JP6338778B2 - リソグラフィ方法及び装置 - Google Patents
リソグラフィ方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6338778B2 JP6338778B2 JP2017526675A JP2017526675A JP6338778B2 JP 6338778 B2 JP6338778 B2 JP 6338778B2 JP 2017526675 A JP2017526675 A JP 2017526675A JP 2017526675 A JP2017526675 A JP 2017526675A JP 6338778 B2 JP6338778 B2 JP 6338778B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lithographic apparatus
- change
- aberration
- correction
- machine state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 76
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 310
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 175
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 174
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 136
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 94
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 52
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 49
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 32
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 21
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
[0001] 本願は、2014年12月2日出願の欧州出願第14195783.7号の優先権を主張するものであり、その内容全体を参照としてここに組み込む。
−放射(例えばUV放射)のビームPBを調節するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するための、アイテムPLに関してパターニングデバイスを正確に位置決めするために第1の位置決めデバイスPMに接続された支持構造MTと、
−基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するための、アイテムPLに関して基板を正確に位置決めするための第2の位置決めデバイスPWに接続された、基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
−パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)上に結像するように構成された、投影システム(例えば屈折投影レンズ)PLと、
を備える。
Claims (36)
- リソグラフィ装置の投影システムによって生じた収差の補正方法であって、
前記リソグラフィ装置に配置されたセンサを使用して、前記投影システムによって生じた収差の測定を実施することと、
機械状態の変化以降の前記リソグラフィ装置の動作履歴に基づき、前記センサを使用して過去に得られた収差測定で、前記測定収差の平均化を行うか否かを判定することと、
平均化を実施すべきでないと判定された場合、前記測定収差を使用して、前記リソグラフィ装置に適用される補正を計算することと、
平均化を実施すべきであると判定された場合、平均化収差測定を使用して、前記リソグラフィ装置に適用される補正を計算することと、
前記計算された補正を前記リソグラフィ装置に適用することと、
を備える、方法。 - 前記リソグラフィ装置の前記動作履歴は、前記リソグラフィ装置の機械状態の変化以降、前記リソグラフィ装置によって露光される基板の数又は基板のロットを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記リソグラフィ装置の前記動作履歴は、前記リソグラフィ装置の機械状態の変化以降の経過時間を備える、請求項1又は2に記載の方法。
- 過去の測定収差で前記測定収差を平均化するか否かを判定するとき、前記機械状態の変化の性質を考慮に入れる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記平均化収差測定の計算方法を判定するとき、前記機械状態の変化の性質を考慮に入れる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記リソグラフィ装置の前記機械状態の変化は、前記リソグラフィ装置の動作の中断、照明モードの変化、マスクの変化、ロットサイズの変化、又は放射線量の変化のうちの1つ以上を備える、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 機械状態の変化の発生以降、収差測定が実施されていない場合、測定収差の平均化は実施されない、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記平均化収差測定は、収差測定のローリング平均である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記平均化収差測定は、前記機械状態の変化の発生以降に実施されたすべての収差測定の平均である、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記補正は、前記リソグラフィ装置の投影システムに適用される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法は、さらに、前記機械状態の変化以降に所定時間が経過したとき、前記センサを使用して実施した収差測定を使用して計算された補正を適用するのを止めることを備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法は、さらに、前記機械状態の変化以降、所定数の基板又は所定数のロットの基板がリソグラフィ装置で露光されたとき、前記センサを使用して実施した収差測定を使用して計算された補正を適用するのを止めることを備える、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記方法は、さらに、収差の変化速度が所定の閾値より遅いとき、前記センサを使用して実施した収差測定を使用して計算された補正を適用するのを止めることを備える、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 重み付けが前記計算された補正に適用され、前記重み付けは、前記機械状態の変化以降、前記リソグラフィ装置によって露光された基板の数又は基板のロットが増加するほど、又は、前記機械状態の変化以降の前記経過時間が増加するほど、低減する、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 一連のロットの基板が露光され、前記収差測定は、各ロットの基板の露光前に実施される、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記収差測定が前記センサを使用して実施される速度は、機械状態の変化以降の前記リソグラフィ装置の前記動作履歴に基づいて調整される、請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記投影システムに適用される補正の前記計算では、前記投影システムによって生じた前記収差の予測変化に基づくフィードフォワード値を考慮に入れる、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
- コンピュータに、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法を実施させるように構成されたコンピュータ読み取り式命令を備える、コンピュータプログラム。
- 請求項18に記載のコンピュータプログラムを搬送する、コンピュータ読み取り式媒体。
- 投影システムと、収差を測定するように構成されたセンサと、コントローラと、を備えるリソグラフィ装置であって、
前記コントローラは、
前記センサを使用して、前記投影システムによって生じた収差の測定を実施し、
機械状態の変化以降の前記リソグラフィ装置の動作履歴に基づき、前記センサを使用して過去に得られた収差測定で、前記測定収差を平均化するか否かを判定し、
平均化を実施すべきでないと判定された場合、前記測定収差を使用して、前記リソグラフィ装置に適用される補正を計算し、
平均化を実施すべきであると判定された場合、平均化収差測定を使用して、前記リソグラフィ装置に適用される補正を計算し、
前記計算された補正を前記リソグラフィ装置に適用する、
ように構成される、リソグラフィ装置。 - 前記リソグラフィ装置の前記動作履歴は、前記リソグラフィ装置の機械状態の変化以降、前記リソグラフィ装置によって露光される基板の数又は基板のロットを備える、請求項20に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置の前記動作履歴は、前記リソグラフィ装置の機械状態の変化以降の経過時間を備える、請求項20又は21に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、過去の測定収差で前記測定収差を平均化するか否かを判定するとき、前記機械状態の変化の性質を考慮に入れる、請求項20〜22のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記平均化収差測定の計算方法を判定するとき、前記機械状態の変化の性質を考慮に入れる、請求項20〜23のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置の前記機械状態の変化は、前記リソグラフィ装置の動作の中断、照明モードの変化、マスクの変化、ロットサイズの変化、又は放射線量の変化のうちの1つ以上を備える、請求項20〜24のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 機械状態の変化の発生以降、収差測定が実施されていない場合、前記コントローラは、測定収差の平均化を実施しない、請求項20〜25のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記平均化収差測定は、収差測定のローリング平均である、請求項20〜26のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記平均化収差測定は、機械状態の変化の発生以降に実施されたすべての収差測定の平均である、請求項20〜27のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記補正は、前記リソグラフィ装置の投影システムに適用される、請求項20〜28のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記機械状態の変化以降に所定時間が経過したとき、前記センサを使用して実施した収差測定を使用して計算された補正を適用するのを止める、請求項20〜29のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記機械状態の変化以降、所定数の基板又はロットの基板がリソグラフィ装置で露光されたとき、前記センサを使用して実施した収差測定を使用して計算された補正を適用するのを止める、請求項20〜30のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、収差の変化速度が所定の閾値より遅いとき、前記センサを使用して実施した収差測定を使用して計算された補正を適用するのを止める、請求項20〜31のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記計算された補正に重み付けを適用し、前記重み付けは、前記機械状態の変化以降、前記リソグラフィ装置によって露光された基板の数又は基板のロットが増加するほど、又は、前記機械状態の変化以降の経過時間が増加するほど、低減する、請求項20〜32のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記コントローラは、前記収差測定が前記センサを使用して実施される速度を、期間状態の変化以降の前記リソグラフィ装置の前記動作履歴に基づいて調整する、請求項20〜33のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記投影システムに適用される補正の前記コントローラによる前記計算では、前記投影システムによって生じた前記収差の予測変化に基づくフィードフォワード値を考慮に入れる、請求項20〜34のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、ユーザインタフェースを含み、
前記コントローラは、前記ユーザインタフェースを介して、前記コントローラが、平均化収差測定を使用して前記リソグラフィ装置に適用される補正を計算するか否かを判定するのに使用する1つ以上のパラメータを受信するように構成される、請求項20〜35のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14195783 | 2014-12-02 | ||
EP14195783.7 | 2014-12-02 | ||
PCT/EP2015/075388 WO2016087142A1 (en) | 2014-12-02 | 2015-11-02 | Lithographic method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018501508A JP2018501508A (ja) | 2018-01-18 |
JP6338778B2 true JP6338778B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=51999352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526675A Active JP6338778B2 (ja) | 2014-12-02 | 2015-11-02 | リソグラフィ方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10078272B2 (ja) |
JP (1) | JP6338778B2 (ja) |
CN (1) | CN107003618B (ja) |
TW (1) | TWI564677B (ja) |
WO (1) | WO2016087142A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017538156A (ja) | 2014-12-02 | 2017-12-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法及び装置 |
JP7173730B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2022-11-16 | キヤノン株式会社 | 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法 |
CN116482939A (zh) * | 2017-12-22 | 2023-07-25 | Asml荷兰有限公司 | 涉及光学像差的图案化过程改进 |
EP3518040A1 (en) | 2018-01-30 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid |
DE102018207882A1 (de) | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Analyse eines Elements eines Photolithographieprozesses mit Hilfe eines Transformationsmodells |
JP7301695B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-07-03 | キヤノン株式会社 | 制御装置、制御方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3651630B2 (ja) * | 1996-08-05 | 2005-05-25 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び投影露光装置 |
CN1491427A (zh) * | 2001-02-06 | 2004-04-21 | ������������ʽ���� | 曝光装置、曝光法和器件制造法 |
DE10120446C2 (de) * | 2001-04-26 | 2003-04-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie |
KR100375559B1 (ko) | 2001-07-03 | 2003-03-10 | 삼성전자주식회사 | 공정장치의 제어방법 |
JP2003017393A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sony Corp | 測定システムおよび測定方法 |
JP4327412B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 波面収差測定装置及び露光装置 |
US7025280B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-04-11 | Tokyo Electron Limited | Adaptive real time control of a reticle/mask system |
US7242475B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-07-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining aberration of a projection system of a lithographic apparatus |
US7289858B2 (en) | 2004-05-25 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic motion control system and method |
US7403264B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
US7262831B2 (en) | 2004-12-01 | 2007-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
DE102006004411B4 (de) | 2006-01-31 | 2017-11-09 | Globalfoundries Inc. | Verfahren und System für die Messdatenbewertung in der Halbleiterbearbeitung durch auf Korrelation basierende Datenfilterung |
JP2007250723A (ja) | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Nikon Corp | 結像光学系の評価方法および調整方法、露光装置、および露光方法 |
US8125613B2 (en) | 2006-04-21 | 2012-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7580113B2 (en) | 2006-06-23 | 2009-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Method of reducing a wave front aberration, and computer program product |
US7372633B2 (en) * | 2006-07-18 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, aberration correction device and device manufacturing method |
WO2008117444A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | リソグラフィ処理の露光位置アライメント方法 |
US8175831B2 (en) | 2007-04-23 | 2012-05-08 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurements are performed on wafers |
JP4568340B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2010-10-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
NL2003084A1 (nl) | 2008-06-27 | 2009-12-29 | Asml Netherlands Bv | Correction method for non-uniform reticle heating in a lithographic apparatus. |
DE102008042356A1 (de) | 2008-09-25 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit |
NL2003818A (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP2011029431A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び装置、光学特性調整方法、並びに露光方法及び装置 |
US8988653B2 (en) | 2009-08-20 | 2015-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, distortion determining method, and patterning device |
US20120120379A1 (en) | 2009-12-21 | 2012-05-17 | Phillips Alton H | System and method for controlling the distortion of a reticle |
NL2007615A (en) | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Asml Netherlands Bv | Method of operating a patterning device and lithographic apparatus. |
US10295993B2 (en) | 2011-09-01 | 2019-05-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for detecting and correcting problematic advanced process control parameters |
JP2013115348A (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Canon Inc | 投影光学系の結像特性の変動量の算出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
CN102768474B (zh) | 2012-07-20 | 2014-04-09 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于二阶像差模型的投影物镜波像差检测方法 |
JP2014143306A (ja) | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
-
2015
- 2015-11-02 JP JP2017526675A patent/JP6338778B2/ja active Active
- 2015-11-02 WO PCT/EP2015/075388 patent/WO2016087142A1/en active Application Filing
- 2015-11-02 US US15/527,264 patent/US10078272B2/en active Active
- 2015-11-02 CN CN201580065410.7A patent/CN107003618B/zh active Active
- 2015-11-19 TW TW104138290A patent/TWI564677B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018501508A (ja) | 2018-01-18 |
US20170261863A1 (en) | 2017-09-14 |
TW201626112A (zh) | 2016-07-16 |
US10078272B2 (en) | 2018-09-18 |
CN107003618B (zh) | 2019-03-15 |
WO2016087142A1 (en) | 2016-06-09 |
CN107003618A (zh) | 2017-08-01 |
TWI564677B (zh) | 2017-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6338778B2 (ja) | リソグラフィ方法及び装置 | |
TWI694487B (zh) | 製程窗優化器 | |
TWI641959B (zh) | 處理窗識別符 | |
JP4262175B2 (ja) | 適応リソグラフィ短寸法エンハンスメント | |
JP4824665B2 (ja) | デバイス製造方法、コンピュータプログラム製品、およびリソグラフィ装置 | |
JP4787282B2 (ja) | デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、リソグラフィ装置 | |
JP2006024941A (ja) | リソグラフィ投影装置及びそのリソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法 | |
JP6571233B2 (ja) | リソグラフィ方法および装置 | |
JP2008004937A (ja) | 波面収差を低減する方法及びコンピュータプログラム | |
JP2006332659A (ja) | リソグラフィ特性向上 | |
JP5060464B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
US20080278698A1 (en) | Lithographic apparatus and method | |
US11022895B2 (en) | Lithographic apparatus adjustment method | |
JP2009231832A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US9811002B2 (en) | Determination and application of non-monotonic dose sensitivity | |
JP4392413B2 (ja) | リソグラフィ装置およびその使用方法 | |
WO2020048693A1 (en) | Method and apparatus for configuring spatial dimensions of a beam during a scan |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6338778 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |