JP6349903B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 100
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 166
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 166
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 129
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 111
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 110
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 79
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 53
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 50
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 26
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 24
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 19
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 8
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 45
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 44
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000000047 product Substances 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 20
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- -1 glycidyl ester Chemical class 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 5
- 241000277275 Oncorhynchus mykiss Species 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 3
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 3
- UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N octacosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 3
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 2
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OC(C)=O LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxycyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound COC1=C(OC)C(=O)C=CC1=O NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 3-(5,6,6-Trimethylbicyclo[2.2.1]hept-1-yl)cyclohexanol Chemical compound CC1(C)C(C)C2CC1CC2C1CCCC(O)C1 BWVZAZPLUTUBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100239079 Arabidopsis thaliana MUR3 gene Proteins 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150092391 RSA3 gene Proteins 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N diazomethylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=CC1=CC=CC=C1 CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N ubiquinone-0 Chemical compound COC1=C(OC)C(=O)C(C)=CC1=O UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEGDFCCYTFPECB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone Natural products C1=CC=C2C(=O)C(OC)=C(OC)C(=O)C2=C1 ZEGDFCCYTFPECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-dimethylbenzene Chemical group COC1=C(C)C=CC(C)=C1OC BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SENUUPBBLQWHMF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=CC(=O)C=C(C)C1=O SENUUPBBLQWHMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTWDKFNVVLAELH-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=CC(=O)C=CC1=O VTWDKFNVVLAELH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 2-phenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1 RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 241000872198 Serjania polyphylla Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940027987 antiseptic and disinfectant phenol and derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000004206 montan acid ester Substances 0.000 description 1
- 235000013872 montan acid ester Nutrition 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N silylurea Chemical compound NC(=O)N[SiH3] IYMSIPPWHNIMGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006345 thermoplastic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYXYUARTMQUYKV-UHFFFAOYSA-N tris(4-butylphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(CCCC)=CC=C1P(C=1C=CC(CCCC)=CC=1)C1=CC=C(CCCC)C=C1 RYXYUARTMQUYKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N tris(4-methylphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1P(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(dioxo)molybdenum Chemical compound [Zn+2].[O-][Mo]([O-])(=O)=O XAEWLETZEZXLHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
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Description
[1]半導体素子と、この半導体素子と接合されるリードフレームと、前記半導体素子とリードフレームとを接合する接合材と、前記半導体素子と接合材と一部のリードフレームとを封止する封止樹脂硬化物と、を有する半導体装置であって、前記接合材は銀粒子焼結体を含み、前記封止樹脂硬化物のガラス転移温度は200℃以上、50℃での弾性率は10〜20GPa、ガラス領域における線膨張係数は9×10−6〜24×10−6/℃である半導体装置。
[2]銀粒子焼結体を含む接合材の緻密度は50〜100%である、項1に記載の半導体装置。
[3]銀粒子焼結体を含む接合材の厚さは5〜50μmである、項1または2に記載の半導体装置。
[4]封止樹脂硬化物がエポキシ樹脂と無機フィラーとを含有する熱硬化性樹脂の硬化物である、項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
[5]封止樹脂硬化物がトランスファーモールド工程によって封止されてなる、項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
[6]プライマー樹脂をさらに含む半導体装置であって、半導体素子のリードフレームとの接合面とは反対側の表面にプライマー樹脂が形成されている項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
[7]プライマー樹脂のガラス転移温度が200℃以上である、項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
[8]プライマー樹脂の厚さが0.1〜20μmである、項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
[9]プライマー樹脂がポリアミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂である、項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置。
[10]プライマー樹脂が熱可塑性樹脂である、項1〜9のいずれか一項に記載の半導体装置。
また本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。
さらに本明細書において組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
(銀粒子接着剤組成物の作製)
次に示す工程にて銀粒子接着剤組成物を作製した。まず、DPMA(ダイセル工業株式会社製、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート)12質量部と、MTPH(日本テルペン化学株式会社製、イソボルニルシクロヘキサノール)12質量部、ステアリン酸0.88質量部をらいかい機にて10分間混練し、液状成分を得た。この液状成分に、リン片状銀粒子(福田金属箔粉工業株式会社製、AgC−239)44質量部と球状銀粒子(メタロー・テクノロジー社製、K−0082P)44質量部を加えてらいかい機にて15分間混練し、銀粒子接着剤組成物を得た。
リードフレームとして、厚み4μmのAgめっきが形成されたCuリードフレームを用意した。Cuリードフレームのヒートブロック部(縦24mm×横19mm×厚さ3mm)にギャップ40μmのメタルマスクを設置し、焼結銀ペースト(銀粒子接着剤組成物)を縦10.5mm×横8mmの範囲にスクリーン印刷した。ついで、Cuリードフレームを160℃のホットプレート上で180秒間加熱し、銀粒子接着剤組成物層を形成した。
半導体素子であるSi p/nダイオードチップ(縦8.5mm×横6mm×厚さ0.6mm、陽極最表面:Al、陰極最表面:Au)の陰極側と銀粒子接着剤組成物層とが接触するように、Si p/nダイオードチップを銀粒子接着剤組成物層上に設置し、圧着用サンプルを用意した。ここで、Si p/nダイオードチップは、Siを用いたpn接合ダイオードをいう。以下、「Si p/nダイオードチップ」を、単に「チップ」ということがある。300℃に加熱されたステンレス製ステージとステンレス製ヘッドによって、圧着用サンプルを20MPaで10分間にて加圧し、Si p/nダイオードチップをCuリードフレームの一部であるヒートブロックに接合した。この接合材を、「焼結銀接合材」と呼ぶ。なお、加圧の際にSi p/nダイオードチップの陽極面とステンレス製ヘッドの間にテフロンシート(厚さ1mm、「テフロン」は登録商標)を挟み、Si p/nダイオードチップを保護した。
Si p/nダイオードチップの陽極面(リードフレームとの接合面とは反対側の面)と、+側アウターリードを直径400μmのAlワイヤ、18本によって接続した。なお、ワイヤボンダーによって、超音波を加えながらAlワイヤをSi p/nダイオードチップのAl陽極に押し付けることでAlワイヤの接続を行った。
接合後のサンプルにおいて、Si p/nダイオードチップ及びAlワイヤの全ての露出面と、ヒートブロック及びアウターリードの封止される部分に、プライマー樹脂を形成した。プライマー樹脂の塗布液には日立化成株式会社製HIMAL(HL−1210−H0001、ガラス転移温度260℃、ポリアミドイミド系樹脂のN−メチル−2−ピロリドン40質量%/エチレングリコールモノブチルエーテル60質量%混合溶媒溶液)を用い、刷毛によって塗布した。その後、100℃のホットプレート上で5分加熱し、さらに200℃のホットプレート上で1時間加熱し、塗布膜から溶媒を乾燥させて厚さ5μmのプライマー樹脂を形成した。
エポキシ樹脂として三菱化学株式会社(旧ジャパンエポキシレジン株式会社)製エポキシ樹脂(1032H60)を100質量部、フェノール樹脂Aとして新日鐵化学株式会社製(旧東都化成株式会社)フェノール樹脂(SN−395)を65質量部、酸化防止剤として、ヒンダードフェノール系酸化防止剤(ADEKA社製、AO−60)を5質量部、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンの付加反応物を2質量部、無機充填剤として平均粒径(D50)17.5μm、比表面積3.8m2/gの球状溶融シリカを1023質量部、カップリング剤としてエポキシシラン(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を11質量部、着色剤としてカーボンブラック(三菱化学株式会社製、商品名「MA−100」)を2.6質量部、離型剤としてカルナバワックス(株式会社セラリカNODA製)を1質量部、の配合物を混練温度80℃、混練時間15分の条件でロール混練を行うことによって封止樹脂Aを作製した。
長さ80mm×幅10mm×厚さ3mmの試験片を成形する金型を用いて、封止にはトンラスファーモールド装置を用いて、金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化加熱時間90秒にて、封止樹脂硬化物の試験片を成形し、さらに200℃で6時間アフターキュアした。次いで、試験片をダイヤモンドカッターを用いて、長さ50mm×幅5mm×厚さ3mmに切断し、粘弾性測定装置RSA3(TAインスツルメンツ社製)を用い、3点曲げモードで昇温速度5℃/分、周波数6.28rad/秒の条件で測定した。tanδが最大となる温度をガラス転移温度として評価し、表1に示した。
弾性率測定用サンプルには上記ガラス転移温度の測定サンプルと同様に作製したサンプルを用いた。この試料について粘弾性測定装置RSA3(TAインスツルメンツ社製)を用い、3点曲げモードで昇温速度5℃/分、周波数6.28rad/秒の条件で測定した。そして、50℃時の弾性率(E)の評価結果を表1に示した。
長さ20mm×幅3mm×厚さ3mmの試験片を成形する金型を用いたこと以外は、上記ガラス転移温度の測定サンプルと同様に作製したサンプルを用いた。熱機械分析(TMA)(セイコーインスツルメント株式会社製、EXSTAR TMA/SS6000)によって昇温速度5℃/min、圧縮モードで測定し、得られたTMA曲線の40〜60℃(ガラス転移温度以下の温度)における傾きから線膨張係数を算出した。得られた結果を表1に示した。
プライマー樹脂形成後のサンプルにおいて、Si p/nダイオードチップとAlワイヤの表面の全てと、ヒートブロックとアウターリードのプライマー樹脂を形成した部分を封止樹脂Aによって封止した。封止にはトンラスファーモールド装置を用いて、金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化加熱時間90秒にて、封止を行った。その後、封止後のサンプルを200℃のオーブンにて6時間加熱することで封止樹脂の硬化を完了した。最後にアウターリードを切断し、封止樹脂硬化物の外形が縦50mm×横30mm×厚さ9mmであるSi p/nダイオードパッケージを作製した。これまでの工程を繰り返し2つのSi p/nダイオードパッケージを作製した。図1には作製した半導体装置であるSi p/nダイオードパッケージ1(以下、単に「パッケージ」ということがある。)の断面模式図を示した。
一つ目のSi p/nパッケージを切断し、断面を鏡面に研磨した後に、FIB(Focused Ion Beam、株式会社日立製作所製FB−2000A)によって、焼結銀接合材の周辺を断面加工し、同装置のSIM(Scanning Ion Microscope)にて断面観察を行った。得られた焼結銀接合材の断面画像において、画像処理ソフトによって残留空孔を黒く塗りつぶし、画像を2値化した。焼結銀接合材部分の2値化画像の白い部分の面積比率を焼結銀の緻密度として評価した。得られた焼結銀接合材の緻密度を表1に示した。
二つ目のSi p/nダイオードパッケージを恒温槽に入れ、微小電流ICを1A、1秒間通電し、+側リードフレームと−側リードフレームの間に発生する微小電圧Vjを測定した。25℃、50℃、100℃、150℃、200℃の各温度でVjを測定し、Vjの温度依存性を求めた。
25℃の冷却水によって温度調節された銅製冷却ブロック(縦100mm×横100mm×厚さ20mm)に、放熱シート(信越化学工業株式会社製、TC−100TXS、熱伝導率5Wm−1K−1、縦60mm×横40mm×厚さ1mm)を貼り、その上に、Si p/nダイオードパッケージのヒートブロックの露出面を放熱シートに接するように、Si p/nダイオードパッケージを設置した。Si p/nダイオードパッケージの上面にガラスエポキシ板(縦80mm×横20mm×厚さ1mm)を配置し、クリップによってガラスエポキシ板と銅製冷却ブロックを挟むことでSi p/nダイオードパッケージを固定した。
初期特性評価と同様にSi p/nダイオードパッケージを固定した。+側アウターリードから−側アウターリードに電流IONを220A、1.7秒間通電し、その後、13秒間通電を停止した。これをパワーサイクルの1回として、通電の開始と停止を上記条件で寿命に達するまで繰り返した。パワーサイクル試験を継続しながら、パワーサイクル100回目の時のTjmaxをとTjminを測定した結果、それぞれ約200℃と約40℃であった。このパワーサイクル試験を継続しながら測定したTjmaxが220℃を超えた時のパワーサイクル回数をパワーサイクル寿命として評価した。得られたパワーサイクル寿命(PC寿命)を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物層による接合工程にて、加圧圧力を15MPaにした以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。さらに実施例1と同様に焼結銀接合材の緻密度と、パッケージの初期特性、パワーサイクル寿命を評価し、結果を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物層による接合工程にて、加圧圧力を10MPaにした以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。さらに実施例1と同様に焼結銀接合材の緻密度と、パッケージの初期特性、パワーサイクル寿命を評価し、結果を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物層による接合工程にて、加圧圧力を5MPaにした以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。さらに実施例1と同様に焼結銀接合材の緻密度と、パッケージの初期特性、パワーサイクル寿命を評価し、結果を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物層による接合工程にて、加圧圧力を3MPaにした以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。さらに実施例1と同様に焼結銀接合材の緻密度と、パッケージの初期特性、パワーサイクル寿命を評価し、結果を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物層による接合工程にて、加圧圧力を1MPaにした以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。さらに実施例1と同様に焼結銀接合材の緻密度と、パッケージの初期特性、パワーサイクル寿命を評価し、結果を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物層による接合工程にて、加圧圧力を15MPaにしたこと、およびプライマー樹脂の形成を省略した以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。さらに実施例1と同様に焼結銀接合材の緻密度と、パッケージの初期特性、パワーサイクル寿命を評価し、結果を表1に示した。
実施例1の銀粒子接着剤組成物の作製、銀粒子接着剤組成物層の形成、銀粒子接着剤組成物層による接合の工程を、以下に示す、はんだ接合工程に変更した以外は、実施例1と同様にしてSi p/nダイオードパッケージを作製した。
厚み4μmのNiめっきが形成されたCuリードフレームを用意した。Cuリードフレームの一部のヒートブロック(縦24mm×横19mm×厚さ3mm)に、中心に開口部(縦8.7mm×横6.2mm)を有するカーボンマスク(縦15mm×横15mm×厚さ1.5mm)を設置し、カーボンマスクの開口部に高温はんだのシート(95質量%Pb−3.5質量%Sn−1.5質量%Ag、縦8.5mm×横6mm×厚さ130μ)を入れ、高温はんだのシートの上に、半導体素子であるSi p/nダイオードチップ(縦8.5mm×横6mm×厚さ0.6mm、陽極最表面:Al、陰極最表面:Au)を陰極側と高温はんだとが接触するように置いた。
(銀粒子接着剤組成物の作製)
次に示す工程にて銀粒子接着剤組成物を作製した。まず、DPMA(ダイセル工業株式会社製、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート)12質量部と、MTPH(日本テルペン化学株式会社製、イソボルニルシクロヘキサノール)12質量部、ステアリン酸0.88質量部をらいかい機にて10分間混練し、液状成分を得た。この液状成分に、リン片状銀粒子(福田金属箔粉工業株式会社製、AgC−239)88質量部を加えてらいかい機にて15分間混練し、銀粒子接着剤組成物を得た。
厚み4μmのAgめっきが形成されたCuリードフレームを用意した。Cuブロック(縦24mm×横19mm×厚さ3mm)にギャップ40μmのメタルマスクを設置し、焼結銀ペースト(銀粒子接着剤組成物)を縦10mm×横6mmの範囲にスクリーン印刷した。ついで、銅リードフレームを160℃のホットプレート上で180秒間加熱し、銀粒子接着剤組成物層を形成した。
半導体素子であるSiダミーチップ(縦8mm×横4mm×厚さ0.3mm、表面:Al膜、裏面:Ag膜)のAg膜側と銀粒子接着剤組成物層とが接触するように、Siチップを銀粒子接着剤組成物層上に設置し、圧着用サンプルを用意した。ここで、Siダミーチップとは、Siを用いた試験用のTEG(test element group)チップをいう。以下、「Siダミーチップ」を、単に「チップ」ということがある。300℃に加熱されたステンレス製ステージとステンレス製ヘッドによって、圧着用サンプルを15MPaで10分間にて加圧し、チップをヒートブロックに接合した。この接合材を「焼結銀接合材」と呼ぶ。なお、加圧の際にSi p/nダイオードチップの陽極面とステンレス製ヘッドの間にカーボンシート(厚さ3mm)を挟み、Siダミーチップを保護した。
接合後のサンプルにおいて、Siダミーチップの全ての露出面とヒートブロックの封止される部分にプライマー樹脂を形成した。プライマー樹脂の塗布液には日立化成株式会社製HIMAL(HL−1210−H0001、ガラス転移温度260℃、ポリアミドイミド系樹脂のジエチレングリコールジメチルエーテル溶液)を用い、刷毛によって塗布した。その後、100℃のホットプレート上で5分加熱し、さらに200℃のホットプレート上で1時間加熱し、塗布膜から溶媒を乾燥させて厚さ2μmのプライマー樹脂を形成した。
プライマー樹脂形成後のサンプルにおいて、SiダミーチップとCuブロックのプライマー樹脂を形成した部分を封止樹脂によって封止した。封止樹脂には日立化成株式会社製固形封止材(CEL−420HFC、ガラス転移温度211℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率14.2GPa、線膨張係数11.9×10−6/℃)を用いた。封止にはトンラスファーモールド装置を用いて、金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化加熱時間90秒にて、封止を行った。その後、封止後のサンプルを200℃のオーブンにて6時間加熱することで封止樹脂の硬化を完了し、封止樹脂硬化物の外形が縦50mm×横30mm×厚さ9mmであるSi TEGパッケージを作製した。これまでの工程を繰り返し、2つのSi TEGパッケージを作製した。図2には作製した半導体装置であるSi TEGパッケージ8(以下、単に「パッケージ」ということがある。)の断面模式図を示した。
一つ目のパッケージを切断し、断面を鏡面に研磨した後に、FIB(Focused Ion Beam、株式会社日立製作所製FB−2000A)によって接合材の周辺を断面加工し、同装置のSIM(Scanning Ion Microscope)にて断面観察を行った。得られた焼結銀接合材の断面画像において、画像処理ソフトによって残留空孔を黒く塗りつぶし、画像を2値化した。焼結銀接合材部分の2値化画像の白い部分の面積比率を焼結銀の緻密度として評価した。得られた焼結銀接合材の緻密度を表1に示した。
二つ目のSi TEGパッケージをSAM(Scanning Acoustic Microscope)によって観察し、次のようにして温度サイクル試験前の密着面積率S0を評価した。まず、Si TEGパッケージのCuブロック側から15MHzの超音波を照射し、接合材で反射された超音波を測定し、SAM画像を観察した。次に温度サイクル400回後に同様に接合材のSAM画像を観察した。温度サイクル試験前のSAM画像よりもコントラストが明るくなった箇所の面積SAを評価した。SAを接合材の面積SDBで除算し、接合材の密着面積率S400(%)を評価した。次に温度サイクル1000回後に同様に接合材のSAM画像を観察した。温度サイクル試験前のSAM画像よりもコントラストが明るくなった箇所の面積SAを評価した。SAを接合材の面積SDBで除算し、接合材の密着面積率S1000(%)を評価した。得られた結果を表2に示した。
二つ目のSi TEGパッケージの温度サイクル試験を実施した。試験槽内にてパッケージには温風と冷風によって温度サイクルが与えられた。まず、試験槽内の温度が200℃±5℃を5分以上保持するように、温風を15分送風した。次に、試験槽内の温度が−40℃±5℃を5分以上保持するように、冷風を15分送風した。これを温度サイクル1回とし、1000回まで温度サイクル試験を実施した。温度サイクル400回の時点と、1000回において、SAM観察を行い、接合材の密着面積率を評価した。
パッケージ封止工程にて、封止樹脂硬化物に日立化成製固形封止材(CEL−420HFB(V6)、ガラス転移温度210℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率15.1GPa、線膨張係数11.8×10−6/℃)を用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
パッケージ封止工程にて、封止樹脂に、次に製造方法を示す封止樹脂B(ガラス転移温度217℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率17.9GPa、線膨張係数17.4×10−6/℃)を用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの焼結銀接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
エポキシ樹脂として、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂(三菱化学株式会社(旧ジャパンエポキシレジン株式会社)製、1032H60)を100質量部、フェノール樹脂Aとして新日鐵化学株式会社製(旧東都化成株式会社)フェノール樹脂(SN−375)を59質量部、酸化防止剤として、ヒンダードフェノール系酸化防止剤(ADEKA社製、AO−60)を5質量部、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィンと1,4−ベンゾキノンの付加反応物を2質量部、無機充填剤として平均粒径(D50)17.5μm、比表面積3.8m2/gの球状溶融シリカを1023質量部、カップリング剤としてエポキシシラン(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)を11質量部、着色剤としてカーボンブラック(三菱化学株式会社製、商品名「MA−100」)を2.6質量部、離型剤としてカルナバワックス(株式会社セラリカNODA製)を1質量部、の配合物を混練温度80℃、混練時間15分の条件でロール混練を行うことによって封止樹脂Bを作製した。
パッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(GE−5000、ガラス転移温度217℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率17.1GPa、線膨張係数12.8×10−6/℃)を用いたこと、封止樹脂を175℃6時間の条件で硬化させたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
パッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(CEL−400ZHF16、ガラス転移温度204℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率17.1GPa、線膨張係数10.2×10−6/℃)を用いたこと、封止樹脂を175℃6時間の条件で硬化させたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
銀粒子接着剤組成物層の形成工程にてギャップ20μmのメタルマスクを用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
銀粒子接着剤組成物層の形成工程にてギャップ70μmのメタルマスクを用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
銀粒子接着剤組成物層の形成工程にてギャップ70μmのメタルマスクを用いたこと、および銀粒子接着材組成物層の接合工程にて5MPaで加圧したこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程にて、プライマー樹脂の塗布液には日立化成株式会社製HIMAL(HL−1210、ガラス転移温度220℃、ポリアミドイミド系樹脂のジエチレングリコールジメチルエーテル溶液)を用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、およびパッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(CEL−420HFB(V6)、ガラス転移温度210℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率15.1GPa、線膨張係数11.8×10−6/℃)を用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、およびパッケージ封止工程にて、封止樹脂B(ガラス転移温度217℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率17.9GPa、線膨張係数17.4×10−6/℃)を用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、およびパッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(GE−5000、ガラス転移温度217℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率17.1GPa、線膨張係数12.8×10−6/℃)を用いたこと、封止樹脂を175℃6時間の条件で硬化させたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、およびパッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(CEL−400ZHF16、ガラス転移温度204℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率17.1GPa、線膨張係数10.2×10−6/℃)を用いたこと、封止樹脂を175℃6時間の条件で硬化させたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、およびパッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(CEL−20CF、ガラス転移温度190℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率13.5GPa、線膨張係数12.0×10−6/℃)を用いたこと、封止樹脂を175℃6時間の条件で硬化させたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、およびパッケージ封止工程にて、封止樹脂に、日立化成株式会社製固形封止材(CEL−420HFB(V7)、ガラス転移温度221℃、無機充填剤含有エポキシ系樹脂、弾性率21.8GPa、線膨張係数8.0×10−6/℃)を用いたこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
プライマー樹脂の形成工程を省略したこと、パッケージ封止工程を省略したこと以外は、実施例8と同様にして、Si TEGパッケージを作製した。なお、封止樹脂硬化物のガラス転移温度と弾性率、線膨張係数は実施例1と同様にして評価し、その結果を表2に示した。さらに、実施例8と同様にして、パッケージの接合材の密着面積率評価とパッケージの温度サイクル試験を実施し、結果を表2に示した。
2.半導体素子、又はSi p/nダイオードチップ、又はSiダミーチップ
3.リードフレーム、又はCuリードフレーム、又はCuブロック
3a.+側アウターフレーム
3b.−側アウターフレーム
3c.ヒートブロック
4.接合材
5.封止樹脂硬化物
6.プライマー樹脂
7.Alワイヤ
8.半導体装置、又はSi TEGパッケージ
Claims (9)
- 半導体素子と、この半導体素子と接合されるリードフレームと、前記半導体素子とリードフレームとを接合する接合材と、前記半導体素子と接合材と一部のリードフレームとを封止する封止樹脂硬化物と、を有する半導体装置であって、前記接合材は銀粒子焼結体を含み、前記封止樹脂硬化物のガラス転移温度は195℃以上、50℃での弾性率は10GPa以上20GPa以下、ガラス領域における線膨張係数は9×10−6 /℃以上24×10−6/℃以下である半導体装置。
- 銀粒子焼結体を含む接合材の緻密度は50%以上100%以下である、請求項1に記載の半導体装置。
- 銀粒子焼結体を含む接合材の厚さは5μm以上50μm以下である、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 封止樹脂硬化物がエポキシ樹脂と無機フィラーとを含有する熱硬化性樹脂の硬化物である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- プライマー樹脂をさらに含む半導体装置であって、半導体素子のリードフレームとの接合面とは反対側の表面にプライマー樹脂が形成されている請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- プライマー樹脂のガラス転移温度が200℃以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- プライマー樹脂の厚さが0.1μm以上20μm以下である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- プライマー樹脂がポリアミド樹脂またはポリアミドイミド樹脂である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- プライマー樹脂が熱可塑性樹脂である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014084564A JP6349903B2 (ja) | 2014-01-30 | 2014-04-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014015512 | 2014-01-30 | ||
JP2014015512 | 2014-01-30 | ||
JP2014084564A JP6349903B2 (ja) | 2014-01-30 | 2014-04-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015164165A JP2015164165A (ja) | 2015-09-10 |
JP6349903B2 true JP6349903B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=54186995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014084564A Active JP6349903B2 (ja) | 2014-01-30 | 2014-04-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6349903B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102232994B1 (ko) | 2017-02-21 | 2021-03-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
JP6766160B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2020-10-07 | バンドー化学株式会社 | 金属接合用組成物 |
WO2019123562A1 (ja) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 日立化成株式会社 | ポリアミドイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂組成物、並びにそれらを用いた半導体装置 |
JP7295532B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-06-21 | 株式会社デンソー | 半導体モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4131330B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2008-08-13 | 松下電工株式会社 | 光半導体装置 |
JP2010171271A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011165871A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
JP5602077B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2014-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-04-16 JP JP2014084564A patent/JP6349903B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015164165A (ja) | 2015-09-10 |
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