JP6347188B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、本明細書では、ミラー指数の表記において、“−”はその直後の指数につくバーを意味しており、指数の前に“−”を付けることで負の指数を表している。
101 微小ピット
Claims (5)
- 炭化珪素よりなるMOSFETの製造方法において、炭化珪素からなる半導体ウェハのおもて面側にMOSFETのチャネル層を形成するチャネル層形成工程と、前記チャネル層の表面にゲート酸化膜を形成するゲート酸化膜形成工程と、前記チャネル層形成工程の後、前記ゲート酸化膜形成工程の前に、前記炭化珪素からなる半導体ウェハ上の微小ピットの深さに対応して、所定厚さを有する犠牲酸化膜を形成することにより、前記炭化珪素からなる半導体ウェハ上で所定深さ以上の微小ピットの数を減らしたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記犠牲酸化膜は、10nm以上100nm以下の膜厚で形成したことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記チャネル層形成工程では、前記チャネル層としてエピタキシャル膜を成長させ形成し、
前記チャネル層形成工程の後、前記ゲート酸化膜形成工程の前に、熱酸化により、前記チャネル層の表面に所定厚さの酸化膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 酸化膜を形成することを繰り返して、前記犠牲酸化膜を所定の厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法により、直径2μm以下、深さ3nm以上の前記微小ピットが1個/cm2以下の密度で前記炭化珪素からなる半導体ウェハ平面上に存在することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
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