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Abstract
Description
TFT基板20は、例えばガラス基板又はポリイミドなどの樹脂フィルムなどからなる絶縁基板21の一面に駆動用TFT(薄膜トランジスタ、以下単にTFTという)11、電流供給用TFT12、スイッチ用TFT13(図2参照)などの駆動用TFTや、バスラインなどの配線が形成され、その表面を平坦にする、いわゆる平坦化膜と呼ばれる絶縁層25が形成されている。絶縁層25は、TFTなどが形成された部分と形成されない部分との凹凸をなくして表面を平坦にすることが目的であるため、ポリイミドなどの有機材料で形成されることが好ましい。しかし、前述のように、封止のために被覆層45との接合を考慮すると、絶縁層25は、無機材料で形成されてもよい。絶縁層25がSiOyやSiNxなどの無機材料でCVD法などによって形成される場合、平坦化するのに数μmの厚さが必要となるので、成膜時間が長くなる。しかし、SOG(スピンオングラス)などにより容易に平坦化することはできる。なお、図1Aに示される図では、素子の構造が概念的に示され、各素子の全てが、正確には記載されていない。
液晶表示素子30は、一画素のうち、半分程度の第一領域Rの全面に形成された反射電極31と、液晶層32と、対向電極33と、偏光板34とで、反射型の液晶表示素子として形成されている。液晶層32は、第一領域Rのみに形成することは難しく、対向電極33と共に第二領域Tも含めた全面に形成されている。図1Aに示される例では、カラーフィルタ35が対向基板50の絶縁基板51と対向電極33との間に形成されている。図示されていないが、この対向基板50の液晶層32と接する面には、液晶配向層が形成される。
有機EL表示素子40は、一画素の第二領域Tに形成され、図1Aに示されるように、絶縁層25の第二領域Tの表面に形成される第一電極41と、その周囲に形成される第二の絶縁層42と、その第二の絶縁層42で囲まれる第一電極(アノード電極)41の上に形成される有機層43と、その上の有機EL表示素子のほぼ全面に形成される第二電極(カソード電極)44と、その周囲を被覆する被覆層45とで形成されている。
対向基板50は、例えばガラス又は透明(透光性)フィルムなどの基板に、カラーフィルタ35と対向電極33とが形成される。液晶表示素子30では、表示画面をカラーにするには種々の方法があるが、カラーフィルタ35で、画素ごとに赤(R)、緑(G)、青(B)の三原色の画素を形成するために設けられる。有機EL表示素子40側でも、前述のように、カラーフィルタを用いてカラー表示がされ得るが、有機層の材料を選択することによって直接赤(R)、緑(G)、青(B)の光を発光させる場合には、カラーフィルタは不要になる。この対向基板50には、図示されていないが、液晶層32と対向する面に液晶配向層が形成され、ラビング加工などがなされる。
次に、TFT基板20及びその上に形成される有機EL表示素子40の製造工程が、図3A〜3G及び図4A〜4Gを参照しながら説明される。
この表示装置で、外光の明るいときは、第二ゲートバスライン19に信号を送ってスイッチ用TFT13を動作せると共に、ゲートバスライン16への選択信号と、ソースバスライン15へのデータ信号によって、駆動用TFT11が選択されることにより、第一領域Rの液晶表示素子30がソースバスライン15へのデータ信号に応じた画像を表示する。一方、夜間又は室内などの暗い場所では、第二ゲートバスライン19への信号がオフにされ、スイッチ用TFT13がオフになる。同時に電流バスライン17が接続され、駆動用TFT11でこの画素が選択されている場合には、電流供給用TFT12がオンになり、ソースバスライン15へのデータ信号に応じて、有機EL表示素子40の点灯が制御され、画面の全体によって画像が表示される。
(1)本発明の一実施形態に係る表示装置は、駆動素子上に絶縁層(平坦化膜)を形成したTFT基板と、
液晶組成物を含む液晶層と、
前記液晶層を介して前記TFT基板に対向する、透明電極を備えた対向基板と、
前記対向基板の前記液晶層に対向する面と反対面に設けた偏光板と、
を有する表示装置において、
前記表示装置は、表示領域内に互いに隣接する第一領域と第二領域からなる複数個の画素と、を有し、
前記第一領域は、前記TFT基板の前記絶縁層の上方に反射電極を備え、
前記第二領域は、前記TFT基板の前記絶縁層の上に第一電極、有機層、及び第二電極を積層した発光素子と、を備え、
前記発光素子は、各画素の発光領域毎に全体を覆う被覆層を有し、
前記被覆層の辺縁は、前記絶縁層と接合している。
12 電流供給用TFT
13 スイッチ用TFT
14 補助容量
15 ソースバスライン
16 ゲートバスライン
17 電流バスライン
18 カソードバスライン
19 第二ゲートバスライン
20 TFT基板
21 絶縁基板
22 半導体層
23 ゲート絶縁膜
24 パシベーション膜
25 絶縁層(平坦化膜)
30 液晶表示素子
31 反射電極(画素電極)
32 液晶層
33 対向電極
34 偏光板
35 カラーフィルタ
40 有機EL表示素子
41 第一電極
42 第二の絶縁層
42a 第三の絶縁層
43 有機層
44 第二電極
45 被覆層
50 対向基板
51 絶縁基板
R 第一領域
T 第二領域
Claims (9)
- 駆動素子上に絶縁層を形成したTFT基板と、
液晶組成物を含む液晶層と、
前記液晶層を介して前記TFT基板に対向する、透明電極を備えた対向基板と、
前記対向基板の前記液晶層に対向する面と反対面に設けた偏光板と、
を有する表示装置において、
前記表示装置は、表示領域内に互いに隣接する第一領域と第二領域からなる複数個の画素と、を有し、
前記第一領域は、前記TFT基板の前記絶縁層の上方に反射電極を備え、
前記第二領域は、前記TFT基板の前記絶縁層の上に第一電極、有機層、及び第二電極を積層した発光素子と、を備え、
前記発光素子は、各画素の発光領域毎に全体を覆う被覆層を有し、
前記被覆層の辺縁は、前記絶縁層と接合し、
前記TFT基板は、前記発光素子の前記発光領域を区画する第二の絶縁層をさらに備え、前記第二の絶縁層は、前記絶縁層の上に前記第一領域にも配置し、かつ、
前記第一領域と前記第二領域との間で分断される、表示装置。 - 前記被覆層の前記辺縁は、前記絶縁層に形成された溝内まで埋め込まれている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記被覆層の前記辺縁は、前記絶縁層の下にある無機膜と接している、請求項2に記載の表示装置。
- 前記絶縁層に形成される溝が前記TFT基板のコンタクトの上、又は前記駆動素子の上に形成されるパシベーション膜の平坦な部分に形成される請求項2又は3に記載の表示装置。
- 前記絶縁層が無機膜で形成され、前記被覆層が前記絶縁層の表面で接合されている請求項1に記載の表示装置
- 前記第一領域の表示と前記第二領域の表示とを切り替えるスイッチ用TFTが前記TFT基板に形成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記液晶層がノーマリブラックに配向され、前記偏光板が円偏光板からなり、前記第二領域の上にも形成されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記TFT基板は前記液晶層と対向する表面に第一液晶配向層を有し、かつ、
前記対向基板は前記液晶層と対向する表面に第二液晶配向層を有し、
前記液晶層の液晶分子は、前記TFT基板の近傍で実質的に垂直配向をなし、かつ、前記対向基板の表面に対してプレチルトを有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記プレチルトの角度が、前記対向基板の表面に対して、80°から89.9°である、請求項8に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
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