preferably 1.1 to 6.0, and more preferably 1.2 to 5. 0.

＜（ｂ）金属微粒子＞
本発明の下地剤に用いられる金属微粒子としては特に限定されず、金属種としては鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）が挙げられ、これらの金属の１種類でもよいし２種以上の合金でも構わない。中でも好ましい金属微粒子としてはパラジウム微粒子が挙げられる。なお、金属微粒子として、前記金属の酸化物を用いてもよい。<(B) Metal fine particles>
The metal fine particles used in the base material of the present invention are not particularly limited, and the metal species are iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), silver (Ag). , Tin (Sn), platinum (Pt), and gold (Au). One kind of these metals or two or more kinds of alloys may be used. Among these, preferable metal fine particles include palladium fine particles. The metal oxide may be used as the metal fine particles.

前記金属微粒子は、例えば金属塩の水溶液を高圧水銀灯により光照射する方法や、該水溶液に還元作用を有する化合物（所謂還元剤）を添加する方法等により、金属イオンを還元することによって得られる。例えば、上記ハイパーブランチポリマーを溶解した溶液に金属塩の水溶液を添加してこれに紫外線を照射したり、或いは、該溶液に金属塩の水溶液及び還元剤を添加するなどして、金属イオンを還元することにより、ハイパーブランチポリマーと金属微粒子の複合体を形成させながら、ハイパーブランチポリマー及び金属微粒子を含む下地剤を調製することができる。  The metal fine particles can be obtained by reducing metal ions by, for example, a method of irradiating an aqueous solution of a metal salt with a high-pressure mercury lamp or a method of adding a compound having a reducing action (so-called reducing agent) to the aqueous solution. For example, an aqueous solution of a metal salt is added to a solution in which the hyperbranched polymer is dissolved and irradiated with ultraviolet light, or an aqueous solution of a metal salt and a reducing agent are added to the solution to reduce metal ions. By doing so, the base agent containing the hyperbranched polymer and the metal fine particles can be prepared while forming a complex of the hyperbranched polymer and the metal fine particles.

前記金属塩としては、塩化金酸、硝酸銀、硫酸銅、硝酸銅、酢酸銅、塩化スズ、塩化第一白金、塩化白金酸、Ｐｔ（ｄｂａ）２［ｄｂａ＝ジベンジリデンアセトン］、Ｐｔ（ｃｏｄ）２［ｃｏｄ＝１，５−シクロオクタジエン］、Ｐｔ（ＣＨ３）２（ｃｏｄ）、塩化パラジウム、酢酸パラジウム（Ｐｄ（ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ３）２）、硝酸パラジウム、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３、Ｐｄ（ｄｂａ）２、塩化ロジウム、酢酸ロジウム、塩化ルテニウム、酢酸ルテニウム、Ｒｕ（ｃｏｄ）（ｃｏｔ）［ｃｏｔ＝シクロオクタトリエン］、塩化イリジウム、酢酸イリジウム、Ｎｉ（ｃｏｄ）２等が挙げられる。
前記還元剤としては、特に限定されるものではなく、種々の還元剤を用いることができ、得られる下地剤に含有させる金属種等により還元剤を選択することが好ましい。用いることができる還元剤としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化ホウ素金属塩；水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムカリウム、水素化アルミニウムセシウム、水素化アルミニウムベリリウム、水素化アルミニウムマグネシウム、水素化アルミニウムカルシウム等の水素化アルミニウム塩；ヒドラジン化合物；クエン酸及びその塩；コハク酸及びその塩；アスコルビン酸及びその塩；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ポリオール等の第一級又は第二級アルコール類；トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン［ＴＭＥＤＡ］、エチレンジアミン四酢酸［ＥＤＴＡ］等の第三級アミン類；ヒドロキシルアミン；トリ−ｎ−プロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリエトキシホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン［ＤＰＰＥ］、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン［ＤＰＰＰ］、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン［ＤＰＰＦ］、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル［ＢＩＮＡＰ］等のホスフィン類などが挙げられる。Examples of the metal salt include chloroauric acid, silver nitrate, copper sulfate, copper nitrate, copper acetate, tin chloride, platinum chloride, chloroplatinic acid, Pt (dba) 2 [dba = dibenzylideneacetone], Pt (cod) 2 [cod = 1,5-cyclooctadiene], Pt (CH 3 ) 2 (cod), palladium chloride, palladium acetate (Pd (OC (═O) CH 3 ) 2 ), palladium nitrate, Pd 2 (dba) 3 · CHCl 3, Pd (dba ) 2, rhodium chloride, rhodium acetate, ruthenium chloride, ruthenium acetate, Ru (cod) (cot) [cot = cyclooctatriene], iridium chloride, iridium acetate, Ni (cod) 2, etc. Is mentioned.
The reducing agent is not particularly limited, and various reducing agents can be used, and it is preferable to select the reducing agent according to the metal species to be contained in the obtained base material. Examples of the reducing agent that can be used include metal borohydrides such as sodium borohydride and potassium borohydride; lithium aluminum hydride, potassium aluminum hydride, cesium aluminum hydride, aluminum beryllium hydride, hydrogenation Aluminum hydride salts such as aluminum magnesium and calcium aluminum hydride; hydrazine compounds; citric acid and salts thereof; succinic acid and salts thereof; ascorbic acid and salts thereof; primary or secondary such as methanol, ethanol, isopropanol and polyol Tertiary alcohols; tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, diisopropylethylamine, diethylmethylamine, tetramethylethylenediamine [TMEDA], ethylenediaminetetraacetic acid [EDTA]; Roxylamine; tri-n-propylphosphine, tri-n-butylphosphine, tricyclohexylphosphine, tribenzylphosphine, triphenylphosphine, triethoxyphosphine, 1,2-bis (diphenylphosphino) ethane [DPPE], 1,3 -Bis (diphenylphosphino) propane [DPPP], 1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene [DPPF], 2,2'-bis (diphenylphosphino) -1,1'-binaphthyl [BINAP], etc. And phosphines.

前記金属微粒子の平均粒径は１〜１００ｎｍが好ましい。その理由としては、該金属微粒子の平均粒径が１００ｎｍを超えると、表面積が減少し触媒活性が低下するためである。平均粒径としては、７５ｎｍ以下が更に好ましく、１〜３０ｎｍが特に好ましい。  The average particle size of the metal fine particles is preferably 1 to 100 nm. The reason is that when the average particle diameter of the metal fine particles exceeds 100 nm, the surface area decreases and the catalytic activity decreases. As an average particle diameter, 75 nm or less is further more preferable, and 1-30 nm is especially preferable.

本発明の下地剤における上記（ａ）ハイパーブランチポリマーの添加量は、上記（ｂ）金属微粒子１００質量部に対して５０〜２，０００質量部が好ましい。５０質量部未満であると、上記金属微粒子の分散性が不充分であり、２，０００質量部を超えると、有機物含有量が多くなり、物性等に不具合が生じやすくなる。より好ましくは、１００〜１，０００質量部である。  The amount of the (a) hyperbranched polymer added to the base agent of the present invention is preferably 50 to 2,000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (b) metal fine particles. When the amount is less than 50 parts by mass, the dispersibility of the metal fine particles is insufficient, and when the amount exceeds 2,000 parts by mass, the organic matter content increases, and problems such as physical properties tend to occur. More preferably, it is 100-1,000 mass parts.

＜（ｃ）アルコキシシラン、又はそのオリゴマー＞
本発明の下地剤に用いられるアルコキシシラン、又はそのオリゴマー（以下、本明細書において単に「アルコキシシラン」とも称する）としては、脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、若しくはエポキシ基を有するアルコキシシラン、又はそのオリゴマーであれば特に限定されない。
前記脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基を有するアルコキシシランとしては、一分子中に脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基を１個以上有し、アルコキシシリル基を有するシラン化合物が挙げられる。
またエポキシ基を有するアルコキシシランとしては、一分子中にエポキシ基を１個以上有し、アルコキシシリル基を有するシラン化合物が挙げられる。<(C) Alkoxysilane or oligomer thereof>
The alkoxysilane or oligomer thereof (hereinafter also simply referred to as “alkoxysilane” in the present specification) used for the base material of the present invention has an amino group or an epoxy group which may be substituted with an aliphatic group. If it is alkoxysilane or its oligomer, it will not specifically limit.
As the alkoxysilane having an amino group optionally substituted with an aliphatic group, a silane compound having one or more amino groups optionally substituted with an aliphatic group in one molecule and having an alkoxysilyl group Is mentioned.
Examples of the alkoxysilane having an epoxy group include silane compounds having one or more epoxy groups in one molecule and having an alkoxysilyl group.

好ましくは、本発明の下地剤に用いられるアルコキシシランとして、下記式［４］で表される化合物が挙げられる。
上記式［４］中、Ｒ６は炭素原子数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７はそれぞれ独立してメチル基又はエチル基を表し、Ｌはエーテル結合を含んでいてもよい炭素原子数１〜６のアルキレン基を表し、Ｚは脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、又はエポキシ基を表し、ａは０又は１を表す。 Preferably, the alkoxysilane used in the base agent of the present invention includes a compound represented by the following formula [4].
In the above formula [4], R 6 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group, R 7 each independently represents a methyl group or an ethyl group, and L may contain an ether bond. Represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, Z represents an amino group which may be substituted with an aliphatic group, or an epoxy group, and a represents 0 or 1;

Ｒ６における炭素原子数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
その中でも、メチル基が好ましい。Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in R 6 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and n-hexyl. Group, cyclohexyl group and the like.
Among these, a methyl group is preferable.

Ｌにおけるエーテル結合を含んでいてもよい炭素原子数１〜６のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、メチルエチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、ペンタメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、ヘキサメチレン基、２−オキサブタン−１，４−ジイル基、２−オキサペンタン−１，５−ジイル基、３−オキサペンタン−１，５−ジイル基、２−オキサヘキサン−１，６−ジイル基等が挙げられる。
その中でも、エチレン基、トリメチレン基、２−オキサペンタン−１，５−ジイル基が好ましい。Examples of the alkylene group having 1 to 6 carbon atoms which may contain an ether bond in L include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a methylethylene group, a tetramethylene group, a 1-methyltrimethylene group, a pentamethylene group, 2,2-dimethyltrimethylene group, hexamethylene group, 2-oxabutane-1,4-diyl group, 2-oxapentane-1,5-diyl group, 3-oxapentane-1,5-diyl group, 2- An oxahexane-1,6-diyl group etc. are mentioned.
Among these, an ethylene group, a trimethylene group, and a 2-oxapentane-1,5-diyl group are preferable.

Ｚにおける脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基としては、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、２−アミノエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、３−トリメトキシシリルプロピルアミノ基、３−トリエトキシシリルプロピルアミノ基、１−メチルペンチリデンアミノ基等が挙げられる。
その中でも、アミノ基、２−アミノエチルアミノ基、３−トリメトキシシリルプロピルアミノ基が好ましい。Examples of the amino group optionally substituted with an aliphatic group in Z include an amino group, a methylamino group, an ethylamino group, a 2-aminoethylamino group, a diethylamino group, a propylamino group, and a 3-trimethoxysilylpropylamino group. , 3-triethoxysilylpropylamino group, 1-methylpentylideneamino group and the like.
Among these, an amino group, 2-aminoethylamino group, and 3-trimethoxysilylpropylamino group are preferable.

このようなアルコキシシランとしては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピル（ジメトキシ）（メチル）シラン、３−アミノプロピル（ジエトキシ）（メチル）シラン、３−アミノプロピル（ジエトキシ）（エチル）シラン、３−（１−メチルペンチリデンアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピル（ジメトキシ）（メチル）シラン、ビス［３−トリメトキシシリルプロピル］アミン等のアミノ基を有するアルコキシシラン類；３−（グリシジルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、３−（グリシジルオキシ）プロピルトリエトキシシラン、ジメトキシ（３−（グリシジルオキシ）プロピル）（メチル）シラン、ジエトキシ（３−（グリシジルオキシ）プロピル）（メチル）シラン、ジエトキシ（エチル）（３−（グリシジルオキシ）プロピル）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基を有するアルコキシシラン類；アミノ基／メチル基含有メトキシシランオリゴマー、エポキシ基／メチル基含有メトキシシランオリゴマー等の上記アルコキシシランのオリゴマーなどが挙げられる。これらアルコキシシランは一種を単独で使用してもよく、また二種以上を併用してもよい。  Examples of such alkoxysilane include 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyl (dimethoxy) (methyl) silane, 3-aminopropyl (diethoxy) (methyl) silane, 3-aminopropyl (diethoxy) (ethyl) silane, 3- (1-methylpentylideneamino) propyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino) Alkoxysilanes having amino groups such as propyl (dimethoxy) (methyl) silane, bis [3-trimethoxysilylpropyl] amine; 3- (glycidyloxy) propyltrimethoxysilane, 3- (glycidyloxy) propyltriethoxysilane , Dimethoxy (3- Glycidyloxy) propyl) (methyl) silane, diethoxy (3- (glycidyloxy) propyl) (methyl) silane, diethoxy (ethyl) (3- (glycidyloxy) propyl) silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) Examples include alkoxysilanes having an epoxy group such as ethyltrimethoxysilane; oligomers of the alkoxysilane such as amino group / methyl group-containing methoxysilane oligomer and epoxy group / methyl group-containing methoxysilane oligomer. These alkoxysilanes may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明の下地剤における（ｃ）アルコキシシランの添加量は、後述する前記ハイパーブランチポリマーと金属微粒子より形成された複合体１００質量部に対して、１〜２，０００質量部が好ましい。１質量部以上とすることで、より優れた基材密着性を得ることができ、２，０００質量部以下とすることで、より優れためっき性を得ることができる。より好ましくは５〜１，０００質量部である。  The amount of (c) alkoxysilane added in the base agent of the present invention is preferably 1 to 2,000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite formed from the hyperbranched polymer and metal fine particles described later. By setting it as 1 mass part or more, the more superior base-material adhesiveness can be obtained, and more excellent plating property can be obtained by setting it as 2,000 mass parts or less. More preferably, it is 5-1,000 mass parts.

＜下地剤＞
本発明の下地剤は、前記（ａ）アンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマー、（ｂ）金属微粒子及び（ｃ）脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、若しくはエポキシ基を有するアルコキシシラン、又はそのオリゴマーとを含むものであり、このとき、前記ハイパーブランチポリマーと前記金属微粒子が複合体を形成していることが好ましい。
ここで複合体とは、前記ハイパーブランチポリマーの末端のアンモニウム基の作用により、金属微粒子に接触又は近接した状態で両者が共存し、粒子状の形態を為すものであり、言い換えると、前記ハイパーブランチポリマーのアンモニウム基が金属微粒子に付着又は配位した構造を有する複合体であると表現される。
従って、本発明における「複合体」には、上述のように金属微粒子とハイパーブランチポリマーが結合して一つの複合体を形成しているものだけでなく、金属微粒子とハイパーブランチポリマーが結合部分を形成することなく、夫々独立して存在しているものも含まれていてもよい。<Base agent>
The base agent of the present invention comprises (a) a hyperbranched polymer having an ammonium group at the molecular end, (b) an amino group optionally substituted with fine metal particles and (c) an aliphatic group, or an alkoxy having an epoxy group. Silane or an oligomer thereof is included, and at this time, it is preferable that the hyperbranched polymer and the metal fine particles form a complex.
Here, the composite is a particle that is in contact with or close to the metal fine particles due to the action of the ammonium group at the end of the hyperbranched polymer to form a particulate form. It is expressed as a composite having a structure in which the ammonium group of the polymer is attached or coordinated to the metal fine particles.
Therefore, in the “composite” in the present invention, not only the metal fine particles and the hyperbranched polymer are combined to form one composite as described above, but also the metal fine particles and the hyperbranched polymer have bonding portions. Those that are present independently without being formed may also be included.

アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーと金属微粒子の複合体の形成は、ハイパーブランチポリマーと金属微粒子を含む下地剤の調製時に同時に実施され、その方法としては、低級アンモニウム配位子によりある程度安定化した金属微粒子を合成した後にハイパーブランチポリマーにより配位子を交換する方法や、アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーの溶液中で、金属イオンを直接還元することにより複合体を形成する方法がある。例えば、上記ハイパーブランチポリマーを溶解した溶液に金属塩の水溶液を添加してこれに紫外線を照射したり、或いは、該溶液に金属塩の水溶液及び還元剤を添加するなどして、金属イオンを還元することによっても複合体を形成できる。  Formation of a complex of a hyperbranched polymer having an ammonium group and metal fine particles is performed simultaneously with the preparation of a base material containing the hyperbranched polymer and metal fine particles, and the method includes a metal stabilized to some extent by a lower ammonium ligand. There are a method of exchanging a ligand with a hyperbranched polymer after fine particles are synthesized, and a method of forming a complex by directly reducing metal ions in a solution of a hyperbranched polymer having an ammonium group. For example, an aqueous solution of a metal salt is added to a solution in which the hyperbranched polymer is dissolved and irradiated with ultraviolet light, or an aqueous solution of a metal salt and a reducing agent are added to the solution to reduce metal ions. By doing so, a complex can also be formed.

配位子交換法において、原料となる低級アンモニウム配位子によりある程度安定化した金属微粒子は、Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ １９９６，５２０，１４３−１６２等に記載の方法で合成することができる。得られた金属微粒子の反応混合溶液に、アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを溶解し、室温（およそ２５℃）又は加熱撹拌することにより目的とする金属微粒子複合体を得ることができる。
使用する溶媒としては、金属微粒子とアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーとを必要濃度以上に溶解できる溶媒であれば特に限定はされないが、具体的には、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール等のアルコール類；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル類；アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類など及びこれらの溶媒の混合液が挙げられ、好ましくは、テトラヒドロフランが挙げられる。
金属微粒子の反応混合液と、アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを混合する温度は、通常０℃乃至溶媒の沸点の範囲を使用することができ、好ましくは、室温（およそ２５℃）乃至６０℃の範囲である。
なお、配位子交換法において、アミン系分散剤（低級アンモニウム配位子）以外にホスフィン系分散剤（ホスフィン配位子）を用いることによっても、あらかじめ金属微粒子をある程度安定化することができる。In the ligand exchange method, the metal fine particles stabilized to some extent by the lower ammonium ligand as a raw material can be synthesized by the method described in Journal of Organometallic Chemistry 1996, 520, 143-162 and the like. The target metal fine particle composite can be obtained by dissolving the hyperbranched polymer having an ammonium group in the obtained reaction mixture solution of metal fine particles and stirring at room temperature (approximately 25 ° C.) or with heating.
The solvent to be used is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the metal fine particles and the hyperbranched polymer having an ammonium group at a required concentration or more. Specifically, alcohols such as ethanol, n-propanol, and isopropanol are used. Halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and chloroform; cyclic ethers such as tetrahydrofuran (THF), 2-methyltetrahydrofuran and tetrahydropyran; nitriles such as acetonitrile and butyronitrile; and mixtures of these solvents. Preferably, tetrahydrofuran is used.
The temperature at which the reaction mixture of the metal fine particles and the hyperbranched polymer having an ammonium group are mixed usually ranges from 0 ° C. to the boiling point of the solvent, preferably from room temperature (approximately 25 ° C.) to 60 ° C. It is a range.
In the ligand exchange method, the metal fine particles can be stabilized to some extent in advance by using a phosphine dispersant (phosphine ligand) in addition to the amine dispersant (lower ammonium ligand).

直接還元方法としては、金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを溶媒に溶解し、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ポリオール等の第一級又は第二級アルコール類で還元させることにより、目的とする金属微粒子複合体を得ることができる。
ここで用いられる金属イオン源としては、上述の金属塩が使用できる。
使用する溶媒としては、金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを必要濃度以上に溶解できる溶媒であれば特に限定はされないが、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール類；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル類；アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類など及びこれらの溶媒の混合液が挙げられ、好ましくは、アルコール類、ハロゲン化炭化水素類、環状エーテル類が上げられ、より好ましくは、エタノール、イソプロパノール、クロロホルム、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
還元反応の温度は、通常０℃乃至溶媒の沸点の範囲を使用することができ、好ましくは、室温（およそ２５℃）乃至６０℃の範囲である。The direct reduction method involves dissolving a hyperbranched polymer having a metal ion and an ammonium group in a solvent and reducing it with a primary or secondary alcohol such as methanol, ethanol, isopropanol, polyol, etc. A fine particle composite can be obtained.
As the metal ion source used here, the above-mentioned metal salts can be used.
The solvent to be used is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving the hyperbranched polymer having a metal ion and an ammonium group at a required concentration or more, and specifically, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol; Halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and chloroform; Cyclic ethers such as tetrahydrofuran (THF), 2-methyltetrahydrofuran and tetrahydropyran; Nitriles such as acetonitrile and butyronitrile; N, N-dimethylformamide (DMF), N- Amides such as methyl-2-pyrrolidone (NMP); Sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and the like, and a mixed solution thereof. Preferred examples include alcohols, halogenated hydrocarbons, and cyclic ethers. Than Mashiku are ethanol, isopropanol, chloroform, tetrahydrofuran, and the like.
The temperature of the reduction reaction can usually be in the range of 0 ° C. to the boiling point of the solvent, and is preferably in the range of room temperature (approximately 25 ° C.) to 60 ° C.

他の直接還元方法としては、金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを溶媒に溶解し、水素ガス雰囲気下で反応させることにより、目的とする金属微粒子複合体を得ることができる。
ここで用いられる金属イオン源としては、上述の金属塩や、ヘキサカルボニルクロム［Ｃｒ（ＣＯ）６］、ペンタカルボニル鉄［Ｆｅ（Ｃｏ）５］、オクタカルボニルジコバルト［Ｃｏ２（ＣＯ）８］、テトラカルボニルニッケル［Ｎｉ（ＣＯ）４］等の金属カルボニル錯体が使用できる。また金属オレフィン錯体や金属ホスフィン錯体、金属窒素錯体等の０価の金属錯体も使用できる。
使用する溶媒としては、金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを必要濃度以上に溶解できる溶媒であれば特に限定はされないが、具体的には、エタノール、プロパノール等のアルコール類；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル類；アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類など及びこれらの溶媒の混合液が挙げられ、好ましくは、テトラヒドロフランが挙げられる。
金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを混合する温度は、通常０℃乃至溶媒の沸点の範囲を使用することができる。As another direct reduction method, a target metal fine particle composite can be obtained by dissolving a hyperbranched polymer having a metal ion and an ammonium group in a solvent and reacting them in a hydrogen gas atmosphere.
As a metal ion source used here, the above-mentioned metal salt, hexacarbonyl chromium [Cr (CO) 6 ], pentacarbonyl iron [Fe (Co) 5 ], octacarbonyl dicobalt [Co 2 (CO) 8 ]. A metal carbonyl complex such as tetracarbonyl nickel [Ni (CO) 4 ] can be used. In addition, zero-valent metal complexes such as metal olefin complexes, metal phosphine complexes, and metal nitrogen complexes can also be used.
The solvent to be used is not particularly limited as long as it can dissolve a hyperbranched polymer having a metal ion and an ammonium group at a required concentration or higher. Specifically, alcohols such as ethanol and propanol; methylene chloride, chloroform Halogenated hydrocarbons such as: cyclic ethers such as tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, tetrahydropyran; nitriles such as acetonitrile and butyronitrile; and a mixture of these solvents, preferably tetrahydrofuran.
As the temperature for mixing the metal ion and the hyperbranched polymer having an ammonium group, a range of usually 0 ° C. to the boiling point of the solvent can be used.

また、直接還元方法として、金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを溶媒に溶解し、熱分解反応させることにより、目的とする金属微粒子複合体を得ることができる。
ここで用いられる金属イオン源としては、上述の金属塩や金属カルボニル錯体やその他の０価の金属錯体、酸化銀等の金属酸化物が使用できる。
使用する溶媒としては、金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを必要濃度以上に溶解できる溶媒であれば特に限定はされないが、具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル類；アセトニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類など及びこれらの溶媒の混合液が挙げられ、好ましくはトルエンが挙げられる。
金属イオンとアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーを混合する温度は、通常０℃乃至溶媒の沸点の範囲を使用することができ、好ましくは溶媒の沸点近傍、例えばトルエンの場合は１１０℃（加熱還流）である。Further, as a direct reduction method, a target metal fine particle composite can be obtained by dissolving a hyperbranched polymer having a metal ion and an ammonium group in a solvent and causing a thermal decomposition reaction.
As the metal ion source used here, the above metal salts, metal carbonyl complexes, other zero-valent metal complexes, and metal oxides such as silver oxide can be used.
The solvent to be used is not particularly limited as long as it can dissolve a hyperbranched polymer having a metal ion and an ammonium group to a concentration higher than the required concentration. Specifically, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethylene glycol Alcohols such as: Halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and chloroform; Cyclic ethers such as tetrahydrofuran (THF), 2-methyltetrahydrofuran and tetrahydropyran; Nitriles such as acetonitrile and butyronitrile; Aromatics such as benzene and toluene Examples thereof include hydrocarbons and a mixture of these solvents, and preferably toluene.
The temperature at which the metal ion and the hyperbranched polymer having an ammonium group are mixed is usually 0 ° C. to the boiling point of the solvent, preferably around the boiling point of the solvent, for example, 110 ° C. (heating reflux) in the case of toluene. It is.

こうして得られるアンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーと金属微粒子の複合体は、再沈殿等の精製処理を経て、粉末などの固形物の形態とすることができる。  The complex of the hyperbranched polymer having an ammonium group and the metal fine particles obtained in this way can be made into a solid form such as a powder through a purification treatment such as reprecipitation.

本発明の下地剤は、前記（ａ）アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーと（ｂ）金属微粒子（好ましくはこれらよりなる複合体）と前記（ｃ）アルコキシシラン（又はそのオリゴマー）とを含むものであって、後述する［無電解めっき下地層］の形成時に用いるワニスの形態であってもよい。  The base agent of the present invention comprises (a) a hyperbranched polymer having an ammonium group, (b) metal fine particles (preferably a composite comprising these), and (c) an alkoxysilane (or an oligomer thereof). It may be in the form of a varnish used when forming the [electroless plating base layer] described later.

＜増粘剤＞
本発明の下地剤は、必要に応じて増粘剤を配合することにより、下地剤の粘度やレオロジー特性を調整することができる。従って、増粘剤の添加は、本発明の下地剤を印刷インキとして使用する場合に特に重要な役割を果すこととなる。<Thickener>
The base agent of the present invention can adjust the viscosity and rheological properties of the base agent by blending a thickener as necessary. Therefore, the addition of the thickener plays an especially important role when the base agent of the present invention is used as a printing ink.

上記増粘剤としては、例えば、カルボキシビニルポリマー（カルボマー）等のポリアクリル酸類（架橋したものも含む）；ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のビニルポリマー；ポリエチレンオキシド類；ポリエステル；ポリカーボネート；ポリアミド；ポリウレタン；デキストリン、寒天、カラギナン、アルギン酸、アラビアガム、グアーガム、トラガントガム、ローカストビーンガム、デンプン、ペクチン、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等の多糖類；ゼラチン、カゼイン等のタンパク質などが挙げられる。また、上記各ポリマーには、ホモポリマーだけでなくコポリマーも含まれる。これら増粘剤は一種を単独で使用してもよく、また二種以上を併用してもよい。  Examples of the thickener include polyacrylic acids such as carboxyvinyl polymer (carbomer) (including crosslinked ones); polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl acetate (PVAc), polystyrene (PS) Polyethylene oxides; Polyester; Polycarbonate; Polyamide; Polyurethane; Dextrin, agar, carrageenan, alginic acid, gum arabic, guar gum, tragacanth gum, locust bean gum, starch, pectin, carboxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxypropylcellulose And other polysaccharides; and proteins such as gelatin and casein. Each of the above polymers includes not only a homopolymer but also a copolymer. These thickeners may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

＜その他添加剤＞
本発明の下地剤は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、さらに界面活性剤、各種表面調整剤等の添加剤を適宜添加してもよい。<Other additives>
As long as the effects of the present invention are not impaired, additives such as surfactants and various surface conditioners may be added as appropriate to the base material of the present invention.

上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類；ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類；ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリステアレート、ソルビタントリオレエート等のソルビタン脂肪酸エステル類；ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート等のポリオキシエチレノニオン系界面活性剤；エフトップ（登録商標）ＥＦ−３０１、同ＥＦ−３０３、同ＥＦ−３５２［以上、三菱マテリアル電子化成（株）製］、メガファック（登録商標）Ｆ−１７１、同Ｆ−１７３、同Ｒ−０８、同Ｒ−３０［以上、ＤＩＣ（株）製］、Ｎｏｖｅｃ（登録商標）ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１［以上、住友スリーエム（株）製］、アサヒガード（登録商標）ＡＧ−７１０［旭硝子（株）製］、サーフロン（登録商標）Ｓ−３８２［ＡＧＣセイミケミカル（株）製］等のフッ素系界面活性剤などが挙げられる。  Examples of the surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxy Polyoxyethylene alkylaryl ethers such as ethylene nonylphenyl ether; polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers; sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan tristearate, Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan trioleate; polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene Polyoxyethylene nonionic surfactants such as rubitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate; EFTOP (registered trademark) EF-301, EF-303, EF-352 [Made by Mitsubishi Materials Electronics Chemical Co., Ltd.], MegaFac (registered trademark) F-171, F-173, R-08, R-30 [above, made by DIC Corporation], Novec (registered) Trademarks) FC-430, FC-431 [manufactured by Sumitomo 3M Limited], Asahi Guard (registered trademark) AG-710 (produced by Asahi Glass Co., Ltd.), Surflon (registered trademark) S-382 [AGC Seimi Chemical Fluorosurfactant such as “manufactured by Co., Ltd.

また、上記表面調整剤としては、信越シリコーン（登録商標）ＫＰ−３４１［信越化学工業（株）製］等のシリコーン系レベリング剤；ＢＹＫ（登録商標）−３０２、同３０７、同３２２、同３２３、同３３０、同３３３、同３７０、同３７５、同３７８［以上、ビックケミー・ジャパン（株）製］等のシリコーン系表面調整剤などが挙げられる。  Further, as the surface conditioner, silicone leveling agents such as Shin-Etsu Silicone (registered trademark) KP-341 [manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.]; BYK (registered trademark) -302, 307, 322, 323 , 330, 333, 370, 375, 378 [above, manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd.] and the like.

これら添加剤は一種を単独で使用してもよく、また二種以上を併用してもよい。添加剤の使用量は、前記ハイパーブランチポリマーと金属微粒子より形成された複合体１００質量部に対して、０．００１〜５０質量部が好ましく、０．００５〜１０質量部がより好ましく、０．０１〜５質量部がより一層好ましい。  These additives may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. The amount of the additive used is preferably 0.001 to 50 parts by mass, more preferably 0.005 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the composite formed from the hyperbranched polymer and the metal fine particles. 01-5 mass parts is still more preferable.

［無電解めっき下地層］
上述の本発明の下地剤は、基材上に塗布することにより、無電解めっき下地層を形成することができる。この無電解めっき下地層も本発明の対象である。[Electroless plating underlayer]
The base agent of the present invention described above can form an electroless plating base layer by coating on a substrate. This electroless plating underlayer is also an object of the present invention.

前記基材としては特に限定されないが、非導電性基材又は導電性基材を好ましく使用できる。
非導電性基材としては、例えばガラス、セラミック等；ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、塩化ビニル樹脂、ナイロン（ポリアミド樹脂）、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタラート）樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール樹脂等；紙などが挙げられる。これらはシートあるいはフィルム等の形態にて好適に使用され、この場合の厚さについては特に限定されない。
また導電性基材としては、例えばＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）や、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、また各種ステンレス鋼、アルミニウム並びにジュラルミン等のアルミニウム合金、鉄並びに鉄合金、銅並びに真鍮、燐青銅、白銅及びベリリウム銅等の銅合金、ニッケル並びにニッケル合金、そして、銀並びに洋銀等の銀合金などの金属等が挙げられる。
さらに上記非導電性基材上にこれらの導電性基材で薄膜が形成された基材も使用可能である。
また、上記基材は、三次元成形体であってもよい。Although it does not specifically limit as said base material, A nonelectroconductive base material or a conductive base material can be used preferably.
Examples of the non-conductive substrate include glass, ceramic, etc .; polyethylene resin, polypropylene resin, vinyl chloride resin, nylon (polyamide resin), polyimide resin, polycarbonate resin, acrylic resin, PEN (polyethylene naphthalate) resin, PET (polyethylene) Terephthalate) resin, PEEK (polyetheretherketone) resin, ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer) resin, epoxy resin, polyacetal resin, etc .; and paper. These are preferably used in the form of a sheet or a film, and the thickness in this case is not particularly limited.
Examples of the conductive substrate include ITO (tin doped indium oxide), ATO (antimony doped tin oxide), FTO (fluorine doped tin oxide), AZO (aluminum doped zinc oxide), GZO (gallium doped zinc oxide), Various stainless steels, aluminum and aluminum alloys such as duralumin, iron and iron alloys, copper and copper alloys such as brass, phosphor bronze, white copper and beryllium copper, metals such as nickel and nickel alloys, and silver alloys such as silver and western silver Etc.
Furthermore, the base material in which the thin film was formed with these electroconductive base materials on the said nonelectroconductive base material can also be used.
Further, the base material may be a three-dimensional molded body.

上記アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーと金属微粒子とアルコキシシランとを含む下地剤より無電解めっき下地層を形成する具体的な方法としては、まず前記アンモニウム基を有するハイパーブランチポリマーと金属微粒子（好ましくはこれらよりなる複合体）とアルコキシシランとを適当な溶媒に溶解又は分散してワニスの形態とし、該ワニスを金属めっき被膜を形成する基材上にスピンコート法；ブレードコート法；ディップコート法；ロールコート法；バーコート法；ダイコート法；スプレーコート法；インクジェット法；ファウンテンペンナノリソグラフィー（ＦＰＮ）、ディップペンナノリソグラフィー（ＤＰＮ）などのペンリソグラフィー；活版印刷、フレキソ印刷、樹脂凸版印刷、コンタクトプリンティング、マイクロコンタクトプリンティング（μＣＰ）、ナノインプリンティングリソグラフィー（ＮＩＬ）、ナノトランスファープリンティング（ｎＴＰ）などの凸版印刷法；グラビア印刷、エングレービングなどの凹版印刷法；平版印刷法；スクリーン印刷、謄写版などの孔版印刷法；オフセット印刷法等によって塗布し、その後、溶媒を蒸発・乾燥させることにより、薄層を形成する。
これらの塗布方法の中でもスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ペンリソグラフィー、コンタクトプリンティング、μＣＰ、ＮＩＬ及びｎＴＰが好ましい。スピンコート法を用いる場合には、単時間で塗布することができるために、揮発性の高い溶液であっても利用でき、また、均一性の高い塗布を行うことができるという利点がある。スプレーコート法を用いる場合には、極少量のワニスで均一性の高い塗布を行うことができ、工業的に非常に有利となる。インクジェット法、ペンリソグラフィー、コンタクトプリンティング、μＣＰ、ＮＩＬ、ｎＴＰを用いる場合には、例えば配線などの微細パターンを効率的に形成（描画）することができ、工業的に非常に有利となる。As a specific method for forming an electroless plating underlayer from a base agent containing the above-mentioned hyperbranched polymer having ammonium groups, metal fine particles and alkoxysilane, first, the hyperbranched polymer having metal groups and metal fine particles (preferably A composite comprising these) and alkoxysilane are dissolved or dispersed in an appropriate solvent to form a varnish, and the varnish is formed on a substrate on which a metal plating film is formed by spin coating; blade coating; dip coating; Roll coating method; Bar coating method; Die coating method; Spray coating method; Ink jet method; Pen lithography such as fountain pen nano lithography (FPN), dip pen nano lithography (DPN); Letterpress printing, flexographic printing, resin letterpress printing, contact printing , Letterpress printing methods such as micro-contact printing (μCP), nanoimprinting lithography (NIL), nanotransfer printing (nTP); intaglio printing methods such as gravure printing and engraving; lithographic printing methods; A thin layer is formed by applying a printing method; an offset printing method or the like, and then evaporating and drying the solvent.
Among these coating methods, spin coating, spray coating, ink jet, pen lithography, contact printing, μCP, NIL, and nTP are preferable. In the case of using the spin coating method, since it can be applied in a single time, even a highly volatile solution can be used, and there is an advantage that highly uniform application can be performed. When the spray coating method is used, highly uniform coating can be performed with a very small amount of varnish, which is industrially very advantageous. When an ink jet method, pen lithography, contact printing, μCP, NIL, or nTP is used, a fine pattern such as a wiring can be efficiently formed (drawn), which is very advantageous industrially.

またここで用いられる溶媒としては、上記複合体及びアルコキシシランを溶解又は分散するものであれば特に限定されないが、たとえば、水；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、２−ブタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−オクタノール、２−オクタノール、２−エチルヘキサノール等のアルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ類；プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等のグリコールエステル類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；ｎ−ヘプタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；１，２−ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシドなどが使用できる。これら溶媒は単独で使用してもよく、２種類以上の溶媒を混合してもよい。さらに、ワニスの粘度を調整する目的で、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール等のグリコール類を添加してもよい。
また上記溶媒に溶解又は分散させる濃度は任意であるが、ワニス中の前記複合体濃度は０．０５〜９０質量％であり、好ましくは０．１〜８０質量％である。The solvent used here is not particularly limited as long as it dissolves or disperses the complex and the alkoxysilane. For example, water; aromatic carbonization such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, chlorobenzene, dichlorobenzene, etc. Hydrogen; alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, 2-butanol, n-hexanol, n-octanol, 2-octanol, 2-ethylhexanol; methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, Cellosolves such as phenyl cellosolve; propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl Ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol butyl ether Glycol ethers such as methyl ether, diethylene glycol isopropyl methyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether; ethylene glycol mono Glycol esters such as tilether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA); Ethers such as tetrahydrofuran (THF), methyltetrahydrofuran, 1,4-dioxane and diethyl ether; Esters such as ethyl acetate and butyl acetate; Acetone , Ketones such as methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MIBK), cyclopentanone and cyclohexanone; aliphatic hydrocarbons such as n-heptane, n-hexane and cyclohexane; halogens such as 1,2-dichloroethane and chloroform Aliphatic hydrocarbons; amides such as N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide; dimethyl sulfoxide, etc. Yes. These solvents may be used alone, or two or more kinds of solvents may be mixed. Furthermore, for the purpose of adjusting the viscosity of the varnish, glycols such as ethylene glycol, propylene glycol and butylene glycol may be added.
Moreover, although the density | concentration dissolved or disperse | distributed to the said solvent is arbitrary, the said complex density | concentration in a varnish is 0.05-90 mass%, Preferably it is 0.1-80 mass%.

溶媒の乾燥法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する下地層を得ることが可能である。焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、４０〜２５０℃で行うことが好ましい。  The method for drying the solvent is not particularly limited. For example, the solvent may be evaporated in a suitable atmosphere, that is, in an inert gas such as air or nitrogen, in a vacuum, or the like using a hot plate or an oven. Thereby, it is possible to obtain an underlayer having a uniform film formation surface. Although a calcination temperature will not be specifically limited if a solvent can be evaporated, It is preferable to carry out at 40-250 degreeC.

［無電解めっき処理、金属めっき膜、金属被膜基材］
上記のようにして得られた基材上に形成された無電解めっき下地層を無電解めっきすることにより、無電解めっき下地層の上に金属めっき膜が形成される。こうして得られる金属めっき膜、並びに、基材上に無電解めっき下地層、金属めっき膜の順にて具備する金属被膜基材も本発明の対象である。
無電解めっき処理（工程）は特に限定されず、一般的に知られている何れの無電解めっき処理にて行うことができ、例えば、従来一般に知られている無電解めっき液を用い、該めっき液（浴）に基材上に形成された無電解めっき下地層を浸漬する方法が一般的である。[Electroless plating treatment, metal plating film, metal coating substrate]
By electrolessly plating the electroless plating base layer formed on the substrate obtained as described above, a metal plating film is formed on the electroless plating base layer. The metal plating film thus obtained, and the metal-coated base material provided in the order of the electroless plating base layer and the metal plating film on the base material are also objects of the present invention.
The electroless plating treatment (process) is not particularly limited, and can be performed by any generally known electroless plating treatment. For example, the plating is performed using a conventionally known electroless plating solution. A method of immersing the electroless plating base layer formed on the substrate in a liquid (bath) is common.

前記無電解めっき液は、主として金属イオン（金属塩）、錯化剤、還元剤を主に含有し、その他用途に合わせてｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝剤、反応促進剤（第二錯化剤）、安定剤、界面活性剤（めっき膜への光沢付与用途、被処理面の濡れ性改善用途など）などが適宜含まれてなる。
ここで無電解めっきで形成される金属めっき膜に用いられる金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、銀、スズ、白金、金及びそれらの合金が挙げられ、目的に応じて適宜選択される。
また上記錯化剤、還元剤についても金属イオンに応じて適宜選択すればよい。
また無電解めっき液は市販のめっき液を使用してもよく、例えばメルテックス（株）製の無電解ニッケルめっき薬品（メルプレート（登録商標）ＮＩシリーズ）、無電解銅めっき薬品（メルプレート（登録商標）ＣＵシリーズ）；奥野製薬工業（株）製の無電解ニッケルめっき液（ＩＣＰニコロン（登録商標）シリーズ）、無電解銅めっき液（ＯＰＣ−７００無電解銅Ｍ−Ｋ、ＡＴＳアドカッパーＩＷ）、無電解スズめっき液（サブスターＳＮ−５）、無電解金めっき液（フラッシュゴールド３３０、セルフゴールドＯＴＫ−ＩＴ）；小島化学薬品（株）製の無電解パラジウムめっき液（パレットＩＩ）、無電解金めっき液（ディップＧシリーズ、ＮＣゴールドシリーズ）；佐々木化学薬品（株）製の無電解銀めっき液（エスダイヤＡＧ−４０）；日本カニゼン（株）製の無電解ニッケルめっき液（シューマー（登録商標）シリーズ、シューマー（登録商標）カニブラック（登録商標）シリーズ）、無電解パラジウムめっき液（Ｓ−ＫＰＤ）；ダウケミカル社製の無電解銅めっき液（キューポジット（登録商標）カッパーミックスシリーズ、サーキュポジット（登録商標）シリーズ）、無電解パラジウムめっき液（パラマース（登録商標）シリーズ）、無電解ニッケルめっき液（デュラポジット（登録商標）シリーズ）、無電解金めっき液（オーロレクトロレス（登録商標）シリーズ）、無電解スズめっき液（ティンポジット（登録商標）シリーズ）等を好適に用いることができる。The electroless plating solution mainly contains a metal ion (metal salt), a complexing agent, and a reducing agent, and a pH adjuster, a pH buffering agent, a reaction accelerator (second complexing agent) according to other uses. , Stabilizers, surfactants (use for imparting gloss to the plating film, use for improving the wettability of the surface to be treated, etc.), etc.
Examples of the metal used in the metal plating film formed by electroless plating include iron, cobalt, nickel, copper, palladium, silver, tin, platinum, gold, and alloys thereof, and are appropriately selected according to the purpose. Is done.
The complexing agent and the reducing agent may be appropriately selected according to the metal ion.
The electroless plating solution may be a commercially available plating solution. For example, an electroless nickel plating chemical (Melplate (registered trademark) NI series) manufactured by Meltex Co., Ltd., an electroless copper plating chemical (Melplate ( (Registered trademark) CU series); electroless nickel plating solution (ICP Nicolon (registered trademark) series) manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., electroless copper plating solution (OPC-700 electroless copper M-K, ATS add copper IW) ), Electroless tin plating solution (Substar SN-5), electroless gold plating solution (flash gold 330, self gold OTK-IT); electroless palladium plating solution (pallet II) manufactured by Kojima Chemical Co., Ltd. Electroless gold plating solution (Dip G series, NC gold series); Electroless silver plating solution manufactured by Sasaki Chemical Co., Ltd. ); Electroless nickel plating solution (Schuma (registered trademark) series, Schumer (registered trademark) crab black (registered trademark) series), Electroless palladium plating solution (S-KPD) manufactured by Nippon Kanisen Co., Ltd .; Dow Chemical Company Electroless copper plating solution (Cuposit (registered trademark) Coppermix series, Circuposit (registered trademark) series), Electroless palladium plating solution (Paramars (registered trademark) series), Electroless nickel plating solution (Duraposit ( (Registered trademark) series), electroless gold plating solution (Aurolectroles (registered trademark) series), electroless tin plating solution (Tinposit (registered trademark) series) and the like can be suitably used.

上記無電解めっき工程は、めっき浴の温度、ｐＨ、浸漬時間、金属イオン濃度、撹拌の有無や撹拌速度、空気・酸素の供給の有無や供給速度等を調節することにより、金属被膜の形成速度や膜厚を制御することができる。  The electroless plating process adjusts the temperature, pH, immersion time, metal ion concentration, presence / absence of stirring, stirring speed, presence / absence of supply of air / oxygen, supply speed, etc. And the film thickness can be controlled.

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。実施例において、試料の物性測定は、下記の条件のもとで下記の装置を使用して行った。  EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited by this. In the examples, the physical properties of the samples were measured using the following apparatus under the following conditions.

（１）ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）
装置：東ソー（株）製 ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ
カラム：昭和電工（株）製 Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標） ＫＦ−８０４Ｌ ＋ ＫＦ−８０３Ｌ
カラム温度：４０℃
溶媒：テトラヒドロフラン
検出器：ＵＶ（２５４ｎｍ）、ＲＩ
（２）１Ｈ ＮＭＲスペクトル
装置：日本電子（株）製 ＪＮＭ−Ｌ４００
溶媒：ＣＤＣｌ３
内部標準：テトラメチルシラン（０．００ｐｐｍ）
（３）１３Ｃ ＮＭＲスペクトル
装置：日本電子（株）製 ＪＮＭ−ＥＣＡ７００
溶媒：ＣＤＣｌ３
緩和試薬：トリスアセチルアセトナートクロム（Ｃｒ（ａｃａｃ）３）
基準：ＣＤＣｌ３（７７．０ｐｐｍ）
（４）ＩＣＰ発光分析（誘導結合プラズマ発光分析）
装置：（株）島津製作所製 ＩＣＰＭ−８５００
（５）ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）画像
装置：（株）日立ハイテクノロジーズ製 Ｈ−８０００
（６）ＵＶオゾン洗浄装置
装置：（株）テクノビジョン製 ＵＶ−２０８
（７）電子顕微鏡画像
装置：（株）キーエンス製 デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２０００
（８）断面ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像
ＳＥＭ：日本電子（株）製 ＪＳＭ−７４００Ｆ
断面試料作製装置：日本電子（株）製 クロスセクションポリッシャ（登録商標）ＩＩ
ＩＢ−０９０２０ＣＰ(1) GPC (gel permeation chromatography)
Device: HLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation
Column: Shodex (registered trademark) KF-804L + KF-803L manufactured by Showa Denko K.K.
Column temperature: 40 ° C
Solvent: Tetrahydrofuran Detector: UV (254 nm), RI
(2) 1 H NMR spectrum device: JNM-L400 manufactured by JEOL Ltd.
Solvent: CDCl 3
Internal standard: Tetramethylsilane (0.00ppm)
(3) 13 C NMR spectrum device: JNM-ECA700 manufactured by JEOL Ltd.
Solvent: CDCl 3
Relaxing reagent: trisacetylacetonatochrome (Cr (acac) 3 )
Standard: CDCl 3 (77.0 ppm)
(4) ICP emission analysis (inductively coupled plasma emission analysis)
Apparatus: ICPM-8500 manufactured by Shimadzu Corporation
(5) TEM (Transmission Electron Microscope) Image Device: H-8000 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation
(6) UV ozone cleaning device: UV-208 manufactured by Technovision Co., Ltd.
(7) Electron microscope image Device: Digital microscope VHX-2000 manufactured by Keyence Corporation
(8) Cross-sectional SEM (scanning electron microscope) image SEM: JSM-7400F manufactured by JEOL Ltd.
Cross-section sample preparation device: Cross Section Polisher (registered trademark) II manufactured by JEOL Ltd.
IB-09020CP

また使用した略号は以下のとおりである。
ＨＰＳ：ハイパーブランチポリスチレン［日産化学工業（株）製 ハイパーテック（登録商標）ＨＰＳ−２００］
ＡＥＡＰＭ：３−（２−アミノエチルアミノ）プロピル（ジメトキシ）（メチル）シラン［東京化成工業（株）製］
ＡＥＡＰ：３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン［東京化成工業（株）］
ＡＰＭＥＳ：３−アミノプロピル（ジエトキシ）（メチル）シラン［東京化成工業（株）製］
ＡＰＥＳ：３−アミノプロピルトリエトキシシラン［信越化学工業（株）製 信越シリコーン（登録商標）ＫＢＥ−９０３］
ＡＰＭＳ：３−アミノプロピルトリメトキシシラン［東京化成工業（株）製］
ＢＳＰＡ：ビス（３−トリメトキシシリルプロピル）アミン［東京化成工業（株）製］
ＥＭＳＯ：エポキシ基／メチル基含有メトキシシランオリゴマー［信越化学工業（株）製
信越シリコーン（登録商標）Ｘ−４１−１０５６］
ＧＰＭＳ：３−（グリシジルオキシ）プロピルトリメトキシシラン［東京化成工業（株）製］
ＰＴＭＳ：プロピルトリメトキシシラン［東京化成工業（株）製］
Ｆ５５４：フッ素系界面活性剤［ＤＩＣ（株）製 メガファック（登録商標）Ｆ−５５４］
ＩＴＯ：酸化インジウムスズ
Ｎ６：ナイロン６基板［宇部興産（株）製 ＵＢＥナイロン １０２２１３］
Ｎ６６：ナイロン６，６基板［旭化成ケミカルズ（株）製 レオナ（登録商標）１５００］
ＰＥＥＫ：ポリエーテルエーテルケトンフィルム［住友ベークライト（株）製 スミライト（登録商標）ＦＳ−１１００Ｃ］
ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート
ＰＥＴ−１：ポリエチレンテレフタレートフィルム［東レ（株）製 ルミラー（登録商標）Ｔ６０］
ＰＥＴ−２：易接着ポリエチレンテレフタレートフィルム［東洋紡（株）製 コスモシャイン（登録商標）Ａ４１００］
ＰＩ：ポリイミド
ＰＩ−１：ポリイミドフィルム［東レ・デュポン（株）製 カプトン（登録商標）２００ＥＮ］
ＰＩ−２：ポリイミドフィルム［宇部興産（株）製 ユーピレックス（登録商標）１２５Ｓ］
ＩＰＡ：イソプロパノール
ＩＰＥ：ジイソプロピルエーテル
ＭＥＫ：メチルエチルケトン
ＴＨＦ：テトラヒドロフランThe abbreviations used are as follows.
HPS: Hyperbranched polystyrene [Hypertech (registered trademark) HPS-200 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.]
AEAPM: 3- (2-aminoethylamino) propyl (dimethoxy) (methyl) silane [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
AEAP: 3- (2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane [Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
APMES: 3-aminopropyl (diethoxy) (methyl) silane [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
APES: 3-aminopropyltriethoxysilane [Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Shin-Etsu Silicone (registered trademark) KBE-903]
APMS: 3-aminopropyltrimethoxysilane [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
BSPA: Bis (3-trimethoxysilylpropyl) amine [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
EMSO: Epoxy group / methyl group-containing methoxysilane oligomer [Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Silicone (registered trademark) X-41-1056]
GPMS: 3- (glycidyloxy) propyltrimethoxysilane [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
PTMS: propyltrimethoxysilane [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.]
F554: Fluorosurfactant [manufactured by DIC Corporation, MegaFac (registered trademark) F-554]
ITO: Indium tin oxide N6: Nylon 6 substrate [UBE nylon 102213 manufactured by Ube Industries, Ltd.]
N66: Nylon 6,6 substrate [Leona (registered trademark) 1500, manufactured by Asahi Kasei Chemicals Corporation]
PEEK: polyetheretherketone film [Sumilite (registered trademark) FS-1100C, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.]
PET: Polyethylene terephthalate PET-1: Polyethylene terephthalate film [Lumirror (registered trademark) T60 manufactured by Toray Industries, Inc.]
PET-2: Adhesive polyethylene terephthalate film [Cosmo Shine (registered trademark) A4100 manufactured by Toyobo Co., Ltd.]
PI: Polyimide PI-1: Polyimide film [Kapton (registered trademark) 200EN manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.]
PI-2: Polyimide film [Upilex (registered trademark) 125S manufactured by Ube Industries, Ltd.]
IPA: isopropanol IPE: diisopropyl ether MEK: methyl ethyl ketone THF: tetrahydrofuran

［合成例１］ＨＰＳ−Ｃｌの製造
５００ｍＬの反応フラスコに、塩化スルフリル［キシダ化学（株）製］２７ｇ及びクロロホルム５０ｇを仕込み、撹拌して均一に溶解させた。この溶液を窒素気流下０℃まで冷却した。
別の３００ｍＬの反応フラスコに、ジチオカルバメート基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーＨＰＳ１５ｇ及びクロロホルム１５０ｇを仕込み、窒素気流下均一になるまで撹拌した。
前述の０℃に冷却されている塩化スルフリル／クロロホルム溶液中に、窒素気流下、ＨＰＳ／クロロホルム溶液が仕込まれた前記３００ｍＬの反応フラスコから、送液ポンプを用いて、該溶液を反応液の温度が−５〜５℃となるように６０分間かけて加えた。添加終了後、反応液の温度を−５〜５℃に保持しながら６時間撹拌した。
さらにこの反応液へ、シクロヘキセン［東京化成工業（株）製］１６ｇをクロロホルム５０ｇに溶かした溶液を、反応液の温度が−５〜５℃となるように加えた。添加終了後、この反応液をＩＰＡ１，２００ｇに添加してポリマーを沈殿させた。この沈殿をろ取して得られた白色粉末をクロロホルム１００ｇに溶解し、これをＩＰＡ５００ｇに添加してポリマーを再沈殿させた。この沈殿物を減圧ろ過し、真空乾燥して、塩素原子を分子末端に有するハイパーブランチポリマー（ＨＰＳ−Ｃｌ）８．５ｇを白色粉末として得た（収率９９％）。
得られたＨＰＳ−Ｃｌの１Ｈ ＮＭＲスペクトルを図１に示す。ジチオカルバメート基由来のピーク（４．０ｐｐｍ、３．７ｐｐｍ）が消失していることから、得られたＨＰＳ−Ｃｌは、ＨＰＳ分子末端のジチオカルバメート基がほぼ全て塩素原子に置換されていることが明らかとなった。また、得られたＨＰＳ−ＣｌのＧＰＣによるポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは１４，０００、分散度Ｍｗ／Ｍｎは２．９であった。 [Synthesis Example 1] Production of HPS-Cl
In a 500 mL reaction flask, 27 g of sulfuryl chloride [manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd.] and 50 g of chloroform were charged and stirred to dissolve uniformly. The solution was cooled to 0 ° C. under a nitrogen stream.
In another 300 mL reaction flask, 15 g of hyperbranched polymer HPS having a dithiocarbamate group at the molecular end and 150 g of chloroform were charged and stirred under nitrogen flow until uniform.
From the 300 mL reaction flask charged with the HPS / chloroform solution in a sulfuryl chloride / chloroform solution cooled to 0 ° C. in a nitrogen stream, the solution was cooled to the temperature of the reaction solution. Was added over 60 minutes so that it might become -5-5 degreeC. After completion of the addition, the mixture was stirred for 6 hours while maintaining the temperature of the reaction solution at -5 to 5 ° C.
Furthermore, a solution prepared by dissolving 16 g of cyclohexene [manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.] in 50 g of chloroform was added to this reaction solution so that the temperature of the reaction solution became −5 to 5 ° C. After completion of the addition, this reaction solution was added to 1,200 g of IPA to precipitate a polymer. The white powder obtained by filtering this precipitate was dissolved in 100 g of chloroform and added to 500 g of IPA to reprecipitate the polymer. The precipitate was filtered under reduced pressure and vacuum dried to obtain 8.5 g of a hyperbranched polymer (HPS-Cl) having a chlorine atom at the molecular end as a white powder (yield 99%).
The 1 H NMR spectrum of the obtained HPS-Cl is shown in FIG. Since the peak derived from the dithiocarbamate group (4.0 ppm, 3.7 ppm) has disappeared, the obtained HPS-Cl has almost all of the dithiocarbamate groups at the HPS molecule terminals substituted by chlorine atoms. It became clear. Moreover, the weight average molecular weight Mw measured by polystyrene conversion by GPC of the obtained HPS-Cl was 14,000, and dispersion degree Mw / Mn was 2.9.

［合成例２］ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌの製造
還流塔を付した１００ｍＬの反応フラスコに、合成例１で製造したＨＰＳ−Ｃｌ４．６ｇ（３０ｍｍｏｌ）、トリオクチルアミン［純正化学（株）製］１０．６ｇ（３０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム４５ｇを仕込み、窒素置換した。この混合物を、撹拌しながら４８時間加熱還流した。
液温３０℃まで冷却後、溶媒を留去した。得られた残渣を、クロロホルム１５０ｇに溶解し、０℃に冷却した。この溶液を０℃のＩＰＥ３，０００ｇに添加して再沈精製した。析出したポリマーを減圧ろ過し、４０℃で真空乾燥して、トリオクチルアンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマー（ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ）９．６ｇを淡黄色粉末として得た。
得られたＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌの１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを図２に示す。塩素原子が結合したメチレン基と、アンモニウム基が結合したメチレン基のピークから、得られたＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌは、ＨＰＳ−Ｃｌ分子末端の塩素原子の７１％がアンモニウム基に置換されていることが明らかとなった。また、ＨＰＳ−ＣｌのＭｗ（１４，０００）及びアンモニウム基導入率（７１％）から算出されるＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌの重量平均分子量Ｍｗは３７，０００となった。 [Synthesis Example 2] Production of HPS-NOct 3 Cl
A 100 mL reaction flask equipped with a reflux tower was charged with 4.6 g (30 mmol) of HPS-Cl prepared in Synthesis Example 1, 10.6 g (30 mmol) of trioctylamine [manufactured by Junsei Chemical Co., Ltd.] and 45 g of chloroform, and nitrogen. Replaced. The mixture was heated to reflux with stirring for 48 hours.
After cooling to a liquid temperature of 30 ° C., the solvent was distilled off. The obtained residue was dissolved in 150 g of chloroform and cooled to 0 ° C. This solution was added to 3,000 g of IPE at 0 ° C. for reprecipitation purification. The precipitated polymer was filtered under reduced pressure and vacuum dried at 40 ° C. to obtain 9.6 g of a hyperbranched polymer (HPS-NOct 3 Cl) having a trioctylammonium group at the molecular end as a pale yellow powder.
The 13 C NMR spectrum of the obtained HPS-NOct 3 Cl is shown in FIG. From the peak of the methylene group to which the chlorine atom is bonded and the methylene group to which the ammonium group is bonded, the obtained HPS-NOct 3 Cl has 71% of the chlorine atom at the end of the HPS-Cl molecule replaced with an ammonium group. Became clear. Moreover, the weight average molecular weight Mw of HPS-NOct 3 Cl calculated from Mw (14,000) of HPS-Cl and ammonium group introduction rate (71%) was 37,000.

［合成例３］Ｐｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］の製造
１Ｌの二つ口フラスコに、酢酸パラジウム［川研ファインケミカル（株）製］４．３ｇ及びクロロホルム２００ｇを仕込み、均一になるまで撹拌した。この溶液へ、合成例２に従って製造したＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ１８．０ｇをクロロホルム２００ｇに溶解させた溶液を、滴下ロートを使用して加えた。この滴下ロート内を、エタノール１００ｇを使用して前記反応フラスコへ洗い込んだ。この混合物を６０℃で１７時間撹拌した。
液温３０℃まで冷却後、溶媒を留去した。得られた残渣をＴＨＦ３００ｇに溶解し、０℃に冷却した。この溶液を０℃のＩＰＥ６，０００ｇに添加して再沈精製した。析出したポリマーを減圧ろ過し、６０℃で真空乾燥して、アンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーとＰｄ粒子の複合体（Ｐｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］）１９．９ｇを黒色粉末として得た。
ＩＣＰ発光分析の結果から、得られたＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］のＰｄ含有量は１１質量％であった。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）画像から、そのＰｄ粒子径はおよそ２〜４ｎｍであった。[Synthesis Example 3] Production of Pd [HPS-NOct 3 Cl] Into a 1 L two-necked flask, 4.3 g of palladium acetate [manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd.] and 200 g of chloroform were charged and stirred until uniform. A solution obtained by dissolving 18.0 g of HPS-NOct 3 Cl prepared according to Synthesis Example 2 in 200 g of chloroform was added to this solution using a dropping funnel. The dropping funnel was washed into the reaction flask using 100 g of ethanol. The mixture was stirred at 60 ° C. for 17 hours.
After cooling to a liquid temperature of 30 ° C., the solvent was distilled off. The obtained residue was dissolved in 300 g of THF and cooled to 0 ° C. This solution was added to 6,000 g of IPE at 0 ° C. for reprecipitation purification. The precipitated polymer was filtered under reduced pressure and vacuum dried at 60 ° C. to obtain 19.9 g of a complex of a hyperbranched polymer having an ammonium group at the molecular end and Pd particles (Pd [HPS-NOct 3 Cl]) as a black powder. It was.
From the results of ICP emission analysis, the Pd content of the obtained Pd [HPS-NOct 3 Cl] was 11% by mass. Moreover, the Pd particle diameter was about 2-4 nm from the TEM (transmission electron microscope) image.

［合成例４］ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌの製造
還流塔を付した１００ｍＬの反応フラスコに、合成例１で製造したＨＰＳ−Ｃｌ４．６ｇ（３０ｍｍｏｌ）及びクロロホルム１５ｇを仕込み、均一になるまで撹拌した。この溶液へ、ジメチルオクチルアミン［花王（株）製 ファーミン（登録商標）ＤＭ０８９８］５．０ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）をクロロホルム７．５ｇに溶解させた溶液を加え、さらにＩＰＡ７．５ｇを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下６５℃で４０時間撹拌した。
液温３０℃まで冷却後、溶媒を留去した。得られた残渣を、クロロホルム６０ｇに溶解し、この溶液をＩＰＥ２９０ｇに添加して再沈精製した。析出したポリマーを減圧ろ過し、５０℃で真空乾燥して、ジメチルオクチルアンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマー（ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ）９．３ｇを白色粉末として得た。
得られたＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌの１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを図３に示す。ベンゼン環のピークと、オクチル基末端のメチル基のピークから、得られたＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌは、ＨＰＳ−Ｃｌ分子末端の塩素原子がほぼ定量的にアンモニウム基に置換されていることが明らかとなった。また、ＨＰＳ−ＣｌのＭｗ（１４，０００）及びアンモニウム基導入率（１００％）から算出されるＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌの重量平均分子量Ｍｗは２８，０００となった。 Synthesis Example 4 Production of HPS-N (Me) 2 OctCl
A 100 mL reaction flask equipped with a reflux tower was charged with 4.6 g (30 mmol) of HPS-Cl prepared in Synthesis Example 1 and 15 g of chloroform, and stirred until uniform. To this solution, a solution of 5.0 g (31.5 mmol) of dimethyloctylamine [Farmin (registered trademark) DM0898 manufactured by Kao Corporation] dissolved in 7.5 g of chloroform was added, and 7.5 g of IPA was further added. The mixture was stirred at 65 ° C. for 40 hours under a nitrogen atmosphere.
After cooling to a liquid temperature of 30 ° C., the solvent was distilled off. The obtained residue was dissolved in 60 g of chloroform, and this solution was added to 290 g of IPE for purification by reprecipitation. The precipitated polymer was filtered under reduced pressure and vacuum dried at 50 ° C. to obtain 9.3 g of a hyperbranched polymer (HPS-N (Me) 2 OctCl) having a dimethyloctylammonium group at the molecular end as a white powder.
The 13 C NMR spectrum of the obtained HPS-N (Me) 2 OctCl is shown in FIG. The HPS-N (Me) 2 OctCl obtained from the peak of the benzene ring and the peak of the methyl group at the end of the octyl group has the chlorine atom at the end of the HPS-Cl molecule substituted with an ammonium group almost quantitatively. Became clear. The weight average molecular weight Mw of HPS-N (Me) 2 OctCl calculated from Mw (14,000) of HPS-Cl and ammonium group introduction rate (100%) was 28,000.

［合成例５］Ｐｄ［ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ］の製造
還流塔を付した１００ｍＬの反応フラスコに、酢酸パラジウム［川研ファインケミカル（株）製］１．３ｇ及びクロロホルム２３ｇを仕込み、均一になるまで撹拌した。この溶液へ、合成例４で製造したＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ０．４ｇをクロロホルム２３ｇに溶解させた溶液を、滴下ロートを使用して加えた。この滴下ロート内を、クロロホルム２３ｇ及びエタノール２３ｇを使用して前記反応フラスコへ洗い込んだ。この混合物を、窒素雰囲気下６５℃で８時間撹拌した。
液温３０℃まで冷却後、溶媒を留去した。得られた残渣をクロロホルム１０ｇに溶解し、この溶液をＩＰＥ１００ｇに添加して再沈精製した。析出したポリマーを減圧ろ過し、６０℃で真空乾燥して、アンモニウム基を分子末端に有するハイパーブランチポリマーとＰｄ粒子の複合体（Ｐｄ［ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ］）１．０ｇを黒色粉末として得た。
ＩＣＰ発光分析の結果から、得られたＰｄ［ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ］のＰｄ含有量は６１質量％であった。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）画像から、そのＰｄ粒子径はおよそ２〜５ｎｍであった。[Synthesis Example 5] Production of Pd [HPS-N (Me) 2 OctCl] A 100 mL reaction flask equipped with a reflux tower was charged with 1.3 g of palladium acetate [manufactured by Kawaken Fine Chemicals Co., Ltd.] and 23 g of chloroform. Stir until. A solution obtained by dissolving 0.4 g of HPS-N (Me) 2 OctCl prepared in Synthesis Example 4 in 23 g of chloroform was added to this solution using a dropping funnel. The dropping funnel was washed into the reaction flask using 23 g of chloroform and 23 g of ethanol. The mixture was stirred at 65 ° C. for 8 hours under a nitrogen atmosphere.
After cooling to a liquid temperature of 30 ° C., the solvent was distilled off. The obtained residue was dissolved in 10 g of chloroform, and this solution was added to 100 g of IPE for purification by reprecipitation. The precipitated polymer was filtered under reduced pressure and vacuum dried at 60 ° C., and 1.0 g of a complex of a hyperbranched polymer and Pd particles having an ammonium group at the molecular end (Pd [HPS-N (Me) 2 OctCl]) was blackened. Obtained as a powder.
From the results of ICP emission analysis, the Pd content of the obtained Pd [HPS-N (Me) 2 OctCl] was 61% by mass. Moreover, the Pd particle diameter was about 2-5 nm from the TEM (transmission electron microscope) image.

［参考例１］無電解ニッケルめっき液の調製
１Ｌのフラスコに、メルプレート（登録商標）ＮＩ−６５２２ＬＦ１［メルテックス（株）製］５０ｍＬ、メルプレート（登録商標）ＮＩ−６５２２ＬＦ２［メルテックス（株）製］１５０ｍＬ及びメルプレート（登録商標）ＮＩ−６５２２ＬＦアディティブ［メルテックス（株）製］５ｍＬを仕込み、さらに純水を加えて溶液の総量を１Ｌとした。この溶液へ１０体積％硫酸水溶液を加えて溶液のｐＨを４．６に調整し、無電解ニッケルめっき液とした。Reference Example 1 Preparation of Electroless Nickel Plating Solution In a 1 L flask, Melplate (registered trademark) NI-6522LF1 [Meltex Co., Ltd.] 50 mL, Melplate (registered trademark) NI-6522LF2 [Meltex Co., Ltd.] )] 150 mL and Melplate (registered trademark) NI-6522LF additive [Meltex Co., Ltd.] 5 mL were charged, and pure water was added to make the total volume of the solution 1 L. A 10% by volume sulfuric acid aqueous solution was added to this solution to adjust the pH of the solution to 4.6 to obtain an electroless nickel plating solution.

［参考例２］無電解銅めっき液の調製
１００ｍＬのフラスコに、純水４７ｍＬ、キューポジット（登録商標）カッパーミックス３２８Ａ［ダウケミカル社製］２５ｍＬ、キューポジット（登録商標）カッパーミックス３２８Ｌ［ダウケミカル社製］２５ｍＬ及びキューポジット（登録商標）カッパーミックス３２８Ｃ［ダウケミカル社製］３ｍＬを順次仕込み、撹拌して、無電解銅めっき液とした。[Reference Example 2] Preparation of electroless copper plating solution In a 100 mL flask, 47 mL of pure water, Kewposit (registered trademark) Coppermix 328A [Dow Chemical Co., Ltd.] 25 mL, Kewposit (registered trademark) Coppermix 328 L [Dow Chemical Co., Ltd.] 25 mL and Cueposit (registered trademark) Copper Mix 328C [Dow Chemical Co., Ltd.] 3 mL were sequentially charged and stirred to obtain an electroless copper plating solution.

［実施例１〜４、比較例１〜２］ガラス基板への無電解めっき
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］２０ｍｇ、及び表１に記載のアルコキシシラン１００ｍｇを、ｎ−プロパノール２．５５ｇに溶解し、固形分濃度４．５質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤を、ガラス基板（５０×５０ｍｍ）上にスピンコーティング（２００ｒｐｍ×５秒間に続いて１，０００ｒｐｍ×３０秒間）した。この基板を、８０℃のホットプレートで５分間乾燥し、基板上全面に下地層を具備したガラス基板を得た。
得られた基板を、７５℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に１８０秒間浸漬した。その後、取り出した基板を水洗し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥することでめっき基板を得た。[Examples 1-4, Comparative Examples 1-2] Electroless Plating on Glass Substrate 20 mg of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3 and 100 mg of alkoxysilane described in Table 1 were mixed with n-propanol. An electroless plating base material having a solid content concentration of 4.5 mass% was prepared by dissolving in 2.55 g.
The base agent was spin-coated (200 rpm × 5 seconds followed by 1,000 rpm × 30 seconds) on a glass substrate (50 × 50 mm). This substrate was dried for 5 minutes on a hot plate at 80 ° C. to obtain a glass substrate having an underlayer on the entire surface of the substrate.
The obtained substrate was immersed in an electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 75 ° C. for 180 seconds. Then, the taken-out board | substrate was washed with water, and the plating board | substrate was obtained by drying for 5 minutes with an 80 degreeC hotplate.

上記実施例１〜４及び比較例１〜２で得られた各めっき基板上の金属めっき膜について、膜均一性及び基板密着性を評価した。
膜均一性については、以下の基準に従って目視で評価した。また、基板密着性については、得られためっき基板上の金属めっき膜部分に、幅１８ｍｍのセロテープ（登録商標）［ニチバン（株）製 ＣＴ−１８Ｓ］を貼り、手の指で強く擦りつけてしっかり密着させた後、密着させたセロテープ（登録商標）を一気に剥がし、金属めっき膜の状態を以下の基準に従って目視で評価した。結果を表１に併せて示す。About the metal plating film on each plating board obtained in the said Examples 1-4 and Comparative Examples 1-2, film | membrane uniformity and board | substrate adhesiveness were evaluated.
The film uniformity was visually evaluated according to the following criteria. As for substrate adhesion, a 18 mm wide cello tape (registered trademark) [CT-18S manufactured by Nichiban Co., Ltd.] was applied to the metal plating film portion on the obtained plating substrate, and rubbed strongly with fingers of the hand. After being firmly adhered, the adhered cellophane (registered trademark) was peeled off at once, and the state of the metal plating film was visually evaluated according to the following criteria. The results are also shown in Table 1.

＜膜均一性の評価＞
Ａ：下地層を形成した基板上全面に金属光沢のある金属めっき膜がムラ無く析出
Ｂ：基板表面は被覆されているが光沢にムラがある
Ｃ：基板露出部があり完全には被覆されていない
＜基板密着性の評価＞
Ａ：金属めっき膜の剥離が確認できず基板上に密着
Ｂ：部分的に金属めっき膜が剥離
Ｃ：大部分（およそ５割以上）の金属めっき膜が剥離しセロテープ（登録商標）に付着<Evaluation of film uniformity>
A: Metal plating film having a metallic luster is uniformly deposited on the entire surface of the substrate on which the underlayer is formed. B: The substrate surface is coated but the gloss is uneven. C: The substrate is exposed and is completely coated. <Evaluation of substrate adhesion>
A: Peeling of the metal plating film could not be confirmed and adhered to the substrate B: Metal plating film was partially peeled C: Most (approximately 50% or more) of the metal plating film was peeled off and adhered to the cello tape (registered trademark)

表１に示されるように、アミノ基を有するアルコキシシランを含む本発明の下地剤を用いてめっき膜を形成した場合（実施例１〜４）、形成される金属めっき膜の均一性は優れており、何れもテープ試験に対する密着性を有していた。
これに対し、アルコキシシランを添加していない下地剤を用いて形成された金属めっき膜（比較例１）や、アミノ基を有さないアルコキシシランを含む下地剤から形成された金属めっき膜（比較例２）は均一性が低く、さらに密着性も得られなかった。
以上の結果より、本発明のアミノ基を有するアルコキシシランを含むめっき下地剤は、均一かつ高い密着性を有するめっき膜を得る上で有利であることが明らかとなった。As shown in Table 1, when the plating film is formed using the base agent of the present invention containing an alkoxysilane having an amino group (Examples 1 to 4), the uniformity of the formed metal plating film is excellent. All had adhesion to the tape test.
In contrast, a metal plating film (Comparative Example 1) formed using a base material to which no alkoxysilane was added, or a metal plating film formed from a base material containing alkoxysilane having no amino group (Comparison) In Example 2), the uniformity was low, and no adhesion was obtained.
From the above results, it became clear that the plating base material containing an alkoxysilane having an amino group of the present invention is advantageous in obtaining a plating film having uniform and high adhesion.

［実施例５〜８、比較例３〜４］ガラス上ＩＴＯ膜への無電解めっき
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］２０ｍｇ、及び表２に記載のアルコキシシラン１００ｍｇを、ｎ−プロパノール２．５５ｇに溶解し、固形分濃度４．５質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤を、ＩＴＯ膜付きガラス基板（５０×５０ｍｍ）［（株）フォアサイト製］のＩＴＯ膜上にスピンコーティング（２００ｒｐｍ×５秒間に続いて１，０００ｒｐｍ×３０秒間）した。この基板を、８０℃のホットプレートで５分間乾燥し、ＩＴＯ膜上全面に下地層を具備したＩＴＯ膜付きガラス基板を得た。
得られた基板を、７５℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に１８０秒間浸漬した。その後、取り出した基板を水洗し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥することでめっき基板を得た。[Examples 5 to 8, Comparative Examples 3 to 4] Electroless plating on ITO film on glass 20 mg of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3 and 100 mg of alkoxysilane described in Table 2 -It melt | dissolved in 2.55 g of propanol, and prepared the electroless-plating base agent with a solid content concentration of 4.5 mass%.
The base material was spin-coated (200 rpm × 5 seconds followed by 1,000 rpm × 30 seconds) on the ITO film of a glass substrate with ITO film (50 × 50 mm) [manufactured by Foresight Co., Ltd.]. This substrate was dried on a hot plate at 80 ° C. for 5 minutes to obtain a glass substrate with an ITO film having an underlayer on the entire surface of the ITO film.
The obtained substrate was immersed in an electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 75 ° C. for 180 seconds. Then, the taken-out board | substrate was washed with water, and the plating board | substrate was obtained by drying for 5 minutes with an 80 degreeC hotplate.

上記実施例５〜８及び比較例３〜４で得られた各めっき基板上の金属めっき膜について、膜均一性及びＩＴＯ膜密着性を前述の方法により評価した。結果を表２に併せて示す。なお、評価基準については以下の基準を使用した。  About the metal plating film on each plating board obtained in the said Examples 5-8 and Comparative Examples 3-4, film | membrane uniformity and ITO film | membrane adhesiveness were evaluated by the above-mentioned method. The results are also shown in Table 2. For the evaluation criteria, the following criteria were used.

＜膜均一性の評価＞
Ａ：下地層を形成したＩＴＯ膜上全面に金属光沢のある金属めっき膜がムラ無く析出
Ｂ：ＩＴＯ膜表面は被覆されているが光沢にムラがある
Ｃ：ＩＴＯ膜露出部があり完全には被覆されていない
＜ＩＴＯ膜密着性の評価＞
Ａ：金属めっき膜の剥離が確認できずＩＴＯ膜上に密着
Ｂ：部分的に金属めっき膜が剥離
Ｃ：大部分（およそ５割以上）の金属めっき膜が剥離しセロテープ（登録商標）に付着<Evaluation of film uniformity>
A: Metal plating film with a metallic luster is uniformly deposited on the entire surface of the ITO film on which the underlayer is formed. B: The ITO film surface is coated but the luster is uneven. Uncoated <Evaluation of ITO film adhesion>
A: Peeling of the metal plating film could not be confirmed and adhered to the ITO film B: Metal plating film was partially peeled C: Most (approximately 50% or more) of the metal plating film was peeled off and adhered to the cello tape (registered trademark)

表２に示されるように、アミノ基を有するアルコキシシランを含む本発明の下地剤を用いてめっき膜を形成した場合（実施例５〜８）、形成される金属めっき膜の均一性は優れており、何れもテープ試験に対する密着性を有していた。
これに対し、アルコキシシランを添加していない下地剤を用いて形成された金属めっき膜（比較例３）や、アミノ基を有さないアルコキシシランを含む下地剤から形成された金属めっき膜（比較例４）は均一性が低く、さらに密着性も得られなかった。
以上の結果より、本発明のアミノ基を有するアルコキシシランを含むめっき下地剤は、ガラス上ＩＴＯ膜に対しても、均一かつ高い密着性を有するめっき膜を得る上で有利であることが明らかとなった。As shown in Table 2, when the plating film is formed using the base agent of the present invention containing an alkoxysilane having an amino group (Examples 5 to 8), the uniformity of the formed metal plating film is excellent. All had adhesion to the tape test.
In contrast, a metal plating film (Comparative Example 3) formed using a base material to which no alkoxysilane was added, or a metal plating film formed from a base material containing alkoxysilane having no amino group (Comparison) In Example 4), the uniformity was low, and no adhesion was obtained.
From the above results, it is clear that the plating base material containing an alkoxysilane having an amino group according to the present invention is advantageous in obtaining a plating film having uniform and high adhesion even to an ITO film on glass. became.

［実施例９〜１３、比較例５〜６］ＰＩフィルムへの無電解めっき
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］２０ｍｇ、及び表３に記載のアルコキシシラン１００ｍｇを、ｎ−プロパノール２．５５ｇに溶解し、固形分濃度４．５質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤を、表３に記載のＰＩフィルム（５０×５０ｍｍ）上にスピンコーティング（２００ｒｐｍ×５秒間に続いて１，０００ｒｐｍ×３０秒間）した。このフィルムを、８０℃のホットプレートで５分間乾燥し、フィルム上全面に下地層を具備したＰＩフィルムを得た。
得られたフィルムを、７５℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に１８０秒間浸漬した。その後、取り出したフィルムを水洗し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥することでめっきフィルムを得た。[Examples 9 to 13 and Comparative Examples 5 to 6] Electroless plating on PI film 20 mg of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3 and 100 mg of alkoxysilane described in Table 3 were mixed with n-propanol. An electroless plating base material having a solid content concentration of 4.5 mass% was prepared by dissolving in 2.55 g.
The base agent was spin-coated (200 rpm × 5 seconds followed by 1,000 rpm × 30 seconds) on a PI film (50 × 50 mm) described in Table 3. This film was dried on an 80 ° C. hot plate for 5 minutes to obtain a PI film having an underlayer on the entire surface of the film.
The obtained film was immersed for 180 seconds in the electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 75 ° C. Then, the taken-out film was washed with water, and the plated film was obtained by drying for 5 minutes with an 80 degreeC hotplate.

［実施例２３〜２５］ＰＩフィルムへの無電解めっき
下地剤塗布後及び水洗後の乾燥条件をそれぞれ１５０℃、１０分間とし、さらに無電解ニッケルめっき液の浴温を８０℃に変更した以外は実施例９と同様に操作することで、めっきフィルムを得た。[Examples 23 to 25] Electroless plating on PI film The drying conditions after applying the base agent and washing with water were 150 ° C and 10 minutes, respectively, and the bath temperature of the electroless nickel plating solution was changed to 80 ° C. By operating in the same manner as in Example 9, a plated film was obtained.

上記実施例９〜１３、２３〜２５及び比較例５〜６で得られた各めっきフィルム上の金属めっき膜について、膜均一性及びフィルム密着性を前述の方法により評価した。結果を表３に併せて示す。なお、評価基準については以下の基準を使用した。  About the metal plating film | membrane on each plating film obtained in the said Examples 9-13, 23-25, and Comparative Examples 5-6, film | membrane uniformity and film adhesiveness were evaluated by the above-mentioned method. The results are also shown in Table 3. For the evaluation criteria, the following criteria were used.

＜膜均一性の評価＞
Ａ：下地層を形成したフィルム上全面に金属光沢のある金属めっき膜がムラ無く析出
Ｂ：フィルム表面は被覆されているが光沢にムラがある
Ｃ：フィルム露出部があり完全には被覆されていない
＜フィルム密着性の評価＞
Ａ：金属めっき膜の剥離が確認できずフィルム上に密着
Ｂ：部分的に金属めっき膜が剥離
Ｃ：大部分（およそ５割以上）の金属めっき膜が剥離しセロテープ（登録商標）に付着<Evaluation of film uniformity>
A: Metal plating film with a metallic luster is evenly deposited on the entire surface of the film on which the underlayer is formed. B: The film surface is coated but the gloss is uneven. C: The film is exposed and is completely coated. <Evaluation of film adhesion>
A: Peeling of the metal plating film could not be confirmed and adhered on the film B: Metal plating film was partially peeled C: Most (approximately 50% or more) of the metal plating film was peeled off and adhered to the cello tape (registered trademark)

表３に示されるように、アミノ基を有するアルコキシシランを含む本発明の下地剤を用いてめっき膜を形成した場合（実施例９〜１３、２３〜２５）、形成される金属めっき膜の均一性は優れており、何れもテープ試験に対する密着性を有していた。また、異なる種類のＰＩフィルムにおいても同様の効果が認められた（実施例１０）。
これに対し、アルコキシシランを添加していない下地剤を用いて形成された金属めっき膜（比較例５）や、アミノ基を有さないアルコキシシランを含む下地剤から形成された金属めっき膜（比較例６）は均一性は優れていたものの、密着性は得られなかった。
以上の結果より、本発明のアミノ基を有するアルコキシシランを含むめっき下地剤は、ＰＩフィルムに対しても、均一かつ高い密着性を有するめっき膜を得る上で有利であることが明らかとなった。As shown in Table 3, when the plating film was formed using the base material of the present invention containing an alkoxysilane having an amino group (Examples 9 to 13, 23 to 25), the formed metal plating film was uniform. The properties were excellent and all had adhesion to the tape test. Moreover, the same effect was recognized also in the different kind of PI film (Example 10).
On the other hand, a metal plating film (Comparative Example 5) formed using a base material to which no alkoxysilane was added, or a metal plating film formed from a base material containing alkoxysilane having no amino group (Comparison) In Example 6), the uniformity was excellent, but the adhesion was not obtained.
From the above results, it became clear that the plating base material containing an alkoxysilane having an amino group according to the present invention is advantageous for obtaining a plating film having uniform and high adhesion even with respect to a PI film. .

［実施例１４、比較例７〜８］ナイロン６，６基板への無電解めっき−１
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］１００ｍｇ、表４に記載のアルコキシシラン１０ｍｇ、及びフッ素系界面活性剤Ｆ５５４ １ｍｇを、ＩＰＡ３９．８９ｇに溶解し、固形分濃度０．２８質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤を、４０℃の８質量％塩酸に１０分間浸漬し表面を親水処理したナイロン基板Ｎ６６（１０×５０×１ｍｍ）上にディップコーティングした。この基板を、８０℃の乾燥器で１０分間乾燥し、基板上全面に下地層を具備したナイロン基板を得た。
得られた基板を、７０℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に１８０秒間浸漬した。その後、取り出した基板を水洗し、８０℃の乾燥器で１０分間乾燥することでめっき基板を得た。[Example 14, Comparative Examples 7-8] Electroless plating-1 on nylon 6,6 substrate-1
100 mg of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3, 10 mg of alkoxysilane described in Table 4, and 1 mg of fluorosurfactant F554 were dissolved in 39.89 g of IPA, and the solid content concentration was 0.28% by mass. An electroless plating base material was prepared.
The above base agent was dip coated on a nylon substrate N66 (10 × 50 × 1 mm) whose surface was hydrophilically treated by immersion in 8% by mass hydrochloric acid at 40 ° C. for 10 minutes. This substrate was dried for 10 minutes in an oven at 80 ° C. to obtain a nylon substrate having a base layer on the entire surface of the substrate.
The obtained substrate was immersed in the electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 70 ° C. for 180 seconds. Then, the taken-out board | substrate was washed with water, and the plating board | substrate was obtained by drying for 10 minutes with an 80 degreeC dryer.

［実施例１５］ナイロン６，６基板への無電解めっき−２
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］５０ｍｇ及びアルコキシシランとしてＥＭＳＯ５ｍｇを、ＩＰＡ７．９５ｇに溶解し、固形分濃度０．６９質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤を使用した以外は実施例１４と同様に操作し、めっき基板を得た。[Example 15] Electroless plating-2 on nylon 6,6 substrate-2
50 mg of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3 and 5 mg of EMSO as alkoxysilane were dissolved in 7.95 g of IPA to prepare an electroless plating base material having a solid content concentration of 0.69% by mass.
Except having used the said base agent, it operated similarly to Example 14 and obtained the plating board | substrate.

［実施例１６］ナイロン６基板への無電解めっき
ＩＰＡをＭＥＫに、ナイロン基板をＮ６にそれぞれ変更した以外は実施例１５と同様に操作し、めっき基板を得た。[Example 16] Electroless plating on nylon 6 substrate A plating substrate was obtained in the same manner as in Example 15 except that IPA was changed to MEK and the nylon substrate was changed to N6.

上記実施例１４〜１６で得られた各めっき基板上の金属めっき膜について、膜均一性及び基板密着性を前述の方法により評価した。結果を表４に併せて示す。なお、評価基準については上記実施例１〜４及び比較例１〜２と同様の基準を使用した。  About the metal plating film on each plating board | substrate obtained in the said Examples 14-16, film | membrane uniformity and board | substrate adhesiveness were evaluated by the above-mentioned method. The results are also shown in Table 4. In addition, about the evaluation criteria, the criteria similar to the said Examples 1-4 and Comparative Examples 1-2 were used.

表４に示されるように、エポキシ基を有するアルコキシシランを含む本発明の下地剤を用いてめっき膜を形成した場合（実施例１４〜１６）、形成される金属めっき膜の均一性は優れており、何れもテープ試験に対する密着性を有していた。また、異なる種類のナイロン基板においても同様の効果が認められた（実施例１６）。
これに対し、アルコキシシランを添加していない下地剤を用いて形成された金属めっき膜（比較例７）や、エポキシ基を有さないアルコキシシランを含む下地剤から形成された金属めっき膜（比較例８）は均一性が低く、さらに密着性も得られなかった。
以上の結果より、本発明のエポキシ基を有するアルコキシシランを含むめっき下地剤は、均一かつ高い密着性を有するめっき膜を得る上で有利であることが明らかとなった。As shown in Table 4, when the plating film was formed using the base agent of the present invention containing an alkoxysilane having an epoxy group (Examples 14 to 16), the uniformity of the formed metal plating film was excellent. All had adhesion to the tape test. Moreover, the same effect was recognized also in different types of nylon substrates (Example 16).
On the other hand, a metal plating film (Comparative Example 7) formed using a base material to which no alkoxysilane was added, or a metal plating film formed from a base material containing an alkoxysilane having no epoxy group (Comparison) In Example 8), the uniformity was low, and no adhesion was obtained.
From the above results, it became clear that the plating base material containing an alkoxysilane having an epoxy group of the present invention is advantageous in obtaining a plating film having uniform and high adhesion.

［実施例１７］ＰＥＥＫフィルムへの無電解めっき
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］２０ｍｇ、及びＡＰＭＳ１００ｍｇを、ｎ−プロパノール２．５５ｇに溶解し、固形分濃度４．５質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤を、予めＵＶオゾン洗浄装置を使用して表面を親水処理したＰＥＥＫフィルム（３０×３０ｍｍ）上に、スピンコーティング（２００ｒｐｍ×５秒間に続いて１，０００ｒｐｍ×３０秒間）した。このフィルムを、８０℃のホットプレートで１０分間乾燥し、フィルム上全面に下地層を具備したＰＥＥＫフィルムを得た。
得られたフィルムを、７５℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に１８０秒間浸漬した。その後、取り出したフィルムを水洗し、８０℃のホットプレートで１０分間乾燥することでめっきフィルムを得た。[Example 17] Electroless plating on PEEK film 20 mg of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3 and 100 mg of APMS were dissolved in 2.55 g of n-propanol, and the solid content concentration was 4.5% by mass. An electroless plating base material was prepared.
The above base agent was spin-coated (200 rpm × 5 seconds followed by 1,000 rpm × 30 seconds) on a PEEK film (30 × 30 mm) whose surface was hydrophilically treated in advance using a UV ozone cleaning device. This film was dried on a hot plate at 80 ° C. for 10 minutes to obtain a PEEK film having an underlayer on the entire surface of the film.
The obtained film was immersed for 180 seconds in the electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 75 ° C. Then, the taken-out film was washed with water, and the plating film was obtained by drying for 10 minutes with an 80 degreeC hotplate.

［実施例１８］ＰＥＴフィルムへの無電解めっき−１
ＰＥＥＫフィルムを予めＵＶオゾン洗浄装置を使用して表面を親水処理したＰＥＴ−１（４０×４０ｍｍ）に変更した以外は実施例１７と同様に操作し、めっきフィルムを得た。Example 18 Electroless Plating on PET Film-1
A plating film was obtained in the same manner as in Example 17 except that the PEEK film was changed to PET-1 (40 × 40 mm) whose surface was hydrophilically treated in advance using a UV ozone cleaning device.

［実施例１９］ＰＥＴフィルムへの無電解めっき−２
ＰＥＥＫフィルムをＰＥＴ−２（４０×４０ｍｍ）に変更した以外は実施例１７と同様に操作し、めっきフィルムを得た。[Example 19] Electroless plating-2 on PET film
A plated film was obtained in the same manner as in Example 17 except that the PEEK film was changed to PET-2 (40 × 40 mm).

上記実施例１７〜１９で得られた各めっきフィルム上の金属めっき膜について、膜均一性及びフィルム密着性を前述の方法により評価した。結果を表５に併せて示す。なお、評価基準については上記実施例９〜１３及び比較例５〜６と同様の基準を使用した。  About the metal plating film | membrane on each plating film obtained in the said Examples 17-19, film | membrane uniformity and film adhesiveness were evaluated by the above-mentioned method. The results are also shown in Table 5. In addition, about the evaluation criteria, the criteria similar to the said Examples 9-13 and Comparative Examples 5-6 were used.

表５に示すように、アミノ基を有するアルコキシシランを含む本発明の下地剤を用いて形成しためっき膜は、何れのフィルムにおいても均一性に優れたものとなり、また、テープ試験に対する密着性を有していた。  As shown in Table 5, the plating film formed using the base agent of the present invention containing an alkoxysilane having an amino group is excellent in uniformity in any film, and has an adhesion property to a tape test. Had.

［実施例２０］ＰＩフィルムへの無電解めっき−２
合成例３で製造したＰｄ［ＨＰＳ−ＮＯｃｔ３Ｃｌ］１．０ｇ、及びＡＰＭＳ４．０ｇを、ブチルセロソルブ／ｎ−ヘキサノール混合溶液（質量比４：１）９５ｇに溶解し、固形分濃度５質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
次いで、上記下地剤が充填された微小液滴射出装置を用いて、ＰＩフィルムＰＩ−１上にインクジェット塗布した。具体的には、微小液滴射出装置は、横一列に液滴射出用のノズルが４２３μｍ間隔で８５個設置されているものを用い、ＰＩフィルムに対して、０．５ｍｍの間隔を保ちつつ相対的に４０ｍｍ／秒で１０ｃｍ移動させながら、前記下地剤を１秒間に５７１回射出した。すなわち、前記下地剤は、ＰＩフィルム上に、Ｘ軸方向（ノズルの並んでいる方向）は４２３μｍ間隔、Ｙ軸方向（微小液滴射出装置の進行方向）は７０μｍ間隔で塗布されていると推測される。なお、得られた膜厚から計算した前記下地剤１滴あたりの液量は２０〜４０ｐＬ程度であった。
この塗布が終了したフィルムをそのままの状態（およそ２５℃）で１分間静置させ、１６０℃のホットプレートで５分間乾燥し、フィルム上に８５本の直線状の下地層を具備したＰＩフィルムを得た。
得られたフィルムを、９０℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に３００秒間浸漬した。その後、取り出したフィルムを水洗し、１００℃のホットプレートで５分間乾燥することでめっきフィルムを得た。得られたフィルム上の金属めっき膜の電子顕微鏡画像を図４に、１本の直線状金属めっき膜の断面ＳＥＭ画像を図５に、それぞれ示す。[Example 20] Electroless plating on PI film -2
1.0 g of Pd [HPS-NOct 3 Cl] produced in Synthesis Example 3 and 4.0 g of APMS are dissolved in 95 g of a butyl cellosolve / n-hexanol mixed solution (mass ratio 4: 1), and the solid content concentration is 5% by mass. An electroless plating base material was prepared.
Next, inkjet coating was performed on the PI film PI-1 using a microdroplet ejection device filled with the base material. Specifically, the micro droplet ejecting apparatus uses 85 nozzles for ejecting droplets arranged in a horizontal row at intervals of 423 μm, and is relative to the PI film while maintaining an interval of 0.5 mm. Specifically, the base agent was injected 571 times per second while moving 10 cm at 40 mm / second. That is, the base material is presumed to be applied on the PI film at intervals of 423 μm in the X-axis direction (the direction in which the nozzles are arranged) and at intervals of 70 μm in the Y-axis direction (advancing direction of the micro droplet ejection device). Is done. The liquid volume per drop of the base agent calculated from the obtained film thickness was about 20 to 40 pL.
The coated film is allowed to stand for 1 minute in the state as it is (approximately 25 ° C.), dried on a hot plate at 160 ° C. for 5 minutes, and a PI film having 85 linear base layers on the film is obtained. Obtained.
The obtained film was immersed in the electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 90 ° C. for 300 seconds. Then, the taken-out film was washed with water, and the plating film was obtained by drying for 5 minutes with a 100 degreeC hotplate. FIG. 4 shows an electron microscope image of the metal plating film on the obtained film, and FIG. 5 shows a cross-sectional SEM image of one linear metal plating film.

得られたフィルム上の金属めっき膜を観察したところ、直線状に形成した下地層上全面に金属光沢のある金属めっき膜がムラ無く析出し、均一に金属めっき膜が形成できていることが確認された。また、金属めっき膜のフィルム密着性を前述の方法により評価したところ、セロテープ（登録商標）を剥がす方向が前記Ｘ軸方向であってもＹ軸方向であっても金属めっき膜の剥離は確認できず、金属めっき膜はフィルム上に密着したままであった。  When the metal plating film on the obtained film was observed, it was confirmed that the metal plating film with a metallic luster was uniformly deposited on the entire surface of the linear base layer, and the metal plating film was formed uniformly. It was done. In addition, when the film adhesion of the metal plating film was evaluated by the above-described method, the peeling of the metal plating film could be confirmed regardless of whether the cello tape (registered trademark) peeling direction was the X-axis direction or the Y-axis direction. The metal plating film remained adhered on the film.

［実施例２１］ＰＩフィルムへの無電解めっき−３
合成例５で製造したＰｄ［ＨＰＳ−Ｎ（Ｍｅ）２ＯｃｔＣｌ］２０ｍｇ、及びＡＰＭＳ２０ｍｇを、エタノール１．９６ｇに溶解し、固形分濃度２質量％の無電解めっき下地剤を調製した。
上記下地剤をさらにエタノールで６倍に希釈した溶液を、予めＵＶオゾン洗浄装置を使用して表面を親水処理したＰＩフィルムＰＩ−１（４０×４０ｍｍ）上に、スピンコーティング（２００ｒｐｍ×５秒間に続いて１，０００ｒｐｍ×３０秒間）した。このフィルムを、１５０℃のホットプレートで５分間乾燥し、フィルム上全面に下地層を具備したＰＩフィルムを得た。
得られたフィルムを、７５℃に加熱した参考例１で調製した無電解ニッケルめっき液中に１８０秒間浸漬した。その後、取り出したフィルムを水洗し、１５０℃のホットプレートで５分間乾燥することでめっきフィルムを得た。
得られためっきフィルム上の金属めっき膜について、膜均一性及びフィルム密着性を前述の方法により評価したところ、何れもＡ評価であった。[Example 21] Electroless plating on PI film-3
20 mg of Pd [HPS-N (Me) 2 OctCl] produced in Synthesis Example 5 and 20 mg of APMS were dissolved in 1.96 g of ethanol to prepare an electroless plating base material having a solid content concentration of 2 mass%.
A solution obtained by further diluting the above base material with ethanol 6 times is applied onto a PI film PI-1 (40 × 40 mm) whose surface has been hydrophilically treated in advance using a UV ozone cleaning device (200 rpm × 5 seconds). Subsequently, 1,000 rpm × 30 seconds). This film was dried on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to obtain a PI film having an underlayer on the entire surface of the film.
The obtained film was immersed for 180 seconds in the electroless nickel plating solution prepared in Reference Example 1 heated to 75 ° C. Then, the taken-out film was washed with water, and the plated film was obtained by drying for 5 minutes with a 150 degreeC hotplate.
About the metal plating film | membrane on the obtained plating film, when the film | membrane uniformity and film adhesiveness were evaluated by the above-mentioned method, all were A evaluation.

［実施例２２］ＰＩフィルムへの無電解銅めっき
実施例２１と同様の方法で作製したフィルム上全面に下地層を具備したＰＩフィルムを、２５℃に温度制御した参考例２で調製した無電解銅めっき液中に３００秒間浸漬した。その後、取り出したフィルムを水洗し、１５０℃のホットプレートで５分間乾燥することでめっきフィルムを得た。
得られためっきフィルム上の金属めっき膜について、膜均一性及びフィルム密着性を前述の方法により評価したところ、何れもＡ評価であった。[Example 22] Electroless copper plating on PI film Electroless electrode prepared in Reference Example 2 in which a PI film having a base layer on the entire surface produced by the same method as in Example 21 was controlled at 25 ° C. It was immersed in a copper plating solution for 300 seconds. Then, the taken-out film was washed with water, and the plated film was obtained by drying for 5 minutes with a 150 degreeC hotplate.
About the metal plating film | membrane on the obtained plating film, when the film | membrane uniformity and film adhesiveness were evaluated by the above-mentioned method, all were A evaluation.

国際公開第２０１０／０２１３８６号パンフレットInternational Publication No. 2010/021386 Pamphlet

Claims (12)

基材上に無電解めっき処理により金属めっき膜を形成するための下地剤であって、
（ａ）アンモニウム基を分子末端に有し且つ重量平均分子量が５００〜５，０００，０００であるハイパーブランチポリマー、
（ｂ）金属微粒子、及び
（ｃ）脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、若しくはエポキシ基を有するアルコキシシラン、又はそのオリゴマー、
を含む下地剤。 A base agent for forming a metal plating film by electroless plating on a substrate,
(A) a hyperbranched polymer having an ammonium group at the molecular end and a weight average molecular weight of 500 to 5,000,000,
(B) metal fine particles, and (c) an alkoxy group having an amino group which may be substituted with an aliphatic group, or an epoxy group, or an oligomer thereof,
A base material containing 前記（ｂ）金属微粒子に、前記（ａ）ハイパーブランチポリマーのアンモニウム基が付着して複合体を形成している、請求項１に記載の下地剤。 The base agent according to claim 1, wherein the (b) metal fine particles are adhered to the ammonium group of the (a) hyperbranched polymer to form a composite. 前記（ａ）ハイパーブランチポリマーが、式［１］で表されるハイパーブランチポリマーである、請求項１又は請求項２に記載の下地剤。
（式中、Ｒ１はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜２０の直鎖状、枝分かれ状若しくは環状のアルキル基、炭素原子数７〜２０のアリールアルキル基又は−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｍＲ５（式中、Ｒ５は水素原子又はメチル基を表し、ｍは２〜１００の整数を表す。）を表す（該アルキル基
及びアリールアルキル基は、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アンモニウム基、カルボキシル基又はシアノ基で置換されていてもよい。）か、Ｒ２〜Ｒ４のうちの２つの基が一緒になって、直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキレン基を表すか、又はＲ２〜Ｒ４並びにそれらが結合する窒素原子が一緒になって環を形成してもよく、Ｘ−は陰イオンを表し、ｎは繰り返し単位構造の数であって、５〜１００，０００の整数を表し、Ａ１は式［２］で表される構造を表す。）
（式中、Ａ２はエーテル結合又はエステル結合を含んでいてもよい炭素原子数１〜３０の直鎖状、枝分かれ状又は環状のアルキレン基を表し、Ｙ１〜Ｙ４はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。） The base agent according to claim 1 or 2, wherein the (a) hyperbranched polymer is a hyperbranched polymer represented by the formula [1].
(In the formula, each R 1 independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and each of R 2 to R 4 independently represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. , An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms or — (CH 2 CH 2 O) m R 5 (wherein R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group, and m represents an integer of 2 to 100). (The alkyl group and the arylalkyl group may be substituted with an alkoxy group, a hydroxy group, an ammonium group, a carboxyl group, or a cyano group), or two groups of R 2 to R 4 may be bonded together. Represents a linear, branched or cyclic alkylene group, or R 2 to R 4 and the nitrogen atom to which they are bonded may form a ring, and X − represents an anion. Where n is simply repeated A number of structures, an integer of 5 to 100,000, A 1 represents a structure represented by the formula [2].)
(In the formula, A 2 represents a linear, branched or cyclic alkylene group having 1 to 30 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond, and Y 1 to Y 4 are each independently hydrogen. An atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a nitro group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, or a cyano group. 前記（ａ）ハイパーブランチポリマーが、式［３］で表されるハイパーブランチポリマーである、請求項３に記載の下地剤。
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びｎは前記と同じ意味を表す。） The base agent according to claim 3, wherein the (a) hyperbranched polymer is a hyperbranched polymer represented by the formula [3].
(In the formula, R 1 , R 2 and n represent the same meaning as described above.) 前記（ｂ）金属微粒子が、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる群より選択される少なくとも一種の金属の微粒子である、請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の下地剤。 The metal fine particles (b) are iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), silver (Ag), tin (Sn), platinum (Pt) and gold ( The base agent as described in any one of Claims 1-4 which is a fine particle of at least 1 type of metal selected from the group which consists of Au). 前記（ｂ）金属微粒子が、パラジウム微粒子である、請求項５に記載の下地剤。 The base agent according to claim 5, wherein the (b) metal fine particles are palladium fine particles. 前記（ｂ）金属微粒子が、１〜１００ｎｍの平均粒径を有する微粒子である、請求項５又は請求項６に記載の下地剤。 The base agent according to claim 5 or 6, wherein the (b) metal fine particles are fine particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm. 前記（ｃ）アルコキシシランが式［４］で表される化合物である、請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載の下地剤。
（式中、Ｒ６は炭素原子数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ７はそれぞれ独立してメチル基又はエチル基を表し、Ｌはエーテル結合を含んでいてもよい炭素原子数１
〜６のアルキレン基を表し、Ｚは脂肪族基で置換されていてもよいアミノ基、又はエポキシ基を表し、ａは０又は１を表す。） The base agent as described in any one of Claims 1-7 whose said (c) alkoxysilane is a compound represented by Formula [4].
(Wherein R 6 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group, R 7 independently represents a methyl group or an ethyl group, and L represents the number of carbon atoms that may contain an ether bond. 1
Represents an alkylene group of ˜6, Z represents an amino group which may be substituted with an aliphatic group, or an epoxy group, and a represents 0 or 1. ) 請求項１乃至請求項８のうち何れか一項に記載の下地剤からなる無電解めっき下地層。 An electroless plating base layer comprising the base agent according to any one of claims 1 to 8. 請求項９に記載の無電解めっき下地層の上に形成された、無電解めっき金属膜。 An electroless plating metal film formed on the electroless plating base layer according to claim 9. 基材と、該基材上に形成された請求項９に記載の無電解めっき下地層と、該無電解めっき下地層上に形成された請求項１０に記載の無電解めっき金属膜とを具備する、金属被膜基材。 A base material, the electroless plating base layer according to claim 9 formed on the base material, and the electroless plating metal film according to claim 10 formed on the electroless plating base layer. A metal-coated substrate. 下記Ａ工程及びＢ工程を含む、金属被膜基材の製造方法。
Ａ工程：請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載の下地剤を基材上に塗布し、下地層を具備する工程
Ｂ工程：下地層を具備した基材を無電解めっき浴に浸漬し、金属めっき膜を形成する工程。 The manufacturing method of a metal-coating base material including the following A process and B process.
Step A: Step of applying the base agent according to any one of claims 1 to 8 onto the substrate and providing a base layer Step B: Electroless plating bath for the base material provided with the base layer A step of forming a metal plating film by dipping in a metal.
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